Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1-yAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор наук Васильевский Иван Сергеевич

• Васильевский Иван Сергеевич
• доктор наук
• 2018

Оглавление диссертации доктор наук Васильевский Иван Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Гетероструктуры на основе арсенидов А3В5

1.1. Зонная структура квантовых ям

1.2. Проблема легирования

1.3. Основные механизмы рассеяния носителей тока в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами

1.3.1. Рассеяние на ионизированной примеси

1.3.2. Рассеяние электронов на фононах

1.3.3. Рассеяние электронов на флуктуациях состава сплава

1.3.4. Рассеяние электронов на шероховатостях гетерограниц

1.4. Феноменология НЕМТ структур с квантовыми ямами на основе InyGa1-yAs с различным содержанием индия

1.4.1. НЕМТ гетероструктура AlGaAs/GaAs/(Al)GaAs

1.4.2. Псевдоморфные РНЕМТ AlGaAs/InyGa1-yAs/(Al)GaAs квантовые ямы

1.4.3. Изоморфные и псевдоморфные гетероструктуры на подложках 1пР

1.4.4. Метаморфные гетероструктуры

1.5. Квантовые аспекты дизайна гетероструктур с наноразмерным каналом

1.5.1. Концентрационная зависимость подвижности электронов. Увеличение проводимости

1.5.2. Многоподзонная и параллельная проводимость, переходы горячих электронов в реальном пространстве

1.5.3. Донорно-акцепторные структуры DA-PHEMT

1.6. Обзор использования квантовых ям с пространственно-неоднородными слоями

1.6.1. Нанослои AlAs и GaAs

1.6.2. Составные КЯ на основе InyGa1-yAs, содержащие InAs нановставку

1.6.3. Использование составных КЯ с каналом InGaAs/InAs/InGaAs в транзисторах

Выводы по главе

Глава 2. Экспериментальные и теоретические методы работы

2.1. Модели и численные методы

2.1.1. Самосогласованный расчет энергетического спектра и волновых функций электронов в квазидвумерных системах

2.1.2. Расчет рассеяния электронов на ионизированных примесях в многоподзонном приближении. Холловское усреднение

2.1.3. Рассеяние горячих электронов на оптических фононах. Фононный конфайнмент

2.2. Экспериментальные методики создания образцов и исследования их параметров

2.3. Метрологическое обеспечение технологии МЛЭ. Методы структурного анализа

2.4. Исследование квантовых магнетотранспортных эффектов

2.5. Транспорт электронов в сильном электрическом поле

2.6. Исследования спектроскопии фотолюминесценции

Выводы по главе

Глава 3. Управление электронными состояниями и туннельными эффектами при

многоподзонной проводимости в РНЕМТ структурах, содержащих нановставки AlAs

3.1. РНЕМТ приповерхностные квантовые ямы AlGaAs/InyGa1-yAs/(Al)GaAs: влияние встроенного электрического поля

3.2. Квантовое описание явления параллельной проводимости. Управление пространственной структурой электронных состояний при помощи функциональных нанобарьеров AlAs

3.2.1. Влияние толщины спейсера

3.2.2. Структура с составным спейсером, содержащим один или два нанобарьера AlAs

3.2.3. Расчет и анализ подвижности электронов в подзонах и проводимости системы

3.3. Экспериментальное исследование электронных свойств РНЕМТ КЯ с функциональными нанобарьерами AlAs в спейсерном и донорном слоях

3.3.1. Электронные транспортные свойства - температурные зависимости

3.3.2. Анализ низкотемпературного магнетотранспорта в структурах с составным спейсером, содержащим нанобарьеры AlAs

3.3.3. Оптические свойства КЯ с нанобарьерами AlAs в донорных/спейсерных слоях

3.3.4. Эффективная ширина КЯ

3.4. Проблема предельного легирования 15-РНЕМТ структур

3.4.1. Концентрационная зависимость подвижности в 15-РНЕМТ с сильным легированием

3.4.2. Эксперимент. Предельное легирование 15-РНЕМТ квантовых ям

3.4.3 Исследование низкотемпературного магнетотранспорта

Выводы по главе

Глава 4. Физика и технология РНЕМТ варизонных квантовых ям с односторонним и

двусторонним легированием

4.1. Особенности электронных состояний и транспортных свойств 25-РНЕМТ однородных квантовых ям с двусторонним дельта-легированием

4.2. Физика и технология РНЕМТ варизонных квантовых ям с односторонним и

двусторонним дельта-легированием через спейсер

4.2.1. Состояние проблемы варизонных слоев в квантоворазмерных структурах

4.2.2. Моделирование зонной структуры PHEMT квантовых ям с однородным

и варизонным I^Ga^As каналом

4.2.3. Технология роста варизонных слоев с большим композиционным градиентом

4.2.4. Структурная характеризация образцов

4.2.5. Электронные транспортные свойства варизонных PHEMT КЯ с односторонним и

двусторонним 5-легированием

4.3. Фотолюминесценция PHEMT гетероструктур с варизонной КЯ

Выводы по главе

Глава 5. Электронные состояния и транспорт в комбинированно-легированных HFET структурах с каналом InyGa1.yAs и дельта-легированием в переходных барьерах GаAs

5.1. Проблема увеличения проводимости в квантовых HFET структурах с легированным каналом

5.2. Увеличение пробивного напряжения в HFET транзисторах

5.3. Физическая модель концентрационной зависимости подвижности электронов в комбинированно-легированных КЯ в случае многоподзонной проводимости

5.4. Экспериментальные образцы

5.5. Электронные транспортные свойства

5.6. Спектроскопия фотолюминесценции структур с HFET составными квантовыми ямами

5.7. Использование варизонного барьера AlGaAs в транзисторных гетероструктурах

Выводы по главе

Глава 6. Электронные состояния и транспорт в составных КЯ InAlAs/InGaAs/InAlAs на подложках InP, содержащих комбинации нановставок InAs и GaAs

6.1. Электронные свойства однородных изоморфных и псевдоморфных КЯ InyGa1-yAs. Моделирование

6.2. Влияние встроенного электрического поля на электронные состояния и процессы рассеяния элетронов в изоморфных КЯ с инвертированным легированием

6.3. Эпитаксия и электронные свойства квантовых ям с композитным каналом, содержащим бинарные функциональные нановставки InAs и GaAs

6.3.1. Моделирование электронных свойств составных КЯ, содержащих бинарные нановставки InAs и GaAs

6.3.2. Разработка и экспериментальное исследование СКЯ с одиночными

нановставками InAs

6.3.3. Разработка и экспериментальное исследование СКЯ с двойными нановставками

InAs и переходными нанослоями GaAs

6.4. Управление эффективной массой электронов в СКЯ с нановставками InAs и GaAs

6.5. Влияние функциональных нановставок InAs и GaAs на электронный транспорт в сильном электрическом поле

6.6. Оптические свойства составных КЯ, содержащих нановставки InAs и GaAs

Выводы по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные результаты и выводы

СПИСОК ЦИТИРОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1-yAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность направления исследования.

Большинство достижений второй половины ХХ века и облик цивилизации в XXI веке в значительной степени связаны с прогрессом электроники - как микропроцессорной техники, так и аналоговой электроники. Развитие электроники имеет стратегическое значение, обеспечивая высокую функциональность систем обработки информации, коммуникаций, вооружений и военной техники. Эволюция электроники характеризуется не только снижением размеров элементов и увеличением их плотности, ростом частоты единичных транзисторов (или ростом производительности вычислений). Важное значение имели переход от объемных элементарных полупроводников к тонким многослойным структурам на основе полупроводниковых соединений, и в более долгосрочном горизонте, разработка новых физических принципов работы электронных приборов. Закон Мура, десятилетия определявший развитие цифровой электроники, имеет очевидные физические пределы для дальнейшей эволюции электроники по этому пути. Фундаментальные ограничения связаны со снижением электростатического контроля, туннельными эффектами, тепловым балансом и индукционными токами, поэтому функционирование нанотранзисторов изменяется кардинально [1]. В настоящее время размер затвора в отдельных прототипах транзисторов дошел до уровня 10 нм [2]. Пока тенденцию увеличения предельной частоты удается сохранить благодаря значительному усложнению топологии прибора [3, 4]. Однако еще в 1980-е годы в СВЧ электронике стали активно использовать преимущества многокомпонентных полупроводников А3В5. С тех пор полупроводниковые многослойные гетероструктуры AШBV завоевывают все новые области приборных применений. Последнее десятилетие ознаменовано взаимным обогащением классических кремниевых MOSFET технологий и AШBV технологий. Уже сейчас наибольшие перспективы в цифровой электронике будущего возлагают на гетероструктуры AШBV, например, быстродействующие и низковольтные MOSHEMT транзисторы [5]. Арсенидные и фосфидные гетероструктуры - классические в СВЧ аналоговой электронике, наряду с которыми внедряются сравнительно новые материалы - нитридные А3N гетероструктуры, а также SiGe, SiC. Кроме того, активно исследуются графен, углеродные нанотрубки, полупроводниковые оксидные гетероструктуры и ряд других [6]. Итак, новый путь развития наноэлектроники будущего - поиск эффективных материалов одновременно с адаптацией топологии прибора.

Для всех рассматриваемых направлений нано- и СВЧ- электроники общим является проблема времяпролетного ограничения быстродействия приборов. В области физического быстродействия устройств отход от времяпролетного ограничения могут дать приборы, основанные на новых принципах - управляемой делокализации носителей тока, манипуляции

спиновыми волнами и т.п. Уже сегодня активно проводятся исследования, направленные на рост производительности вычислений за счет усложнения логических функций и параллелизма (нейроноподобная архитектура, квантовые вычисления) вместо наращивания быстродействия, сочетанием нескольких сложных функций в одном приборе (комбинация логики и памяти).

Промышленное освоение нового материала происходит гораздо труднее, чем технологическая эволюция в пределах фиксированной системы материалов. Это связано с необходимостью существенной перестройки технологического оборудования и процессов на производстве, экспоненциальный рост стоимости высокотехнологичных производств по мере усложнения требований к топологии. В СВЧ электронике сдерживающим фактором для передовых А3В5 НЕМТ материалов, таких как метаморфные гетероструктуры на GaAs и НЕМТ на AlGaN или InAlN является высокая себестоимость. Из-за объективной сложности процессов, дефектности и морфологии таких структур имеют процент выхода годных структур в 2^3 раза меньше, чем в более развитых Р-НЕМТ технологиях. Экономический фактор играет роль противовеса для перехода к более сложным технологиям материалов.

Качественные изменения касаются не только активных элементов электроники, но и построения электронных систем. Переход от простых систем к сложным, создаваемым в едином технологическом процессе и на одном кристалле, осуществлен в монолитно-интегрированных схемах (МИС), а многофункциональная интеграция - в "системах на кристалле" (СНК) [7]. Помимо снижения массогабаритных размеров, использование МИС и СНК обусловлено устойчивой тенденцией перехода на более высокочастотные диапазоны и расширению функциональности, снижению стоимости производства продукции. Расширение функциональности существующих систем и увеличение плотности информационных потоков требует работы элементов схем в более высокочастотных диапазонах СВЧ [8, 9]. В связи с этим острее встает проблема электромагнитного согласования элементов схемы. В МИС СВЧ технологии необходимо обеспечивать высокую точность параметров транзисторов и их устойчивую технологическую воспроизводимость. Сквозное проектирование современных МИС подразумевает непрерывную взаимосвязь целого ряда параметров и проведение нескольких циклов оптимизации до получения требуемого результата [10]. Такая задача не может быть полностью раздроблена на изолированные блоки, поскольку все физические, топологические, радиотехнические и материаловедческие аспекты задачи в значительной мере взаимозависимы. Отсюда вытекает междисциплинарный характер разработок в современной микро- и наноэлектронике, который вовлекает области физики, технологии, измерений, материаловедения и моделирования. Однако для каждого класса приборов предельно достижимые параметры определяются все же свойствами материала, лежащего в фундаменте любого электронного прибора.

Степень проработанности проблемы.

С точки зрения фундаментальной физики, транзисторные гетероструктуры являются квазидвумерными системами с высокой электронной плотностью в квантовых ямах. Описание электронного транспорта в таких система должно учитывать особенности зонной структуры, пространственной структуры электронных состояний, процессов рассеяния носителей тока как в слабом, так и в сильном электрическом поле. Наиболее важными задачами являются увеличение проводимости квантовой ямы (канала), увеличения дрейфовой скорости насыщения электронов, увеличение электростатического управления инжекцией носителей тока. Всесторонний скейлинг (масштабирование) топологии транзисторов вовлекает соответствующее снижение размеров слоев гетероструктуры, переход к дельта-легированию. Суммируем основные отличительные особенности InGaAs НЕМТ квантовых ям с высокой электронной плотностью:

- сильное донорное легирование для получения высокой концентрации электронов Пя~ (1^5)-1012 см-2 (вырожденный квазидвумерный электронный газ);

- большая кулоновская энергия и сильное встроенное электрическое поле ~ (3^7) • 105 В/см в поперечном направлении структуры, оказывающее определяющее влияние на зонный профиль КЯ и других активных слоев;

- электронный транспорт в нескольких заполненных электронами подзонах размерного квантования, особенности экранирования электронами рассеивающих потенциалов;

- различие доминирующих механизмов рассеяния в слабом и сильном электрическом поле при продольном переносе носителей тока (вдоль КЯ),

- переходы горячих носителей тока в реальном пространстве, поперек слоев структуры;

- большое число факторов, совместно определяющих условия электронного транспорта в КЯ (конструкционные, структурные, легирование).

Высокая плотность зарядов в НЕМТ структурах, их крайне неоднородное пространственное распределение создает сильное встроенное электрическое поле, вклад кулоновского потенциала оказывается сравним с разрывом зоны проводимости на гетеропереходах. Для таких систем типичным является самосогласованное влияние легирования на электронные состояния и процессы рассеяния. Как показывает данная работа, в таких системах туннельные эффекты играют важную роль в случае продольного электронного транспорта в таких НЕМТ КЯ.

Несмотря на то, что физика и технология А3В5 НЕМТ развивается уже более 30 лет, существуют ощутимые пробелы в фундаментальных исследованиях и теоретических моделях для электронного транспорта в НЕМТ с высокой плотностью (п>11012 см-2) и подвижностью носителей тока, как то: обоснование механизмов предельного легирования, трактовка явлений

параллельной проводимости, феноменология электронного транспорта в сильном электрическом поле. Ввиду значительной сложности физической модели структуры, ее многофакторности, во многих зарубежных работах, нацеленных на исследования InGaAs НЕМТ квантовых ям (КЯ) с высокой электронной плотностью, применялись эмпирические подходы и достаточно стандартные слоевые схемы базовых НЕМТ структур [11]. Это приводит к значительному разбросу достигаемых параметров гетероструктур и недостаточно эффективному их дизайну. Наиболее глубокие теоретические модели были созданы только для однопереходных AlGaAs/GaAs НЕМТ с заметно более низкой плотностью носителей тока и квазитреугольной формой потенциала КЯ. Отметим, что до 2005 г. также практически отсутствовали отечественные исследования в области физики и технологии двумерных систем на основе InGaAs РНЕМТ КЯ (псевдоморфных НЕМТ КЯ на подложках GaAs) и 1пР НЕМТ (на подложках 1пР) с различным содержанием InAs. Возникала потребность глубокого физического исследования на основе полного квантового описания электронных состояний и процессов рассеяния носителей тока в сложных двумерных системах с высокой электронной плотностью в условиях нескольких заполненных подзон размерного квантования в многослойных InGaAs НЕМТ гетероструктурах. С другой стороны, важно было также учесть влияние на электронные свойства структурных факторов, ограничивающих широту применения полупроводниковых твердых растворов с учетом механических деформаций в многослойной структуре. В последние 10 лет интерес к InGaAs НЕМТ гетероструктурам заметно возрос [3, 12-13]. Несмотря на развитие технологий новых материалов, например, нитридных AlGaInN структур, поиск путей повышения проводимости, управления эффективной массой и процессами рассеяния носителей тока является актуальным как с фундаментальной точки зрения исследования свойств низкоразмерных систем с высокой электронной плотностью, так и для развития СВЧ гетероструктурной электроники. Как следствие, наблюдается заметный разрыв между практикой использования НЕМТ квантовых ям на основе канала InyGa1.yAs в СВЧ ЭКБ и разработанностью их физико-теоретического базиса.

Технологические особенности создания многослойных НЕМТ квантовых ям методом МЛЭ связаны с кинетикой эпитаксиального роста, процессам на растущей поверхности. Отдельную и весьма обширную проблему составляет решеточно-рассогласованный рост слоев и влияние неупругой релаксации на кристаллические, морфологические и электронные свойства напряженных гетероструктур с каналом InyGa1.yAs. Также остро встают вопросы метрологии состава и толщины слоев для наноразмерных структур с составными слоями.

Цель работы: решение научной проблемы управления пространственной структурой электронных состояний, эффективной массой и процессами рассеяния электронов в слабом и

сильном электрическом поле в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1.yAs с высокой электронной плотностью (1012 -1013 см-2) за счет введения в структуру пространственно-неоднородных функциональных нанослоев различного состава.

Задачи работы.

Для достижения поставленной цели решался комплекс задач:

1. Исследование физических механизмов, ограничивающих достижение одновременно высоких значений концентрации и подвижности/дрейфовой скорости электронов в базовых гетероструктурах с квантовыми ямами на основе InyGa1-yAs с однородными слоями.

2. Развитие новых физических подходов по созданию арсенидных структур с квантовыми ямами на основе InyGa1-yAs с введенными в структуру пространственно-неоднородными функциональными нанослоями для управления пространственной структурой электронных состояний, увеличения электронной плотности и проводимости.

3. Исследование особенностей эпитаксиального роста и условий формирования кристаллически совершенных НЕМТ гетероструктур с квантовыми ямами на основе InyGa1.yAs, содержащих пространственно-неоднородные слои, включающие нановставки AlAs, InAs, GaAs и варизонный слой InyGa1.yAs.

4. Развитие подходов по управлению эффективной массой и рассеянием горячих электронов в составных КЯ на основе InyGa1.yAs НЕМТ/1пР с высоким содержанием InAs за счет за счет внедрения в КЯ одиночных и двойных нановставок InAs и GaAs.

Объекты исследования.

В работе исследованы образцы с гетероструктурными квантовыми ямами с высокой подвижностью и концентрацией электронов, с односторонним и двусторонним 5-легированием кремнием, на основе двух типов гетеросистем. Первый базовый тип - это псевдоморфные (РНЕМТ) КЯ AlxGa1_xAsЛnyGa1_yAs/AlzGa1_zAs на подложках GaAs с составом слоев из диапазона х ~ 0,15-0,28, у ~ 0,15-0,22, z = 0, либо z ~ 0,15-0,28. Второй базовый тип -изоморфные и псевдоморфные HEMT структуры InxAl1_xAs/InyGa1_yAs / Ил^Ц.:^ на подложках 1лР с составом слоев х ~ 0,52, у ~ 0,53-0,65. В сериях образцов исследовалось влияние на электронные свойства КЯ при следующих изменениях в функциональных слоях:

в базовой структуре 1-го типа:

- при последовательном уменьшении толщины широкозонного барьера Al0,23Ga0,77As между поверхностью и 5-слоем доноров вплоть до толщины 5,5 нм;

- при изменении концентрации донорного 5-легирования кремнием в односторонне- и двусторонне легированных КЯ с различным содержанием х(AlAs), (х=0,23 и х=0,27);

- при использовании вместо однородного канала In0,2Ga0,8As варизонного слоя InyGa1.yAs с переменным профилем состава вдоль его толщины y(InAs) с градиентом состава 5у/& до 1,2-2 %/нм;

- при введении в спейсерный/донорный слой AlxGa1.xAs одного или двух нанослоев AlAs толщиной 1^2 нм, в однородный слой AlxGa1-xAs;

- при введении легированного донорного слоя AlAs(8-Si) толщиной 8 нм в составе барьера AlxGa1.xAs;

- при введении на гетерограницах легированной КЯ n-In0.15Ga0.85As/Al0.3Ga0.7As 5-легированных переходных барьеров GaAs, для частичного или полного устранения легирования слоя In0.15Ga0.85As;

в базовых структурах П-го типа InAlAs/InGaAs НЕМТ на 1пР:

- при последовательном увеличении содержания InAs в однородной псевдоморфной КЯ InyGal.yAs (у=0,53-0,65);

- при переходе к двустороннему 5-легированию кремнием от одностороннего;

- при введении одиночных и двойных нановставок InAs толщиной 1^4 нм в КЯ вместо однородного слоя InyGa1-yAs;

- при введении двойных переходных нанобарьеров GaAs и нановставок InAs в КЯ.

Методология исследований.

Развитая в работе методология состоит в следующем. Во-первых, в нескольких базовых типах гетероструктур с однородной КЯ InGaAs и различным содержанием InAs на основании, как аналитического обзора, так и оригинальных исследований установлены факторы, ограничивающие достижение предельных значений параметров электронного транспорта. Во-вторых, для каждого рассматриваемого типа выбран способ направленного изменения конструкции активных слоев структуры, обеспечивающий управление параметрами электронного транспорта. Важным ограничивающим условием в данной работе являлось сохранение набора используемых арсенидных полупроводниковых соединений (InAlGa)As и типа легирующей примеси ^Г). В этом случае расширение дизайна КЯ может базироваться только на переходе от однородных по составу основных активных слоев гетероструктур (квантовой ямы, спейсерных/донорных слоев, барьерных слоев) к пространственно-неоднородным слоям. Неоднородность слоев в предложенных в работе подходах реализуется за счет либо непрерывного изменения состава в InyGa1.yAs, либо за счет введения нанослоев бинарных полупроводников AlAs, InAs, GaAs толщиной порядка 1^10 нм.

Функциональные нанослои в НЕМТ - это тонкие активные слои гетероструктуры, которые при введении в базовую структуру обеспечивают изменение в электронных свойствах, значительно превышающее эффект, связанный со вкладом этих слоев в изменение средней толщины и/или среднего состава базовой гетероструктуры. Вводимые в базовую НЕМТ структуру нановставки или варизонные слои локально влияют на пространственный профиль потенциала, эффекты поперечного туннелирования двумерных электронов, область

локализации и профили волновых функций носителей тока, вероятности межподзонных переходов, изменяют энергию уровней размерно-квантованных подзон и скорость электрон-фононного рассеяния. В результате направленно изменяются заполнение электронных подзон, условия рассеяния носителей тока в слабом и сильном электрическом поле, оптические свойства гетероструктур с КЯ на основе InGaAs.

Переход к составным НЕМТ КЯ, содержащим бинарные нановставки или варизонный слой Iny(h)Ga1.y(h)As потребовал адаптации режимов эпитаксиальной технологии для обеспечения требуемой точности и высокого кристаллического совершенства таких структур и малого размытия гетерограниц, ввиду крайне малой толщины вводимых слоев, наличия вносимых механических напряжений, больших градиентов состава.

Для каждого типа структур проводилось расчетное моделирование и анализ для выбора наиболее удачной конструкции НЕМТ КЯ, содержащей пространственно-неоднородные слои. При экспериментальных исследованиях выявлялось влияние либо отдельных факторов, либо ограниченной группы взаимосвязанных факторов при прочих равных условиях. Для этого серии гетероструктур содержали опорный образец базовой НЕМТ структуры для сравнительного анализа. Выращенные образцы подвергались структурному анализу толщин и состава и кристаллического совершенства слоев. Для анализа электронных свойств гетероструктур использовались несколько взаимодополняющих методов исследования, позволяющих надежно установить и разделить факторы, обуславливающие изменения зонной структуры, механизмы рассеяния носителей заряда и т.п.

Преимущества предлагаемых подходов:

- малая толщина дополнительно вводимых функциональных нанослоев позволяет нивелировать проблемы механической совместимости и позволяет использовать соединения с большим рассогласованием параметров решетки;

- дополнительные функциональные слои позволяют усилить квантовомеханический подход к разработке конструкций КЯ, что предоставляет дополнительную степень свободы не только для зонного дизайна, но и контроля процессов рассеяния носителей тока, расширяя инженерию гетероструктурных материалов с заданными свойствами;

- для реализации подходов не требуется добавление новых источников элементов в процессе МЛЭ по сравнению с классической A3-As компоновкой.

Использованные аппаратурные методы.

Выращивание образцов: метод молекулярно-лучевой эпитаксии - установка Riber Compact 21T (НИЯУ МИФИ) и ЦНА-24 (ИСВЧПЭ РАН). Изготовление меза-структур с

омическими контактами - линии комплексной технологии ИФЯЭ НИЯУ МИФИ и ИСВЧПЭ РАН. Измерение электронных транспортных свойств: исследование температурных зависимостей сопротивления, подвижности и концентрации электронов по электропроводности и эффекту Холла, Ecopia HMS 5000 (НИЯУ МИФИ), исследование квантовых осцилляций магнетосопротивления при низких температурах - криомагнитные установки Cryotel 8T (НИЯУ МИФИ) и в МГУ им. М.В. Ломоносова (лаборатория Кульбачинского В.А.), исследования электронного транспорта в сильном электрическом поле (Semiconductor Physics Institute, Литва). Структурные исследования - рентгеновская дифрактометрия (НИЯУ МИФИ, ИК РАН), просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) (НИЦ КИ), профилирование состава с помощью вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) (ИСВЧПЭ РАН, ФГУП НИИФП им. Лукина). Оптические измерения - спектроскопия фотолюминесценции (ИСВЧПЭ РАН), фотоотражение (МГУ).

Положения, выносимые на защиту:

1) Показано, что добавление компенсирующего поверхностный потенциал донорного одностороннего легирования в 15-PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктурах позволяет при сокращении глубины залегания квантовой ямы до ~ 3 раз (с 28 нм до 10 нм) сохранить высокие значения концентрации и подвижности электронов.

2) Обоснован физический механизм немонотонной зависимости подвижности от толщины барьерного слоя Шоттки AlGaAs при уменьшении глубины залегания КЯ AlGaAs/InGaAs/GaAs, за счет особенностей температурно-независимого вклада рассеяния на удаленных ионизированных донорах.

3) Установлено, что увеличение концентрации донорного легирования в двусторонне-легированных кремнием РНЕМТ AlGaAs/InGaAs/AlGaAs квантовых ямах в диапазоне концентраций электронов (2,0-4,0)1012 см-2 приводит к насыщению концентрации электронов в нижней электронной подзоне и снижению подвижности электронов при рассеянии на ионизированных примесях вследствие заполнения второй электронной подзоны и сокращения эффективной глубины КЯ.

4) Разработан подход и реализована эпитаксиальная технология создания варизонных PHEMT КЯ с неоднородным распределением InAs в канале InyGa1-yAs, позволяющие уменьшить негативный эффект снижения подвижности при увеличении легирования в двусторонне-легированных РНЕМТ гетероструктурах. При перераспределении InAs в КЯ для обеспечения близкого к прямоугольному профиля КЯ достигается совместное увеличение концентрации и подвижности электронов (до ~10% и ~25% при низких температурах, соответственно) за счет увеличения эффективной глубины КЯ.

5) В РНЕМТ гетероструктурах с односторонним 5-легированием кремнием при увеличении концентрации электронов в диапазоне (0,5^2,5)1012 см-2 наблюдается немонотонная зависимость подвижности электронов от концентрации, причем максимум подвижности электронов определяется составом и толщиной спейсерного слоя AlGaAs. Возрастание подвижности связано с ростом импульса Ферми при рассеянии электронов на удаленных ионизированных донорах, снижение подвижности обусловлено увеличением рассеяния электронов на большие углы при туннельной деградации спейсерного слоя под действием встроенного поля в спейсере.

6) Обнаружено, что негативный эффект снижения подвижности электронов в КЯ, возникающий в сильнолегированных НЕМТ гетероструктурах при промежуточной толщине спейсера 6^20 нм), обусловлен пространственной гибридизацией состояний в канале и в широкозонном барьере и может быть значительно ослаблен путем добавления в спейсер широкозонного нанобарьера AlAs.

7) Составная КЯ с комбинированным легированием канала InGaAs и 5-легированием переходных нанобарьеров GaAs в HFET структурах позволяет увеличить одновременно концентрацию до П;~(1,0^1,4)1013 см-2 и подвижность электронов по сравнению с однородно-легированными НЕТ КЯ за счет оптимизации области локализации доноров с учетом пространственной структуры электронных состояний. Увеличение проводимости в таких структурах составляет до ~ 50% при комнатной температуре.

8) Введение двойных узкозонных нановставок InAs в канал InGaAs обеспечивает снижение эффективной массы электронов в КЯ InGaAs, при этом удается избежать резкого уменьшения эффективной ширины составной квантовой ямы.

Научная новизна.

1. Развито квантовое описание явления "параллельной проводимости" с учетом влияния пространственной структуры электронных состояний на электронные транспортные свойства НЕМТ структур с сильным легированием через спейсерный слой в пределе высокой концентрации электронов для механизма рассеяния на ионизированных донорных примесях.

2. Систематически исследован процесс масштабирования РНЕМТ гетероструктуры при приближении квантовой ямы к поверхности, обнаружена немонотонная зависимость подвижности и концентрации электронов от глубины залегания КЯ при увеличении донорного легирования кремнием.

3. Развит подход по использованию тонких нанобарьеров AlAs для значительного увеличения подвижности электронов путем подавления туннельной связи пространственно-гибридизированных состояний без существенного изменения распределения суммарной

электронной плотности (в случае одного барьера в спейсере) или с вытеснением электронных состояний из окрестности слоя (в случае двух нанобарьеров, окружающих слой).

4. Развит новый подход в конструировании НЕТ гетероструктур с легированным каналом для получения высокой проводимости, состоящий в добавлении в структуру составной КЯ 5-легированных донорами кремния переходных нанобарьеров GaAs, и снижении легирования узкозонного канала InyGa1.yAs.

5. Получен ряд новых результатов, демонстрирующих преимущества использования составных КЯ, содержащих двойные узкозонные нановставки InAs вместо одиночной вставки, впервые в структуре составных КЯ InAlAs/InGaAs/InAlAs применены напряженные нанослои GaAs в качестве фононных барьеров (получен патент РФ).

6. Развит новый подход по созданию варизонного слоя квантовой ямы InyGa1.yAs и создана методика эпитаксиального роста, позволяющая изготавливать кристаллически-совершенные варизонные слои InGaAs с большим градиентом состава InAs - до 2%/нм.

7. Разработана технология эпитаксиального роста составных КЯ на основе канала ^^аь yAs (у~0,53) с напряженными нановставками InAs и GaAs, обеспечивающая малое размытие гетерограниц и высокое структурное качество составных квантовых ям при высоком содержании InAs в составной КЯ.

8. Впервые экспериментально установлено влияние двойных нановставок InAs и переходных барьеров GaAs в составных КЯ на подложках 1пР на рассеяние горячих электронов. Показано, что такие функциональные нанослои за счет подавления электрон-фононной связи с модами поверхностных и захваченных оптических фононов, выступают как "фононные барьеры", что обеспечивает управление дрейфовой скоростью насыщения электронов и изменяет электрическое поле насыщения.

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Васильевский Иван Сергеевич, 2018 год

СПИСОК ЦИТИРОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Lin, J. Off-State Leakage Induced by Band-to-Band Tunneling and Floating-Body Bipolar Effect in InGaAs Quantum-Well MOSFETs/ J. Lin, D. A. Antoniadis, J. A. del Alamo // IEEE Electron Device Letters. - 2014. - V. 35. - N. 12. - P. 1203-1205.

2. Bentley, S. Two methods of realising 10nm T-gate lithography / S. Bentley, X. Li, D.A.J. Moran, I.G. Thayne // Microelectronic Engineering. - 2009. - V. 86. - P. 1067-1070.

3. del Alamo, J.A. Nanometre-scale electronics with III-V compound semiconductors / J.A. del Alamo // Nature. - 2011. - V.479. - P. 317-323.

4. Riel, H. III-V compound semiconductor transistors—from planar to nanowire structures / H. Riel, L.-E. Wernersson, M. Hong et al. // MRS Bulletin. - 2014. - V. 39. - N. 8. - P. 668-677.

5. del Alamo, J.A. The prospects for 10 nm III-V CMOS / J.A. del Alamo, D.H. Kim // Proceedings of 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Application. Hsinchu, 2010. - P. 166-167.

6. Schwierz, F. Graphene transistors / F. Schwierz // Nature Nanotechnology.- 2010. - V.5. -P.487-496.

7. Al-Hashimi Bashir M. System-on-Chip: Next generation electronics (Materials, Circuits and Devices) / Bashir M. Al-Hashimi. - Stevenage: The Institution of Engineering and Technology, 2006.

8. Brar, B. Challenges and Opportunities for High Frequency InP Integrated Circuits [Электронныйресурс] / B. Brar, M. Urteaga, Z. Griffith et al. // University of California, Santa Barbara - 2014. Режимдоступа:

https://www.ece.ucsb.edu/Faculty/rodwell/publications_and_presentations/publications/2014_4_1 1_Brar_ISCS_digest.pdf

9. Green, D.S. Compound Semiconductor Technology for Modern RF Modules: Status and Future Directions / D.S. Green, C.L. Dohrman, T.-H. Chang // CS MANTECH Conference. - 2015. -P. 11-14.

10. Калентьев А. А. Автоматизированный структурно-параметрический синтез малошумящих СВЧ транзисторных усилителей на основе генетического алгоритма: дис. ... канд. техн. наук: 05.12.07 / Калентьев Алексей Анатольевич. - Томск., 2015. - 275 с.

11. Lee Ross, R. Pseudomorphic HEMT Technology and Applications / R. Lee Ross, Stefan P. Svensson, Paolo Lugli // NATO series: Kluwer Academic Publishes, 1996.

12. Ajayan, J. A review of InP/InAlAs/InGaAs based transistors for high frequency applications / J. Ajayan, D. Nirmal // Superlattices and Microstructures. - 2015. - V.86. - P. 1-19.

13. Протасов Д. Ю. Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля S-n-слоев / Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов и др. // Физика и техника полупроводников. - 2018.-Т.52. - Вып. 1.- С.48-56.

14. Ambrazevicius, G. Influence of the surface electric field on carrier transfer into InGaAs/GaAs single quantum wells / G. Ambrazevicius, S. Marcinkevicius, T. Lideikis et al. // Semicond. Sci. Technol. - 1992. - V.7. - N.6. - P. 818-821.

15. Dingle, R. Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices / R. Dingle, H.L. Stormer, AC. Gossard et al. // Appl. Phys. Lett. - 1978. - Vol.33.- N.7. P.665-666.

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

Klitzing, K.v. New Method for High-Accuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance / K.v. Klitzing, G. Dorda, M. Pepper // Phys. Rev. Lett. -1980. - V.45. -N.6. - P.494-497.

Tsui, D.C. Two-Dimensional Magnetotransport in the Extreme Quantum Limit / D.C. Tsui, H.L. Stormer, A.C. Gossard // Phys. Rev. Lett. - 1982. - V.48. -N.22.- P.1559-1562. Sen, S. Temperature and aluminium composition dependent sheet carrier concentration at AlGaAs/GaAs interface / S. Sen, M.K. Pandey, S. Haldar, R.S. Gupta // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2000. - V. 33. - N. 1. - P. 18-23.

Umansky, V. MBE growth of high-mobility 2DEG / V. Umansky, M. Heiblum // Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production / Ed. Henini M. - Elsevier, 2013. - Chapter 6. -P. 121-137.

Yoon, K.S. Two-dimensional electron gas density calculation in Ga0.47In0.53As/Al0.48In0.52As, Ga0.47In0.53As/InP, and

Ga0.47In0.53As/InP/Al0.48In0.52As heterostructures / K.S. Yoon, G.B. Stringfellow, R.J. Huber // J. Applied Physics. - 1989. - V.66. - N.12. - P.5915-5919.

Niki, S. Band-edge discontinuities of strained-layer InxGa1-xAs/GaAs heterojunctions and quantum wells / S. Niki, C.L. Lin, W.S.C. Chang et al. // Appl. Phys. Lett. - 1989. - V.55. -N.13. - P. 1339-1341.

Leuther, A. DX centres, conduction band offsetsand Si-dopant segregation in AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures / A. Leuther, A. Forster, H. Luth et al. // Semicond. Sci. Technol. - 1996. - V. 11. - P. 766-771.

Chi, W.S. The determination of the band offsets in strained-layer InGaAs/GaAs quantum wells by low-temperature modulation spectroscopy / W.S. Chi, Y.S. Huang // Semicond. Science Technol. - 1995. - V. 10. - P.127-137.

Cole, E.A.B. Corrections to the calculation of bulk electron densities in quantum wells of HEMTs / E.A.B. Cole, T. Boettcher, C M. Snowden // Semicond. Sci. Technol. - 1997. - V.12. - N.1. -P.100-110.

Bollaert, S. The indium content in metamorphic InxAl1-xAs/InxGa1-xAs HEMTs on GaAs substrate: a new structure parameter / S.Bollaert, Y.Cordier, M.Zaknoune et al.// Solid-State Electronics. - 2000. - V. 44. - P. 1021-1027.

Hoke, W.E. High indium metamorphic HEMT on a GaAs substrate / W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Torabi et al.// Journal of Crystal Growth. - 2003. - V. 251. - P. 827-831. Sellitto, P. Hall effect characterization of silicon activation and segregation in planar doped GaAs-AlAs superlattices / P. Sellitto, J. Sicart, J.L. Robert // Appl. Phys. Lett. -1995.-Vol.67. -Iss. 7. - P.989-991.

Kaiblinger-Grujin, G. Influence of Dopant Species on Electron Mobility in Heavily Doped Semiconductors / G. Kaiblinger-Grujin, H. Kosina, Ch. Kopf et al. // Materials Science Forum. -1997. - V. 258-263. - P. 939-944.

Ozturk, E. Si S-doped GaAs structure with different dopant distribution models / E. Ozturk, Y. Ergun, H. Sari // J. of Applied Physics. -2002.-V.91.- Iss. 4. -P.2118-2122. Thordson, J.V. Two-dimensional limitations when increasing the Si-concentration from S-doping to thin Si-layers in GaAs / J.V. Thordson, T.G. Andersson, G. Swenson et al. // J. of Crystal Growth.-1997.-Vols. 175-176.- Part 1.-P.234-237.

Schubert, E.F. Diffusion and drift of Si dopants in S-doped n-type AlxGa1-xAs / E.F. Schubert, C.W. Tu, R.F. Kopf et al. // Applied Physics Letters.- 1989.-V. 54.-Iss.25.-P.2592-2594.

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

Mooney, P.M. The capture barrier of the DX center in Si-doped AlxGa1-xAs / P.M. Mooney, N.S. Caswell, S.L. Wright // J. of Applied Physics.- 1987.- V.62.-Iss.12.-P.4786-4797. Chand, N. Comprehensive analysis of Si-doped AlxGa1-xAs (x=0 to 1): Theory and experiments / N. Chand, T. Henderson, J. Klem et al. // Physical Review B.-1984.-V.30.-Iss.8.-P. 4481-4492. Kul'bachinskii, V.A. Transport and optical properties of tin 5-doped GaAs structures / V.A. Kul'bachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin et. al. // Semiconductors. - 1999. - V. 33. - P. 771-778. Walukiewicz, W. Amphoteric native defects in semiconductors / W. Walukiewicz // Appl. Phys. Lett. - 1989. -V. 54. -P. 2094-2096.

Maguire, J. Mechanism of compensation in heavily silicon-doped gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy / J. Maguire, R. Murray, R. Newman et al. // Appl. Phys. Lett. - 1987. -V. 50. -P. 516-518.

Ashwin, M.J. The lattice locations of silicon atoms in delta-doped layers in GaAs / M.J. Ashwin, M. Fahy, J.J. Harris et al. // J. Appl. Phys. - 1993. - V. 73, - P.633-639.

Wassermeier, M. Reconstruction of the GaAs(001) surface induced by submonolayer Si deposition / M. Wassermeier, J. Behrend, L. Daweritz et al. // Phys. Rev. B. - 1995. - V. 52. -P. R2269-R2272.

Ky, Nguyen Hong. Thermal conversion of n-type GaAs:Si to p type in excess arsenic vapor / Nguyen Hong Ky, L. Pavesi, D. Araujo et al. // Journal of Applied Physics. - 1991. - V. 70. -P. 3887.

Quivy, A.A. p-Type doping of GaAs(0 0 1) layers grown by MBE using silicon as a dopant / A.A. Quivy, A.L. Sperandio, E.C.F. da Silva et al. // Journal of Crystal Growth. - 1999. - V. 206. - P. 171-176.

Sun, D. Molecular beam epitaxial growth of (Al,Ga)As/GaAs heterostructures and Si doping characterization study on vicinal (110) GaAs substrates / D.Sun, E.Towe // Journal of Crystal Growth. - 1993. - V. 132. - P. 166-172.

Галиев, Г. Б. Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и 5-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.01 / Галиев, Галиб Бариевич. - М., 2003. -203 с.

E. E. Salpeter, H. A. Bethe. A Relativistic Equation for Bound-State Problems // Phys. Rev. 1951. V. 84. P.1232.

E. F. Schubert, K. Ploog. Shallow and deep donors in direct-gap n-type AlxGa1-xAs:Si grown by molecular-beam epitaxy // Phys. Rev. B. 1984. V.30.P.7021.

R.C. Newman. Characterisation of silicon and aluminium delta-doped structures in GaAs // Deltadoping of semiconductors, Cambridge University Press. 1996. Chapter 12. P.279-303. R. C. Newman, M. J. Ashwin, M. R. Fahy, L. Hart, S. N. Holmes, C. Roberts, X. Zhang, J. Wagner. Lattice locations of silicon atoms in 5-doped layers in GaAs at high doping concentrations // Phys. Rev. B. 1996. V.54. P. 8769.

P.K. Bhattacharya, A. Majerfeld, A.K. Saxena. Gallium Arsenide and Related Compounds 1978 // Inst. Phys. Conf. Ser. 1979. 45, P.199.

T. Ishikawa, J. Saito, S. Sasa, S. Hiyamizu. Electrical Properties of Si-Doped AlxGa1-xAs Layers

Grown by MBE // Japanese Journal of Applied Physics. 1982. V. 21. N. 11. P. L675.

Marshall I.Nathan. Persistent photoconductivity in AlGaAs/GaAs modulation doped layers and

field effect transistors: A review // Solid-State Electronics. 1986. V. 29. P. 167-172.

D.J. Chadi, K.J. Chang. Energetics of DX-center formation in GaAs and AlxGa1-xAs alloys //

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

69

Phys. Rev. B. 1989. V.39. P.10063-10074.

D.J. Chadi, K.J. Chang. Theory of the atomic and electronic structure of DX centers in GaAs and AlxGal-xAs alloys // Phys. Rev. Lett. 1988. V. 61.P.873-876.

M. Saito, A. Oshiyama, O. Sugino. Energetics and local vibrations of the DX center in GaAs // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. P.13205-13214.

M. Baj, L.H. Dmowski. Direct evidence of the two-electron character of DX centers based on co-doping with shallow donors and application of high pressure // J. Phys. and Chemist. Solids. 1995. V. 56. P.589-593.

E. Muñoz, E. Calleja, I. Izpura, F. García et. al. Techniques to minimize DX center deleterious effects in III-V device performance // Journal of Applied Physics. 1993. V. 73. P.4988.

E. F. Schubert. Delta doping of III-V compound semiconductors: Fundamentals and device

applications // Journal of Vacuum Science & Technology A. 1990. V.8. P. 2980.

A. C. Gossard, J. H. English, M. Miller, R. J. Simesa. Growth and doping of heterostructures for

high electron mobilities // Journal of Crystal Growth. 1989. V. 95. P. 247-249.

K.Kohler, P.Ganser, M.Maier. Comparison of Si 5-doping with homogeneous doping in GaAs //

Journal of Crystal Growth. 1993. V. 127. P. 720-723.

J. A. Correa F., A. G. de Oliveira, M. I. N. da Silva, G. M. Ribeiro, J. F. Sampaio. Electrical transport properties of silicon delta-doped Al0.30Ga0.70As samples showing suppression of the DX center features // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 1997. V. 15. P. 870. P. A. Tural'chuk, V. V. Kirillov, P. E. Osipovet al. Highly efficient X-range AlGaN/GaN power amplifier // Technical Physics Letters. 2017. V. 43. P. 787-789.

A. Zrenner, F. Koch, R. L. Williams, R. A. Stradling, K. Ploog, G. Weimann. Saturation of the free-electron concentration in delta-doped GaAs: the DX centre in two dimensions // Semiconductor Science and Technology. 1988. V. 3. N. 12. P. 1203.

K. Kudo, Y. Makita, T. Nomura et. al. Photoluminescence of Si-doped AlAs grown by

molecular-beam epitaxy // Journal of Applied Physics. 1986. V. 60. P. 3371.

D. Rakoczy, G. Strasser, J. Smoliner. Imaging impurities in AlAs/GaAs single-barrier structures

in the regime of the Mott transition // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. P. 073304.

V. Tulupenko, A. Abramov, Ya. Belichenko, V. Akimov, T. Bogdanova, V. Poroshin, O. Fomina.

The influence of the ionized impurity delta-layer potential in the quantum well on impurity

binding energy // Journal of Applied Physics. 2011. V. 109. P. 064303.

B. K. Ridley. The electron-phonon interaction in quasi-two-dimensional semiconductor quantumwell structures // J. Phys. C: Solid State Phys. 1982. V.15. P.5899-5917.

Грундман М. Основы физики полупроводников: Учебник / М. Грундман. — М.: Физматлит, 2012. — 778 с.

B. K. Ridley, B. E. Foutz, L. F. Eastman. Mobility of electrons in bulk GaN and AlxGa 1 -xN/GaN heterostructures // Phys. Rev. B. 2000. V. 61 P. 16862.

M. Glicksman, R. E. Enstrom, S. A. Mittleman, J. R. Appert. Electron mobility in InxGa1-xAs alloys // Phys. Rev. B. 1974. V. 9. P. 1621.

D. Yu. Protasov, K. S. Zhuravlev. The influence of impurity profiles on mobility of two-dimensional electron gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures modulation-doped by donors and acceptors // Solid-State Electronics. 2017. V. 129. P. 66-72.

J. Singh, Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures. Cambridge: Cambridge University Press, 2003.

70. T. Unuma, M. Yoshita, T. Noda, H. Sakaki, H. Akiyama. Intersubband absorption linewidth in GaAs quantum wells due to scattering by interface roughness, phonons, alloy disorder, and impurities // Journal of Applied Physics. 2003. V.93. P.1586.

71. K. Hirakawa, H. Sakaki. Mobility of the two-dimensional electron gas at selectively doped n -type AlxGa1-xAs/GaAs heterojunctions with controlled electron concentrations // Phys. Rev. B.1986. V.33. P.8291.

72. B. R. Nag, S. Mukhopadhyay, M. Das. Interface roughness scattering-limited electron mobility in AlAs/GaAs and Ga0.5In0.5P/GaAs wells // Journal of Applied Physics. 1999. V.86. P. 459.

73. Jun-jie Shi, Shao-hua Pan. Polar optical oscillations in coupled quantum wells: The electron-phonon interaction and scattering // Journal of Applied Physics. 1996. V. 80. P. 3863.

74. N. Mori, T. Ando. Electron-optical-phonon interaction in single and double heterostructures // Phys. Rev. B. 1989. V.40. P. 6175.

75. D. Chattopadhyay. Electron mobility in In0.53Ga0.47As quantum wells // Phys. Rev. B.1988. V. 38. P. 13429.

76. M. J. Manfra. Molecular Beam Epitaxy of Ultra-High-Quality AlGaAs/GaAs Heterostructures: Enabling Physics in Low-Dimensional Electronic Systems // Annual Review of Condensed Matter Physics. 2014. V. 5. P. 347-373.

77. J. J. Harris, C. T. Foxon, K. W. J. Barnham, D. E. Lacklison, J. Hewett, C. White. Two-dimensional electron gas structures with mobilities in excess of 3*106 cm2 V-1 s-1 // Journal of Applied Physics. 1987. V.61 P.1219

78. Holland M. C., Skuras E., Davies J. H., Larkin I. A., Long A. R. Stanley C. R. The effect of growth temperature, S-doping and barrier composition on mobilities in shallow AlGaAsDGaAs two-dimensional electron gases // J. Cryst. Growth. 1995. V.150. P.1215-1219.

79. V. Umansky, R. de-Picciotto, M. Heiblum. Extremely high-mobility two dimensional electron gas: Evaluation of scattering mechanisms // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 683

80. U. Meirav, M. Heiblum, Frank Stern. High-mobility variable-density two-dimensional electron gas in inverted GaAs-AlGaAs heterojunctions // Appl. Phys. Lett.1988. V.52. P. 1268.

81. H. Shtrikman, M. Heiblum, K. Seo, D. E. Galbi, L. Osterling. High-mobility inverted selectively doped heterojunctions // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 1988. V. 6. P. 670.

82. L. Pfeiffer, E. F. Schubert, K. W. West, C. W. Magee. Si dopant migration and the AlGaAs/GaAs inverted interface // Appl. Phys. Lett.1991. V. 58. P. 2258.

83. T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, K. Nanbu. A New Field-Effect Transistor with Selectively Doped GaAs/n-AlxGa 1 -xAs Heterojunctions // Jpn. J. Appl. Phys.1980. V.19. P. L225

84. W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, M. S. Shur. Resonant detection of subterahertz and terahertz radiation by plasma waves in submicron field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 4637.

85. J. D. Sun, H. Qin, R. A. Lewis, X. X. Yang, Y. F. Sun, Z. P. Zhang, X. X. Li, X. Y. Zhang, Y. Cai, D. M. Wu, B. S. Zhang. The effect of symmetry on resonant and nonresonant photoresponses in a field-effect terahertz detector // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. P. 31119.

86. T.Kawaguchi, M.Sato, H.I.Fujishiro, S.Nishi. Growth conditions and device performance of InGaAs/AlGaAs pseudomorphic inverted high electron mobility transistor // Journal of Crystal Growth. 1995. V. 150. P. 1256-1260.

87. D.Scherrer, P.Apostolakis, J.Middleton, P.J.Mares, J.Kruse, M.Feng. Noise and gain comparison of 0.25 p,m gate MESFETs and PHEMTs for low power wireless communication circuits // Solid-

State Electronics. 1996. V. 39. P. 431-437.

88. Golio M., Golio J. RF and Microwave Applications and Systems (The RF and Microwave Handbook, Second Edition). CRC Press, 2007. — 696 p.

89. J. W. Matthews, A. E. Blakeslee. Defects in Epitaxial Multilayers I // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118-125.

90. J. W. Matthews, A. E. Blakeslee. Defects in Epitaxial Multilayers II // J. Cryst. Growth. 1975. V. 29. P. 273-280.

91. J. W. Matthews, A. E. Blakeslee. Defects in Epitaxial Multilayers III // J. Cryst. Growth. 1976. V. 32. P. 265-273.

92. Васильевский И.С. Физика и технология молекулярно-лучевой эпитаксии: учебное пособие / И.С. Васильевский. - Москва: НИЯУ МИФИ, 2010. - 164 с.

93. H. Toyoshima, T. Niwa, J. Yamazaki, A. Okamoto. Suppression of In surface segregation and growth of modulation-doped N-AlGaAs/InGaAs/GaAs structures with a high In composition by molecular-beam epitaxy // Journal of Applied Physics. 1994. V. 75. P. 3908.

94. J.J. Rosenberg, M. Benlamri, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, G.D. Pettit. An In0.15Ga0.85As/GaAs pseudomorphic single quantum well HEMT // IEEE Electron Device Letters. 1985. V. 6. N. 10. P. 491-493.

95. Ketterson, A. High transconductance InGaAs/AlGaAs pseudomorphic modulation-doped field-effect transistors / A.Ketterson, M. Moloney, W.T. Masselink et al. // IEEE Electron Device Letters. 1985. V. 6. N. 12. P. 628-630.

96. Ketterson, A.A. Characterization of InGaAs/AlGaAs pseudomorphic modulation-doped field-effect transistors / A.A. Ketterson, W.T. Masselink, J.S. Gedymin et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1986. V. 33. N. 5. P. 564-571.

97. Shang-Lin Weng, C. Webb, J. N. Eckstein. Growth condition studies of pseudomorphic InGaAs/GaAs strained layer structures and InGaAs/AlGaAs high electron mobility transistor layer properties // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 1989. V.7. P. 361.

98. F. Fourniera, R. A. Metzgera, A. Doolittle et. al. Growth dynamics of InGaAs/GaAs by MBE // Journal of Crystal Growth. 1997. V.175-176. P. 203-210.

99. Jae-Young Leem, Cheul-Ro Lee, Sam Kyu Noh, Jeong-Sik Son. RHEED oscillation studies of pseudomorphic InGaAs strained layers on GaAs substrate // Journal of Crystal Growth. 1999. V. 197. P. 84-88.

100. K. Yamaguchi, T. Okada, F. Hiwatashi. Analysis of indium surface segregation in molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs quantum wells // Applied Surface Science. 1997. V. 117-118. P. 700-704.

101. Y. C. Chen, P. K. Bhattachary, J. Singh. Strained layer epitaxy of InGaAs by MBE and migration enhanced epitaxy — comparison of growth modes and surface quality // Journal of Crystal Growth. 1991. V. 111. P. 228-232.

102. K.-J. Chao, N. Liu, C.-K. Shih, D. W. Gotthold, B. G. Streetman. Factors influencing the interfacial roughness of InGaAs/GaAs heterostructures: A scanning tunneling microscopy study // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 1703.

103. J. K. Luo, H. Ohno, K. Matsuzaki, T. Umeda, J. Nakahara, H. Hasegawa. Magnetoconductivity of a two-dimensional electron gas in Al0.3Ga0.7As/Ga1-xINxAs/GaAs pseudomorphic heterostructures in the quantum Hall regime // Phys. Rev. B. 1989. V. 40. P. 3461(R)

104. E. Diez, Y. P. Chen, S. Avesque, M. Hilke et. al. Two-dimensional electron gas in

InGaAs/InAlAs

quantum wells // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 052107.

105. T. Schweizer, K. Köhler, P. Ganser. Principle differences between the transport properties of normal AlGaAs/InGaAs/GaAs and inverted GaAs/InGaAs/AlGaAs modulation doped heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 469

106. Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г. Электрофизические свойства модулированно- и дельта-легированных р-немт транзисторных структур на основе AlxGa1-xAs/InyGa 1 -xAs/GaAs // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. №2. С. 83-89.

107. J.M. Fernandez, M.E. Lazzouni, L.J. Sham, H.H. Wieder. Electron distribution in pseudomorpic Al0.30Ga0.70As/In0.15Ga0.85As/GaAs 5-doped heterostructures // J. Appl. Phys. 1993. V. 74 N. 2. P. 1161-1168.

108. L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref. Investigation of two-dimensional electron gas concentration in selectively doped n-AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs heterostructures // Microelectronics Journal. 1999. V. 30. P. 705-709.

109. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов и др. Электрофизические и структурные свойства двусторонне 5-легированных PHEMT-гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. №9.С.1102-1109.

110. Y. Gui, S. Guo, G. Zheng, J. Chu, X. Fang, K. Qiu, X. Wang. Electron transport in the AlGaAs/InGaAs double-heterostructure pseudomorphic high-electron-mobility transistor // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. N. 10. P. 1309-1311.

111. H.M. Shieh, W.C. Hsu, C.L. Wu. Very high two-dimensional electron gas concentrations with enhanced mobilities in selectively double-5-doped GaAs/InGaAs pseudomorphic single quantum well heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. N.4. P. 509-511.

112. W.P. Hong, A. Zrenner, O.H. Kim, F. DeRosa, J. Harbison, L.T. Florez. Transport properties of InxGa1-xAs/GaAs strained quantum well delta-doped heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. N.11. P. 1117-1119.

113. Галиев, Г. Б. Электрофизические свойства модулированно- и дельта- легированных P-HEMT транзисторных структур на основе AlxGa1.xAs/ InyGa1.yAs/GaAs / Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е.А. Климов и др. // Микроэлектроника.-2006.-Т.35.-№2.-С.83-89.

114. Галиев, Г. Б. Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в Р-НЕМТ структурах / Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов и др. // Физика и Техника Полупроводников. - 2006. - Т.40. - Вып.12. - С.1479-1483.

115. Галиев, Г. Б. Влияние температуры роста спейсерного слоя на электрофизические и структурные свойства РНЕМТ структур / Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов и др. // Журнал Технической Физики.- 2007.-Т4. - Вып.4.-С. 50-55.

116. Васильевский, И. С. Электрофизические и структурные свойства двусторонне дельта-легированных РНЕМТ гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs / И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов и др. // Физика и Техника Полупроводников. - 2008. - Т.42. - Вып.9. - С. 1102-1109.

117. New Semiconductor Materials. Biology systems. Characteristics and Properties [Электронныйресурс]. Режим доступа - http://matprop.ru/

118. W.-P. Hong, G. I. Ng, P. K. Bhattacharya et. al. Low- and high-field transport properties of pseudomorphic InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As (0.53<x<0.65) modulation-doped heterostructures // Journal of Applied Physics. 1988. V. 64. P. 1945.

119. Y. Nakata, S. Sasa, Y. Sugiyama, T. Fujii, S. Hiyamizu. Extremely High 2DEG Concentration in Selectively Doped In0.53Ga0.47As/N-In0.52Al0.48As Heterostructures Grown by MBE // Japanese Journal of Applied Physics. 1987. V. 26 (2). N. 1. P. L59-L61.

120. Xu, Dong. Design and fabrication of double modulation doped InAlAs/lnGaAs/InAs heterojunction FETs for high-speed and millimeter-wave applications / Dong Xu, H.G. Heiss, S.A. Kraus et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1998. V. 45. N. 1. P. 21-30.

121. G. I. Ng, W. P. Hong, D. Pavlidis, M. Tutt, P. K. Bhattacharya.Characteristics of strained In 0.65Ga0.35AsIn 0.Al0.48As HEMT with optimized transport parameters // IEEE Electron Device Letters. 1988. V. 9. N. 9. P. 439-441.

122. V. Drouot, M. Gendry, C. Santinelli, et. al. High electron mobility in pseudomorphic modulation-doped In0.75Ga0.25As/InAlAs heterostructures achieved with growth interruptions // Journal of Applied Physics. 1995. V. 77. P. 1810.

123. X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. High-mobility InGaAs/InAlAs pseudomorphic heterostructures on InP (001) // Journal of Applied Physics. 2005 V. 97. P. 053706.

124. B.R. Bennet. Molecular beam epitaxial growth and characterization of mismatched InGaAs and InAlAs layers on InP // Dissertation, MIT. 1993.

125. G. Salviati, C. Ferrari, L. Lazzarini et. al. Structural characterization of InGaAs/InP heterostructures grown under compressive and tensile stress // Applied Surface Science. 2002. V. 188. P. 36-48.

126. E. Tournie, K. H. Ploog. Virtual-surfactant epitaxy of strained InAs/Al0.48In0.52As quantum wells // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 858

127. Ю.Д. Сибирмовский, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко и др. Особенности диффузионных процессов при капельной эпитаксии квантовых колец // Краткие сообщения по физике ФИАН. 2014. Т. 41. Вып.9. С.3.

128. W. Klein, G. Böhm, H. Heiss et. al. Molecular beam epitaxial growth of pseudomorphic InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors with high cut-off frequencies

129. A. Georgakilas et. al. A Comprehensive Optimization of InAlAs Molecular Beam Epitaxy for InGaAs/InAlAs HEMT Technology // J. Electrochem. Soc. 1993. V. 140 (5). P. 1503-1509.

130. M. Tacano, Y. Sugiyama, Y. Takeuchi, Y. Ueno. Very high electron mobility In0.8Ga0.2As heterostructure grown by molecular beam epitaxy // Journal of Electronic Materials. 1991. V. 20 (12). P. 1081-1085.

131. Yamashita, Y. Pseudomorphic In0.52Al0.48AsIn0.7Ga0.3As HEMTs with an ultrahigh f T of 562 GHz / Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara et al. // IEEE Electron Device Letters. 2002. V. 23. N. 10. P. 573-575.

132. K. Shinohara, Y. Yamashita, A. Endoh et. al. 547-GHz ft In0.7Ga0.3As-In0.52Al0.48As HEMTs with reduced source drain resistance // IEEE Electron Device Letters. 2004. V. 25 (5). P. 241 - 243.

133. I. Watanabe, K. Shinohara, T. Kitada et. al. High transconductance of 2.25 S/mm observed at 16 K for 195-nm-gate In0.75Ga0.25As/In0.52Al0.48As HEMT fabricated on [411]A-oriented InP substrate // IEEE Electron Device Letters. 2005. V. 26 (7). P. 425 - 428.

134. D.-H. Kim ; J. A. del Alamo. 30-nm InAs Pseudomorphic HEMTs on an InP Substrate With a Current-Gain Cutoff Frequency of 628 GHz // IEEE Electron Device Letters. 2008. V. 29 (8). P.830 - 833.

135. Siming Chen, Wei Li, Jiang Wu. Electrically pumped continuous-wave III-V quantum dot lasers on silicon // Nature Photonics. 2016. V. 10. P. 307-311.

136. Nitride HEMTs grown on CMOS-compatible silicon [Электронныйресурс] - Semiconductor

Today. - 2011. - V. 6 (5). - Режимдоступа: http://www.semiconductor-today.com/features/PDF/SemiconductorToday_JunJul_NitrideHEMTS.pdf

137. P. Franzosi, G. Salviati, F. Genova, A. Stano, F. Taiariol. Misfit dislocations in InGaAs/InP mbe single heterostructures // Journal of Crystal Growth. 1986. V. 75 (3). P. 521-534.

138. Ayers J. E. Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization. / John E. Ayers. - Boca Raton: CRC Press, 2007. - 480p.

139. W. E. Hoke, P. J. Lemonias, J. J. Mosca et. al. Molecular beam epitaxial growth and device performance of metamorphic high electron mobility transistor structures fabricated on GaAs substrates // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 1999. V. 17. P. 1131.

140. B. R. Bennett, R. Magno, J. B. Boos, W. Kruppa, M. G.Ancona. Antimonide-based compound semiconductors for electronic devices: A review // Solid-State Electronics. 2005. V. 49 (12). P. 1875-1895.

141. H. Kroemer. The 6.1 A family (InAs, GaSb, AlSb) and its heterostructures: a selective review // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2004. V. 20 (3-4). P. 196-203.

142. C. Liu, Y. Li, Y. Zeng. Progress in Antimonide Based III-V Compound Semiconductors and Devices // Engineering. 2010. V. 2. P. 617-624.

143. C. Liao, K.Y. Cheng. The growth of high electron mobility InAsSb for application to high electron-mobility transistors // Journal of Crystal Growth. 2009. V. 311 (7). P. 1976-1978.

144. H.-K. Lin, C. Kadow, J.-U. Bae et. al. Design and characteristics of strained InAs/InAlAs composite-channel heterostructure field-effect transistors // Journal of Applied Physics. 2005. V. 97. P. 024505.

145. A. Leuther, A. Tessmann, H. Massler et. al. 450 GHz amplifier MMIC in 50 nm metamorphic HEMT technology // 2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 2012. P. 229-232.

146. K. Inoue, T. Matsuno. "Electron mobilities in modulation-doped AlxGa1.x As/GaAs and pseudomorphic AlxGa 1-x As/InyGa1.y As quantum-well structures" // Phys.Rev. B. 1993. V. 47. N. 7. P. 3771.

147. A.A. Gorbatsevich, V.V. Kapaev, Yu. V. Kopaev. Controlling the evolution of electronic states in nanostructures // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 1995. V. 80. N. 4. P. 734.

148. E. Okuno, J. Kondo, N. Sawaki, I. Akasaki. Real space transfer and modulation of electron mobility in GaAs/AlGaAs double quantum well structures // Surface Science. 1992. V. 267 (1-3). P. 570-573.

149. P. I. Birjulin, S. P. Grishechkina, A. S. Ignatiev et. al. Lateral transport in a structure with two tunnelling-coupled quantum wells in a transverse electric field // Semiconductor Science and Technology. 1997. V. 12. N. 4. P. 427.

150. Yu. A. Aleshchenko, V. V. Kapaev, Yu. V. Kopaev. Unipolar lasers on the structures with variable dimensionality of electronic states // Semiconductor Science and Technology. 2010. V.26. P. 014021.

151. Алещенко Ю.А., Казаков И.П., Капаев В.В. и др. Интерференционная ионизация примеси электрическим полем в системе квантовых ям // Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 69 (3). С. 194199.

152. V. L. Zerova, V. V. Kapaev, L. E. Vorob'ev et. al. Intersubband absorption of light in selectively doped asymmetric double tunnel-coupled quantum wells // Semiconductors. 2004. V. 38 (12). P. 1409-1415.

153. T. K. Woodward, T. C. McGill, T. J. Watson, R. D. Burnham. Experimental realization of a resonant tunneling transistor // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. P. 451.

154. T. K. Woodward, T. C. McGill, T. J. Watson, H. F. Chung, R. D. Burnham. Integration of a resonant-tunneling structure with a metal-semiconductor field-effect transistor // Appl. Phys. Lett. 1987. V.51. P. 1542.

155. А. Gorbatsevich, I. Kazakov, M. Kirillov, B. Nalbandov, S. Shmelev, A. Tsibizov, Logic gates based on resonant-tunneling diodes // Proc.Intern. Conf. "Micro- and nanoelectronics - 2003". 2003. P. P2-95

156. Казаков И.П. Полупроводниковые гетероструктуры с туннельным эффектом и внутрицентровыми оптическими переходами: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Казаков Игорь Петрович. - М., 2011. - 277 с.

157. X. Cao, Y. Zeng, L. Cui et. al. Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure // Journal of Crystal Growth. 2001. V. 227-228. P. 127-131.

158. Д.А. Сафонов, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин, И.С. Васильевский. Электронный транспорт в РНЕМТ квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52 (2). С. 201-206.

159. H. Ohno, J. K. Luo, K. Matsuzaki, H. Hasegawa. Low-temperature mobility of two-dimensional electron gas in selectively doped pseudomorphic N-AlGaAs/GaInAs/GaAs structures // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 36.

160. M. G. Greally, M. Hayne, A. Usher, G. Hill, M. Hopkinson. Low-temperature mobility of two-dimensional electrons in (Ga,In)As-(Al,In)As heterojunctions // Journal of Applied Physics. 1996. V. 79. P. 8465.

161. Y. Cordier, P. Lorenzini, J.-M. Chauveau et. al. Influence of MBE growth conditions on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs // Journal of Crystal Growth. 2003. V. 251 (1-4). P. 822-826.

162. E. Litwin-Staszewska, T. Suski, C. Skierbiszewski et. al. Two-dimensional electron gas mobility anomalies (and enhancement) in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures // Journal of Applied Physics. 1995. V. 77. P. 405.

163. Adam Babinski, J. Siwiec-Matuszyk, J. M. Baranowski, G. Li, C. Jagadish. Transport and quantum electron mobility in the modulation Si 5-doped pseudomorphic GaAs/In0.2Ga0.8As/Al0.2Ga0.8As quantum well grown by metalorganic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 999.

164. L. H. Dmowski, A. Zduniak, E. Litwin-Staszewska, S. Contreras, W. Knap, J. L. Robert. Study of Quantum and Classical Scattering Times in Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs by Means of Pressure // physica status solidi. 1996. V. 198. P. 283.

165. D. W. Niles, X. Li, P. Sheldon, H. Höchst. A photoemission determination of the band diagram of the Te/CdTe interface // Journal of Applied Physics. 1995. V. 77. P. 4489.

166. J.L Pearson, M.C Holland, C.R Stanley et. al. Optimization of layer structure for InGaAs channel pseudomorphic HEMTs // Journal of Crystal Growth. 1999. V. 201-202. P. 757-760.

167. А.Ю. Егоров, А.Г. Гладышев, Е.В. Никитина и др. Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44 (7). С. 950.

168. W. E. Hoke, P. S. Lyman, W. H. Labossier et. al. High performance double pulse doped

pseudomorphic AlGaAs/InGaAs transistors grown by molecular-beam epitaxy // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 1992. V. 10. P. 1066.

169. T. Kitada, T. Aoki, I. Watanabe et. al. Optimized channel thickness for high electron mobility in pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As quantum-well HEMT structures with (4 1 1)A super-flat interfaces grown by MBE // Journal of Crystal Growth. 2001. V. 227-228. P.289-293.

170. V. W. L. Chin, T. L. Tansley. Alloy scattering and lattice strain effects on the electron mobility in In1-xGaxAs // Solid-State Electronics. 1991. V. 34 (10). P. 1055-1063.

171. A. Cappy. Metamorphic InGaAs/AlInAs heterostructure field effect transistors: layer growth, device processing and performance // 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 3-6 (1996).

172. C. Kadow, H.-K. Lin, M. Dahlstrom et. al. Reduction of the unintentional background electron density in AlSb/InAs/AlSb quantum wells // Journal of Crystal Growth. 2003. V. 251. P. 543.

173. W. R. McKinnon, C. M. Hurd. Conduction in illuminated GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures. II. Calculation // Journal of Applied Physics. 1987. V. 61. P. 2250.

174. C. M. Hurd, S. P. McAlister, W. R. McKinnon et. al. Modeling parallel conduction in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures // Journal of Applied Physics. 1988. V. 63. P. 4706.

175. D.A. Syphers, K.P. Martin, R.J. Higgins. Determination of transport coefficients in high mobility systems in the presence of parallel conduction // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 49. P. 534.

176. C.M. Hurd, S.P. McAlister, W.R. McKinnon et. al. Conduction in illuminated GaAs/AlxGa1xAs heterostructures. I. Experiment // Journal of Applied Physics. 1987. V. 61. P. 2244.

177. Пожела, Ю. К. Физика быстродействующих транзисторов: Монография / Ю. К. Пожела. -Вильнюс : Мокслас, 2007.-261 с.

178. B. Jogai, P. W. Yu, D. C. Streit. Free electron distribution in ô-doped InGaAs/AlGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor structures // Journal of Applied Physics. 1994. V. 75. P. 1586.

179. J. J. Harris. Simplified assessment of parallel conduction in modulation-doped heterostructures // Measurement Science and Technology. 1991. V. 2 (12). P. 1201.

180. M. J. Kane, N. Apsley, D. A. Anderson, L. L. Taylor, T. Kerr. Parallel conduction in GaAs/AlxGa1-xAs modulation doped heterojunctions // Journal of Physics C: Solid State Physics. 1985. V. 18. N. 29. P. 5629.

181. C. Mavroidis, J. J. Harris, R. B. Jackman et. al. Multiple parallel conduction paths observed in depth-profiled n-GaN epilayers // Journal of Applied Physics. 2002.V. 91. P. 9835.

182. S. B. Lisesivdin, A. Yildiz, N. Balkan et. al. Scattering analysis of two-dimensional electrons in AlGaN/GaN with bulk related parameters extracted by simple parallel conduction extraction method // Journal of Applied Physics. 2010. V. 108. P. 013712.

183. H. Tokuda, J. Yamazaki, M. Kuzuhara. High temperature electron transport properties in AlGaN/GaN heterostructures // Journal of Applied Physics. 2010. V. 108. P. 104509.

184. J. R. Lindemuth. Parallel conduction in semiconductors // III-Vs Review. V. 19 (9). P. 28-32.

185. A. van Die, J. I. Dijkhuis. Thermally activated real-space-transfer noise in pseudomorphic high-electron-mobility transistors // Journal of Applied Physics. 1993. V. 74. P. 1143.

186. А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский . Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-AlxGabxAs-GaAs с селективным легированием // Физика и техника полупроводников. 1990. Том 24 (3). С. 521.

187. А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский. Пространственный перенос электронов в полевых

транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием // Физика и техника полупроводников. 1990. Том 24 (7). С. 1187.

188. А. Б. Пашковский. Поперечный пространственный перенос электронов в структурах металл-^0.52Al0.48As/In0.53 Ga0.47As и металл-AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs с селективным легированием в сильном электрическом поле // Физика и техника полупроводников. 1991. Том 25 (12). С. 2179.

189. А. В. Климова, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский. Поперечный пространственный перенос в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием и границы применимости квазигидродинамических моделей // Физика и техника полупроводников. 2009. Том43 (1). С. 113.

190. P. Hendriks, E. A. E. Zwaal, J. G. A. Dubois et. al. Electric field induced parallel conduction in GaAs/AlGaAs heterostructures // Journal of Applied Physics. 1991. V. 69. P. 302.

191. C.-S. Lee, W.-C. Hsu. Bias-Tunable Multiple-Transconductance with Improved Transport Characteristics of 5-doped In0.28Ga0.72As/GaAs/In0.24Ga0.76As/GaAs High Electron Mobility Transistor Using a Graded Superlattice Spacer // Japanese Journal of Applied Physics. 2003. V. 42 (1). N. 4A. P. 1545.

192. Лукашин, В.М. Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов / Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С. и др. // Письма в журнал технической физики. 2012. Т. 38. №17. С. 84-89.

193. D. Yu. Protasov, K. S. Zhuravlev. The influence of impurity profiles on mobility of two-dimensional electron gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures modulation-doped by donors and acceptors // Solid-State Electronics. 2017. V. 129. P. 66-72.

194. Борисов, А.А. Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах / Борисов А.А., Журавлев К.С., Зырин С.С. и др.// Письма в журнал технической физики. 2016. Т. 42. №16. С. 41-47.

195. J. Pozela, A. Namajunas, K. Pozela, V. Juciene. Polar optical phonon confinement and electron mobility in quantum wells // Physica E. 1999. V. 5. P. 108-116.

196. Протасов, Д.Ю.Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием / Протасов Д.Ю., Гуляев Д.В., Бакаров А.К.и др. // Письма в журнал технической физики. 2018. Т. 44. №6. С. 77-84.

197. V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, A. B. Sokolov. Decreasing the role of transverse spatial electron transport and increasing the output power of heterostructure field-effect transistors // Technical Physics Letters. 2012. V. 38 (9). P. 819-821.

198. V. M. Lukashin et. al. Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping // Semiconductors. 2014. V. 48 (5). P. 666-674.

199. D. V. Gulyaev et. al. Influence of the additional p+doped layers on the properties of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures for high power SHF transistors // Journal of Physics D: Applied Physics. 2016. V. 49. N. 9. 095108

200. I. Y. Han, J. H. Ser, H. Y. Ryu, Y. H. Lee. Oxide-apertured photodetector integrated on vertical cavity surface emitting laser // Electronics Letters. 1999. V. 35 (20). P. 1742 - 1743.

201. V.Ya Prinz et. al. Free-standing and overgrown InGaAs/GaAs nanotubes, nanohelices and their arrays // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2000. V. 6 (1-4). P.828-831.

202. J. J. Schermer et. al. Epitaxial Lift-Off for large area thin film III/V devices // phys. stat. sol. 2005. V. 202. N. 4. P. 501-508.

203. H. Im et. al. XX-XY interface band mixing in GaAs/AlAs heterostructures // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2000. V. 6 (1-4). P. 214-217.

204. D. G. Austing et. al. X- and Г-related tunneling resonances in GaAs/AlAs double-barrier structures at high pressure // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. P. 1419.

205. R. E. Carnahan et. al. Г-X intervalley tunneling in InAs/AlSb resonant tunneling diodes

206. V. Umansky et. al. MBE growth of ultra-low disorder 2DEG with mobility exceeding 35*106 cm2/V s // Journal of Crystal Growth. 2009. V. 311 (7). P. 1658-1661.

207. S. Dasgupta, C. Knaak, J. Moser et. al. Donor binding energy and thermally activated persistent photoconductivity in high mobility (001) AlAs quantum wells // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 142120.

208. W. M. Zheng, M. P. Halsall, P. Harmer et. al. Effect of quantum confinement on shallow acceptor transitions in 5-doped GaAs/AlAs multi-quantum wells // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 735.

209. S. Dasgupta, S. Birner, C. Knaak et. al. Single-valley high-mobility (110) AlAs quantum wells with anisotropic mass // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 132102.

210. Q. X. Zhao, S. Wongmanerod, M. Willander et. al. Effects of monolayer AlAs insertion in modulation doped GaAs/AlxGa1-xAs quantum-well structures // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 10984.

211. H. Kawai, J. Kaneko, N. Watanabe. Doublet state of resonantly coupled AlGaAs/GaAs quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition // Journal of Applied Physics. 1985. V. 58. P. 1263.

212. B. S. Williams. Terahertz quantum-cascade lasers // nature photonics. 2007. V. 1. P. 517.

213. J. Pozela, A. Namajunas, K. Pozela, V. Juciene. Electron mobility and subband population tuning by a phonon wall incerted in a semiconductor quantum well // J. Appl. Phys. 1997. V. 81 (4). P. 1775-1780.

214. J. Pozela, A. Namajunas, K. Pozela, V. Juciene. Polar optical phonon confinement and electron mobility in quantum wells // Physica E. 1999. V. 5. P. 108-116.

215. Васильевский И. С. / Электронный транспорт в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs и GaAs/InyGa1-yAs/GaAs: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.09 / Васильевский Иван Сергеевич. М., 2006. - 182 с.

216. L.P. Avakyants, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, V.A. Kulbachinskii. Interband optical transitions in the GaAs modulation doped quantum wells: photoreflectance experiment and self-consistent calculations// Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21 P. 462-466.

217. Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, Р. А. Лунин, И. С. Васильевский, А. В. Деркач. Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37 (6). С. 711- 716.

218. И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров. Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах // ЖЭТФ. 2007. Т. 132 (1). С. 197-199.

219. V.A. Kul'bachinskii, I.S. Vasil'evskii, R.A. Lunin, G.B. Galiev , E.N. Eniushkina, V.G. Mokero. Influence of state coupling on the electron transport in shallow quantum wells // Revista Mexicana de Fisica. 2007. V. 53 (7). P. 66-69.

220. V.A. Kulbachinskii, I.S. Vasil'evskii, R.A. Lunin et. al. Electron transport and optical properties of shallow GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with a thin central AlAs barrier // Semicond. Sci.

Technol. 2007. V. 22. P. 222-228.

221. C. Karlsson, N. Rorsman, Shumin Wang and M. Persson. Metamorphic HFETs with composite In0.8Ga0.2As/InAs/In0.8Ga0.2 As channels on GaAs substrate // Compound Semiconductors 1997. Proceedings of the IEEE Twenty-Fourth International Symposium on Compound Semiconductors, San Diego, CA, 1998. PP. 483-486.

222. Lipka, K.M. 500°C operation of GaAs based HFET containing low temperature grown GaAs and AlGaAs/ K.M. Lipka, P. Schmid, N. Nguyen et al.// Compound Semiconductors 1997. Proceedings of the IEEE Twenty-Fourth International Symposium on Compound Semiconductors, San Diego, CA, 1998. PP. 507-510.

223. W. J. Schaff, L. F. Eastman, B. Van Rees, B. Liles. Superlattice buffers for GaAs power MESFET's grown by MBE // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 1984. V. 2. P. 265.

224. K. Ploog, H. Fronius, A. Fischer. Improved electron mobility by AlAs spacer in one-sided selectively doped AlxGa1-xAs/GaAs multiple quantum well heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. P. 1237.

225. N. Georgiev, T. Dekorsy, F. Eichhorn et. al. Short-wavelength intersubband absorption in strain compensated InGaAs/AlAs quantum well structures grown on InP // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 210.

226. E. F. Schubert, J. E. Cunningham, W. T. Tsang, G. L. Timp. Selectively 5-doped AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures with high two-dimensional electron-gas concentrations n2DEG>1.5x1012 cm-2 for field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 1170.

227. L.Bouzai'ene, L.Sfaxi, H.Maaref. Investigation of two-dimensional electron gas concentration in selectively doped n-AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs heterostructures // Microelectronics Journal. 1999. V. 30 (7). PP.705-709.

228. Yanbo Li, Yang Zhang, Yiping Zeng. Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures // Journal of Applied Physics. 2010. V. 108. P. 044504.

229. Д. А. Винокуров, С. А. Зорина, В. А. Капитонов и др. Фотолюминесцентные исследования сильнонапряженных квантовых ям GaAs, помещенных в слои Al0.48In0.52As и Ga0.47In0.53As // Письма в журнал технической физики. 2006. Т. 32 (7). С. 42.

230. Z. Y. Xu, J. Wang, Y. Wang, W. K. Ge, Qing Li, S. S. Li, M. Henini. Wavelength tuning in GaAs/AlGaAs quantum wells by InAs submonolayer insertion // Journal of Physics: Condensed Matter. 1999. V. 11. N. 17. P. 3629.

231. A. Patanè, D. Sherwood, L. Eaves et. al. Tailoring the electronic properties of GaAs/AlAs superlattices by InAs layer insertions // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 661.

232. Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин. Анизотропия эффективной массы Г-электронов в квантовой яме GaAs/(AlGa)As // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39 (4). С. 445.

233. M. V. Baeta Moreira, M. A. Py, M. Ilegems. Molecular-beam epitaxial growth and characterization of modulation-doped field-effect transistor heterostructures using InAs/GaAs superlattice channels // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 1993. V. 11. P. 601.

234. V. A. Kulbachinskii, R. A. Lunin, V. A. Rogozin, V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, Yu. V. Khabarov, A. de Visser. Optical and transport properties of short-period InAs/GaAs superlattices near quantum dot formation // Semiconductor Science and Technology. 2002. V. 17. N. 9. P. 947.

235. A. Patanè, A. Polimeni, M. Capizzi, F. Martelli. Linewidth analysis of the photoluminescence of InxGa 1 -xAs/GaAs quantum wells (x=0.09, 0.18, 1.0) // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P. 2784.

236. J. L. de Miguel, M.-H. Meynadier, M. C. Tamargo, R. E. Nahory, D. M. Hwang. Molecular-beam epitaxial growth and characterization of pseudomorphic InAs/Ino.52Al0.48As quantum wells // Journal of Vacuum Science& Technology B: 1988. V. 6. P. 617.

237. Y. Hori, Y. Miyamoto, Y. Ando and O. Sugino. First principles band structure calculation and electron transport for strained InAs // Conference Proceedings. 1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.98CH36129), Tsukuba. 1998. PP. 104-107.

238. C. C. Eugster, T. P. E. Broekaert, J. A. del Alamo, C. G. Fonstad, An InAlAs/InAs MODFET // IEEE Electron Device Letters. 1991. V. 12. N. 12. PP. 707-709.

239. K. Yoh, T. Moriuchi, M. Inoue. An InAs channel heterojunction field-effect transistor with high transconductance // IEEE Electron Device Letters. 1990. V. 11. N. 11. P. 526-528.

240. T. Akazaki, K. Arai, T. Enoki and Y. Ishii. Improved InAlAs/InGaAs HEMT characteristics by inserting an InAs layer into the InGaAs channel // IEEE Electron Device Letters. 1992. V 13. N. 6. PP. 325-327.

241. T. Akazaki, T. Enoki, K. Arai, Y. Ishii. Improving the characteristics of an InAlAsInGaAs inverted HEMT by inserting an InAs layer into the InGaAs channel // Solid-State Electronics. 1995. V. 38 (5). PP. 997-1000.

242. J. K. Zahurak, A. A. Iliadis, S. A. Rishton and W. T. Masselink. Transistor performance and electron transport properties of high performance InAs quantum-well FET's // IEEE Electron Device Letters. 1994. V. 15. N. 12. PP. 489-492.

243. T. Akazaki, J. Nitta, H. Takayanagi, T. Enoki, K. Arai. Improving the mobility of an In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As inverted modulation-doped structure by inserting a strained InAs quantum well // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 1263.

244. J. Nitta, Y. Lin, T. Koga, T. Akazaki. Electron g-factor in a gated InAs-inserted-channel In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterostructure // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2004. V. 20 (3-4). PP.429-432.

245. M. Städele, K. Hess, T. Ruf, M. Cardona. Addendum: "Effective-mass enhancement and nonparabolicity in thin GaAs quantum wells" [J. Appl. Phys. 88, 6945 (2000)] // Journal of Applied Physics. 2002. V. 91. P. 9435.

246. C. Wetzel, R. Winkler, M. Drechsler et. al. Electron effective mass and nonparabolicity in Ga0.47In0.53As/InP quantum wells // Phys. Rev. B. 1996. V. 53. P. 1038.

247. M. Sexl, G. Böhm, D. Xu. MBE growth of double-sided doped InAlAsInGaAs HEMTs with an InAs layer inserted in the channel // Journal of Crystal Growth. 1997. V. 175-176 (2). P.915-918.

248. Dong Xu, H.G. Heiss, S.A. Kraus et al. Design and fabrication of double modulation doped InAlAs/lnGaAs/InAs heterojunction FETs for high-speed and millimeter-wave applications // IEEE Transactions on Electron Devices. 1998. V. 45. N. 1. PP. 21-30.

249. A. Richter, M. Koch, T. Matsuyama, Ch. Heyn, U. Merkt. Transport properties of modulation-doped InAs-inserted-channel In0.75Al0.25As/In0.75Ga0.25As structures grown on GaAs substrates // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 3227.

250. N. Maeda, H. Ito, T. Enoki, Y. Ishii. Dependence on channel potential structures of I-V characteristics in InAlAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors // Journal of Applied Physics. 1997. V. 81. P. 1552.

251. Onda, K. InAlAs/InGaAs channel composition modulated transistors with InAs channel and AlAs/InAs superlattice barrier layer / K. Onda, A. Fujihara, A. Wakejima et al. // IEEE Electron Device Letters. 1998. V. 19. N. 8. PP. 300-302.

252. D. Xu, J. Osaka, Y. Umeda, T. Suemitsu, Y. Yamane and Y. Ishii. Modulation-doped field-effect

transistors with an 8-nm InGaAs/InAs/InGaAs quantum well // IEEE Electron Device Letters. 1999. V. 20. N. 3. PP. 109-112.

253. K. Leong, G. Mei, V. Radisic, S. Sarkozy and W. Deal. THz integrated circuits using InP HEMT transistors //2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Santa Barbara, CA. 2012. PP. 1-4.

254. D. H. Kim and J. A. del Alamo. Lateral and Vertical Scaling of In0.7Ga0.3As HEMTs for Post-Si-CMOS Logic Applications // IEEE Transactions on Electron Devices. 2008. V. 55. N. 10. PP. 2546-2553.

255. D.-H. Kim, J. A. del Alamo. Scalability of Sub-100 nm InAs HEMTs on InP Substrate for Future Logic Applications // IEEE Transactions on Electron Devices. 2010. V. 57 (7). PP. 1504 - 1511.

256. N. Kharche, G. Klimeck, D. H. Kim, J. A. del Alamo, M. Luisier. Performance analysis of ultra-scaled InAs HEMTs // 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Baltimore, MD. 2009. PP. 1-4.

257. T. W. Kim and J. A. del Alamo. Injection velocity in thin-channel InAs HEMTs // IPRM 2011 -23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Berlin. 2011. P. 1-4.

258. D. H. Kim, J. A. del Alamo, D. A. Antoniadis and B. Brar. Extraction of virtual-source injection velocity in sub-100 nm III-V HFETs // 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Baltimore, MD. 2009. PP. 1-4.

259. R. Lai et al. Sub 50 nm InP HEMT with fT = 586 GHz and amplifier circuit gain at 390 GHz for sub-millimeter wave applications // 2010 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Kagawa. 2010. PP. 1-3.

260. R. Lai, R. Sub 50 nm InP HEMT Device with Fmax Greater than 1 THz / R. Lai, X. B. Mei, W.R. Deal et al. // 2007 IEEE International Electron Devices Meeting, Washington, DC. 2007. PP. 609-611.

261. Mei, X. First Demonstration of Amplification at 1 THz Using 25-nm InP High Electron Mobility Transistor Process / Xiaobing Mei, Wayne Yoshida, Mike Lange et al. // IEEE Electron Device Letters. 2015. V. 36. N. 4. PP. 327-329.

262. W. R. Deal, K. Leong, W. Yoshida, A. Zamora and X. B. Mei. InP HEMT integrated circuits operating above 1,000 GHz // 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA. 2016. PP. 29.1.1-29.1.4.

263. A. Tessmann, A. Leuther, H. Massler et. al. 220 GHz low-noise amplifier MMICs and modules based on a high performance 50 nm metamorphic HEMT technology // physica status solidi c. 2007. V. 4(5). PP.1667 - 1670.

264. A. Tessmann et al. A 300 GHz mHEMT amplifier module // 2009 IEEE International Conference on Indium Phosphide & Related Materials, Newport Beach, CA. 2009. PP. 196-199.

265. Deal, W.R. Demonstration of a 0.48 THz Amplifier Module Using InP HEMT Transistors / W.R. Deal, X. B. Mei, V. Radisic et al. // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2010. V.20. N.5. P.289-291.

266. W. Deal, X. B. Mei, K. M. K. H. Leong, V. Radisic, S. Sarkozy and R. Lai. THz Monolithic Integrated Circuits Using InP High Electron Mobility Transistors // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. V. 1, no. 1, pp. 25-32, Sept. 2011.

267. Smith, P.M. Microwave InAlAs/InGaAs/InP HEMTs: status and applications / P.M. Smith, P.C. Chao, P. Ho et al. // International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Denver, CO, USA. 1990. PP. 39-43.

268. G. Carpintero. Semiconductor TeraHertz Technology: Devices and Systems at Room

Temperature Operation / G. Carpintero, L. E. G. Muñoz, H. L. Hartnagel, S. Preu, A. V. Raisanen.- John Wiley & Sons, Ltd, 2015.-408 p.

269. Leuther, A. 20 nm Metamorphic HEMT technology for terahertz monolithic integrated circuits / A. Leuther, A. Tessmann, P. Doria et al. // 2014 9th European Microwave Integrated Circuit Conference, Rome. 2014. PP. 84-87.

270. A. Leuther, A. Tessmann, M. Dammann, H. Massler, M. Schlechtweg and O. Ambacher. 35 nm mHEMT Technology for THz and ultra-low noise applications // 2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Kobe. 2013. PP. 1-2.

271. Лунин, Р.А. Электронные свойства дельта-легированных GaAs/AlxGa1-xAs структур: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.09 / Лунин Роман Анатольевич. - М., 1999. - 195с.

272. Андо, Т. Электронные свойства двумерных систем / Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. - М.: Мир, 1985. - 416.

273. E. D. Siggia, P. C. Kwok. Properties of Electrons in Semiconductor Inversion Layers with Many Occupied Electric Subbands. I. Screening and Impurity Scattering // Phys. Rev. B. 1970. V. 2 (4). P. 1024.

274. P. T. Coleridge. Small-angle scattering in two-dimensional electron gases. Phys. Rev. B. 1991. V. 44. P. 3793.

275. G. Fishman, D. Calecki. Electron concentration and buffer-width dependence of Hall mobility in GaAs-Ga 1 -xAlxAs multiple-quantum-well structures // Phys. Rev. B. 1984. V. 29. P. 5778.

276. R. Fletcher, E. Zaremba, M. D'Iorio, C. T. Foxon, J. J. Harris. Persistent photoconductivity and two-band effects in GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. P. 10649.

277. P. Bruno. Theory of interlayer magnetic coupling // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P. 411.

278. J. Pozela, K. Pozela, V. Juciene. Scattering of electrons by confined interface polar optical phonons in a double-barrier heterostructure // Semiconductors. 2007. V. 41. P. 1074.

279. J. Pozela, K. Pozela, A. Shkolnik et. al. High-field electron mobility in InGaAs quantum wells // Phys. Status Solidi C. 2009. V. 6. P. 2713.

280. A. Silenas, Yu. Pozela, K. Pozela et. al. Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAls heterostructures with InAs inserts // Semiconductors. 2011. V. 45. P. 761.

281. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. Рассеяние электронов на захваченных поверхностных полярных оптических фононах в двухбарьерной гетероструктуре // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41 (9). С. 1093.

282. Ю. Пожела, К. Пожела, Р. Рагуотис, В. Юцене. Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/ AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1-xAs в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45 (6). С. 778.

283. J.A. Gupta, J.C. Woicik, S.P. Watkins et. al. An X-ray standing wave study of ultrathin InAs films in GaAs(0 0 1) grown by atomic layer epitaxy // Journal of Crystal Growth. 1998. V. 195 (1-4). P. 34-40.

284. А.М. Афанасьев, Р.М. Имамов. Структурная диагностика "квантовых" слоев методом рентгеновской дифрактометрии // Кристаллография. 2003. Т. 48. № 5. С. 799.

285. Э. М. Пашаев, И. А. Субботин, М. А. Чуев и др. Аппаратная функция двухкристального рентгеновского дифрактометра // Приборы и техника эксперимента. 2009. № 5. С. 107-115.

286. Ломов, А. А. Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур: дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ломов Андрей Александрович. - М., 2006. - 369 с.

287. Yu. Kudriavtsev, S. Gallardo, O. Koudriavtseva et. al. SIMS depth profiling of semiconductor interfaces: Experimental study of depth resolution function // Surface and Interface Analysis. 2011. V. 43(10). P.1277 - 1281.

288. И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, В.В. Сарайкин и др. Метрология состава тройных твердых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs в технологии PHEMT гетероструктур // Первый российский кристаллографический конгресс, сб. тезисов докладов. 2016. С. 61.

289. И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, М.М. Грехов, Н.И. Каргин. Метрологическое обеспечение технологии изоморфных гетероструктур In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии // Первый российский кристаллографический конгресс, сборник тезисов докладов. 2016. С. 326.

290. А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов и др. Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100) // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31 (1). С. 19.

291. Пономарев, Д. С. Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1.xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия / Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский и др. //Ядерная физика и инжиниринг. - 2012. - Т.3. - Вып. 2. - С. 173-178.

292. T. Ando, A. B. Fowler, F. Stern. Electronic properties of two-dimensional systems // Rev. Mod. Phys. 1982. V. 54. P. 437.

293. I. Lo, W. C. Mitchel, R. E. Perrin, R. L. Messham, M. Y. Yen. Two-dimensional electron gas in GaAs/Al 1 -xGaxAs heterostructures: Effective mass // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. P. 11787.

294. WJ communications first with 28 V InGaP HBT power amps [электронныйресурс] // III-Vs Review. - 2006. - V. 19 (9). Режим доступа: https://doi.org/10.1016/S0961-1290(06)71903-2.

295. M. S. Mironova, V. I. Zubkov, A. L. Dudin, G. F. Glinskii. Self-Consistent Simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs Heterostructures Photoluminescence Spectra and Its Application to pHEMT Structures Diagnostics // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 507.

296. Н.С. Волкова, А.П. Горшков, СВ. Тихов. Влияние пространственного расположения delta-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49 (2). С. 145.

297. Хабибуллин Р. А. Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Хабибуллин Рустам Анварович. - М., 2012. - 195.

298. Хабибуллин, Р. А. Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs / Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев и др. //Физика и Техника Полупроводников. -2011. - Т.45. - Вып. 5. - С. 666-671.

299. J. Ihm, D. J. Chadi, J. D. Joannopoulos. Study of the reconstructed GaAs(100) surface // Phys. Rev. B. 1983. V. 27 (8). P. 5119-5121.

300. J.L. Robert, P. Sellitto, A. Gougam, J. Sicart, R. Planel. Determination of the energetical separation of DX states in GaAs and in AlAs by using planar-doped superlattices // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1995. V. 56 (3/4). P. 615-618.

301. A. Chandra, C. E.C. Wood, D. W. Woodard, L. F. Eastman. Surface and interface depletion corrections to free carrier-density determinations by hall measurements // Solid-State Electronics. 1979. V. 22 (7). P. 645-650.

302. T. M. Hsu, W.-H. Chang, D. H. Liao, W. C. Lee. Fast Fourier transformation of piezoreflectance in 5-doped GaAs // Journal of Applied Physics. 1998. V. 84. P. 1074.

303. G. S. Chang, W. C. Hwang, Y. C. Wang, Z. P. Yang, J. S. Hwang. Determination of surface state density for GaAs and InAlAs by room temperature photoreflectance // Journal of Applied Physics. 1999. V. 86. P. 1765.

304. Хабибуллин, Р. А. Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с различной глубиной залегания / Р. А. Хабибуллин, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский и др. //Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т.47. - Вып.9. - С. 1215-1220.

305. H. Brugger, H. Müssig, C. Wölk et. al. Optical determination of carrier density in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs hetero-field-effect transistor structures by photoluminescence // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 2739.

306. S. Rekaya, L. Sfaxi, C. Bru-Chevallier, H. Maaref. Fermi edge singularity evidence from photoluminescence spectroscopy of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs grown on (311)A GaAs substrates // Journal of Luminescence. 2011. V. 131 (1). PP. 7-11.

307. K. R. Lefebvre, A. F. M. Anwar. Redistribution of the quantum well density of states under the influence of electric field // Semiconductor Science and Technology. 1997. V. 12. N. 10. P. 1226.

308. J. M. Gilpérez, J. L. Sánchez-Rojas, E. Muñoz et. al. Photoluminescence characterization of gated pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs modulation-doped field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. P. 1225.

309. M. van der Burgt, V. C. Karavolas, F. M. Peeters et. al. Magnetotransport in a pseudomorphic GaAs/Ga0.8In0.2As/Ga0.75Al0.25As heterostructure with a Si 5-doping layer // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P.12218.

310. W. E. Hoke, P. S. Lyman, W. H. Labossier. Molecular-beam epitaxial growth of high quality, double channel AlGaAs/InGaAs pulse-doped pseudomorphic high electron mobility transistors // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 1992. V. 10. P. 1026.

311. Р. А. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев и др. Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45 (10). С. 1373.

312. Виниченко, А. Н. Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs / А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский //Физика и техника полупроводников. - 2014. - т. 48. - Вып. 12. - С. 1660-1665.

313. Васильевский, И. С. Влияние пространственно-неоднородных функциональных нанослоев на процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InGaAs с высокой электронной плотностью (обзор) / И.С. Васильевский // Труды 7-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения». 25 мая 2016 г. / М.: МИФИ. - 2016. - C. 16-18. - ISBN 978-5-7262-2257-8.

314. Galiev, G. B. Quantum and transport scattering times in AlGaAs/InGaAs nanoheterostructures with AlAs inserts in the spacer layer / G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, E.A. Klimov, D.S. Ponomarev, R.A. Khabibullin, V.A. Kulbachinskii, D.V. Gromov, P.P. Maltsev // Lithuanian Journal of Physics. - 2015. -V. 55. - № 4. - P. 249-254.

315. Васильевский, И.С. P-HEMT транзисторная гетероструктура с составным донорным слоем, содержащим нанобарьеры AlAs / И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин и др. // Патент на полезную модель РФ №155420 от 27.11.2014. Заявка № 2014147871.

316. Vinichenko, A. N. Pseudomorphic HEMT quantum well AlGaAs/InGaAs/GaAs with AlAs:5-Si donor layer / A.N. Vinichenko, I.S. Vasil'evskii // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2016. -V.151. - 012037.

317. М.Н. Стриханов, Н.И. Каргин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко. «Подавление рассеяния электронов на ионизированной примеси в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/(Al)GaAs с нанобарьерами AlAs в окрестности дельта-слоя доноров кремния» Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, 2013, стр. 245 (2013)

318. Bastard G., Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures / G. Bastard. Editions de Physique, 1990. - 366 p.

319. Н.Г. Яременко, Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский и др. Определение концентрации двумерных электронов в 5-легированных псевдоморфных транзисторных структурах InGaAs/GaAs методом фотолюминесцентной спектроскопии// Радиотехника и электроника. 2013. Т. 58. № 3. С. 276-284.

320. Сафонов, Д. А. Электронный транспорт в РНЕМТ квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si / Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский // Физика и техника полупроводников. - 2018.-Т.52.-Вып. 2.- С. 201-206.

321. Сафонов, Д. А. Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем 5-легировании / Д.А. Сафонов, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин, И.С. Васильевский // Письма в Журнал Технической Физики. - 2018. - Т. 44. - Вып. 4. - С. 34-41

322. И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин. Механизм немонотонной зависимости подвижности от концентрации электронов в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. 2015. С. 184.

323. Д.А. Сафонов, А.Н. Виниченко, Н.В. Антонова, Н.И. Каргин, И.С. Васильевский. Влияние донорного легирования кремнием на электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при различных температурах // Сборник трудов 8-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения». 2017. С. 30-33

324. Mahata, M.K. Growth and characterization of Al015Ga0 85As/GaAs pseudomorphic heterostructure by MBE / Mihir Kr. Mahata, Saptarsi Ghosh, Sanjay Jana et al. // Students' Technology Symposium (TechSym), 2014 IEEE, Kharagpur. 2014. PP. 390-392.

325. V. V. Vainberg, A. S. Pylypchuk, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov. Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. 2013. V. 16. N. 2. P. 152-161.

326. Сафонов ДА., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Каргин Н.И. Квантовый магнетотранспорт в 15-РНЕМТ гетероструктурах AlGaAs/InGaAs с высокой электронной плотностью // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. 2017. С. 148.

327. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков. Электрофизические свойства двухсторонне легированных псевдоморфных НЕМТ структур

AlGaAs/InGaAs/AlGaAs при изменении уровня легирования // VIII Российская конференция по физике полупроводников, тезисы докладов. 2007. С. 178.

328. C. Gaquiere, J. Grünenütt, D. Jambon, E. Delos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. A high-power W-band pseudomorphic InGaAs channel PHEMT// IEEE Trans. Electr. Dev. 2005. V. 26. P. 533-534.

329. G. L. Zhou, W. Liu, M. E. Lin. Charge density control of single and double 5-doped PHEMT grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 2001. V. 227-228. P. 218.

330. P. W. Yu, B. Jogai, T. J. Rogers, P. A. Martin, J. M. Ballingall. Temperature dependence of photoluminescence in modulation-doped pseudomorphic high electron mobility transistor AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs/GaAs structures // Journal of Applied Physics. 1994. V. 76. P. 7535.

331. S. K. Brierley. Quantitative characterization of modulation-doped strained quantum wells through line-shape analysis of room-temperature photoluminescence spectra // Journal of Applied Physics. 1993. V. 74.P. 2760.