Электронная структура нанокомпозитных материалов на основе графена тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Вилков Олег Юрьевич

• Вилков Олег Юрьевич
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Вилков Олег Юрьевич

Введение

Глава 1. Обзор литературы

1.1. Графен. Кристаллическая и электронная структура

1.2. Методы синтеза и особенности кристаллической и электронной структуры графена на металлах

1.3. Интеркаляция атомов и молекул под графен

1.3.1. Интеркаляция атомов благородных металлов

1.3.2. Интеркаляция кремния

1.4. Легирование графена атомами бора и азота

Глава 2. Экспериментальные методы и оборудование

2.1. Метод фотоэлектронной спектроскопии

2.2. Метод ФЭС с угловым разрешением

2.3. Ближняя тонкая структура рентгеновских спектров поглощения

2.4. Дифракция медленных электронов

2.5. Экспериментальные станции

Глава 3. Графен, легированный атомами азота

3.1. Особенности синтеза №графена на N1(111)

3.2. Влияние параметров синтеза на кристаллическую структуру №графена и концентрацию примесей

3.3. Конфигурация атомов азота в №графене на №(111) до и после интеркаляции золота

3.4. Особенности электронной структуры №графена

3.5. Выводы к главе

Глава 4. Графен на поверхности силицидов переходных металлов

(никеля, кобальта, железа)

4.1. Особенности формирования и общая схема эксперимента

4.2. Графен на силицидах никеля

4.3. Графен на силицидах кобальта и железа

4.4. Электронная структура валентных состояний графена на силицидах никеля, кобальта и железа

4.5. Выводы к главе

Заключение

Список сокращений и условных обозначений

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронная структура нанокомпозитных материалов на основе графена»

Введение

Актуальность работы. Уникальные свойства графена, истинно двумерного кристалла углерода, вызывают неугасающий интерес как к изучению графена самого по себе, так и к созданию материалов на его основе, практическое применение которым найдётся во многих областях: в качестве высокоскоростных и радиочастотных логических элементов, прочных тепло-и электропроводящих материалов, фотокатализаторов, прозрачных электродов для жидкокристаллических дисплеев, солнечных батарей и др. Так, электронные состояния валентной зоны графена обладают линейной дисперсией вблизи уровня Ферми, благодаря чему носители заряда в графене проявляют высокую подвижность уже при комнатной температуре. В связи с этим, элементы, построенные на основе графена, такие как, например, транзисторы, должны обеспечивать малое время отклика. Однако, будучи бесщелевым полупроводником, графен обладает нулевой запрещенной зоной, из-за чего надёжная отсечка транзистора невозможна. Кроме того, для создания р-п переходов необходимо уметь управлять типом и концентрацией носителей заряда в графене.

Эффективным подходом к управлению физико-химическими свойствами графена является его функционализация, наиболее интересные примеры которой — ковалентное присоединение атомарного водорода, кислорода и фтора, функционализация графена органическими молекулами (пентацен, фталоциа-нины и др.), т.е. создание гибридных графен-органических структур, а также внедрение чужеродных атомов в графеновую матрицу. Благодаря хорошему соответствию решёток графена и гексагонального нитрида бора (Я-Б^, открывается широкое поле возможностей для синтеза сложных двумерных BCN структур — композитных материалов на основе графена и подложки из нитрида бора — а также легирования графена примесями бора и азота. Замещение определённой доли углерода атомами легирующей примеси позволяет

эффективно управлять электронной структурой графена. Так, внедрение бора или азота в графеновую решётку в определённых конфигурациях приводит к появлению запрещённой зоны и превращению графена в полупроводник p- или ^типа, а также прозволяет менять подвижность носителей заряда и транспортные свойства графена.

К настоящему моменту сделано достаточное число открытий, относящихся к удивительным свойствам графена, для того чтобы композитные структуры на его основе могли заслуженно рассматриваться в качестве главных строительных материалов электроники будущего, идущей на смену существующим кремниевым технологиям. Однако, двумерная кристаллическая структура графена вносит определённые трудности на этом пути. Прежде всего, речь идёт о технологии массового производства высококачественных графеновых «пластин», которые должны стать базой при реализации тех или иных логических схем. Проблема заключается в том, что методы производства графена, разработанные и успешно применяемые в разных лабораториях по всему свету, позволяют получать единичные образцы в довольно скромных масштабах (обычно до нескольких квадратных сантиметров) и зачастую не подходят для промышленности. Но уже сейчас ведётся активный поиск решений этой задачи, и всё чаще появляются сообщения, пусть пока и единичные, об успешном синтезе сплошных графеновых покрытий высокого кристаллического качества на подложках диаметром 100 и даже 300 мм, являющихся стандартом современного кремниевого производства. Основу технологических решений для создания графеновых пластин таких размеров составляют методы эпитаксиального роста графена на монокристаллах карбида кремния и газофазное осаждение (CVD) на металлических плёнках, предварительно нанесённых на кремниевые пластины. Эти обнадёживающие результаты способны придать существенный импульс развитию графеновой электроники в направлении массового производства, где начальным этапом видится скорее сочетание кремниевой и углеродной технологии, чем полная

замена кремниевых МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) транзисторов графенсодержащими компонентами. И здесь важное значение приобретают работы по созданию и изучению композитных структур на основе графена, кремния и его соединений, в частности силицидов переходных металлов.

К исследованиям функционализированного графена и соответствующих композитных систем проявляют неугасающий интерес учёные многих отечественных и зарубежных научных групп. С этим классом материалов связаны большие ожидания, касающиеся их практического применения в различных сферах человеческой деятельности. Внимание к данным объектам продолжает расти внушительными темпами, в свете чего исследования, проведённые в рамках настоящей диссертации, видятся автору актуальными, а полученные результаты могут стать весомым вкладом в дальнейшее развитие темы.

Цель диссертационной работы состояла в систематическом исследовании особенностей электронной структуры нанокомпозитных материалов на основе графена. Два класса таких объектов рассмотрены в настоящей диссертации. Первый интересен с точки зрения управления физико-химическими свойствами графена при внедрении в его решётку атомов чужеродных элементов. В частности, в работе синтезированы и детально изучены образцы так называемого ^графена, содержащего атомы азота в качестве чужеродных (легирующих) примесей. Второй класс объектов — композитные структуры на основе графена и таких широко используемых и важных для технологии производства интегральных схем материалов, как силициды переходных металлов. В диссертации подробно охарактеризованы свойства интерфейса графена с силицидами N1, Со и Ре, наиболее востребованными в современной кремниевой электронике.

Таким образом, интересом к исследованию упомянутых объектов продиктованы следующие цели:

1. Выявить типы химических связей азотных примесей в решётке №гра-фена и связанные с ними особенности его электронной структуры;

2. Изучить кристаллическую и электронную структуру интерфейса графе-на с силицидами переходных металлов №, ^ и Fe.

Для достижения поставленных целей были решены следующие задачи:

• Разработана процедура синтеза №графена высокого кристаллического качества на поверхности №(111) с последующей интеркаляцией золота;

• Определена концентрация атомов азота и установлена её связь с параметрами синтеза №графена;

• Исследовано влияние примесных атомов на электронную структуру гра-фена;

• Разработана методика получения силицидов №, ^ и Fe различной стехиометрии под графеновым слоем;

• Изучен фазовый состав сформированных силицидов;

• Получена информация об электронной и кристаллической структуре нанокомпозитной системы графен-силициды переходных металлов.

Научная новизна. Работа содержит ряд экспериментальных и методических результатов, полученных впервые, а также соответствующие научные заключения. Основные из них перечислены ниже.

• Предложена новая надёжная методика CVD синтеза №графена из молекул 1,3,5-триазина. Установлена связь параметров синтеза с кристаллической структурой формируемых образцов и концентрацией азота в графене. Показано, что более высокая температура синтеза позволяет получить графен с наименьшей разориентацией доменов. С другой стороны, понижение температуры способствует увеличению концентрации атомов легирующей примеси.

• На основании данных фотоэлектронной спектроскопии (ФЭС) проведена идентификация типов окружения легирующей примеси в образцах №графена. Выявлено, что пиридиновая конфигурация является преобладающей среди всех типов связей азота в №графене на №(111).

• Обнаружено, что интеркаляция золота в межслоевое пространство между №графеном и никелевой подложкой с последующим отжигом системы вызывает конверсию различных видов примесей в конфигурацию замещения. Используя предложенную методику CVD синтеза №графена в сочетании с интеркаляцией золота и последующим отжигом, удаётся получить образцы графена, содержащие в своей решётке ~ 1 ат.% азота замещения.

• Методом ФЭС с угловым разрешением (ФЭСУР) изучены особенности электронной структуры №графена. Установлено, что атомы азота замещения отдают часть электронной плотности в ж систему графена

0.5 е/атом).

• Предложена методика формирования гибридных структур на основе графена и силицидов переходных металлов. Исследован процесс ин-теркаляции кремния под графен на металлических подложках №(111), ^(0001) и Fe(110). Обнаружено, что концентрация кремния в приповерхностных слоях под графеном, от которой зависит возможность формирования той или иной силицидной фазы, определяется балансом скоростей интеркаляции кремния и его диффузии в объём подложки. Найдены оптимальные параметры отжига, позволяющие установить требуемый баланс.

• По результатам количественного анализа данных ФЭС и фазовых диаграмм металл^ описана последовательность развития изучаемых систем, а также определена стехиометрия силицидов на каждом из этапов. На основании картин дифракции медленных электронов предло-

жены структурные модели взаимного расположения атомов графена и силицида той или иной стехиометрии. Выявлены и объяснены основные различия и общие закономерности формирования силицидов N1, Со и Ре под графеном.

• Изучены особенности электронной структуры внутренних уровней, а также состояний валентной зоны и зоны проводимости графена при формировании интерфейса графена с силицидами N1, Со и Ре. Обнаружено, что изначально сильное взаимодействие графена с металлической подложкой ослабевает при увеличении концентрации кремния в приповерхностной области из-за вовлечения 3й орбиталей металла в химическую связь с Б1 3р состояниями в процессе силицидообразова-ния. Установлено, что электронная структура графена на поверхности силицидов N1, Со и Ре подобна структуре свободного графена.

Практическая значимость. Знание особенностей электронной структуры легированного графена и свойств интерфейса графена с силицидами переходных металлов необходимо для надёжного управления физико-химическими свойствами композитных графенсодержащих материалов с целью создания гибридных структур, подходящих для разработки электронных устройств нового поколения. Так, внедрение атомов азота в графеновую решётку позволяет значительно увеличить концентрацию электронов вблизи уровня Ферми. В работе предложена оригинальная методика СУЭ синтеза такого ^графена. Её отличительной особенностью от других известных методов является то, что для формирования ^графена используется всего один реагент вместо, например, смеси углеводородов с аммиаком. А поскольку атомы азота встраиваются в решётку непосредственно в процессе синтеза, подготовка образцов не требует дополнительной обработки плазмой или бомбардировкой ионами Благодаря простоте такого подхода, результаты синтеза хорошо воспроизводимы от эксперимента к эксперименту, а концентра-

цию азотных примесей можно контролировать, регулируя лишь температуру синтеза. В работе также изучены свойства интерфейса графена с силицидами Ni, Co, Fe, востребованными в современной кремниевой электронике. Сохранение характерной электронной структуры свободного графена при формировании его контакта с силицидами позволяет с оптимизмом взглянуть на проблему внедрения логических элементов на базе графена в существующие кремниевые технологии.

Методология и методы исследования. В работе изучены особенности электронной структуры внутренних уровней, состояний валентной зоны и зоны проводимости N-графена, а также нелегированного графена при формировании интерфейса с силицидами Ni, Co и Fe. Все исследуемые системы синтезировались на монокристаллических поверхностях in-situ в условиях сверхвысокого вакуума (СВВ). Благодаря такому подходу обеспечивается необходимая чистота образцов с высокой ориентированностью кристаллической структуры, а значит, и возможность использования поверхностно-чувствительных методов исследования квазидвумерных материалов, таких как ФЭС, ФЭСУР, спектроскопия поглощения рентгеновского излучения в области ближней тонкой структуры (БТСРСП) и дифракция медленных электронов (ДМЭ). Такое сочетание методов существенно повышает информативность исследований и обеспечивает достоверность полученных результатов. Большинство экспериментов, описанных в данной работе, были проведены в центре синхротронного излучения BESSY II (Берлин) на Российско-Германском дипольном канале (RG-PGM), а также на ондуляторных каналах U49/2-PGM-1, UE112-PGM-1, UE56/2-PGM-2 и UE125/2-SGM с использованием станций RGL-PES, RGBL-2 и HiRes.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Разработана методика формирования легированного азотом графена, представляющая собой каталитическую реакцию разложения молекул

1,3,5-триазина на поверхности N1(111) в условиях высокого вакуума при температурах 550-650°С, позволяющая внедрять в графен до 1.5 ат.% азотных примесей, находящихся преимущественно в пиридиновой конфигурации окружения.

2. Обнаружена конверсия пиридинового азота в конфигурацию замещения при интеркаляции золота в межслоевое пространство между №графе-ном и никелевой подложкой с последующим отжигом системы при температуре 550°С с достижением максимума эффективности конверсии (около 75%) в течение первых трёх часов.

3. Выявлено, что р-тип допирования, характерный для №графена с примесями азота преимущественно пиридиновой конфигурации, меняется на противоположный в результате конверсии пиридинового азота в конфигурацию замещения. Установлено, что атомы азота замещения отдают часть электронной плотности (около 0.5 е/атом) в ж систему графе-на, что определяет особенности электронной структуры №графена, а также способы её модификации через изменение типа и концентрации азотных примесей.

4. Разработана методика формирования графена на поверхности силицидов переходных металлов N1, Со и Fe, включающая в себя стадию каталитического разложения углерод-содержащих молекул на поверхности N1(111) с последующей интеркаляцией под графен атомов кремния, с оптимизацией температуры и времени прогрева, а также толщины интеркалируемой плёнки, что позволило установить баланс скоростей проникновения кремния под графен и его диффузии в объём подложки.

5. Установлено, что электронная структура графена на поверхности силицидов N1, Со и Fe подобна структуре квазисвободного графена. Обнаружено, что изначально сильное взаимодействие графена с металлической подложкой постепенно ослабевает при увеличении концентрации

кремния в приповерхностной области из-за вовлечения 3d орбиталей металла в химическую связь с Si 3p состояниями в процессе силицидо-образования.

Степень достоверности и апробация результатов. Результаты работы представлялись и обсуждались на российских и международных научных конференциях, среди которых 2nd, 3rd, 5th Joint BER II and BESSY II User Meetings (Берлин, 2010, 2011, 2013); Workshop on the occasion for celebrating 10 years of Operation of the Russian-German Laboratory at BESSY II (Берлин, 2011); Вторая молодежная международная школа-конференция «Диагностика углеродных наноструктур» (Санкт-Петербург, 2011); 11th International conference «Advanced Carbon Nanostructures» (Санкт-Петербург, 2013); 3rd International School on Surface Science «Technologies and Measurements on Atomic Scale» (Сочи, 2013); European workshop on epitaxial graphene and 2D materials (Примоштен, Хорватия, 2014); 12th International Conference on Nanostructured Materials (Москва, 2014).

Публикации. Материалы диссертации полностью изложены в семи научных статьях [1-7] в рецензируемых журналах, индексируемых в базах данных РИНЦ, Web of Science и Scopus.

Личный вклад автора. Постановка задач работы, обсуждение и анализ полученных результатов, формулировка выводов и положений, выносимых на защиту, осуществлялась автором совместно с научным руководителем д-ром физ.-мат. наук, проф. Шикиным А.М., д-ром физ.-мат. наук Вялых Д.В. и канд. физ.-мат. наук, доц. Усачёвым Д.Ю. Экспериментальные результаты, представленные в работе, получены лично соискателем или в соавторстве при его непосредственном участии совместно с д-ром физ.-мат. наук Вялых Д.В. и канд. физ.-мат. наук, доц. Усачёвым Д.Ю. Расчёт электронной структуры N-графена проводился Д.Ю. Усачёвым.

Структура и объем диссертации. Диссертация, состоящая из введения, четырёх глав и заключения, изложена на 130 страницах. Работа включает 41 рисунок и две таблицы. Список цитированной литературы содержит 212 ссылок.

Глава 1

Обзор литературы

1.1. Графен. Кристаллическая и электронная структура

Углерод — шестой элемент периодической системы, в основном состоянии электроны свободного атома углерода находятся в конфигурации 1й22й22р2. Из-за небольшой разницы между энергиями 2,б и 2р уровней волновые функции четырёх валентных электронов могут смешиваться, что приводит к изменению заполнения 2,б и 2р орбиталей. Так, при образовании ко-валентной связи происходит переход атома из основного состояния 1822з22р2 в возбуждённое 1й22й12р3 с повышением энергии системы на 4.18 эВ [8]. При этом четыре валентных электрона дают вклад в 2в, 2рх, 2ру и 2рг орбитали. Повышение энергии системы оказывается оправданным, поскольку смешивание волновых функций 2,б и 2р электронов приводит к увеличению энергии связи углерода с соседями.

Благодаря гибридизации 2,б и 2р орбиталей при образовании химической связи, углерод может существовать в различных аллотропных модификациях. Если в процессе участвуют одна 2,б и п (п = 1,2,3) 2р орбиталей, то говорят о врп гибридизации. Так, в алмазе наблюдается вр3 гибридизация, в графите — вр2, а в карбине — вр. Все гибридные орбитали эквивалентны по форме и энергии и при образовании химической связи располагаются друг относительно друга так, чтобы их перекрывание было минимальным.

При смешивании одной й и двух р (например 2рх и 2ру) волновых функций образуются три гибридные вр2 орбитали, которые лежат в одной плоскости. С этими орбиталями связано формирование а связей. Угол между связями составляет 120°. Оставшаяся 2рг орбиталь располагается перпендикулярно вр2 плоскости и участвует в образовании ж связей. Именно вр2 гибридизация

обусловливает формирование графена, двумерного кристалла со структурой вида шестиугольных пчелиных сот [9-11].

На рис. 1.1 показана кристаллическая структура графена (слева). Элементарная ячейка, представляющая собой ромб, содержит два неэквивалентных атома А и В. Неэквивалентность означает наличие двух подрешёток, которые выделены на рисунке разными цветами. Используя векторы элементарных трансляций а! и а2, невозможно получить одну подрешётку из другой. С другой стороны, атомы А и В имеют одинаковое окружение и с этой

о

точки зрения они эквивалентны. Постоянная решётки составляет 2.46 А, а

о

расстояние между соседними атомами — 1.42 А. Векторы обратной решётки Ъ\ и Ь2 (рис. 1.1) имеют длину Ь = 4к/а\[3. Зона Бриллюэна — правильный шестиугольник.

прямое пространство обратное пространство

Рис. 1.1. Слева: кристаллическая структура графена с базисными векторами а! и <¿2, элемен-тарая ячейка изображена пунктиром, две неэквивалентные подрешётки А и В обозначены разными цветами. Справа: решётка графена в обратном пространстве, зона Бриллюэна выделена серым цветом.

Первые расчёты электронной структуры валентной зоны графита были выполнены ещё в 1940-х годах в рамках приближения сильной связи [12]. В работах [8, 13] можно найти подробное описание применения данного подхода к расчёту дисперсионных зависимостей энергии валентных электронов

графена. Четыре валентные орбитали каждого атома элементарной ячейки участвуют в образовании шести а и двух ж зон графена. Наиболее интересные результаты расчётов связаны с дисперсией ж состояний. В приближении сильной связи с учётом взаимодействия атомов с окружением первой координационной сферы можно получить следующее выражение для собственных значений гамильтониана [8]:

Е = аЛ)

1 ± ви ( к)

где «+» даёт решение для связывающей орбитали, «—» — для разрыхляющей, а функция и(к) определяется как

и(к) =

\

1 + 4 сое (ку |) + 4 сое (ку |) соя ^кх.

Здесь а — постоянная решётки, Е2р = Наа = Нвв — энергия электрона на 2р уровне атома углерода (диагональные элементы гамильтониана), £ — обменный интеграл, учитывающий взаимодействие ближайших соседей, т.е. подрешёток А и В:

г = X*(Г — ?а)НХ (Г — гв) &г, — интеграл перекрывания волновых функций соседних атомов:

э= X *(Г — Га )Х (Г — гв )(1г.

X(Г — гА,в) — нормированные волновые 2рг функции, центрированные на атомах подрешёток А и В

'х *(Г)Х (Г)(1Г = 1.

Дисперсионная зависимость (1.1) ж зон представлена на рис. 1.2. Одним из наиболее значимых результатов расчёта является тот факт, что вблизи точек К зоны Бриллюэна уравнение (1.1) задаёт коническую поверхность, т.е.

Рис. 1.2. Дисперсия Е(к) п состояний графена в зоне Бриллюэна. Увеличенное изображение демонстрирует конический характер дисперсионой зависимости в окрестности точки К.

зависимость энергии от квазиимпульса электрона становится линейной. Из-за того, что атомы А и В отдают по одному 2рг электрону для формирования к зон, связывающая ж орбиталь оказывается полностью заполненной, в то время как разрыхляющая ж* — пустой. В точке К на уровне Ферми конусы ж и ж* состояний касаются друг друга, таким образом, наблюдается вырождение состояний валентной зоны и зоны проводимости. По этой причине графен относится к бесщелевым полупроводникам.

Нетрудно показать, что в окрестности точки К поверхность Е(к), задаваемая выражением (1.1), действительно принимает вид конуса [12, 14]:

- л/3 Е±(к) = га 2

к

= %кур,

(1.2)

где Ур = л/3га/2% — скорость Ферми. Поскольку подобным спектром собственных значений Е(к) обладает гамильтониан Дирака для безмассовых

релятивистских фермионов [15], считается, что квазичастицы в графене обладают нулевой эффективной массой и подчиняются уравнению Дирака. Скорость Ферми здесь играет роль эффективной скорости света (ур = с* « 1 • 106 м/с) [14]. Вершина конуса называется точкой Дирака. Знаки «+» и «—» в (1.2) соответствуют частицам (электронам) и античастицам (дыркам). Позже с использованием теории групп было показано, что линейный характер дисперсии является следствием симметрии кристаллической решётки графена и не зависит от вида волновых функций [16].

Подтверждение того, что электроны в графене ведут себя как безмассовые дираковские фермионы, нашлось в экспериментальных работах по определению зависимости циклотронной массы электронов и дырок от электронной плотности [14], а также при обнаружении полуцелого квантового эффекта Холла [11, 17, 18]. Особенности электронной структуры графена позволили наблюдать аномально высокую подвижность носителей заряда в его решётке [19, 20] и предсказать существование парадокса Клейна, связанного с туннелированием релятивистских частиц [11, 21, 22].

Отмеченные выше особенности электронной структуры, в частности, линейный характер дисперсионной зависимости в окрестностях точек К и отсутствие запрещённой зоны, характерны для свободного кристалла графе-на. В реальных же экспериментах графен обычно находится на поверхности какой-либо подложки, взаимодействие с которой способно существенно повлиять на его свойства. В следующих главах рассмотрены основные методы синтеза графена и композитных структур на его основе, а также некоторые способы воздействия на его электронную структуру, поскольку именно управление теми или иными свойствами двумерного материала представляет большой практический интерес.

1.2. Методы синтеза и особенности кристаллической и электронной структуры графена на металлах

В настоящее время существует несколько подходов к формированию графеновых структур на различных подложках. Первые экспериментальные результаты, удостоенные в 2010 г. Нобелевской премии, относятся к исследованию графена, полученного механическим отщеплением слоёв объёмного графита [9]. Такой метод подходит для лабораторных исследований, но совершенно не совместим с массовым производством графена. К его недостаткам можно отнести невозможность воспроизведения размера и формы чешуек от эксперимента к эксперименту, а также то, что при расщеплении графита наряду с графеном получаются многослойные структуры. Другой широко используемый подход основан на графитизации поверхности монокристаллического карбида кремния при нагревании [23]. Варьируя температуру и длительность прогрева Б1С, можно сформировать одно- и многослойные гра-феновые структуры [24-26]. Часто отправной точкой для синтеза функцио-нализированных графитоподобных структур служит оксид графита [27-29].

Для получения графена в данной диссертации использовался метод СУЭ. Этот подход представляет собой выдержку нагретых до определённых температур образцов с металлической поверхностью в парах углеводородов [30-32]. Возможность его применения для формирования графена была обнаружена на различных гранях переходных металлов (Ре, Со, N1, Си, Ии, ИИ, Ра, Ие, 1г, Р1) [33].

Множество исследований посвящено фундаментальным процессам, лежащим в основе СУЭ синтеза и приводящим к формированию макроскопических графеновых покрытий. Большинство результатов было получено при изучении роста графена на N1, 1г и Ии с применением поверхностно-чувствительных методов, что во многом обусловлено совместимостью синтеза графена на этих металлах с условиями СВВ, т.е. возможностью использо-

вания низких давлений углеводородов (< 1 • 10-6 мбар). К экспериментам данного рода имеются следующие подходы: (1) экспозиция образца в парах углеводородов при комнатной температуре с последующей диссоциацией и частичной десорбцией молекул и их фрагментов при нагревании; (2) экспозиция нагретого образца в парах углеводородов; (3) растворение углерода в объёме образца при повышенной температуре и рост графена за счёт сегрегации углерода в процессе охлаждения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Вилков Олег Юрьевич, 2016 год

Список литературы

1. D. Usachov, A. Fedorov, O. Vilkov, B. Senkovskiy, V.K. Adamchuk, L.V. Yashina, A.A. Volykhov, M. Farjam, N.I. Verbitskiy, A. GrUneis, C. Laubschat, D.V. Vyalikh. The chemistry of imperfections in N-graphene // Nano Lett. - 2014. - Vol. 14. - P. 4982.

2. Д.Ю. Усачёв, А.В. Фёдоров, О.Ю. Вилков, Б.В. Сеньковский, В.К. Адамчук, Б.В. Андрюшечкин, Д.В. Вялых. Синтез и электронная структура графена, легированного атомами азота // ФТТ. — 2013. — Т. 55. —

C. 1231.

3. D. Usachov, O. Vilkov, A. GrUneis, D. Haberer, A. Fedorov, V.K. Adamchuk, A.B. Preobrajenski, P. Dudin, A. Barinov, M. Ohzelt, C. Laubschat,

D.V. Vyalikh. Nitrogen-doped graphene: Efficient growth, structure, and electronic properties // Nano Lett. — 2011. — Vol. 11. — P. 5401.

4. Д.Ю. Усачёв, А.В. Фёдоров, О.Ю. Вилков, А.В. Ерофеевская, А.С. Во-пилов, В.К. Адамчук, Д.В. Вялых. Формирование и легирование литием графена на поверхности силицида кобальта // ФТТ. — 2015. — Т. 57. — С. 1024.

5. O. Vilkov, A. Fedorov, D. Usachov, L.V. Yashina, A.V. Generalov, K. Bo-rygina, N.I. Verbitskiy, A. Gruneis, D.V. Vyalikh. Controlled assembly of graphene-capped nickel, cobalt and iron silicides // Sci. Rep. — Vol. 3.— P. 2168.

6. A.A. Rybkina, A.G. Rybkin, A.V. Fedorov, D.Yu. Usachov, M.E. Yachmenev, D.E. Marchenko, O.Yu. Vilkov, A.V. Nelyubov, V.K. Adamchuk, A.M. Shikin. Interaction of graphene with intercalated Al: The process of intercalation and specific features of the electronic structure of the system // Surf. Sci. — 2013. — Vol. 609. — P. 7.

7. И.И. Пронин, М.В. Гомоюнова, С.М. Соловьёв, О.Ю. Вилков, Д.В. Вялых. Начальные стадии роста и магнитные свойства плёнок кобальта на

поверхности Si(100)2x1 // ФТТ. - 2011. - Т. 53. - С. 573.

8. R. Saito, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus. Physical properties of carbon nanotubes. — London: Imperial College Press, 1998. — P. 272.

9. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Electric field effect in atomical-ly thin carbon films // Science. — 2004. — Vol. 306. — P. 666.

10. A.K. Geim, K.S. Novoselov. The rise of graphene // Nat. Mater. — 2007. — Vol. 6. — P. 183.

11. К.С. Новосёлов. Графен: Материалы Флатландии // УФН. — 2011. — Т. 181. — С. 1299.

12. P.R. Wallace. The band theory of graphite // Phys. Rev.— 1947. — Vol. 71. — P. 622.

13. A. Gruneis. Synthesis and electronic properties of chemically functional-ized graphene on metal surfaces // J. Phys. Condens. Matter. — 2013. — Vol. 25. — P. 043001.

14. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. The electronic properties of graphene // Rev. Mod. Phys. — 2009. — Vol. 81. — P. 109.

15. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика T.III. Квантовая механика (нерелятивистская теория). — М.: Наука, 1989. — С. 753.

16. J.C. Slonczewski, P.R. Weiss. Band structure of graphite // Phys. Rev.— 1958. —Vol. 109.— P. 272.

17. Y. Zhang, Y.-W. Tan, H.L. Stormer, P. Kim. Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry's phase in graphene // Nature. — 2005. —Vol. 438.— P. 201.

18. Ю.Е. Лозовик, С.П. Меркулова, А.А. Соколик. Коллективные электронные явления в графене // УФН. — 2008. — Т. 178. — С. 757.

19. S.V. Morozov, K.S. Novoselov, M.I. Katsnelson, F. Schedin, D.C. Elias, J.A. Jaszczak, A.K. Geim. Giant intrinsic carrier mobilities in graphene

and its bilayer // Phys. Rev. Lett. - 2008. - Vol. 100. - P. 016602.

20. K.I. Bolotin, K.J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, H.L. Stormer. Ultrahigh electron mobility in suspended graphene // Solid State Commun. - 2008. - Vol. 146. - P. 351.

21. C.W.J. Beenakker. Colloquium: Andreev reflection and Klein tunneling in graphene // Rev. Mod. Phys. - 2008. - Vol. 80. - P. 1337.

22. A. Calogeracos, N. Dombey. History and physics of the Klein paradox // Contemp. Phys. - 1999. - Vol. 40. - P. 313.

23. A.J. van Bommel, J.E. Crombeen, A. van Tooren. LEED and Auger electron observations of the SiC(0001) surface // Surf. Sci. - 1975. — Vol. 48. - P. 463.

24. K.V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G.L. Kellogg, L. Ley, J.L. McChesney, T. Ohta, S.A. Reshanov, J. Rohrl, E. Rotenberg, A.K. Schmid, D. Waldmann, H.B. Weber, T. Seyller. Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide // Nat. Mater. -2009. - Vol. 8. - P. 203.

25. C. Berger, Z. Song, T. Li, X. Li, A.Y. Ogbazghi, R. Feng, Z. Dai, A.N. Marchenkov, E.H. Conrad, P.N. First, W.A. de Heer. Ultrathin epitaxial graphite: 2D electron gas properties and a route toward graphene-based nanoelectronics // J. Phys. Chem. B. - 2004. - Vol. 108. - P. 19912.

26. T. Seyller, K.V. Emtsev, K. Gao, F. Speck, L. Ley, A. Tadich, L. Broekman, J.D. Riley, R.C.G. Leckey, O. Rader, A. Varykhalov, A.M. Shikin. Structural and electronic properties of graphite layers grown on SiC(0001) // Surf. Sci. - 2006. - Vol. 600. - P. 3906.

27. Y.H. Wu, T. Yu, Z.X. Shen. Two-dimensional carbon nanostructures: Fundamental properties, synthesis, characterization, and potential applications // J. Appl. Phys. - 2010. - Vol. 108. - P. 071301.

28. S. Stankovich, R.D. Piner, X. Chen, N. Wu, S.T. Nguyen, R.S. Ruoff. Stable aqueous dispersions of graphitic nanoplatelets via the reduction of exfo-

liated graphite oxide in the presence of poly(sodium 4-styrenesulfonate) // J. Mater. Chem. - 2006. - Vol. 16. - P. 155.

29. V.M. Mikoushkin, S.Yu. Nikonov, A.T. Dideykin, A.Ya. Vul', D.A. Sak-seev, M.V. Baidakova, O.Yu. Vilkov, A.V. Nelyubov. Graphene hydrogenation by molecular hydrogen in the process of graphene oxide thermal reduction // Appl. Phys. Lett. - 2013. - Vol. 102. - P. 071910.

30. C. Oshima, A. Nagashima. Ultra-thin epitaxial films of graphite and hexagonal boron nitride on solid surfaces // J. Phys. Condens. Matter. -

1997.-Vol. 9.- P. 1.

31. N.R. Gall, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode. Two dimensional graphite films on metals and their intercalation // Int. J. Mod. Phys. B. - 1997. -Vol. 11.- P. 1865.

32. A.M. Shikin, D. Farias, K.H. Rieder. Phonon stiffening induced by copper intercalation in monolayer graphite on Ni(111) // Europhys. Lett.-

1998.- Vol. 44. - P. 44.

33. J. Wintterlin, M.-L. Bocquet. Graphene on metal surfaces // Surf. Sci. -2009.-Vol. 603.-P. 1841.

34. J.C. Shelton, H.R. Patil, J.M. Blakely. Equilibrium segregation of carbon to a nickel (111) surface: A surface phase transition // Surf. Sci. - 1974. -Vol. 43. - P. 493.

35. G. Odahara, S. Otani, C. Oshima, M. Suzuki, T. Yasue, T. Koshikawa. In-situ observation of graphene growth on Ni(111) // Surf. Sci. - 2011. -Vol. 605.- P. 1095.

36. A. Gruneis, K. Kummer, D.V. Vyalikh. Dynamics of graphene growth on a metal surface: A time-dependent photoemission study // New J. Phys. -2009.- Vol. 11. - P. 073050.

37. J. Lahiri, T.S. Miller, A.J. Ross, L. Adamska, I.I. Oleynik, M. Batzill. Graphene growth and stability at nickel surfaces // New J. Phys. -2011.- Vol. 13. - P. 025001.

38. M. Eizenberg, J.M. Blakely. Carbon monolayer phase condensation on Ni(111) // Surf. Sci. - 1979. - Vol. 82. - P. 228.

39. X. Li, W. Cai, L. Colombo, R.S. Ruoff. Evolution of graphene growth on Ni and Cu by carbon isotope labeling // Nano Lett. — 2009. — Vol. 9. — P. 4268.

40. A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M.S. Dresselhaus, J. Kong. Large area, few-layer graphene films on arbitrary substrates by chemical vapor deposition // Nano Lett. — 2009. — Vol. 9. — P. 30.

41. D. Martoccia, P.R. Willmott, T. Brugger, M. Bjorck, S. Gunther, C.M. Schleputz, A. Cervellino, S.A. Pauli, B.D. Patterson, S. Marchini, J. Wint-terlin, W. Moritz, T. Greber. Graphene on Ru(0001): A 25 x 25 supercell // Phys. Rev. Lett. — 2008. — Vol. 101. — P. 126102.

42. E. Miniussi, M. Pozzo, A. Baraldi, E. Vesselli, R.R. Zhan, G. Comelli, T.O. Mente§, M.A. Nino, A. Locatelli, S. Lizzit, D. Alfe. Thermal stability of corrugated epitaxial graphene grown on Re(0001) // Phys. Rev. Lett. — 2011. —Vol. 106.— P. 216101.

43. E. Sutter, D.P. Acharya, J.T. Sadowski, P. Sutter. Scanning tunneling microscopy on epitaxial bilayer graphene on ruthenium (0001) // Appl. Phys. Lett. — 2009. — Vol. 94. — P. 133101.

44. S. Marchini, S. Gunther, J. Wintterlin. Scanning tunneling microscopy of graphene on Ru(0001) // Phys. Rev. B. — 2007. — Vol. 76. — P. 075429.

45. S.J. Altenburg, J. Kroger, B. Wang, M.-L. Bocquet, N. Lorente, R. Berndt. Graphene on Ru(0001): Contact formation and chemical reactivity on the atomic scale // Phys. Rev. Lett. — 2010. — Vol. 105. — P. 236101.

46. A.T. N'Diaye, J. Coraux, T.N. Plasa, C. Busse, T. Michely. Structure of epitaxial graphene on Ir(111) // New J. Phys. — 2008.— Vol. 10.— P. 043033.

47. E.N. Voloshina, Yu.S. Dedkov, S. Torbrugge, A. Thissen, M. Fonin. Graphene on Rh(111): Scanning tunneling and atomic force microscopies

studies // Appl. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 100. - P. 241606.

48. A.B. Preobrajenski, May Ling Ng, A.S. Vinogradov, N. Mârtensson. Controlling graphene corrugation on lattice-mismatched substrates // Phys. Rev. B. - 2008. - Vol. 78. - P. 073401.

49. S.M. Kozlov, F. Vines, A. Gorling. Bonding mechanisms of graphene on metal surfaces // J. Phys. Chem. C. - 2012. - Vol. 116. - P. 7360.

50. S. Grandthyll, S. Gsell, M. Weinl, M. Schreck, S. Hufner, F. Muller. Epitaxial growth of graphene on transition metal surfaces: Chemical vapor deposition versus liquid phase deposition // J. Phys. Condens. Matter. -2012.-Vol. 24.-P. 314204.

51. Y. Gamo, A. Nagashima, M. Wakabayashi, M. Terai, C. Oshima. Atomic structure of monolayer graphite formed on Ni(111) // Surf. Sci. - 1997. -Vol. 374.- P. 61.

52. G. Giovannetti, P.A. Khomyakov, G. Brocks, V.M. Karpan, J. van den Brink, P.J. Kelly. Doping graphene with metal contacts // Phys. Rev. Lett. - 2008. - Vol. 101. - P. 026803.

53. G. Bertoni, L. Calmels, A. Altibelli, V. Serin. First-principles calculation of the electronic structure and EELS spectra at the graphene/Ni(111) interface // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 71. - P. 075402.

54. V.M. Karpan, G. Giovannetti, P.A. Khomyakov, M. Talanana, A.A. Starikov, M. Zwierzycki, J. van den Brink, G. Brocks, P.J. Kelly. Graphite and graphene as perfect spin filters // Phys. Rev. Lett. - 2007. -Vol. 99.- P. 176602.

55. M. Fuentes-Cabrera, M.I. Baskes, A.V. Melechko, M.L. Simpson. Bridge structure for the graphene/Ni(111) system: A first principles study // Phys. Rev. B. - 2008. - Vol. 77. - P. 035405.

56. M. Hasegawa, K. Nishidate, T. Hosokai, N. Yoshimoto. Electronic-structure modification of graphene on Ni(111) surface by the intercalation of a noble metal // Phys. Rev. B. - 2013. - Vol. 87. - P. 085439.

57. W. Zhao, S.M. Kozlov, O. Hofert, K. Gotterbarm, M.P.A. Lorenz, F. Vines, C. Papp, A. Gorling, H.-P. Steinrück. Graphene on Ni(111): Coexistence of different surface structures // J. Phys. Chem. Lett. — 2011. — Vol. 2. — P. 759.

58. F. Mittendorfer, A. Garhofer, J. Redinger, J. Klimes, J. Harl, G. Kresse. Graphene on Ni(111): Strong interaction and weak adsorption // Phys. Rev. B. — 2011. — Vol. 84. — P. 201401.

59. Z. Xü, M.J. Buehler. Interface structure and mechanics between graphene and metal substrates: A first-principles study // J. Phys. Condens. Matter. — 2010. — Vol. 22. — P. 485301.

60. M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus. Intercalation compounds of graphite // Adv. Phys. — 1981. —Vol. 30. — P. 139.

61. А.Я. Тонтегоде, Е.В. Рутьков. Интеркалирование атомами двумерной графитовой плёнки на металлах // ЖТФ. — 1993. — Т. 163. — С. 57.

62. A. Nagashima, N. Tejima, C. Oshima. Electronic states of the pristine and alkali-metal-intercalated monolayer graphite/Ni(111) systems // Phys. Rev. B. — 1994. — Vol. 50. — P. 17487.

63. Yu.S. Dedkov, A.M. Shikin, V.K. Adamchuk, S.L. Molodtsov, C. Laubschat, A. Bauer, G. Kaindl. Intercalation of copper underneath a monolayer of graphite on Ni(111) // Phys. Rev. B. — 2001. — Vol. 64. — P. 035405.

64. C. Riedl, C. Coletti, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke. Quasi-free-standing epitaxial graphene on SiC obtained by hydrogen intercalation // Phys. Rev. Lett. — 2009. — Vol. 103. — P. 246804.

65. J.C. Johannsen, S. Ulstrup, M. Bianchi, R. Hatch, D. Guan, F. Maz-zola, L. Horneksr, F. Fromm, C Raidel, T. Seyller, P. Hofmann. Elec-tron-phonon coupling in quasi-free-standing graphene // J. Phys. Condens. Matter. — 2013. — Vol. 25. — P. 094001.

66. A.V. Fedorov, N.I. Verbitskiy, D. Haberer, C. Struzzi, L. Petaccia, D. Us-achov, O.Yu. Vilkov, D.V. Vyalikh, J. Fink, M. Knupfer, B. Büchner,

A. Grüneis. Observation of a universal donor-dependent vibrational mode in graphene // Nat. Commun. - 2014. - Vol. 5. - P. 3257.

67. A. Varykhalov, M.R. Scholz, T.K. Kim, O. Rader. Effect of noble-metal contacts on doping and band gap of graphene // Phys. Rev. B. — 2010. — Vol. 82. — P. 121101.

68. K.V. Emtsev, A.A. Zakharov, C. Coletti, S. Forti, U. Starke. Ambipolar doping in quasifree epitaxial graphene on SiC(0001) controlled by Ge intercalation // Phys. Rev. B. — 2011. — Vol. 84. — P. 125423.

69. R. Addou, A. Dahal, M. Batzill. Graphene on ordered Ni-alloy surfaces formed by metal (Sn, Al) intercalation between graphene/Ni(111) // Surf. Sci. — 2012. — Vol. 606. — P. 1108.

70. S. Lizzit, R. Larciprete, P. Lacovig, M. Dalmiglio, F. Orlando, A. Baraldi, L. Gammelgaard, L. Barreto, M. Bianchi, E. Perkins, P. Hofmann. Transfer-free electrical insulation of epitaxial graphene from its metal substrate // Nano Lett. — 2012. — Vol. 12. — P. 4503.

71. P.A. Khomyakov, G. Giovannetti, P.C. Rusu, G. Brocks, J. van den Brink, P.J. Kelly. First-principles study of the interaction and charge transfer between graphene and metals // Phys. Rev. B. — 2009. — Vol. 79. — P. 195425.

72. M.H. Kang, S.C. Jung, J.W. Park. Density functional study of the Au-in-tercalated graphene/Ni(111) surface // Phys. Rev. B. — 2010. — Vol. 82. — P. 085409.

73. S.G. Kwon, M.H. Kang. Effects of Cu intercalation on the graphene/Ni(111) surface: Density-functional calculations // J. Korean Phys. Soc. — 2012. — Vol. 61. — P. 589.

74. A.M. Shikin, G.V. Prudnikova, V.K. Adamchuk, F. Moresco, K.-H. Rieder. Surface intercalation of gold underneath a graphite monolayer on Ni(111) studied by angle-resolved photoemission and high-resolution electron-energy-loss spectroscopy // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 62. — P. 13202.

75. A. Varykhalov, J. Sanchez-Barriga, A.M. Shikin, C. Biswas, E. Vescovo, A. Rybkin, D. Marchenko, O. Rader. Electronic and magnetic properties of quasifreestanding graphene on Ni // Phys. Rev. Lett. - 2008.- Vol. 101.- P. 157601.

76. D. Haberer, D.V. Vyalikh, S. Taioli, B. Dora, M. Farjam, J. Fink, D. Marchenko, T. Pichler, K. Ziegler, S. Simonucci, M.S. Dresselhaus, M. Knupfer, B. Buchner, A. Gruneis. Tunable band gap in hydrogenated quasi-free-standing graphene // Nano Lett. - 2010. - Vol. 10. - P. 3360.

77. D. Haberer, C.E. Giusca, Y. Wang, H. Sachdev, A.V. Fedorov, M. Farjam, S.A. Jafari, D.V. Vyalikh, D. Usachov, X. Liu, U. Treske, M. Grobosch, O. Vilkov, V.K. Adamchuk, S. Irle, S.R.P. Silva, M. Knupfer, B. Buchner, A. Gruneis. Evidence for a new two-dimensional C4H-type polymer based on hydrogenated graphene // Adv. Mater. - 2011. - Vol. 23. - P. 4497.

78. E.N. Voloshina, A. Generalov, M. Weser, S. Böttcher, K. Horn, Yu.S. Dedkov. Structural and electronic properties of the graphene/Al/Ni(111) intercalation system // New J. Phys. - 2011. - Vol. 13. - P. 113028.

79. L. Meng, R. Wu, H. Zhou, G. Li, Y. Zhang, L. Li, Y. Wang, H.-J. Gao. Silicon intercalation at the interface of graphene and Ir(111) // Appl. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 100. - P. 083101.

80. J. Mao, L. Huang, Y. Pan, M. Gao, J. He, H. Zhou, H. Guo, Yu. Tian, Q. Zou, L. Zhang, H. Zhang, Y. Wang, S. Du, X. Zhou, A.H. Castro Neto, H.J. Gao. Silicon layer intercalation of centimeter - scale, epitaxially grown monolayer graphene on Ru(0001) // Appl. Phys. Lett. - 2012. -Vol. 100.- P. 093101.

81. Y. Cui, J. Gao, L. Jin, J. Zhao, D. Tan, Q. Fu, X. Bao. An exchange intercalation mechanism for the formation of a two-dimensional Si structure underneath graphene // Nano Res. - 2012. - Vol. 5. - P. 352.

82. A.L. Vazquez de Parga, F. Calleja, B. Borca, M.C.G. Passeggi, J.J. Hinare-jos, F. Guinea, R. Miranda. Periodically rippled graphene: Growth and

spatially resolved electronic structure // Phys. Rev. Lett. — 2008.— Vol. 100.- P. 056807.

83. M.P. Levendorf, C.S. Ruiz-Vargas, S. Garg, J. Park. Transfer-free batch fabrication of single layer graphene transistors // Nano Lett. — 2009. — Vol. 9. — P. 4479.

84. K.S. Kim, Yu. Zhao, H. Jang, S.Y. Lee, J.M. Kim, K.S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, B.H. Hong. Large-scale pattern growth of graphene films for stretchable transparent electrodes // Nature.— 2009.— Vol. 457. — P. 706.

85. J. Hofrichter, B.N. Szafranek, M. Otto, T.J. Echtermeyer, M. Baus, A. Ma-jerus, V. Geringer, M. Ramsteiner, H. Kurz. Synthesis of graphene on silicon dioxide by a solid carbon source // Nano Lett. — 2010. — Vol. 10. — P. 36.

86. P.J. Wessely, F. Wessely, E. Birinci, U. Schwalke, B. Riedinger. Transfer-free fabrication of graphene transistors // J. Vac. Sci. Technol. B. — 2012. — Vol. 30. — P. 03D114.

87. A. Zenasni, A. Delamoreanu, C. Rabot. Free-suspended graphene synthesis via carbon diffusion through platinum-based metal // Appl. Phys. Lett. — 2012. —Vol. 100.— P. 151907.

88. C. Lavoie, F.M. d'Heurle, C. Detavernier, C. Cabral Jr. Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies // Microelectron. Eng. — 2003. — Vol. 70. — P. 144.

89. J.A. Kittl, K. Opsomer, C. Torregiani, C. Demeurisse, S. Mertens, D.P. Brunco, M.J.H. Van Dal, A. Lauwers. Silicides and germanides for nano-CMOS applications // Mater. Sci. Eng. B. — 2008.— Vol. 154-155. — P. 144.

90. M. Bhaskaran, S. Sriram, L.W. Sim. Nickel silicide thin films as masking and structural layers for silicon bulk micro-machining by potassium hydroxide wet etching // J. Micromech. Microeng. — 2008.— Vol. 18.—

P. 095002.

91. S. Senthilarasu, R. Sathyamoorthy, S. Lalitha. Synthesis and characterization of f3-FeSi2 grown by thermal annealing of Fe/Si bilayers for photovoltaic applications // Sol. Energ. Mat. Sol. C. — 2004. — Vol. 82. — P. 299.

92. J. Kim, W.A. Anderson. Metal silicide-mediated microcrystalline silicon thin-film growth for photovoltaics // Sol. Energ. Mat. Sol. C. — 2007. — Vol. 91. — P. 534.

93. F. Zhou, J. Szczech, M.T. Pettes, A.L. Moore, S. Jin, Li Shi. Determination of transport properties in chromium disilicide nanowires via combined thermoelectric and structural characterizations // Nano Lett. — 2007. — Vol. 7. — P. 1649.

94. X. Chen, X. Wang, J. Xiu, C.T. Williams, C. Liang. Synthesis and characterization of ferromagnetic nickel-cobalt silicide catalysts with good sulfur tolerance in hydrodesulfurization of dibenzothiophene // J. Phys. Chem. C. — 2012. — Vol. 116. — P. 24968.

95. F.-H. Ko, Z.-H. Yeh, C.-C. Chen, T.-F. Liu. Self-aligned platinum-silicide nanowires for biomolecule sensing // J. Vac. Sci. Technol. B. — 2005. — Vol. 23. — P. 3000.

96. Yu.-C. Lin, Yu Chen, Yu Huang. The growth and applications of silicides for nanoscale devices // Nanoscale. — 2012. — Vol. 4. — P. 1412.

97. A.L. Schmitt, J.M. Higgins, J.R. Szczech, S. Jin. Synthesis and applications of metal silicide nanowires // J. Mater. Chem. — 2010. — Vol. 20. — P. 223.

98. J.A. Kittl, A. Lauwers, A. Veloso, T. Hoffmann, S. Kubicek, M. Niwa, M.J.H. van Dal, M.A. Pawlak, S. Brus, C. Demeurisse, C. Vrancken, P. Absil, S. Biesemans. CMOS integration of dual work function phase-controlled Ni fully silicided gates (NMOS: NiSi, PMOS: Ni2Si, and NisiSi^) on HfSiON // IEEE, Electr. Device L. — 2006. — Vol. 27. — P. 966.

99. J.A. Kittl, M.A. Pawlak, C. Torregiani, A. Lauwers, C. Demeurisse, C. Vrancken, P.P. Absil, S. Biesemans, C. Detavernier, J. Jordan-Sweet, C. Lavoie. Kinetics of Ni3Si2 formation in the Ni2Si-NiSi thin film reaction from in situ measurements // Appl. Phys. Lett. — 2007. — Vol. 91. — P. 232102.

100. N.P. Dasgupta, S. Xu, H.J. Jung, A. Iancu, R. Fasching, R. Sinclair, F.B. Prinz. Nickel silicide nanowire arrays for anti-reflective electrodes in photovoltaics // Adv. Funct. Mater. — 2012. — Vol. 22. — P. 3650.

101. X. Fan, H. Zhang, N. Du, D. Yang. Phase-controlled synthesis of nickel silicide nanostructures // Mater. Res. Bull. — 2012. — Vol. 47. — P. 3797.

102. K. Seo, K.S.K. Varadwaj, P. Mohanty, S. Lee, Y. Jo, M.-H. Jung, J. Kim, B. Kim. Magnetic properties of single-crystalline CoSi nanowires // Nano Lett. — 2007. — Vol. 7. — P. 1240.

103. Y. Qu, J. Bai, L. Liao, R. Cheng, Y.-C. Lin, Yu Huang, T. Guo, X. Duan. Synthesis and electric properties of dicobalt silicide nanobelts // Chem. Commun.— 2011. — Vol. 47. — P. 1255.

104. R. Girlanda, E. Piparo, A. Balzarotti. Band structure and electronic properties of FeSi and a-FeSi2 // J. Appl. Phys. — 1994. — Vol. 76. — P. 2837.

105. M.C. Bost, J.E. Mahan. Optical properties of semiconducting iron disilicide thin films // J. Appl. Phys. — 1985. — Vol. 58. — P. 2696.

106. I.I. Pronin, M.V. Gomoyunova, D.E. Malygin, D.V. Vyalikh, Yu.S. Dedkov, S.L. Molodtsov. Magnetic ordering of the Fe/Si interface and its initial formation // J. Appl. Phys. — 2008. — Vol. 104. — P. 104914.

107. S. Izumi, M. Shaban, N. Promros, K. Nomoto, T. Yoshitake. Near-infrared photodetection of ß-FeSi2/Si heterojunction photodiodes at low temperatures // Appl. Phys. Lett. — 2013. — Vol. 102. — P. 032107.

108. K. Lenz, E. Kosubek, K. Baberschke, H. Wende, J. Herfort, H.-P. Schönherr, K.H. Ploog. Magnetic properties of Fe3Si/GaAs(001) hybrid structures // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 72. — P. 144411.

109. J. Hafner, D. Spisak. Structure and stability of the low-index surfaces of Fe3Si: Ab initio density functional investigations // Phys. Rev. B. -2007.-Vol. 75.- P. 195411.

110. Q. Tang, Z. Zhou, Z. Chen. Graphene-related nanomaterials: tuning properties by functionalization // Nanoscale. - 2013. - Vol. 5. - P. 4541.

111. M.F. Craciun, I. Khrapach, M.D. Barnes, S. Russo. Properties and applications of chemically functionalized graphene // J. Phys. Condens. Matter. -2013.- Vol. 25. - P. 423201.

112. M.H. Rummeli, C.G. Rocha, F. Ortmann, I. Ibrahim, H. Sevincli, F. Borrnert, J. Kunstmann, A. Bachmatiuk, M. Potschke, M. Shiraishi, M. Meyyappan, B. Buchner, S. Roche, G. Cuniberti. Graphene: Piecing it together // Adv. Mater. - 2011. - Vol. 23. - P. 4471.

113. C. Soldano, A. Mahmood, E. Dujardin. Production, properties and potential of graphene // Carbon. - 2010. - Vol. 48. - P. 2127.

114. D. Wei, Y. Liu. Controllable synthesis of graphene and its applications // Adv. Mater. - 2010. - Vol. 22. - P. 3225.

115. K.S. Novoselov, V.I. Fal'ko, L. Colombo, P.R. Gellert, M.G. Schwab, K. Kim. A roadmap for graphene // Nature. - 2012. - Vol. 490. - P. 192.

116. L.S. Panchakarla, K.S. Subrahmanyam, S.K. Saha, A. Govindaraj, H.R. Krishnamurthy, U.V. Waghmare, C.N.R. Rao. Synthesis, structure, and properties of boron- and nitrogen-doped graphene // Adv. Mater. - 2009. -Vol. 21.- P. 4726.

117. D. Wei, Y. Liu, Y. Wang, H. Zhang, L. Huang, G. Yu. Synthesis of N-doped graphene by chemical vapor deposition and its electrical properties // Nano Lett. - 2009. - Vol. 9. - P. 1752.

118. C. Attaccalite, L. Wirtz, M. Lazzeri, F. Mauri, A. Rubio. Doped graphene as tunable electron-phonon coupling material // Nano Lett. - 2010. -Vol. 10.- P. 1172.

119. S. Yu, W. Zheng, C. Wang, Q. Jiang. Nitrogen/boron doping position dependence of the electronic properties of a triangular graphene // ACS Nano. — 2010. — Vol. 4. — P. 7619.

120. A. Lherbier, X. Blase, Y.-M. Niquet, F. Triozon, S. Roche. Charge transport in chemically doped 2D graphene // Phys. Rev. Lett. — 2008. — Vol. 101.— P. 036808.

121. B. Zheng, P. Hermet, L. Henrard. Scanning tunneling microscopy simulations of nitrogen- and boron-doped graphene and single-walled carbon nanotubes // ACS Nano. — 2010. — Vol. 4. — P. 4165.

122. M. Deifallah, P.F. McMillan, F. Cora. Electronic and structural properties of two-dimensional carbon nitride graphenes // J. Phys. Chem. C. — 2008. —Vol. 112.— P. 5447.

123. S. Jalili, R. Vaziri. Study of the electronic properties of Li-intercalated nitrogen doped graphite // Mol. Phys. — 2011. — Vol. 109. — P. 687.

124. J. Robertson, C.A. Davis. Nitrogen doping of tetrahedral amorphous carbon // Diamond Relat. Mater. — 1995. — Vol. 4. — P. 441.

125. T. Schiros, D. Nordlund, L. Palova, D. Prezzi, L. Zhao, K.S. Kim, U. Wurstbauer, C. Gutierrez, D. Delongchamp, C. Jaye, D. Fischer, H. Ogasawara, L.G.M. Pettersson, D.R. Reichman, P. Kim, M.S. Hy-bertsen, A. N. Pasupathy. Connecting dopant bond type with electronic structure in N-doped graphene // Nano Lett. — 2012. — Vol. 12. — P. 4025.

126. M. Zhao, Y. Xia, J.P. Lewis, R. Zhang. First-principles calculations for nitrogen-containing single-walled carbon nanotubes //J. Appl. Phys. — 2003. — Vol. 94. — P. 2398.

127. S.H. Lim, R. Li, W. Ji, J. Lin. Effects of nitrogenation on single-walled carbon nanotubes within density functional theory // Phys. Rev. B. — 2007.— Vol. 76. — P. 195406.

128. G. Imamura, K. Saiki. Synthesis of nitrogen-doped graphene on Pt(111) by chemical vapor deposition // J. Phys. Chem. C. — 2011. — Vol. 115. —

P. 10000.

129. Z. Jin, J. Yao, C. Kittrell, J.M. Tour. Large-scale growth and characterizations of nitrogen-doped monolayer graphene sheets // ACS Nano. — 2011. — Vol. 5. — P. 4112.

130. Z. Luo, S. Lim, Z. Tian, J. Shang, L. Lai, B. MacDonald, C. Fu, Z. Shen, T. Yu, J. Lin. Pyridinic N doped graphene: Synthesis, electronic structure, and electrocatalytic property // J. Mater. Chem. — 2011.— Vol. 21.— P. 8038.

131. Y. Ito, C. Christodoulou, M.V. Nardi, N. Koch, H. Sachdev, K. Mullen. Chemical vapor deposition of N-doped graphene and carbon films: The role of precursors and gas phase // ACS Nano. — 2014. — Vol. 8. — P. 3337.

132. L. Zhao, R. He, K.T. Rim, T. Schiros, K.S. Kim, H. Zhou, C. Gutierrez, S.P. Chockalingam, C.J. Arguello, L. Palova, D. Nordlund, M.S. Hybert-sen, D.R. Reichman, T.F. Heinz, P. Kim, A. Pinczuk, G.W. Flynn, A.N. Pa-supathy. Visualizing individual nitrogen dopants in monolayer graphene // Science. —2011. —Vol. 333. — P. 999.

133. H. Wang, M. Xie, L. Thia, A. Fisher, X. Wang. Strategies on the design of nitrogen-doped graphene // J. Phys. Chem. Lett. — 2014. — Vol. 5. — P. 119.

134. Y. Wang, Y. Shao, D.W. Matson, J. Li, Y. Lin. Nitrogen-doped graphene and its application in electrochemical biosensing // ACS Nano. — 2010. — Vol. 4. — P. 1790.

135. N. Soin, S.S. Roy, S. Roy, K.S. Hazra, D.S. Misra, T.H. Lim, C.J. Hether-ington, J.A. McLaughlin. Enhanced and stable field emission from in situ nitrogen-doped few-layered graphene nanoflakes //J. Phys. Chem. C. — 2011. —Vol. 115.— P. 5366.

136. D. Deng, X. Pan, L. Yu, Y. Cui, Y. Jiang, J. Qi, W.-X. Li, Q. Fu, X. Ma, Q. Xue, G. Sun, X. Bao. Toward N-doped graphene via solvothermal synthesis // Chem. Mater. — 2011. — Vol. 23. — P. 1188.

137. X. Wang, X. Li, L. Zhang, Y. Yoon, P.K. Weber, H. Wang, J. Guo, H. Dai. N-doping of graphene through electrothermal reactions with ammonia // Science. - 2009. - Vol. 324. - P. 768.

138. B. Guo, Q. Liu, E. Chen, H. Zhu, L. Fang, J.R. Gong. Controllable N-dop-ing of graphene // Nano Lett. - 2010. - Vol. 10. - P. 4975.

139. X. Li, H. Wang, J.T. Robinson, H. Sanchez, G. Diankov, H. Dai. Simultaneous nitrogen doping and reduction of graphene oxide //J. Am. Chem. Soc. - 2009. - Vol. 131. - P. 15939.

140. Z.-H. Sheng, L. Shao, J.-J. Chen, W.-J. Bao, F.-B. Wang, X.-H. Xia. Catalyst-free synthesis of nitrogen-doped graphene via thermal annealing graphite oxide with melamine and its excellent electrocatalysis // ACS Nano.-2011.-Vol. 5. - P. 4350.

141. Y. Xue, B. Wu, L. Jiang, Y. Guo, L. Huang, J. Chen, J. Tan, D. Geng, B. Luo, W. Hu, G. Yu, Y. Liu. Low temperature growth of highly nitrogen-doped single crystal graphene arrays by chemical vapor deposition // J. Am. Chem. Soc. - 2012. - Vol. 134. - P. 11060.

142. D. Long, W. Li, L. Ling, J. Miyawaki, I. Mochida, S.-H. Yoon. Preparation of nitrogen-doped graphene sheets by a combined chemical and hydrothermal reduction of graphene oxide // Langmuir. - 2010. - Vol. 26. -P. 16096.

143. Y.A. Kim, K. Fujisawa, H. Muramatsu, T. Hayashi, M. Endo, T. Fujimori, K. Kaneko, M. Terrones, J. Behrends, A. Eckmann, C. Casiraghi, K.S. Novoselov, R. Saito, M.S. Dresselhaus. Raman spectroscopy of boron-doped single-layer graphene // ACS Nano. - 2012. - Vol. 6. - P. 6293.

144. Y.-B. Tang, L.-C. Yin, Y. Yang, X.-H. Bo, Y.-L. Cao, H.-E. Wang, W.-J. Zhang, I. Bello, S.-T. Lee, H.-M. Cheng, C.-S. Lee. Tunable band gaps and p-type transport properties of boron-doped graphenes by controllable ion doping using reactive microwave plasma // ACS Nano. - 2012. - Vol. 6. -P. 1970.

145. J. Ozaki, T. Anahara, N. Kimura, A. Oya. Simultaneous doping of boron and nitrogen into a carbon to enhance its oxygen reduction activity in proton exchange membrane fuel cells // Carbon. - 2006. - Vol. 44. -P. 3358.

146. L. Ci, L. Song, C. Jin, D. Jariwala, D. Wu, Y. Li, A. Srivastava, Z.F. Wang, K. Storr, L. Balicas, F. Liu, P.M. Ajayan. Atomic layers of hybridized boron nitride and graphene domains // Nat. Mater. - 2010. - Vol. 9. - P. 430.

147. G. Bepete, D. Voiry, M. Chhowalla, Z. Chiguvare, N.J. Coville. Incorporation of small BN domains in graphene during CVD using methane, boric acid and nitrogen gas // Nanoscale. - 2013. - Vol. 5. - P. 6552.

148. A.K. Manna, S.K. Pati. Tunable electronic and magnetic properties in BxNyCz nanohybrids: Effect of domain segregation // J. Phys. Chem. C. -2011.-Vol. 115.-P. 10842.

149. S. Bhowmick, A.K. Singh, B.I. Yakobson. Quantum dots and nanoroads of graphene embedded in hexagonal boron nitride // J. Phys. Chem. C. -2011.-Vol. 115.-P. 9889.

150. B. Xu, Y.H. Lu, Y.P. Feng, J.Y. Lin. Density functional theory study of BN-doped graphene superlattice: Role of geometrical shape and size //J. Appl. Phys.-2010.-Vol. 108.-P. 073711.

151. A.L.M. Reddy, A. Srivastava, S.R. Gowda, H. Gullapalli, M. Dubey, P.M. Ajayan. Synthesis of nitrogen-doped graphene films for lithium battery application // ACS Nano. - 2010. - Vol. 4. - P. 6337.

152. C. Ma, X. Shao, D. Cao. Nitrogen-doped graphene nanosheets as anode materials for lithium ion batteries: A first-principles study // J. Mater. Chem.-2012.-Vol. 22. - P. 8911.

153. H. Wang, C. Zhang, Z. Liu, L. Wang, P. Han, H. Xu, K. Zhang, S. Dong, J. Yao, G. Cui. Nitrogen-doped graphene nanosheets with excellent lithium storage properties // J. Mater. Chem. - 2011. - Vol. 21. - P. 5430.

154. H.M. Jeong, J.W. Lee, W.H. Shin, Y.J. Choi, H.J. Shin, J.K. Kang, J.W. Choi. Nitrogen-doped graphene for high-performance ultracapacitors and the importance of nitrogen-doped sites at basal planes // Nano Lett. -2011.-Vol. 11.-P. 2472.

155. R.I. Jafri, N. Rajalakshmi, S. Ramaprabhu. Nitrogen doped graphene nanoplatelets as catalyst support for oxygen reduction reaction in proton exchange membrane fuel cell // J. Mater. Chem. - 2010. - Vol. 20. -P. 7114.

156. L. Zhang, Z. Xia. Mechanisms of oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene for fuel cells // J. Phys. Chem. C. - 2011.- Vol. 115. — P. 11170.

157. L. Feng, Y. Chen, L. Chen. Easy-to-operate and low-temperature synthesis of gram-scale nitrogen-doped graphene and its application as cathode catalyst in microbial fuel cells // ACS Nano. - 2011. - Vol. 5. - P. 9611.

158. L. Qu, Y. Liu, J.-B. Baek, L. Dai. Nitrogen-doped graphene as efficient metal-free electrocatalyst for oxygen reduction in fuel cells // ACS Nano. -

2010.-Vol. 4.-P. 1321.

159. X.-K. Kong, C.-L. Chen, Q.-W. Chen. Doped graphene for metal-free catalysis // Chem. Soc. Rev. - 2014. - Vol. 43. - P. 2841.

160. H.-Y. Wu, X. Fan, J.-L. Kuo, W.-Q. Deng. DFT study of hydrogen storage by spillover on graphene with boron substitution // J. Phys. Chem. C. -

2011.-Vol. 115.-P. 9241.

161. G. Kim, S.-H. Jhi, N. Park. Effective metal dispersion in pyridinelike nitrogen doped graphenes for hydrogen storage // Appl. Phys. Lett. - 2008. -Vol. 92.- P. 013106.

162. Z. Ao, S. Li. Electric field manipulated reversible hydrogen storage in graphene studied by DFT calculations // Phys. Status Solidi A. - 2014. -Vol. 211.- P. 351.

163. S. Hufner. Photoelectron spectroscopy.- Berlin, Heidelberg: Springer, 1996.- P. 518.

164. J.J. Rehr, R.C. Albers. Theoretical approaches to x-ray absorption fine structure // Rev. Mod. Phys. - 2000. - Vol. 72. - P. 621.

165. J. Stohr. NEXAFS Spectroscopy. - Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 1992.- P. 404.

166. B. Watts, L. Thomsen, P.C. Dastoor. Methods in carbon K-edge NEXAFS: Experiment and analysis // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. -2006.-Vol. 151.-P. 105.

167. K.J. Rawlings, S.D. Foulias, B.J. Hopkins. A model for carburised W(100) and W(110) // J. Phys. C: Solid State Phys. - 1981. - Vol. 14. - P. 5411.

168. N.R. Avery. Oxidation of W(110): I. LEED study of the oxide formation at 1000 K // Surf. Sci. - 1972. - Vol. 33. - P. 107.

169. S. Lizzit, A. Baraldi. High-resolution fast X-ray photoelectron spectroscopy study of ethylene interaction with Ir(111): From chemisorption to dissociation and graphene formation // Catal. Today. - 2010.- Vol. 154. — P. 68.

170. D.E. Gardin, J.D. Batteas, M.A. van Hove, G.A. Somorjai. Carbon, nitrogen, and sulfur on Ni(111): Formation of complex structures and consequences for molecular decomposition // Surf. Sci. - 1993.- Vol. 296.-P. 25.

171. Y. Bu, M.C. Lin. Surface chemistry of s-triazine on Si(100)-2x1 // J. Phys. Chem. - 1994. - Vol. 98. - P. 7871.

172. S.A. Gorovikov, S.L. Molodtsov, R. Follath. Optical design of the high-energy resolution beamline at a dipole magnet of BESSY II // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A. - 1998.- Vol. 411. - P. 506.

173. D. Usachov, V.K. Adamchuk, D. Haberer, A. Gruneis, H. Sachdev, A.B. Preobrajenski, C. Laubschat, D.V. Vyalikh. Quasifreestanding single-layer hexagonal boron nitride as a substrate for graphene synthesis // Phys. Rev.

B. - 2010. - Vol. 82. - P. 075415.

174. W.J. Gammon, O. Kraft, A.C. Reilly, B.C. Holloway. Experimental comparison of N(1s) X-ray photoelectron spectroscopy binding energies of hard and elastic amorphous carbon nitride films with reference organic compounds // Carbon. - 2003. - Vol. 41. - P. 1917.

175. J.R. Pels, F. Kapteijn, J.A. Moulijn, Q. Zhu, K.M. Thomas. Evolution of nitrogen functionalities in carbonaceous materials during pyrolysis // Carbon. - 1995. - Vol. 33. - P. 1641.

176. Y.-C. Lin, C.-Y. Lin, P.-W. Chiu. Controllable graphene N-doping with ammonia plasma // Appl. Phys. Lett. - 2010. - Vol. 96. - P. 133110.

177. Y. Shao, S. Zhang, M.H. Engelhard, G. Li, G. Shao, Y. Wang, J. Liu, I.A. Aksay, Y. Lin. Nitrogen-doped graphene and its electrochemical applications // J. Mater. Chem. - 2010. - Vol. 20. - P. 7491.

178. Y.J. Cho, H.S. Kim, S.Y. Baik, Y. Myung, C.S. Jung, C.H. Kim, J. Park, H.S. Kang. Selective nitrogen-doping structure of nanosize graphitic layers //J. Phys. Chem. C. - 2011. - Vol. 115.-P. 3737.

179. R.A. Rosenberg, P.J. Love, V. Rehn. Polarization-dependent C(K) near-edge x-ray-absorption fine structure of graphite // Phys. Rev. B. -1986.- Vol. 33. - P. 4034.

180. E. Voloshina, R. Ovcharenko, A. Shulakov, Yu. Dedkov. Theoretical description of X-ray absorption spectroscopy of the graphene-metal interfaces // J. Chem. Phys. - 2013. - Vol. 138. - P. 154706.

181. Yu.S. Dedkov, M. Fonin. Electronic and magnetic properties of the graphene - ferromagnet interface // New J. Phys. - 2010.- Vol. 12.-P. 125004.

182. X. Liu, A. Gruneis, D. Haberer, A.V. Fedorov, O. Vilkov, W. Strupinski, T. Pichler. Tunable interface properties between pentacene and graphene on the SiC substrate // J. Phys. Chem. C. - 2013. - Vol. 117. - P. 3969.

183. J.M. Ripalda, E. Roman, N. Diaz, L. Galan, I. Montero, G. Comelli, A. Baraldi, S. Lizzit, A. Goldoni, G. Paolucci. Correlation of X-ray absorption and x-ray photoemission spectroscopies in amorphous carbon nitride // Phys. Rev. B. - 1999. - Vol. 60. - P. R3705.

184. I. Shimoyama, G. Wu, T. Sekiguchi, Y. Baba. Evidence for the existence of nitrogen-substituted graphite structure by polarization dependence of near-edge X-ray-absorption fine structure // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 62. — P. R6053.

185. H. Niwa, K. Horiba, Y. Harada, M. Oshima, T. Ikeda, K. Terakura, J. Oza-ki, S. Miyata. X-ray absorption analysis of nitrogen contribution to oxygen reduction reaction in carbon alloy cathode catalysts for polymer electrolyte fuel cells // J. Power Sources. — 2009. — Vol. 187. — P. 93.

186. H.C. Choi, J. Park, B. Kim. Distribution and structure of N atoms in multiwalled carbon nanotubes using variable-energy X-ray photoelectron spectroscopy // J. Phys. Chem. B. — 2005. — Vol. 109. — P. 4333.

187. P. Leinweber, J. Kruse, F.L. Walley, A. Gillespie, K.-U. Eckhardt, R.I.R. Blyth, T. Regier. Nitrogen K-edge XANES — an overview of reference compounds used to identify 'unknown' organic nitrogen in environmental samples // J. Synchrotron Rad. — 2007. — Vol. 14. — P. 500.

188. A. Gruneis, D.V. Vyalikh. Tunable hybridization between electronic states of graphene and a metal surface // Phys. Rev. B. — 2008. — Vol. 77. — P. 193401.

189. A. Varykhalov, O. Rader. Graphene grown on Co(0001) films and islands: Electronic structure and its precise magnetization dependence // Phys. Rev. B. — 2009. — Vol. 80. — P. 035437.

190. N.A. Vinogradov, A.A. Zakharov, V. Kocevski, J. Rusz, K.A. Simonov, O. Eriksson, A. Mikkelsen, E. Lundgren, A.S. Vinogradov, N. Martensson, A.B. Preobrajenski. Formation and structure of graphene waves on Fe(110) // Phys. Rev. Lett. — 2012. — Vol. 109.— P. 026101.

191. K.-P. Kämper, W. Schmitt, G. Güntherodt, H. Kuhlenbeck. Thickness dependence of the electronic structure of ultrathin, epitaxial Ni(111)/W(110) layers // Phys. Rev. B. - 1988. - Vol. 38. - P. 9451.

192. M. Pratzer, H.J. Elmers, M. Getzlaff. Heteroepitaxial growth of Co on W(110) investigated by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. — 2003.-Vol. 67.— P. 153405.

193. S. Stankov, R. Rohlsberger, T. Slezak, M. Sladecek, B. Sepiol, G. Vogl, A.I. Chumakov, R. Ruffer, N. Spiridis, J. -LaZewski, K. Parlinski, J. Korecki. Phonons in iron: From the bulk to an epitaxial monolayer // Phys. Rev. Lett. — 2007. — Vol. 99. — P. 185501.

194. A.Ya. Tontegode, E.V. Rut'kov. Intercalation by atoms of a two-dimensional graphite film on a metal // Phys. Usp. — 1993. — Vol. 36. — P. 1053.

195. R.A. Riedel, M. Turowski, G. Margaritondo, P. Perfetti, C. Quaresima. Oxidation of amorphous silicon and germanium: Photoemission evidence for high oxidation states // J. Appl. Phys. — 1984. — Vol. 55. — P. 3195.

196. F. Jolly, F. Rochet, G. Dufour, C. Grupp, A. Taleb-Ibrahimi. Oxidized silicon surfaces studied by high resolution Si 2p core-level photoelectron spec-troscopy using synchrotron radiation // J. Non-Cryst. Solids. — 2001.— Vol. 280. — P. 150.

197. М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. Фотоэлектронная спектроскопия остов-ных уровней атомов поверхности кремния (обзор) // ЖТФ. — 2004. — Т. 74. — С. 1.

198. А.С. Ворончихин, М.В. Гомоюнова, Д.Е. Малыгин, И.И. Пронин. Формирование интерфейсных фаз силицидов железа на поверхности окисленного кремния в режиме твердофазной эпитаксии // ЖТФ. — 2007. — Т. 77. — С. 55.

199. Silicide technology for integrated circuits / Ed. by L. Chen. — London: Institution of Engineering and Technology, 2004. — P. 299.

200. M.A. Rahman, T. Osipowicz, D.Z. Chi, W.D. Wang. Observation of a new kinetics to form Ni3Si2 and Ni3iSii2 silicides at low temperature (200°C) // J. Electrochem. Soc. — 2005. — Vol. 152. — P. G900.

201. ASM handbook, Vol. 3: Alloy phase diagrams. — Ohio, USA: ASM International, 1992. — P. 512.

202. M.P. Seah, W.A. Dench. Quantitative electron spectroscopy of surfaces: A standard data base for electron inelastic mean free paths in solids // Surf. Interface Anal. — 1979. — Vol. 1. — P. 2.

203. P.J. Cumpson, M.P. Seah. Elastic scattering corrections in AES and XPS. II. Estimating attenuation lengths and conditions required for their valid use in overlayer/substrate experiments // Surf. Interface Anal. — 1997. — Vol. 25. — P. 430.

204. F. Sirotti, M. DeSantis, X. Jin, G. Rossi. Electron states of interface iron silicides on Si(111)7x7 // Phys. Rev. B. — 1994. — Vol. 49. — P. 11134.

205. G. Rangelov, P. Augustin, J. Stober, Th. Fauster. Initial stages of epitaxial CoSi2 formation on Si(100) surfaces // Phys. Rev. B. — 1994. — Vol. 49. — P. 7535.

206. S. Gaudet, P. Desjardins, C. Lavoie. The thermally-induced reaction of thin Ni films with Si: Effect of the substrate orientation // J. Appl. Phys. — 2011. —Vol. 110.— P. 113524.

207. Yu Cao, L. Nyborg, U. Jelvestam. XPS calibration study of thin-film nickel silicides // Surf. Interface Anal. — 2009. — Vol. 41. — P. 471.

208. G.E. Murch, G. Kostorz. Phase Transformations in Materials. Diffusion kinetics in solids. — Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2005.— P. 171-238.

209. J. Rusz, A.B. Preobrajenski, May Ling Ng, N.A. Vinogradov, N. Martensson, O. Wessely, B. Sanyal, O. Eriksson. Dynamical effects in x-ray absorption spectra of graphene and monolayered ^-BN on Ni(111) // Phys. Rev. B. — 2010. — Vol. 81. — P. 073402.

210. V.M. Karpan, P.A. Khomyakov, A.A. Starikov, G. Giovannetti, M. Zwierzycki, M. Talanana, G. Brocks, J. van den Brink, P.J. Kelly. Theoretical prediction of perfect spin filtering at interfaces between close-packed surfaces of Ni or Co and graphite or graphene // Phys. Rev. B. — 2008. —Vol. 78.— P. 195419.

211. G.W. Rubloff. Microscopic properties and behavior of silicide interfaces // Surf. Sci. — 1983. — Vol. 132. — P. 268.

212. A. Varykhalov, D. Marchenko, J. Sanchez-Barriga, M.R. Scholz, B. Ver-berck, B. Trauzettel, T.O. Wehling, C. Carbone, O. Rader. Intact Dirac cones at broken sublattice symmetry: Photoemission study of graphene on Ni and Co // Phys. Rev. X. — 2012. — Vol. 2. — P. 041017.