Электронное строение и энергетический спектр одноэлектронных состояний ионно-ковалентных твердых тел с локальными дефектами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Жуков, Сергей Сергеевич

• Жуков, Сергей Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Жуков, Сергей Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СТРОЕНИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОВАЛЕНТНЫХ И ИОННО-КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛОВ, СПОСОБЫ ИХ МОДЕЛИРОВАНИЯ И МЕТОДЫ КВАНТОВОХИМИЧЕСКОГО РАСЧЕТА.

11L Методы и модели исследования электронного строения и энергетического спектра многоатомных систем.

1.2. Кластерные модели кристаллов с дефектами.

1.2.1. Модель молекулярного кластера.

1.2.2. Циклические модели.

1.3. Квантовомеханические методы расчета многоатомных структур.

1.3.1. Задача квантовой механики многоатомных структур. Приближения, используемые при ее решении.

1.3.2. Приближение Хартри.

1.3.3. Принцип Паули. Метод Хартри - Фока.

1.3.4. Приближение молекулярной орбитали в виде линейной комбинации атомных орбиталей (МО ЛКАО).

1.3.5. Уравнения Ругаана.

1.4. Полуэмпирическая расчетная схема MNDO.

ГЛАВА 2. ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДВУМЕРНЫХ ИОННО-КОВАЛЕНТНЫХ СТРУКТУР ТИПА Аш-Ву.

2.1. Модели бездефектных и содержащих дефекты замещения двумерных ионно-ковалентных структур типа Аш-Ву.

2.2. Бездефектные двумерные ионно-ковалентные структуры типа АШ-ВУ.

2.3. Двумерные ионно-ковалентные структуры типа А|П-ВУ, содержащие дефекты замещения.

2.3.1. Двумерная структура нитрида бора.

2.3.2. Двумерная структура нитрида алюминия.

2.3.3. Двумерная структура фосфида аиоминия.

2.4.' Обсуждение результатов

2'АЛ. Двумерная структура нитрида бора;.

2.4.2. Двумерная структура нитрида алюминия.

2.4.3. Двумерная структура фосфида алюминия.

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДВУМЕРНЫХ КОВАЛЕНТНЫХ СТРУКТУР ТИПА A,V-BIV.

3.11 Модели бездефектных и содержащих дефекты замещения двумерных ковалентных структур типа AIV-B,V.

3.2. Бездефектные двумерные ковалентные структуры типа А1У-В1У.

3.3. Двумерные ковалентные структуры типа AIV-BIV, содержащие дефекты замещения.

3.3.1. Двумерная углеводородная структура.

3.3.2. Кремнийуглеводородная структура.

3.4. Обсуждение результатов.

3.4.1. Двумерная углеводородная структура.

3.4.2. Двумерная кремнийуглеводородная структура.

ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ТРЕХМЕРНЫХ ИОННО-КОВАЛЕНТНЫХ СТРУКТУР ТИПА Ani-Bv.

4.1: Модели бездефектных и содержащих дефекты замещения трехмерных ионно-ковалентных структур типа Аш-Ву.

4.2.v Бездефектные трехмерные ионно-ковалентные структуры типа Лш-Ву.

4.3. Трехмерные ионно-ковалентные структуры типа Лш-Ву, содержащие дефекты-замещения.

4.3.1. Нитрид бора.

4.3.2. Нитрид алюминия.

4.3.3. Фосфид бора.

4.3.4. Фосфид алюминия.

4.4. Обсуждение результатов.

4.4.1. Нитрид бора.

4.4.2. Фосфид бора.

4.4.3. Нитрид алюминия.

4.4.4. Фосфид алюминия.

ГЛАВА 5. ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ТРЕХМЕРНЫХ КОВАЛЕНТНЫХ СТРУКТУР ТИПА A,v-B,v;.

5.L Модели бездефектных и содержащих дефекты замещения трехмерных ковалентных структур типа А^-В™.

5.2: Бездефектные трехмерные ковалентные структуры типа A,V-BIV.

5.3. Трехмерные ковалентные структуры типа AIV-BIV, содержащие дефекты / замещения.

5.3.1. Углеродная структура.

5.3.2. Кремшшуглеродная структура.

5.4. Обсуждение результатов.

5.4.1. Углеродная структура.

5.4.2. Кремнийуглеродная структура.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронное строение и энергетический спектр одноэлектронных состояний ионно-ковалентных твердых тел с локальными дефектами»

Актуальность темы. Создание новых конструкционных материалов для приборов радиоэлектроники, микроэлектроники, а также квантовой оптоэлектроники - одно из важных направлений современного материаловедения. Основу соответствующих материалов составляют, как правило, кристаллы и различные твердотельные структуры.

Как известно, физические свойства кристаллов определяются их геометрическим, электронным и энергетическим строением. Введение в кристаллическую структуру дефектов различного типа приводит к модификации электронного строения, энергетического спектра и изменению геометрических параметров, что соответственно влияет на физические свойств кристалла. Поэтому исследование влияния различного типа дефектов на электронное строение и энергетический спектр кристаллов представляется важной задачей;

Немаловажную роль для практического применения играют ковалентные и ионно-ковалентные кристаллы. Данные кристаллы, в зависимости от типа атомов, состояния поверхности, наличия примесей и дефектов, могут обладать диэлектрическими или полупроводниковыми свойствами. Изучению свойств данных кристаллов, как чистых, так и< содержащих различные дефекты, посвящено немало работ. Однако до сих пор слабо освещена область исследования влияния дефектов замещения различного типа на электронное строение и энергетический» спектр одноэлектронных состояний ковалентных и ионно-ковалентых кристаллов. Именно поэтому данный, тип кристаллических структур является интересным объектом для исследования.

Эксперименты по изучение физических свойств кристаллов с дефектами довольно сложны и дорогостоящи. В связи с этим моделирование и квантовохимическое исследование твердотельных структур с локальными дефектами представляется актуальным. Результаты подобных исследований позволяют проводить целенаправленный поиск новых материалов микроэлектронной техники, а также объяснять и предсказывать различные наблюдаемые физические явления.

Целью исследования является моделирование и квнтовохимическое исследование влияния различных дефектов замещения на электронное строение и спектр одноэлектронных состояний двумерных и трехмерных ковалентных и ионно-ковалентных кристаллических структур типа AIV-B*V и Ani-Bv.

При достижении поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Проведен поиск и анализ моделей, методов и расчетных схем, наиболее подходящих для исследования влияния дефектов на электронное строение и энергетический спектр выбранных структур.

2. Изучено влияние размера молекулярного кластера, состоящего из различных атомов и содержащего различные дефекты замещения,, на адекватность получаемых результатов. Найдены оптимальные размеры кластеров для построения моделей различных типов структур.

3. Исследована модификация электронного строения и спектра одноэлектронных состояний ионно-ковалентных структур типа Аш-Ву при введении атомов одиночных дефектов замещения из III, IV и V групп.

4. Изучено влияние парных дефектов замещения из IV группы и групп замещения Dm-Gv на электронное строение и спектр одноэлектронных состояний ионно-ковалентных структур типа Am-Bv.

5. Исследована модификация; электронного строения и спектра одноэлектронных состояний; ковалентных структур типа AIV-BIV при введении атомов одиночных дефектов замещения из III, IV и V групп.

6. Изучено влияние парных дефектов замещения из IV группы и групп замещения Dm-Gv на электронное строение и спектр одноэлектронных

1 IV T-.IV состоянии ионно-ковалентных структур типа А -В .

7. Изучено влияние поверхностных групп на электронное строение и спектр одноэлектронных состояний ионно-ковалентных двумерных углеводородных структур.

Научная новизна работы заключается в том, что:

- Построены; квазимолекулярные модели ковалентных и ионно-ковалентных двумерных и трехмерных твердых тел, качественно правильно отражающие энергетический спектр электронов и пригодных для модифицирования путем введения дефектной ячейки, влияние на которую граничных условий кластера незначительно.

- Выяснено влияние одиночных атомов дефекта замещения и двухатомных групп замещения на электронную структуру и спектр одноэлектронных состояний двумерных и трехмерных структур типа AIV-BIV и Am-Bv.

- Установлена степень локальности; различных дефектов замещения в исследуемых структурах.

- Проведен анализ электрофизических характеристик двумерных и трехмерных рассмотренных твердотельных структур, обусловленных дефектами различных типов.

Практическая ценность работы.

Результаты, полученные при исследовании влияния различного типа дефектов замещения на энергетическое строение двумерных и трехмерных структур, дают возможность целенаправленного подхода к конструированию материалов для микроэлектронных приборов.

Результаты работы использованы в госбюджетной научно-исследовательской работе (тема № 29.230 «Исследование взаимодействия электромагнитных волн и электронных потоков со средами и изучение характеристик мишеней»), выполняемой на кафедре физики Волгоградского государственного технического университета по плану фундаментальных и поисковых работ Министерства образования РФ, и включены в курс лекций по дисциплине «Физика конденсированного состояния вещества» для студентов специальности 01.04.00 - Физика.

Достоверность результатов следует из корреляции полученных параметров с экспериментальными данными и сопоставимости; некоторых из результатов с данными, полученными и апробированными другими исследователями;

Основные положения и результаты выносимые на защиту.

1. Разработка кластерной модели двумерных и трехмерных ковалентных и ионно-ковалентных твердых тел с локальными дефектами замещения.

2. Результаты расчета электронного строения и энергетического спектра двумерных и трехмерных ковалентных и ионно-ковалентных структур типа AIV-B-V и Ain-Bv, содержащих локальные дефекты замещения в форме одиночных атомов и дефектных групп.

3. Исследование влияния локальных дефектов замещения на спектр одноэлектронных состояний рассмотренных структур.

4. Выяснение типов дефектов, приводящих к наиболее существенному изменению структуры энергетического спектра электронов, а следовательно, и на зависящие от них электрофизические характеристики.

5. Результаты анализа изменения ширины запрещенной щели трехмерных ионно-ковалентных структур в зависимости от типа и количества атомов замещения.

Достоверность результатов следует из наличия корреляции рассчитанных характеристик с экспериментальными данными, а также результатами, полученными и апробированными другими исследователями.

Апробация результатов;. Результаты исследования докладывались на научных семинарах кафедры Физики ВолгГТУ (2001-2002 гг.), на V и VI межвузовской конференции студентов и молодых ученых Волгограда и

Волгоградской области (2000 г. - 2002 г.), на V Всероссийской научной конференции студентов: и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (г. Таганрог, 2000 г.), Всероссийской научно-технической конференции «Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве» (Нижний Новгород, 2000 г.)

Публикации:

1. Литинский А.О., Жуков'С.С. Модельный MNDO - расчет электронного строения и энергетического спектра двумерных ковалентных структур с локальными дефектами //Вестник Волгоградского госуд. ун.-та. Сер.1: Математика. Физика. 1999. Вып; 4, с. 162.

2. Литинский А.О., Жуков С.С., Электронное строение и энергетический спектр двумерных ковалентных структур на основе кремний- и германий- водородов. Модельные МО ЛКАО расчеты //Вестник Волгоградского госуд. ун.-та. Сер.1: Математика. Физика. 2001. Вып. 6, с.131.

3. Литинский А.О., Жуков С.С., Лебедев Н.Г., Электронное строение и энергетический спектр двумерных ионно-ковалентных структур на основе кремнийуглеводородов, нитрида бора, нитрида алюминия и фосфида алюминия //Вестник Волгоградского госуд. ун.-та., 2003г. Вып. 8

4. Литинский А.О., Жуков С.С., Особенности спектра одноэлектронных состояний полупроводниковых и: диэлектрических двумерных ковалентных и ионно-ковалентных структур, модифицированных введением локальных дефектов //Электромагнитные волны и электронные системы, 2004; т.9, №2, с.47-51.

5. Жуков С.С. Моделирование и квантовохимический расчет электронных и энергетических характеристик в полупроводниковых материалах, содержащих донорные и акцепторные центры // Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления. V всероссийская научная конференция студентов и аспирантов, Таганрог, 12-13 октября 2000 г.: Тез. докл./ изд. ТГРУ - Таганрог 2000. - с.51.

6. Жуков C.G. Модельный расчет электронного строения и энергетического спектра локальных дефектов в двумерных ковалентных структурах //V межвузовская конференция студентов и молодых ученых г. Волгограда и Волгоградской области, Волгоград, 21-24 ноября 2000 г.: Тез. докл./ изд. ВолгГУ. - Волгоград, 2002. - Выпуск 4, Физика и математика, с.23.

7. Жуков С.С. Изучение спектра одноэлектронных состояний двумерных ковалентных структур на основе кремний- и германийводородов при помощи модельных расчетов //VI межвузовская конференция студентов и молодых ученых г. Волгограда и Волгоградской области, Волгоград, 13-16 ноября 2001 г.: Тез. докл./ изд. ВолгГУ. - Волгоград, 2002. -Выпуск 4, Физика и математика, с.28.

8. Жуков С.С., Литинский А.О. Электронное строение и энергетический спектр двумерных ковалентных структур с локальными дефектами // Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой' опто- и наноэлектронике, С.-Петербург, 30 нояб.-З дек. 1999 г.: Тез. докл./ изд СПбГТУ. - С.П.,1999, с.117.

9. Жуков С.С., Иваненко О.И., Литинский А.О. Моделирование и квантовохимический расчет двумерных периодических структур с дефектами // Всероссийская научно-техническая конференция "Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве", Нижний Новгород, 3-4 февраля 2000 г. Тез.докл. 2000 г.

10. Жуков G.G., Литинский А.О Спектр одноэлектронных состояний двумерных ковалентных и ионно-ковалентных структур с локальными дефектами //Девятая Всероссийская- научная; конференция студентов-физиков и молодых ученых, Красноярск, 28.03.2003-3.04.2003 г.

Тез.докл.: В 2 т. Т. 1 - Екатеринбург-Красноярск: Издательство АСФ России,2003 г., с. 157-159. И. Жуков С.С., Литинский А.О Электронное строение и спектр одноэлектронных состояний электронов в ковалентных кристаллах с локальными дефектами//Тезисы докладов юбилейного смотра-конкурса научных, конструкторских и технологических работ студентов Волгоградского государственного технического университета, Волгоград, 15-17 мая 2000 г.: Тез. докл./ РПК, Политехник. - Волгоград, 2000.-с. 10.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Жуков, Сергей Сергеевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Проведен квантовохимический расчет (схема MNDO) и анализ энергетического спектра и электронного строения двумерных и трехмерных ковалентных и ионно-ковалентных структур типа АШ-ВУ и A1V-BIV (нитрид бора, нитрид алюминия, фосфид алюминия, фосфид бора, углеродная структура; кремниевая структура и кремнийуглеродная структура), модифицированных локальными дефектами замещения (замена центральных атомов структуры на атомы В, N, AI, Р, С, Si, Ge, Sn или пары атомов Al-N, Al-P, B-N, В-Р, С-С, Si-Si, Ge-Ge).

2. Установлено, что введение атомов дефекта Si, Ge и дефектных групп HSi-SiH, HGe-GeH в двумерные структуры типа АШ-ВУ (нитрид бора, нитрид алюминия, фосфид алюминия) приводит к возникновению в запрещенной щели только занятых состояний с величиной проникновения ~ 10-20% (от ширины запрещенной щели) от потолка валентной зоны.

3. Показано, что введение атомов Si, Ge и дефектных групп HSi-SiH, HGe-GeH в двумерные ковалентные структуры приводит к возникновению в запрещенной щели занятых и вакантных состояний, отвечающих акцепторному характеру дефектов замещения. В частности, для углеродной структуры, в случаях замещения одиночными атомами; величина проникновения занятых состояний ~ 10% от ширины запрещенной щели и степень участия атомов дефекта -14% от полного вклада орбиталей всех атомов структуры в данное состояние, для вакантных состояний величина проникновения -10%, степень участи -60%.

4. Установлено, что введение атомов А1 и групп Al-Dv (Dv- различные атомы из V подгруппы) в большинстве; ковалентных структур приводит к возникновению в запрещенной щели: а) вакантных состояний (глубина проникновения до 40% от ширины запрещенной щели), в основном обусловленных атомными орбиталями алюминия (степень участия алюминия до 90% от полного вклада орбиталей всех атомов структуры в данное состояние); б) акцепторных состояний (в случае трехмерных структур и одиночного замещения).

5. Получено, что введение атомов V подгруппы (P,N), а также различных дефектных групп, содержащих эти атомы, в подавляющем большинстве случаев не приводит к возникновению глубоко проникающих занятых энергетических состояний, отвечающих донорной природе примесных атомов Р и N. В случаях же их возникновения, в запрещенной щели возникают также вакантные состояния, обусловленые разрыхляющими орбиталями орбиталями связей атомов дефекта с атомами структуры.

6. Анализ энергетических спектров позволил установить, что наличие или отсутствие в дефектной группе в паре с атомом АГ и В одного из атомов N или Р не приводит к существенному изменению характера влияния атомов А1 и В на энергетический спектр двумерных структур. Поэтому, можно ожидать, что при целенаправленной модификации электрофизических свойств твердотельных структур путем введения А1 или В, наличие азота и фосфора, как нежелательных примесей, не будет оказывать существенного влияния на эти свойства.

7. Расчет энергетических характеристик трехмерных структур типа Аш-Ву позволил сделать вывод о степени и тенденциях изменения ширины запрещенной щели под действием атомов-заместителей С, Si, Ge и их пар. Так, введение двойного дефекта замещения * приводит к наименьшему изменению ширины запрещенной щели (увеличение ~10% для нитрида бора, ~8% для нитрида алюминия, ~6% для фосфида бора и уменьшение на ~20% для? фосфида алюминия). Величина и направление изменения; размера запрещенной: щели в случае одиночных атомов зависит от типа образованных связей. Например, замещение в фосфиде бора атома Р атомом С приводит к увеличению запрещенной щели на ~30% , а замещение атома В на атом С к уменьшению запрещенной щели на ~5%. В других типах структур (фосфид алюминия, нитрид бора и нитрид алюминия) образование атомом замещения с атомами структуры связей, отвечающих донорным или акцепторным состояниям, приводит к небольшому увеличению запрещенной щели.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Жуков, Сергей Сергеевич, 2003 год

1. Бочвар Д.А., Гальперн Е.Г. Элементарный углерод. // Доклады АН СССР, 1973,209, с. 610.

2. Губанов В.А., Курмаев Э.З., Ивановский А.Л. Квантовая химия твердого тела. М.: Наука, 1984,304 с.

3. Слэтер Дж. Электронная структура молекул. М.: Мир, 1965, 587 с.

4. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи: пер. с англ. М.: Мир, 1983, т. 1, 381 с.

5. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи: пер. с англ. М.: Мир, 1983, т. 2,332 с.

6. Фларри Р. Квантовая химия. Введение. Пер. с англ. М.: Мир, 1985,472с.

7. Заградник Р., Полак Р. Основы квантовой химии. М.: Мир, 1979, 504 с.

8. Абаренков И.В., Братцев В.Ф., Тулу б А.В. Начала квантовой химии. М.: Высш. шк., 1989,303 с.

9. Степанов Н.Ф. Квантовая механика и • квантовая химия. М.: Мир, 2001, 519 с.

10. Минкин В.И., Симкин Б.Я., Миняев P.M. Теория строения: молекул. Ростов-Дон: Феникс, 1997, 560 с.

11. И. Hehre W.J., Radom L., Schleyer P., Pople J.A. Ab initio molecular orbital theory. N.-Y.: J. Wiley & Son's, 1986, 391 p.

12. Чувылкин Н.Д. Горизонты современной квантовой химии. // ЖВХО им. Менделеева, 1990, т. 35, с. 660-669.

13. Эварестов Р.А. Квантовохимические методы в теории твердого тела. Л.: ЛГУ, 1982,280 с.

14. Губанов В.А., Жуков В.П., Литинский) А.О: Полуэмпирические методы молекулярных орбиталей в квантовой химии. М.: Наука, 1976,219 с.

15. Близнюк А.А., Войтюк А.А. Комплекс программ MNDO-85 для расчета электронной структуры, физико-химических свойств и реакционной способности молекулярных систем полуэмпирическими методами

16. MNDO, MNDOC и AMI. // Журн. структур, химии, 1986, т. 27, № 4, с. 190-191.

17. Dewar M.J.S., Thiel W. Ground states of molecules. 38. The MNDO method. Approximations and Parameters. // J. Amer. Chem. Soc., 1977, v.99, № 15, p. 4899-4906.

18. Thiel W. Semiempirical methods: current status and perspectives. // Tetrahedron, 1988, v. 44, № 24, p. 7393-7408.

19. Stewart J.J.P. Optimization of parameters for semiempirical methods. 1. Methods. // J. Comput. Chem., 1989, v. 10, № 2, p. 209-220.

20. Stewart J.J.P. Optimization of parameters for semiempirical methods. 2. Applications. // J. Comput. Chem., 1989, v. 10, № 2, p. 221-264.

21. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Мир, 1967, 384 с.

22. Endo М., Fujiwara Н., Fukunaga Е. Meeting of Japanese Carbon Society. 1991,34.

23. Роткин B.B., Сурис Р.А. Энергетика углеродных кластеров с пассивированными связями. // Физика твердого тела, 1999, т. 41, вып. 5, с. 809-812.

24. Аврамов П.В., Овчинников С.Г. Квантово-химическое и молекулярно-динамическое моделирование структуры и свойств углеродных наноструктур и их производных. Новосибирск: СО РАН, 2000, 169 с.

25. Ландау Л. Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Серия: Теоретическая физика. Т. 3. М.: Наука, 1974, 752 с.

26. Базилевский М.В. Метод молекулярных орбит и реакционная способность органических молекул. М.: Химия, 1969,304 с.

27. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979, т. 1, 400с.

28. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979, т. 2, 424с.

29. Жидомиров Г.М., Михейкин И.Д. Кластерное приближение вквантовохимических исследованиях хемосорбции и поверхностных структур. // Итоги науки и техники ВИНИТИ АН СССР. Сер. Строение молекул и хим. связь. М.: ВИНИТИ, 1984, т. 9, 161 с.

30. Жидомиров Г.М., Шлюгер А.Л., Канторович Л.Н. Современные модели теории хемосорбции. // Современные проблемы квантовой химии в теории межмолекулярных взаимодействий и твердых тел. Л.: Наука, 1987, с. 225-282.

31. Краснов К.С. Молекулярные постоянные неорганических соединений. Справочник. Л.: Химия, 1979, 448 с.

32. Catellani V.A., Pasternak М. // Phis.Rev.B, 1985, v.32(6997)

33. Hehre W.J., Stewart R.F., Pople J.A. // J. Chem. Phys., 1969; v. 51, p. 2657.

34. Stewart R.F. // J. Chem. Phys., 1970, v. 52, p. 431.

35. Koelling D.D. Self-consistent energy band calculations //Rep. Prog. Phys., 1981, v.44, p. 139

36. Кулькова C.E., Чудинов Д.В. Ханин Д.В. Влияние водорода на электронную структуру и свойства нитрида бора // Физика и техника полупроводников, 2004 г., т.38; вып. 1, с.61-67

37. В. Pauls, F.-J. Shi, Н. Stoll A correlated ab initio treatment of the zinc-blende wurtzite polytypism of SiC and III-V nitrides // Condensed; Matter Physics, 1997, v.l

38. Лп-Cheng Zheng, Hui-Qiong Wang, A. T. S. Wee, С. H. A. Huan Trends in bonding configuration at SiC/III-V semiconductor interfaces // Applied Physics Letters, 2001, v.79, №11, p. 1643-1645

39. A. Fara, F. Bernardini,V. Fiorentini, Theoretical evidence for the semi-insulating character of A1N // Condensed Matter Physics, 1998, v.l

40. В.В. Соболев, М.А. Злобина // Физика и Техника Полупроводников, 1999, том. 33, №4, с.395

41. В.В. Соболев, М.А. Злобина Тезисы докладов IV Всероссийского совещания «Нитриды талия, индия и алюминия Структуры и приборы» М: 2000 г. с.21-22

42. Голикова О.А. Дефекты в «собственном» и псевдолегированном аморфном гидрированном кремнии // Физика и Техника Полупроводников, 1997, том. 31, №3, с.281-284

43. Голикова О.А., Кудоярова В.Х. Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния // Физика и Техника Полупроводников, 1998, том. 32, №7, с.876-878

44. Kadas К., Kern G., Hafner J. Electronic structure of the (111) and (111) surfaces of cubic BN: A local-density-functionalab initio study // Phys. Rev. B, 1999, v. 60, №.12

45. Vavilov V.S. Diamond in solid state electronics // Physics Uspekhi, 1997, v.40(l), p. 15-20

46. Troitskaya Y.E., Yeremeychenkova Y., Zarochentsev E. A new expansion for energy spectra of solids // Condensed Matter Physics, 1996, №8,p. 157-166

47. Лукьяница В.В. Определение энергетических уровней элементарных первичных дефектов в кремнии // Физика и Техника Полупроводников, 1999, том. 33, №8, с.921-923

48. Белянин А.Ф, Пащенко П.В., Галушко И.В., Спицын Б.В. СОЗДАНИЕ И ПРИМЕНЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР AJIMA3/A1N //Тезисы докладов IV Всероссийского совещания* «Нитриды галия, индия и алюминия Структуры и приборы» М. 2000 г. с.72

49. Крайчинский А.Н., Шпинар Л.И., Ясковец И.И. Электронные свойства дефектов с переменной валентностью в кристаллическихполупроводниках II Физика и Техника Полупроводников, 2000, том. 34, вып. 2, с.148-152

50. Каражанов С.Ж., Канаки Э.В. Электрические свойства полупроводников с двойными дефектами // Физика и Техника Полупроводников, 2000, том. 34, вып.8, с.917-922

51. Емельянов В.И. Экранировка поля деформации в твердом теле точечными дефектами // Физика и Техника Полупроводников, 2000, том. 43, вып.4, с.637-638

52. Enoki Т. Diamond to grphite conversion in nanodiamond and electronic properties of nanodimond derived carbon system //Procs. of International Symposium Detonation nanodiamonds: Technology, Properties and Applications, St.Petersburg, 2003, p. 10

53. Moliver S.S. Quantum chemestry of carbon materials: diamond, graphite and Сбо //Procs. of 5th Biennial International Workshop Fullerenes and Atomic Clusters IWFAC'2001, St.Petersburg, 200q, p.314