Электронная структура дисилицидов молибдена, вольфрама и рения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Бабушкина, Елена Владимировна

• Бабушкина, Елена Владимировна
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Бабушкина, Елена Владимировна

ВВЕДЕНИЕ.

1. ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ СИЛИЦИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

1.1. Кристаллическое строение объемных и пленочных фаз.

1.2. Теоретическое исследование строения валентной зоны силицидов.

1.2.1. Зонная структура.

1.2.2. Плотность электронных состояний.

1.3. Методы исследования поверхности Ферми.

1.3.1. Эффект де Гааза-ван Альфена и некоторые электрофизические характеристики MoSi

1.3.2. Теоретическое исследования поверхности

Ферми дисилицидов.

1.4. Спектроскопическое исследование электронной структуры силицидов.

1.4.1. Фотоэмиссионная спектроскопия.

1.4.2. Рентгеновская эмиссионная спектроскопия.

1.5. Оптические характеристики.

2. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ПОВЕРХНОСТЬ ФЕРМИ ДИСИЛИЦИДОВ МОЛИБДЕНА, ВОЛЬФРАМА И РЕНИЯ.

2.1. Особенности кристаллического строения объемных материалов и пленок.

2.2. Зонная структура и ширина валентной зоны дисилицидов.

2.2.1. Детали расчета.

2.2.2. Энергетические спектры.

2.2.2.1. Влияние изоструктурности и изоэлектронности на энергетические спектры.

2.2.2.2. Ширина валентной зоны.

2.3. Распределение плотности электронных состояний по валентной зоне.

2.3.1. Плотность электронных состояний.

2.3.2. Стабильность фаз и характер проводимости.

2.4. Поверхность Ферми и некоторые электрофизические характеристики.

2.4.1. Поверхность Ферми дисилицида молибдена.

2.4.2. Электрофизические характеристики.

2.4.2.1. Зависимость эффективной циклотронной массы и электропроводности от структуры поверхности Ферми.

2.4.2.2. Зависимость коэффициента электронной составляющей теплоемкости у от плотности состояний на уровне Ферми.

3. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИСИЛИЦИДОВ

МОЛИБДЕНА, ВОЛЬФРАМА И РЕНИЯ.

3.1. Фотоэлектронные спектры.

3.2. Рентгеновские эмиссионные спектры.

3.2.1. Z,2,3 спектры атомов кремния.

3.2.2. Рентгеновские эмиссионные спектры различных серий объемных фаз дисилицидов.

3.3. Спектры диэлектрической проницаемости и некоторых других оптических характеристик.

3.3.1. Методика расчета диэлектрической проницаемости и других оптических характеристик.

3.3.2. Спектры диэлектрической проницаемости.

3.3.3. Спектры коэффициента отражения и показателя преломления, коэффициента поглощения.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронная структура дисилицидов молибдена, вольфрама и рения»

Актуальность. Силициды переходных металлов (d-силициды) являются одними из наиболее перспективных материалов, что обусловлено их характеристиками, необходимыми в микро- и наноэлектронике. Подавляющее большинство d-силицидов - металлы, например MoSi2 и WSi2, с малым удельным сопротивлением. Только небольшая их часть, среди которых ReSi2, имеют полупроводниковый характер проводимости. Отличительной чертой этих материалов является высокая технологичность и хорошее сопряжение как с основным материалом микроэлектроники -кремнием, так и со многими металлами. Кроме того, основным достоинством дисилицида рения в ряду силицидов с полупроводниковым характером проводимости является то, что его можно выращивать полупроводниками как п-, так и р-типа в зависимости от режима формирования (температуры отжига и соотношения аргона и водорода в смеси), не прибегая к использованию легирующих примесей [1]. Электрические, электрофизические, механические, оптические и другие свойства d-силицидов стабильны в очень широком диапазоне температур [2]. Это привело к активному применению силицидов переходных металлов в различных технологиях и приборах. Они используются в интегральных схемах в качестве защитных слоев [2, 3] и барьеров Шоттки [2, 4], высокотемпературных припоев [5], омических контактов [2, 4], в гетероструктурах [6-9], в изготовлении высокотемпературных турбинных лопастей [10]. Благодаря высокой химической, коррозионной и температурной устойчивости [2, 11] d-силициды нашли свое применение в качестве защитных покрытий на интерметаллических соединениях [12], электродах высокотемпературных термопар [13], на авиационных конструкциях [14]. d-силициды, являющиеся узкозонными полупроводниками, уже десятилетия активно применяется в технологии изготовления цифровых приборов на кремниевой основе, оптоэлектронике, оптоволоконных средствах связи, детекторах инфракрасного излучения [2, 15, 16].

Такой широкий спектр применения силицидов переходных металлов вызывает необходимость досконального изучения не только электрических, оптических, механических свойств этих материалов. Особое внимание должно быть уделено изучению электронной структуры тонкопленочных фаз силицидов переходных металлов. Актуальность этих исследований обусловлена значительными различиями между характеристиками микро-, нанослоев и кристаллических силицидов. Поэтому необходимо проведение исследований электронной структуры как объемных, так и наноразмерных d-силицидов для создания устройств с оптимальными стабильными и воспроизводимыми характеристиками. Однако, хотя изучение электронного строения силицидов ведется довольно давно, электронная структура наноразмерных объектов теоретическими методами не исследовалась вовсе, без чего невозможно создание корректного описания закономерностей строения валентной зоны материала. Таким образом, теоретическое исследование электронной структуры объемных и нано- фаз силицидов является одной из наиболее актуальных задач физики твердого тела.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования в диссертационной работе были выбраны нанослои и объемные кристаллы дисилицидов молибдена, вольфрама и рения. Выбор этой системы определялся активным использованием дисилицидов молибдена, вольфрама и рения в изделиях микро- и наноэлектроники и противоречивыми данными о стабильности и характере проводимости ReSi2 [1, 17]. Учитывая противоречивость экспериментальных данных о характере проводимости и стабильности ReSi2, был проведен также расчет электронной структуры фазы с недостатком кремния ReSii/75. Согласно экспериментальным исследованиям [1, 18], вероятность образования фазы с недостатком кремния выше, чем фазы стехиометрического состава. Поскольку M0S12, WS12 и ReSi2 имеют одинаковую тетрагональную кристаллическую структуру типа СЫ1 [18, 19], это дает возможность установить общие закономерности строения валентной зоны этих материалов в зависимости от их кристаллических и энергетических параметров.

Цель работы. Теоретическое изучение электронного строения валентной зоны, спектральных и оптических характеристик нанослоев и объемных фаз дисилицидов молибдена, вольфрама и рения.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие научные задачи:

1. Расчет и изучение зонной структуры и плотностей электронных состояний нанослоев и объемных кристаллов MoSi2, WSi2 и ReSi2. Изучение стабильности и характера проводимости объектов исследования.

2. Расчет поверхности Ферми и интерпретация экспериментальных данных по изучению эффекта де Гааза-ван Альфена. Сравнение расчетных электрофизических характеристик (эффективной циклотронной массы, коэффициента у электронной составляющей удельной теплоемкости, длины свободного пробега и электропроводности), определяемых из структуры поверхности Ферми, с экспериментальными значениями.

3. Интерпретация структуры фотоэлектронных спектров при различных значениях энергии возбуждения для всех исследуемых объектов путем сопоставления рассчитанных спектров с известными экспериментальными данными.

4. Расчет рентгеновских эмиссионных спектров различных серий атомов исследуемых объектов. Изучение механизма трансформации пика в прифермиевской области /^з-спектров Si при переходе от объемных материалов к нанослоям.

5. Расчет структуры кривых функции диэлектрической проницаемости, показателя преломления, отражательной способности, коэффициента поглощения и сопоставление полученных результатов с экспериментом.

Научная новизна работы. Впервые в качестве объектов теоретического исследования электронной структуры дисилицидов молибдена, вольфрама и рения были выбраны их нанослои, что позволило учесть влияние поверхности на электронную структуру и спектральные свойства этих материалов.

Впервые в рамках метода линеаризованных присоединенных плоских волн проведено изучение электронного строения валентной зоны наноразмерных структур и объемных материалов: рассчитаны зонные структуры, полные и локальные парциальные плотности электронных состояний, поверхность Ферми и некоторые электрофизические характеристики (эффективная цикло-тронная масса, коэффициент у электронной составляющей удельной теплоемкости, длина свободного пробега и электропроводность), фотоэлектронные, рентгеновские эмиссионные и оптические спектры диэлектрическая проницаемость, отражающая способность, коэффициенты поглощения, показатель преломления). Впервые систематически изучено строение валентной зоны изоструктурных дисилицидов молибдена, вольфрама и рения.

Научная и практическая ценность работы. Примененный в работе пленочный метод линеаризованных присоединенных плоских волн позволяет естественным образом учитывать влияние поверхности на электронную структуру и спектральные характеристики исследуемых материалов. Сопоставление непосредственно рассчитанных спектральных характеристик (фотоэлектронных, рентгеновских эмиссионных и оптических спектров) с экспериментальными более корректно, чем сравнение плотности электронных состояний с экспериментом. Полученные в работе результаты представляют как самостоятельный научный интерес для теоретического описания электронного строения рассмотренных соединений, так и могут быть полезны экспериментаторам и технологам, поскольку носят предсказательный характер.

Основные положения, выносимые на защиту;

1. В структуре валентной зоны дисилицидов переходных металлов преобладают (i-состояния металла и s- и р-состояния кремния. Зонные структуры и кривые распределения плотности электронных состояний M0S12 идентичны результатам расчета электронной структуры для WSi2. Значительное увеличение плотности состояний непосредственно на уровне Ферми в объемной фазе ReSi2 по сравнению с другими исследуемыми дисилицидами, говорит о его нестабильности.

2. Поверхность Ферми MoSi2 состоит из двух листов: электронного и дырочного, образующихся в результате пересечения 7 и 8 по счету от дна валентной полосы энергетических зон с уровнем Ферми. Сравнение расчетной поверхности Ферми и электрофизических характеристик (эффективной циклотронной массы, коэффициента у электронной составляющей удельной теплоемкости, длины свободного пробега и электропроводности), определяемых из ее структуры, с экспериментом по изучению эффекта де Гааза-ван Альфена показало хорошее совпадение результатов.

3. В зависимости от энергии возбуждения фотоэлектронные спектры дисилицидов переходных металлов отражают распределения преимущественно ^-состояний металла при малых (12 - 52 eV) и очень высоких (1486 eV) энергиях, при промежуточных (78 - 120 eV) энергиях существенный вклад дают s- и р-состояния Si.

4. Расчет электронной структуры и спектральных характеристик ReSi2 и фазы ReSii/75 показал, что, несмотря на значительное уменьшение плотности состояний на уровне Ферми в ReSiij75 по сравнению с фазой стехиометрического состава, оба соединения имеют металлический характер проводимости.

5. Спектры оптических характеристик (реальной S\ и мнимой s2 части функции диэлектрической проницаемости, отражательной способности, показателя преломления и коэффициента поглощения) MoSi2 и WSi2, имеют много общего, как в структуре функций, так и в энергетическом положении основных особенностей. Для спектров функций S\ и s2, рассчитанных для направления поляризации света параллельно и перпендикулярно кристаллографической оси с, характерна анизотропия, проявляющаяся ниже 3 eV.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на третьей (5-8 декабря 2001) и четвертой (15-19 декабря 2002) всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Международной научно технической конференции «Тонкие пленки и слоистые структуры (Пленки 2002)», 26-30 ноября 2002 г. Москва, Восьмой (29 марта-4 апреля 2002г., Екатеринбург) и Девятой (28 марта - 3 апреля 2003 г., Красноярск) Всероссийских научных конференциях студентов-физиков и молодых ученых; пятой (14-16 февраля 2003г.) и шестой (21-23 апреля 2005г.) Международных конференциях «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность металлов», Воронеж; III Международном семинаре «Компьютерное моделирование электромагнитных процессов в физических, химических и технических системах», 22-24 апреля 2004г., Воронеж; IX international conference on electron spectroscopy and structure, Uppsala, June 30-July 4, 2003; Международном семинаре «Физико-математическое моделирование систем», Воронеж 5-6 октября 2004, 13th General Conference of the European Physical Society "Beyond Einstein - Physics for the 21st Century", Bern, July 8-July 15,2005 r.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 4 статьи и 10 тезисов.

Личный вклад автора. Автором самостоятельно получены, обработаны и проанализированы все основные результаты, выносимые на защиту.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы, включающего 136 наименований. Работа изложена на 163 страницах машинописного текста, содержит 11 таблиц и 57 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Бабушкина, Елена Владимировна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе в рамках метода линеаризованных присоединенных плоских волн были рассчитаны зонная структура, полная и локальные парциальные плотности электронных состояний, поверхность Ферми, фотоэлектронные, рентгеновские эмиссионные и оптические характеристики в нанослоях и объемных материалах дисилицидов молибдена, вольфрама и рения.

1. Наибольший вклад в формирование валентной зоны исследуемых дисилицидов вносят {/-состояния металла и s- и /^-состояния кремния. При переходе от объемного материала к нанослою для состояний атомов кремния наблюдается сдвиг центров тяжести к уровню Ферми вследствие уменьшения глубины потенциальной ямы для электронов. Одновременно с этим процессом происходит существенное увеличение концентрации носителей в прифермиевской области и непосредственно на уровне Ферми. Зонные структуры и кривые распределения плотности MoSi2 идентичны результатам расчета электронной структуры для WSi2. Это обусловлено близостью параметров решеток, изоструктурностью и изоэлектронностью этих дисилицидов.

2. Поверхности Ферми для MoSi2 и WSi2 состоят из двух листов: электронного и дырочного, образующихся в результате пересечения 7 и 8 по счету от дна валентной полосы энергетических зон с уровнем Ферми. Пересечение седьмой зоны с Ер порождает дырочный лист поверхности Ферми, который имеет форму, близкую к цилиндру, вдоль направления TZ. Восьмая зона формирует электронную часть поверхности - «розетку» с центром в точке Z. Проведенное сопоставление расчетной поверхности Ферми с экспериментом по изучению эффекта де Газа-ван Альфена в MoSi2 показало хорошее соответствие результатов. Электрофизические характеристики (длина свободного пробега, проводимость, эффективные циклотронные массы, коэффициент у при линейном члене теплоемкости) хорошо соотносятся с экспериментальными значениями.

3. Структура фотоэлектронных спектров дисилицидов при малых (12-52 eV) и очень высоких (1486 eV) энергиях возбуждения обусловлены преимущественно распределением ^/-состояний металла. При промежуточных энергиях вклады s-, р-состояния кремния превалируют над вкладами от электронов d-симметрии металла.

4. Сопоставление рентгеновских эмиссионных L2j-спектров атомов кремния ReSiijs и ReSi2 с экспериментом показало, что наилучшее согласие теоретических и экспериментальных данных наблюдается в случае фазы с недостатком кремния. Это свидетельствует о том, что в процессе формирования нонослоя образовалась более стабильная фаза ReSii/75, а не ReSi2, как изначально предполагалось. Значительное увеличение плотности состояний непосредственно на уровне Ферми в объемной фазе ReSi2 по сравнению с другими исследуемыми дисилицидами, говорит о его нестабильности. Расчет электронной структуры и спектральных характеристик из первых принципов не выявил запрещенной щели в ReSiii75 и ReSi2.

5. Спектры оптических характеристик MoSi2 и WSi2 имеют много общего, как в структуре функций, так и в энергетическом положении основных особенностей. Основной вклад в функцию мнимой части диэлектрической проницаемости вносят переходы из 5, 6 и 7 энергетических зон в 8, 9 и 10 по счету от дна валентной зоны. Межзонные переходы ниже 10 eV обусловлены ^/-состояниями металла с примесью р-состояний кремния. Для спектров функций мнимой и действительной части диэлектрической проницаемости MoSi2 и WSi2, рассчитанных для направления поляризации света параллельно и перпендикулярно кристаллографической оси с характерна анизотропия, проявляющаяся ниже 3 eV.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Бабушкина, Елена Владимировна, 2005 год

1. Ali 1., Muret P. and Naydar A. Electrical transport properties of semiconducting rhenium silicide thin films on silicon (111)// Semicond. Sci. Technol. - 2001. - V. 16. - P. 966-971.

2. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. - 176 с.

3. Franciosi, J. Н. Weaver, F. A. Schmidt. Bulk silicides and Si-metal interface reaction: Pd2Si // Phys. Rev. B. 1983. -V. 27. -N. 6. -P. 3554-3561.

4. Reader A.H., van Ommen A.H., Weijs P.J.W., Wolters R.A.M., Oostra D.J. Transition metal silicides in silicon technology // Rep. Prog. Phys. 1992. — V. 56.-P. 1397-1467.

5. Cherniak G.B., Elliot A.G. Electronic properties of molybdenum silicides //J. Amer. Ceram. Soc. Bui. 1964. - V. 47. -N. 3. - P. 136-139.

6. Riedel F., Schroter W. Electrical and structural properties of nanoscale NiSi2 precipitates in silicon // Phys. Rev. B. 2000. - V. 62. - N. 11. - P. 71507156.

7. Jin S., Bender H., Li X.N., Zhang Z., Dong C., Gong Z.X., Ma T.C. Microstructural studies of Fe-silicide films produces by metal vapor vacuum arc ion implantation of Fe into Si substrates // Appl. Surf. Sci. 1997. - V. 115.-P. 116-123.

8. Kinsinger V., Dezsi I., Steiner P., Langouche G. XPS investigations of FeSi,

9. FeSi2 and Fe implanted in Si and Ge // J. Phys.: Condens. Matter. 1990. -V. 2.-N. 22.-P. 4955-4961.

10. Alouani M., Albers R.C., Methfessel M. Calculated elastic constants and structural properties of Mo and MoSi2 // Phys. Rev. B. 1991. - V. 43. - N. 8. - P. 6500-6509.

11. Laborde O., Thomas O., Senateur J.P., Madar R. Resistivity and magnetoresistance of high-purity monocrystalline molybdenum disilicide // J. Phus. F. 1986. -V. 16.-N. 11.-P. 1745-1752.

12. Regan R.E., Baginski W.A., Krier C.A. Properties of transition metal silicides // J. Amer. Ceram. Soc. Bui. 1976. - V. 46. -N. 5. - P. 502.

13. Dimitriadis C.A., Werner J.W., Logothetidis S., Stutzmann M., Weber J., Nesper N. Electronic properties of semiconducting FeSi2 films // J. Appl. Phys. 1990. - V. 68. - P. 1726 - 1736.

14. Mahan J.E., Geib K.M., Robinson G.Y., Long R.G., Xinghua Y., Bai G., Nicolet M.A., Nathan M. Epitaxial films of semiconducting FeSi2 on (001) silicon // Appl. Phys. Lett. 1990. - V. 56. - P. 2126 - 2128.

15. Reiche R., Oswald S. and Wetzig K. XPS and factor analysis forinvestigation of sputter cleaned surfaces of metal (Re, Ir, Cr)-silicon thin films//Appl. Surf. Sci.-2001.-V. 179. -P. 316-323.

16. Bai G, Nicolet M -A , Mahan J E and Geib К M Channeling of MeV ions in polyatomic epitaxial films: ReSi2 on Si(100) // Phys. Rev. B. 1990. - V. 41.-N. 13.-P. 8603-8607.

17. Bhattacharyya B.K., Bylander D.M., Kleinman L. Comparison of fully relativistic energy bands and cohesive energies of MoSi2 and WSi2 // Phys. Rev. B. 1985. - V. 32. - N. 12. - P. 7973-7978.

18. Murarka S.P., Fraser D.B., Retajczyk T.F., Sheng T.T. Cosputtered molybdenum silicides on thermal Si02 // J. Appl. Phys. 1980. -V. 51. — N. 9.-P. 5380-5385.

19. Свечников B.H., Кочержинский Ю.А., Юпко Jl.M. Свойства силицидов переходных металлов // ДАН УССР. сер. А. 1970. - № 6. - С. 553.

20. Самсонов Г.В., Дворина Л.А., Рудь Б.М. Силициды. -М:. Металлургия, 1979.

21. Eftekhari G. Termal stability of silicide contacts on GaAs using the proximity technique during rapid thermal annealing // Semicond. Sci. Technol. — 1991. — v. 6.-P. 193- 195.

22. Degroote S., Vantomme A., Dekoster J., Langouche G. Cubic metastable FeSii.x epitaxially grown on Si and MgO substrates // Applied Surface Science. 1995. - V. 91. - P. 72-76.

23. Yang S. G., Zhu H., Ni G., Yu D. L., Tang S. L., Du Y. W. A study of cobalt nanowire arrays // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. - V. 33. - P. 2388-2390.

24. A 28.Reuter K., de Andres P. L., Garcia-Vidal F. J., Flores F., Heinz K. Surfaceand bulk band-structure effects on CoSi2/Si(l 11) ballistic-electron emission experiments // Phys. Rev. B. 2001. - V. 63. - N. 20. - P 205325-205335.

25. Sirotti F., DeSantis M., Rossi G. Synchrotron-radiation photoemission and x-ray absorption of Fe silicides // Phys. Rev. B. 1993. - V.48. - N.l 1. - P. 8299-8306.

26. Fanciulli M., Degroote S., Weyer G., Langouche G. Investigation of the Fe/Si interface and its phase transformations // Surf. Sci. 1997. - V. 377-379.-P. 529-533.Щ

27. Michel E.J. Epitaxial iron silicides: geometry, electronic structure and applications // Appl. Surf. Sci. 1997. - V. 117/118. - P. 294-302.

28. Gregoratti L., Gunther S., Kovac J., Marsi M., Phaneuf R. J., Kiskinova M. Ni/Si(lll) system: Formation and evolution of two- and three-dimensional phases studied by spectromicroscopy // Phys. Rev. B. 1999. - V. 59. - N. 3.-P. 2018-2024.

29. Robertson J. Electronic structure of Ni and other transition-metal silicide overlayers on Si // J. Phys. C: Condens. Matter. 1985. - V. 18. - N. 4 - P. 947-959.

30. Bennett P.A., von Kanel H. Scanning tunneling microscopy studies of silicides // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. - V. 32. - N. 15. - P. R71-R87.

31. Bertoncini P., Wetzel P., Berling D., Gewinner G., Ulhaq-Bouillet C., Pierron Bohnes V. Epitaxial growth of Fe(001) on CoSi2(001)/Si(001) surfaces: Structural and electronic properties // Phys. Rev. B. 1999. - V. 60.-N. 15.-P. 11123-11130.

32. Hofman D., Klein C., Thomas J. and Wetzig K. Investigation of thermoelectric silicide thin films by means of analytical transmission electron microscopy // Ultramicroscopy. 2000. - V. 81. - N.3-4. — P. 271277.

33. Deevi S.C. Self-propagation high-temperature synthesis of molybdenum • disilicide // J. Matter. Sci. 1991. - V. 26. - P. 3343-3353.

34. Thomas O., Senateur J.P., Madar R., Laborde O., Rosencher E. Molybdenum disilicide: Crystal growth, thermal expansion and resistivity // Solid State Commun. 1985. - V. 55. - N. 7. - P. 629-632.

35. Nguyen Tan N.A., Veuillen J.Y, and Muret P., Kennou S., Siokou A., Ladas S., Lahatra Razafindramisa F., Brunei M. Semiconducting rhenium silicide thin films on Si(l 11) // J. Appl. Phys. 1995. - V. 77. - N. 6. - P. 25142518.Л

36. Misra A., Chu A., Mitchell Т.Е. Elastic properties of the intermetallic compound ReSi2 // Scr. Mater. 1998. -V. 38. - P. 917-921.

37. Kuwabara K., Inui H., Yamaguchi M. Microstructure and electrical properties of thin films of ReSiijs produced by co-sputtering // Intermetallics.-2002. V. 10.-P. 129-138.

38. Fei G.T., Liu L., Ding X.Z., Zhang L.D., Zheng Q.Q. Preparation of nanocrystalline intermetallic compounds WSi2 and MoSi2 by mechanical alloying // Journal of Alloys and Compounds. 1995. - V. 229. - P. 280282.

39. Shang-Lin Weng Formation of WSi2 at the Si-W (110) interface // Phys. Rev. B. 1984. - V. 29. - N. 4. - P. 2363-2365.

40. Kuwanowa H., Gotoh Y. Crystal growth of WSi2 on W (110) surface // Journal of Crystal Growth. 1999. - V. 197. - P. 163-168.

41. Vasudevan A.K., Petrovic J.J. A comparative overview of molybdenum disilicide composites // Mater. Sci. Eng. A. 1992. - V. 155. - P. 1—17.

42. Немошкаленко B.B., Шпак А.П., Кривицкий В.П., Николаев Л.И., Юпко JI.M. Рентгеновские эмиссионные спектры молибдена и кремния в силицидах молибдена. // ИЗ. АН СССР сер. физ. 1974. - Т. 38. № 3. -С. 639-645.

43. Шулаков А.С., Зимкина Т.М., Фомичев В.А., Нешпор B.C. Ультромягкие рентгеновские эмиссионные полосы силицидов циркония, ниобия и молибдена // ИЗ. АН СССР сер. физ. 1977. - Т. 41.-№ 1.-С. 216-223.

44. Weaver J.H., Moruzzi V.L., Schmidt F.A. Experimental and theoretical band-structure studies of refractory metal silicides // Phys. Rev. B. — 1981. -V. 23.-N. 6.-P. 2916-2922.

45. Spier W., v. Leuken E., Fuggle J.C., Sarma D.D., Kumar L., Dauth В., Buschow K.H. Photoemission and inverse photoemission of transition-metal silicides // Phys. Rev. B. 1989. - V. 39. -N. 9. - P. 6008-6016.

46. Spier W., Kumar L., Sarma D.D., de Groot R.A., Fuggle J.C. The electronic structure of 4d and 5d silicides // J. Phys.: Condens. Matter. 1989. -V. 1. -P. 9117-9129.

47. Bhattacharyya В. K., Bylander D. M. and Kleinman L. Fully relativistic energy bands and cohesive energy of ReSi2 // Phys. Rev. B. 1986. — V. 33. -N. 6.-P. 3947-3953.

48. Bhattacharyya В. K., Bylander D. M. and Kleinman L. Self-consistent semirelativistic energy bands of WSi2 // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. — N. 4. - P. 2049-2055.

49. Bhattacharyya В. K., Bylander D. M. and Kleinman L. Fully relativistic self-consistent energy bands of WSi2 // Phys. Rev. B. 1985. - V. 31. -N. 8. - P. 5462-5464.

50. Shaoping Tang and Zhang Kaiming Studies of the electronic structures of MoSi // J. Phys.; Condens. Matter. 1988. - V. 21. - N. 8. - P. 1469-1475.

51. Antonov V.N., Yavorsky B.Yu., Shpak A.P., Perlov A.Yu. The electronicstructure and properties of MoSi2. I. Body-centered tetragonal CI lb structure // Low Temp. Phys. 1994. - V. 20. - N. 9. - P. 734-742.

52. Senemaud C., Vergand F., Bonnelle C., Thomas O., Senateur J.P., Madar R. Experimental study of partial densities of states in MoSi2 // Solid State Communic. 1987. - V. 64. - N. 1. - P. 129-132.

53. Dimitriadis C.A., Werner J.W., Logothetidis S., Stutzmann M., Weber J. and Nesper N. Electronic properties of semiconducting FeSi2 films // J. Appl. Phys.- 1990.-V. 68.-P. 1726-1736.

54. McMahan A.K., Klepeis J.E., van Schilfgaarde M., Methfessel M. Bonding in the molybdenum silicides // Phys. Rev. B. 1994. - V. 50. - N. 15. - P. 10742-10760.

55. Andersen O.K., Jepsen O., Antonov Vl.N., Antonov V.N., Yavorsky B.Yu., Perlov A.Yu., Shpak A.P. Fermy surface, bonding and pseudogap in MoSi2 // Physica B. 1995. - V. 204. - P. 65-82.

56. Wiech G., Zopf E. Electronic properties of aluminium and silicon intermetallic compounds from x-ray spectroscopy / G.Wiech, E.Zopf // Band structure spectroscopic metals and alloys. — London-New York, 1973. — P. 173-190.

57. Filonov A.B., Migas D.B., Shaposhnokov V.L., Borisenko V.E., Heinrich A. Narrow-gap semiconducting silicides; the band structure // Microelectronic Engineering. 2000. - V. 50. -P. 249-255.

58. Affronte M., Laborde O., Lasjaunias J. C., Gottlieb U., and Madar R. Electronic properties of TiSi2 single crystals at low temperatures // Phys. Rev. B. 1996. -V. 54. - P. 7799-7806.

59. Itoh S. Fermi surface of tungsten silicide alloys // J. Phys.: Condens. Matter. 1990. - V. 2. - P. 3747-3758.

60. Chaix-Pluchery O., Abello L., Lucazeau G., Chenevier В., Madar R. A Raman study of single crystal and thin film tetragonal WSi2 // J. Phys. Chem. Solids. 1996. - V. 57. - N. 5. - P. 527-537.

61. V.N., Yavorsky B.Yu, Shpak A.P., Perlov A.Ya. The electronic structure and properties of MoSi2. II. Hexagonal C40 structure // Low Temp. Phys. -1994. V. 20. - N. 9. - P. 743-746.

62. Silvestre J.; Hoffmann R. The band structure of MoSi2 // Revue de Chimie. Minerale. 1986. - V. 23. - N. 3. - P. 299-312.

63. Antonov V.N., Yavorsky B.Yu, Shpak A.P., Plotnikov N.A. The electronic structure and physical properties of NbSi2 // Low Temp. Phys. 1994. - V. 20.-N. l.-P. 42-49.

64. Johansson H.I.P., Hakansson K.L., Johansson L.I. Core-level study of MoSi2 (001) and (110) // Phys. Rev. B. 1994. -V. 49. - N. 11. - P. 7484-7489.

65. AH I., Muret P. and Nguyen Tan T.A. Properties of semiconducting rhenium silicide thin films grown epitaxially on silicon (111) // Appl. Surf. Sci. — 1996.-V. 102.-P. 147-150.

66. Ged Ph., Madar R. and Senateur J. P. Dielectric function of monocrystalline MoSi2 by spectroscopic ellipsometry // Phys. Rev. B. 1984. - V. 29. - N. 17.-P. 6981-6984.

67. Antonov V.N., Antonov Vl.N., Jepsen O., Andersen O.K., Borghesi A., Bosio C., Marabelli F., Piaggi A., Guizzetti G., Nava F. Optical properties of WSi2 // Phys. Rev. B. 1991. - V. 44. - N. 16. - P. 8437-8445.

68. Murarka S.P. Refractory silicides for integrated circuits // J. Vac. Sci. Techol. 1980. - V. 17. -N. 4. - P. 775-792.

69. Nava F., Tu K.N., Thomas O., Senateur J.P., Madar R., Borghesi A., Guizzetti G., Gottlieb U., Laborde O., Bisi O. Optical and electrical properties of transiton metal silicides // Mater. Sci. Rep. 1993. - V. 9. - P. 141-150.

70. R. G. Long, M. C. Bost and John E. Mahan Optical and electrical properties of semiconducting rhenium disilicide thin films // Thin solid films. 1988. -V. 162.-P. 29-40.

71. Juh-Tzeng Lue, Shean-Jyeh Mu, In-Chin Wu Ellipsometry and structure studies of chromium, molybdenum and platinum silicides // Phys. Rev. B. -1987. V. 36. - N. 3. - P. 1657-1661.

72. Ferrieu F., Viguier C., Cros A., Humbert A., Thomas O., Madar R., Senateur J.P. Optical properties of WSi2 and MoSi2 single crystals as measured by spectroscopic ellipsometry and reflectometry // Solid State Commun. — 1987. V. 62. - N. 7. - P. 455-459.

73. Hong-Wen Chen and Juh-Tzeng Lue Ellipsometry measurements of nickel silicides IIS. Appl. Phys. 1986. -V. 59. -N. 6. -P. 2165-2167.

74. Antonov V.N., Kudryavtsev Yu.V., Makogon Yu.N., Nemoshkalenko V.V., Perlov A.Ya., Silakova T.T. Experimental and theoretical study of the optical properties of crystalline and amorphous TiSi2 films // Low Temp. Phys. 1997. - V. 23. - N. - P. 241-246.

75. Lasjaunias C., Saint-Paul M., Laborde O., Thomas O., Senateur J. P. and Madar R. Low-temperature specific heat of MoSi2 // Phys. Rev. B. — 1988. — 37.-N. 17.-P. 10364-10366.

76. Nava F., Mazzega E., Michelini M., Laborde O., Thomas O, Senateur J.P., Madar R. Analysis of the electrical resistivity of Ti, Mo, Та, and W monocrystalline disilicides // J. Appl. Phys. 1989. - V. 65. - N. 4. - P. 1584-1590.

77. Laborde, A. Sulpice, U. Gottlieb and Madar R. Magnetic susceptibility of semiconducting ReSii.75 // Solid State Communication. — 1996. V. 97. - N. 5.-P. 323-327.

78. Gottlieb U., Affronte M., Nava F., Laborde O., Sulpice A. and Madar R. Some physical properties of ReSii>75 single crystal // Appl. Surf. Sci. 1995. -V.91.-P. 82-86.

79. Badoz P.A., Briggs A., Rosencher E., Arnaud d'Avitaya F., d'Anterroches C. Low-temperature transport properties of ultra thin CoSi2 epitaxial films // Appl. Phys. Lett. 1987. - V. 51. - N. 3. - P. 169-171.

80. Krontiras Ch., Salmi J., Gronberg L., Suni I., Heleskivi J., Rissanen A. Measurements on the electrical transport properties in CoSi2 and NiSi2 formed by thin film reactions // Thin Solid Films. 1985. - V. 125. -N. 1-2. - P. 93-99.

81. Machizuki Т., Shibata K., Inoue Т., Ohuchi K. Resistivities of transition metal silicides // Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 1978. - V. 17. - N. 1. - P. 37-.

82. Crowder B.L, Zirinsky S. Measurements on the electrical transport properties of transition metal silicides // J. Solid State Cir. — 1979. sc-14. — P. 291-295.

83. Crow T.P., Steckl A.J. Technical Digest. New York: IEEE, 1979.

84. Saraswat K.C. Technical Digest. New York.: IEEE, 1979.

85. Murarka S.P., Read M.H., Doherty C.J., Fraser D.B. Resistivities of thinfilm transition metal silicides // J. Electrochem. Soc.: Electrochemical science and technology. 1982. -V. 129. - N. 2. - P. 295-301.

86. Ivanenko L., Shaposhnokov V.L., Filonov A.B., Migas D.B., Behr G., Schumann J., Vinzelberg H., Borisenko V.E. Transport properties of semiconducting rhenium silicide // Microelectronic Engineering. — 2002. — V. 64. -P. 225-232.

87. Burkov A T, Heinrich A, Gladun C, Pitschke W and Schumann J Effect of interphase boundaries on resistivity and thermopower of nanocrystalline Re-Si thin film composites // Phys. Rev. B. 1998. - V. 58. - N. 15. - P. 96449647.

88. Kroniras C., Gronbero L., Suni I., D'Heurle F. M., Tersoff Т., Engstrom I., Karlsson B. and Petersson C. S. Some properties of ReSi2 // Thin Solid Films. 1988.-V. 161.-P. 197-206.

89. Siegrist T, Hulliger F and Travaglini G. The crystal structure and some properties of rhenium silicide (ReSi2) // J. Less-Common. Met. 1983. - V. 92.-N. l.-P. 119-129.

90. Itoh S., Fujiwara T. Surface electronic structure of CI lb WSi21 I Phys. Rev. В. V. 45. - N. 7. - P. 3685-3693.

91. Mattheiss L.F. Calculated structural properties of CrSi2, MoSi2 and WSi2 // Phys. Rev. B. 1992. - V. 45. - N. 7. - P. 3252-3259.

92. Goldschmidt H.J. Interstitial Compounds. New York, 1967.

93. Zachariasen W. Calculated structural properties of transition metal silicides // Z. Phys. Chem. (Leipzig). 1927. -V. -128. - P. 39^3.

94. Nicolet M.-A., Lau S.S. VLSI Electronics: Microstructure Science edited by N.G. Einspruch, G.B. Larrabee. New York: Academic. — 1983.-V. 6.-P. 329-335.

95. Gottlieb U., Lambert-Andron В., Nava F., Affronte M., Laborde O., Rouault A., Madar R. Structural and electronic transport properties of ReSi2.x single crystals // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78. - P. 3902-3907.

96. Bylander D.M., Kleinmann L., Mednick K. Self-consistent energy bands and bonding of Ni3Si // Phys. Rev. B. 1982. - V. 25. - N. 2. - P. 1090-1095.

97. Bylander D.M., Kleinmann L., Mednick K. Grise W.R. Self-consistent energy bands and bonding of NiSi2 // Phys. Rev. B. 1982. - V. 26.-N. 12.-P. 6379-6383.

98. Shoenberg D. Magnetic oscillations in metals. Cambridge: Cambridge Ф University Press, 1984.

99. Andersen O.K., Jepsen O. Explicit, First-Principles Tight-Binding Theory // Phys. Rev. Lett. 1984. - V. 53. - N. 27. - P. 2571-2574.

100. Weijs P.J., Wiech G., Zachorovski W., Speier W., Goedkoop J.B., Czyzyk M., van Acker J.F., van Leuken E., de Groot R.A., Van der Laan G., Sarma D.D., Kumar L., Buschow K.H.J., Fuggle J.C. //Phys. Scripta. -1990.-V. 41.-P. 629-635.

101. Yarmoshenko Yu.M., Shamin S.N., Elochina L.V., Dolgih V.E., Kurmaev E.Z. Valence band spectra of 4d and 5d silicides // J. Phys.: Condens. Matter. 1997. - V. 9. - N. 43. - P. 9403-9414.

102. Yamauchi S., Kawamoto S., Hirai M. Valence-band density of states of near-noble-metal (Ni,Pd,Pt) monosilicides by using soft-x-ray-emission spectroscopy// Phys. Rev.B. -1994. V. 50. -N. 16. - P. 11564-16569.

103. Nestell J.E., Christy R.W. Optical conductivity of bcc transition metals: V, Nb, Та, Cr, Mo, W // Phys. Rev. B. 1980. - V. 21. - N. 8. - P. 3173-3179.

104. Lynch D.W., Hunter W.R. Optical properties of transition metal silicides / Handbook of optical constants of solids edited by E.D. Palik. -New York.: Academic, 1985.

105. Filonov A.B., Migas D.B., Shaposhnikov V.L., Dorozhkin N.N., Borisenko V.E., Lange H., Heinrich A. Electronic properties of semiconducting rhenium silicide // Europhys. Lett. 1999. - V. 46. - P. 376-381.

106. Migas D.B., Miglio L., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. Structural, electronic and optical properties of isostructural Ru2Si3, Ru2Ge3,

107. Os2Si3 and Os2Ge3 // Phys. Status Solidi. b.- 2002. V. 231. - P. 171-180.

108. Migas D.B., Miglio L., Henrion W., Rebien M., Marabelli F., Cook B.A., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. Electronic and optical properties of isostructural p-FeSi2 and OsSi2 // Phys. Rev. B. 2001. - V. 64. - N. 7. -P. 075208-075215.

109. Шаскольская М.П. Кристаллография: Учебное пособие для втузов. 2-ое изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1984. —376 с.

110. Harry M.A., Curello G., Finney M.S., Reeson K.J., Sealy B.J. Structural properties of ion beam synthesized iron-cobalt silicide // J. Phys. D: Appl. Phys. 1996. - V. 29. - P. 1822-1830.

111. Vosko S.N., Wilk L., Nusair M. Accurate spin-dependent electron liquid correlation energies for local spin density calculations // Can. J. Phys.- 1980.-V. 58.-N. 8.-P. 1200-1211.

112. Koelling D.D., Arbman G.O. Use of energy derivative of the radial solution in an augmented plane wave method: application to copper // J. Phys. F. 1975. - V. 5. - N 11. - P. 2041-2054.

113. Krakauer H., Posternak M., Freeman A.J. Linearized augmented plane- wave method for the electronic band structure of thin films // Phys. Rev. B.- 1979.-V. 19.-N. 4.-P. 1706-1719.

114. MacDonald A.H., Pickett W.E., Koelling D.D. A linearised relativistic augmented-plane-wave method utilising approximate pure spin basis functions // J. Phys. C. 1980. - V. 13. - N. 14. - P. 2675-2683.

115. Курганский С.И., Переславцева H.C. Строение валентной зоны FeSi2-1. Плотность состояний и стабильность фаз // Конденсированные среды и межфазные границы. 2001. - Т. 3. -N. 3. - С. 251-256.

116. Курганский С.И., Переславцева Н.С. Структура валентной зоны пленок дисилицидов никеля и кобальта // Перспективные материалы. — 2000.-№5.-С. 38-45.

117. Animalu А О Е 1977 Intermediate Quantum Theory of Ciystalline Solids (New Jersey, Englewood Cliffs: Prentice-Hall) 574 p.

118. Heine V, Cohen M L and Weaire D 1970 The Pseudopotential Concept (New York London: Academic Press) 557 p.

119. Регель A.P., Глазов B.M. Периодический закон и физические свойства электронных сплавов. М.: Мир, 1978. - С. 51-68.

120. Займан Дж. Принципы теории твердого тела под ред. В. Л. Бонч-Бруевича.-М.: Мир, 1966.-416 с.

121. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979. -Т. 1.

122. Kurganskii S.I., Kharchenko M.A., Dubrovskii O.I., Bugakov A.M., Domashevskaya E.P. Theoretical X-ray emission study of high-Tc superconductor YBa2Cu307 thin films // Phys. Stat. Sol. (b). 1994. - V. 185.-N. 1.-P. 179-187.

123. Лихачев E.P., Курганский С.И. Вычисление распределения интенсивности фотоэлектронных спектров. Пленка (001) меди // Известия РАН. Серия физическая. 1997. - Т. 61, № 5. - С. 996-1001.

124. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А., Нордберг Р., Хамрин К., Хедман Я., Йоханссон Г., Бергмарк Т., Карлссон С., Линдгрен И., Линдберг Б. Электронная спектроскопия. Под ред. И.Б. Бобровского. — М., Мир. 1971.-493 с.

125. М.А. Блохин, И.Г. Швейцер. Рентгеноспектральный справочник. Наука. М. (1982), 376 с.

126. Kurganskii S. I., Pereslavtseva N. S., Levitskaya (Babushkina) E. V., Yurakov Yu. A., Rudneva I. G., Domashevskaya E. P. Electronic structure of rhenium disilicides // J. Phys.: Condens. Matter 2002. - N. 14. - P. 6833-6839.

127. Ehrenreich H., Cohen M. H. Self-Consistent Field Approach to the Many-Electron Problem // Phys. Rev. 1959. - V. 115. - N. 4. - P. 786790.

128. Березин И.С., Жидков Н.П. Методы вычислений. Т. I. — М.: Изд-во физико-математической литературы, 1962. - 632 е.; Т. 2. - М.: Изд-во физико-математической литературы, 1962. - 620 с.