Электронная эмиссия в примесных и радиационно-поврежденных кристаллах триглицинсульфата тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Плаксицкий, Андрей Борисович

• Плаксицкий, Андрей Борисович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Плаксицкий, Андрей Борисович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Влияние дефектов на свойства сегнетоэлектриков.

1.2. Взаимодействие рентгеновского излучения с веществом.

1.3. Электронная эмиссия сегнетоэлектрических материалов.

ГЛАВА 2. ЭМИССИЯ ЭЛЕКТРОНОВ С ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ

ТГС С РАЗНОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРОЙ 2.1. Методика измерений и описание экспериментальной установки.

2.2. Эмиссия электронов с поверхности кристаллов ТГС с разной доменной структурой.

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ

3.1. Свойства кристаллов ТГС, выращенных из затравки облученной а-частицами.

3.2. Электронная эмиссия кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами.

3.3. Кинетика термостимулированной эмиссии электронов из облученных кристаллов ТГС.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронная эмиссия в примесных и радиационно-поврежденных кристаллах триглицинсульфата»

Актуальность темы. Среди многообразия методов изучения электрических свойств различных материалов важное место занимает эмиссия электронов. Изучение закономерностей электронной эмиссии позволяет исследовать и давать объективную оценку процессам, протекающим на поверхности исследуемых материалов. Высокая чувствительность данного метода открывает широкие практические возможности неразрушающего контроля поверхности различных материалов и возможность использования их в качестве холодных катодов, а так же позволяет решать фундаментальные задачи физики низкоразмерных систем.

В последние годы одними из наиболее перспективных материалов в эмиссионной электронике стали сегнетоэлектрики. Высокие значения эмиссионного тока, кинетическая энергия эмитируемых электронов доказывают их конкурентоспособность с общепринятыми импульсными источниками электронов и хорошие перспективы использования в различных устройствах микроэлектроники.

К моменту выполнения настоящей работы целый ряд вопросов в изучении эмиссии электронов из сегнетоэлектриков оставался нерешенным. Несмотря на наличие, достаточно большого числа гипотез, предложенных для объяснения эмиссионных процессов в указанных материалах, оставалось еще немало вопросов, которые нуждались в проведении дополнительных исследований, например влияния доменной структуры.

Доменная структура во многом определяется наличием дефектов, всегда имеющихся в номинально чистом кристалле, вводимыми в кристалл в процессе роста, а так же возникающими вследствие радиационных воздействий.

Повлиять на дефектную, а, значит, и доменную структуру можно путем термического отжига, при котором, как известно, происходит измельчение доменной структуры.

В связи с этим представляется важным и перспективным исследование влияния доменной структуры на эмиссионные свойства сегнетоэлектрических материалов.

В качестве объекта исследований в настоящей работе использовались кристаллы триглицинсульфата (ТГС) номинально чистого, легированного примесями ионов хрома, европия, кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами, а также кристаллы ТГС, выращенные из затравки, облученной альфа-частицами. Все исследуемые кристаллы были выращены методом понижения температуры насыщения раствора в сегнетоэлектрической фазе. Выбор в качестве основного материала исследований кристалла ТГС обусловлен хорошей изученностью свойств данного сегнетоэлектрика, облегчающей проведение и интерпретацию данных экспериментальных исследований.

Цель и задачи исследования Целью настоящей работы является исследование закономерностей и особенностей эмиссии электронов из кристаллов ТГС с дефектами различной природы.

Исходя из поставленной цели, основными задачами исследования являются:

1. Изучение влияния доменной структуры на эмииссию электронов из кристаллов ТГС, как номинально чистых, так и примесных.

2. Изучение закономерностей формирования униполярности в кристалле ТГС, выращенном из затравки, облученной а-частицами.

3. Экспериментальное исследование связи эмиссионных свойств и диэлектрической нелинейности кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами.

4. Исследование кинетики электронной эмиссии, облученных кристаллов ТГС.

Научная новизна Все основные результаты работы являются новыми.

В работе впервые:

- исследовано влияние доменной структуры на эмиссию электронов.

- установлены ростовые закономерности формирования униполярности в кристалле ТГС, выращенном из затравки, облученной а-частицами.

- исследована связь между диэлектрической нелинейностью и эмиссионными свойствами кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами

- проведены исследования кинетики эмиссии, облученных кристаллов

ТГС.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Эмиссия электронов из сегнетоэлектриков зависит от состояния доменной структуры, существенное влияние на которое оказывает не только введение дефектов при легировании или облучении сегнетоэлектрического образца, но и параметры его температурного отжига.

2. Облучение а-частицами затравок, из которых выращивается кристалл ТГС, является эффективным способом создания униполярного состояния и, как следствие, управления величиной эмиссионного тока в выращиваемом материале.

3. Облучение рентгеновскими лучами кристаллов ТГС приводит к росту дефектности образцов и соответствующему уменьшению эмиссионного тока вплоть до исчезновения.

4. Облучение кристаллов ТГС рентгеновскими лучами приводит к уменьшению температурного интервала существования эмиссии, который расширяется с увеличением скорости нагрева.

Научная и практическая значимость работы.

Полученные результаты позволяют контролировать состояние доменной структуры сегнетоэлектрического кристалла путем создания в нем нужного числа дефектов в процессе роста, отжига и радиационного воздействия, и, следовательно, контролировать связанную с ним величину эмиссионного сигнала.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Плаксицкий, Андрей Борисович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

По результатам проведенных исследований можно сделать следующие выводы.

1. Величина тока термостимулированной эмиссии зависит от числа доменных стенок: для неуниполярных образцов с большим числом доменных стенок эмиссия электронов очень мала или совсем отсутствует независимо от того, получена такая доменная структура введением в кристалл ионов различных примесей при росте, или предварительным отжигом как выше, так и ниже точки Кюри.

2. Облучение затравки, из которой выращивается кристалл триглицинсульфата, альфа-частицами приводит к формированию униполярного состояния в выращенных кристаллах за счет наследования искаженной структуры в растущем материале. Параметры эмиссионного спектра существенно зависят от величины и знака униполярности, возникающей в процессе роста.

3. Увеличение дозы облучения кристалла ТГС рентгеновскими лучами, увеличивает степень дефектности кристалла, затрудняет процессы перестройки доменной структуры и, как следствие, приводит к уменьшению плотности эмиссионного тока вплоть до исчезновения.

4. Температурный интервал существования эмиссии в облученных кристаллах ТГС уменьшается с ростом энергии рентгеновских лучей и расширяется с ростом скорости нагрева, что связано с увеличением степени дефектности и электропроводности облученного материала. Даже при высоких скоростях нагрева значения тока эмиссии в облученных материалах продолжают оставаться меньшими, по сравнению с необлученным кристаллом ТГС.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Плаксицкий, Андрей Борисович, 2006 год

1. Ф.Иона Сегнетоэлектрические кристаллы / Иона Ф. Ширане Д.: М. Мир, 1965, 555с.

2. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков / И.С. Желудев -М. Наука, 1968,463 с.

3. Струков Б.А. Сегнетоэлектричество / Б.А Струков М. Наука, 1979, 96с.

4. Рудяк В.М. Сегнетоэлектрические кристаллы / В.М. Рудяк Калинин, 1980, 89с.

5. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс А. Гласс М.Мир, 1981,736 с.

6. Investigations of domain structure and switching processes in ferroelectrics by the liquid crystal method // Dontzova L.I., et al. Ferroelectrics-1989-vol.97-p.p.87-124.

7. Сидоркин A.C. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах/ А.С. Сидоркин -М. Физматлит, 2000, 239с.

8. Bye K.L. Keve E.T.Ferroelectrics//1972- №4 р87.

9. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках/ Е.В. Пешиков Ташкент, «ФАН» Узбекской ССР, 1986г, 176с.

10. Радиационно-электрические процессы в твердых диэлектрических материалах при воздействии ионизирующего излучения// В.В. Громов Итоги н. и тех. -Сер. Хим.тв.т.- т.7-1990.

11. Лазарев А.П., Деполяризующее поле включения конечных размеров в сегнетоэлектрике. / А.П.Лазарев, В.Н. Федосов // Кристаллография 1984 -т.29-в.6 -С. 1182-1184.

12. Шпольский Э.В. Атомная физика. / Э.В. Шпольский М. Наука, 1974.

13. С.В.Стародубцев. Полн. собр. соч., t.IV. Радиационная физика. Ташкент, 1971.

14. Будылин Б.В., Действие излучений на ионные структуры. /Будылин Б.В., Воробьев А.А. М.: Госатомиздат. 1962, 167с.

15. Волк Т.Р., Влияние рентгеновского и гамма- облучения на акустические характеристики кристаллов ТГС в области фазового перехода/ Т.Р.Волк, Рахимов.//ФТТ 1985 - т.27 - вып.12.

16. Донцова Л.И., Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата / Л.И Донцова., Н.А Тихомирова., А.В. Гинзбург // ФТТ 1988 - т.30 - №9- С.2692-2697.80

17. Розенман Г.И. Экзоэмиссия легированного ТГС. / Г.И. Розенман и др.//ФТТ 1980.- Т.22.-№11 .-С.3488-3490.

18. Розенман Г.И. Экзоэмиссия и электретный эффект в кристаллах ниобата лития. /Г.И. Розенман и др // ЖТФ.- 1982.- Т.52.-№9.-с. 1890-1892.

19. Бойкова Е.И., Розенман Г.И.Фотоэмиссионные исследования "собственного" эффекта поля в ниобате лития. //ФТТ,- 1978 Т.20.-№11.-с.3425-3427.

20. Розенман Г.И., Униполярная эмиссия Малтера в условиях пироэлектрического эффекта в LiNbC^Fe. / Г.И. Розенман Е.И., //ФТТ-1919.- Т.21в.6.- с.1888-1891.

21. Кортов B.C., Термостимулированная электронная эмиссия ниобата лития. / B.C. Кортов, К.К.Шварц, А.Ф.Зацепин и др. //ФТТ 1979.- Т.21. - В.6. -С. 1897-1899.

22. Розенман Г.И., Печерский В.И. Экзоэмиссия при поперечном пьезоэффекте в ниобате лития. / Г.И Розенман., В.И.Печерский. //Письма в ЖТФ.-1980-Т.6.-в.24- с. 1531-1534.

23. Розенман Г.И., Печерский В.И., Рез И.С. Экзоэлектронная эмиссия при одностной деформации ШЬ03.//Письма в ЖТФ.-1981-Т. 23.-№12.- с.3714-3716.

24. Кортов B.C. Спонтанная электронная эмиссия монокристаллов LiNbC>3 с различной доменной структурой В.С, Кортов А.Ф.Зацепин

25. A.И.Гаприндашвили и др.//ЖТФ.-1980.-том 50,-в. 9.-е. 1934-1938.

26. Стригущенко И.В. Температурная работа выхода ниобата лития /И.В.Стригущенко.//ЖТФ- 1981.-том 51.-в. 1.-е. 199-200.

27. Розенман Г.И. Фотоиндуцированная экзоэмиссия ниобата лития Г.И.Розенман.//ФТТ. 1988-том 30.-в.8.-с.2323-2327.

28. Стригущенко И.В., Некоторые особенности термоэлектронной эмиссии ниобата лития/ И.В.Стригущенко и др.//Письма в ЖТФ.-1977.-том 3-в. 8-с.357-360.

29. Рисин В.Е., Влияние радиационных дефектов на экзоэлектронную эмиссию с ниобата лития. /В.Е. Рисин и др. //ФТТ.-1988-том 30- №8-с.2544-2546.

30. Розенман Г.И., Бойкова Е.И. Ориентационная зависимость экзоэлектронной эмиссии при фазовых переходах в титанате бария Г.И., Розенман, Е.И. Бойкова //ФТТ.- 1978 Т.20 - в.8 - с.2498-2500.

31. Розенман Г.И., Анизотропная эмиссия экзоэлектронов в титанате бария в области фазовых переходов. /Розенман Г.И.и др. //Письма в ЖЭТФ.- 1978-Т.27.- в.5 С.271-274.

32. Рудковский В.Н., Доменная структура и роль поверхностных состояний при термостимулированной экзоэлектронной эмиссии ВаТЮ3./ Рудковский

33. B.Н. и др,//Изв. АН СССР.сер.физ.-1990.-№6- с.1184-1187.

34. Бойкова Е.И. Фазонная модель механизма экзоэмиссии при фазовом переходе в титанате бария / Бойкова Е.И. и др.//ФТТ.-1980.-том 22-в. 8-с.2507-2508.

35. Рез И.С., Эмиссия высокоэнергетических электронов при пироэффекте в танталате лития. / И.С. Рез и др. //Письма в ЖТФ- 1979- Т.5.- в22 с.1352— 1354.

36. Розенман Г.И., Экзоэмисссия пироэлектрика LiTa03/ Г.И. Розенман и др. //ФТТ.- 1980.- Т.22-в. 11.- с.3466-3469.

37. Розенман Г.И,,. Экзоэмисссия дефектной поверхности танталата лития /Г.И.Розенман и др. //ЖТФ.- 1981.-Т.51.- в.2.- с.404-408.

38. Rosenman G.I., Electron emission during the switching of ferroelectrics lead-germanate /G.I. Rosenman et al.// JETP Lett.-1984- vol.39- p.477.

39. Gundel H. Fast polarization changes in ferroelectrics and their application in accelerators / Gundel H.et al.// Nucl.Instrum.Methods Phys.-Res. A -1989- vol.280 -p.l.

40. Gundel H., Riege H., Handerek J., Zioutas K. Low-pressure hollow cathode switch triggered by a pulsed 54 N21.-pp.207 l-2073electron beam emitted from ferroelectrics. //Appl. Phys. Lett - 1989.-V.54.-N21.-pp.2071-207.

41. Biedrzycki K. New Aspects of Electron Emission from Virgin TGS Single Crytals / Biedrzycki K. //Phys.Stat.Sol. A.- 1986.- v.93.- pp.503-508.

42. Biedrzycki K. and Kosturek B. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Well-Defined Initial Domain Structure./ Biedrzycki K. and Kosturek B. //Phys.Stat.Sol. A 1987.-v.l00.-pp.327-330.

43. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Well-Defined Initial Macroscopic Polarization. / Biedrzycki K. //Phys.Stat.Sol. A.- 1990,- v. 117.-pp.313-31

44. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals Excited by AC Electric Field. / Biedrzycki K. //Phys.Stat.Sol. A.- 1988.- v.l09.-pp.K79-K83.

45. Biedrzycki K., Le Bihan R. Electron emission from ferroelectrics / Biedrzycki K., Le Bihan R. .//Ferroelectrics.- 1992.- V.126.- P.253-261.

46. Biedrzycki K. Electron Emission of Ferroelectrics Induced by AC Electric Field in the Vicinity of the Phase Transition Temperature. / Biedrzycki K. //Ferroelectrics.- 1997.- V.192.-pp. 269-277.

47. Biedrzycki K.Pulsed TGS-based electron and ion emitter K.Biedrzycki //Phys. Status solidi. A.- 1998.-T.165.-Nl.-CTp.283-293.

48. Biedrzycki K., Markowski L. Vacuum emission of electrons from (РЬ,Са)ТЮз thin films. /Biedrzycki K., Markowski L. //Solid State Commun 1998 -т. 107-N8.-стр.391-393.

49. Айрапетов А.Ш., Измерение эмиссионного тока при переключении направления поляризации сегнетоэлектрика. А.Ш., Айрапетов и др. //Письма- в ЖТФ.-т. 16.-№5.-с.46-49.

50. Айрапетов А.Ш., Импульсная экзоэмиссия электронов при неполной переполяризации сегнетоэлектрика. А.Ш., Айрапетов и др. //Докл.АН СССР.- 1990 т.311 .-№3 .-с.594-596.

51. Ivanchik I.I. On Electron Emission Under Destabilization of Ferroelectric with a Short High-Voltage Pulse. / I.I. Ivanchik //Ferroelectrics.-1990.-v.l 11.-pp. 147153.

52. Mesyats G.A. Physics of electron emission from ferroelectric cathodes. /

53. Mesyats G.A. //SPIE.- 1994.-Vol. 2259.-pp.419-422.

54. Okuyama M. and Kuratani Y. Electron emission from ferroelectric ceramic thin plate by pulsed electric field. / Okuyama M. and Kuratani Y. // J.Korean Ph.Society- 1996.-v.29.-pp.S607- S611.

55. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Electron emission from PZT ceramic and supression of fatigue by PZT thin film coating./ Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. // J.Korean Ph.Society.-1998 v.32.- S1629-S1631.

56. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Improvement of Field-Induced Eletron Emission Using Ir or 1Ю2 Electrode and Ferroelectric Film Coating./ Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998.-Vol.37.-Part l.-No. 9B.-pp.5421-5423.

57. Okuyama M., Asano J. and Hamakawa Y. Electron emission from lead-zirconate- titanate ferroelectric ceramic induced by pulse electric field./ M.Okuyama, J.Asano and Y. Hamakawa // Jpn.J.Appl Phys.- 1994,- part 1-N9B- v.33 pp.5506-5509.

58. Kuratani Y., Field-excited electroemission from (l-y)Pb(Mgl/3Nb2/3)03-yPbTi03 ceramic. К Y.uratani, et al. // Jpn.J.Appl Phys 1996.- part 1- N9B-v.35.-pp.5185-5187.

59. Kuratani Y., Enhancement of Field-Excited Electron Emission from Lead-Zirconate-Titanate Ceramic Using Ultrathin Metal Electrode/ Y. Kuratani //Jpn. J. Appl. Phys.- 1995,- Part l.-No. 9B.-Vol.34.-pp.5471- 5474.

60. Gundel H., Electric field-excited electron emission from PLZT-x/65/35 ceramics H.Gundel // Ferroelectrics.-1990.-vl 10(Pt. B).- pp. 183-192.

61. Gundel H. High-intense pulsed electron emission by fast polarization changes inferroelectrics. H. Gundel//Ferroelectrics- 1996-Vol. 184-pp. 89-98. .

62. Weiming Z., Electron Energy Distributions Of Ferroelectric Emission From Plzt8/65/35./ Z Weiming et al. //Ferroelectrics.- 1998.-vl95.- pp.103-109.

63. Poprawski R. and Kolarz A. Thermally stimulated light emission from the linear pyroelectric and ferroelectric surfaces. /R. Poprawski and A. Kolarz // J.Phys.Chem.Solids.-1989.-v.50.-N7.-pp.693-701.

64. Riege H. Ferroelectric electron emission: Principles and technology / H. Riege //Appl. Surface Science 1997.-v.111.- pp.318-324.

65. Riege H.; Features and technology of ferroelectric electron emission. /Riege H.;//J. Appl. Phys.- 1998 V. 84- Issue 3, August 01.- pp. 1602-1617.

66. Benedek, G. Displacement and emission currents from PLZT 8/65/35 and 4/95/5 excited by a negative voltage pulse at the rear electrode / G. Benedek, et al. //Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A.-1997-v393.-Nl.-pp.3-8.

67. Geissler, K., Femtosecond laser-induced electron emission from ferroelectrics. /K.Geissler // Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A-1996. .-N3-pp.A 372-376.

68. Benedek G., Electron emission from ferroelectric antiferroelectic cathodes excided by short high-voltage pulses/ G. Benedek et al. //J. Appl. Phys. 3 - 1997— t.8 1.- pp. 1396-1403.

69. Wang, J.T. Theoretical model for electron emission from the coating-layer on the ferroelectric disk. / J.T.Wang, et al. //Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A.-1997.-v387.-N3.-pp.l25-130.

70. Sampayan, S. E., Emission from ferroelectric cathodes /S.E. Sampayan et а1.//тезисы NASA Technical Reports Report Number: DE94-006732 .- 1993-pp.50-55.

71. Sampayan S., Emission, plasma formation, and brightness of a PZT ferroelectric cathode. / S. Sampayan et al.// NASA Technical Reports, Report Number: DE95-015411.-1995.

72. Рабкин Л.М., Исследование некоторых характеристик электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрика типа PLZT. /Л.М Рабкин. И др.// Письма в ЖТФ.- 1998.- том 24,- выпуск 23.-С. 19-22.

73. Рабкин Л.М. Энергия электронов при экзоэлектронной эмиссии из сегнетоэлектрика. / Л.М. Рабкин, В.Н. Иванов //Письма в ЖТФ 1998- том 24-выпуск 14.-С.54-57.

74. Rosenman G. Electron emission from feroelectric materials. /G. Rosenman and I. Rez //J.Appl.Phys.-1993.-v.73.-N4.-P.1904-1908.

75. Rosenman G.I., Emission of Electrons on Switching of the Gd2(Mo04)3 Ferroelectric-Ferroelastic in Electric Field / G.I. Rosenman et al. //Appl. Phys. Lett.- 1990.-V. 56.-N.7.-P. 689-691.

76. Rosenman G.; Ferroelectric electron emission flat panel display. / G Rosenman //J.Appl.Phys.- 1996.-Issue 9,May 1-V.79- pp. 7401-7403.

77. Shur D. And Rosenman G. A high-perveance ferroelectric cathode with a narrowed electron energy spread. /D. Shur And G. Rosenman // J. Phys. D: Appl. Phys.-7 June 1998-No 11.-P.135-141.

78. Shur D. And Rosenman G. Two modes of plasma-assisted electron emission from ferroelectric ceramics. //J. Phys. D: Appl. Phys 1999.-32 - No 6 - L29-L33.

79. Kugel V. D.; Rosenman G.; Shur D.; Krasik YA.E. Copious electron emission from triglycine sulfate ferroelectric crystals. //J.Appl.Phys- 1995-V.78 pp. 2248-2252.

80. Shannon D. N. Dual mode electron emission from ferroelectric ceramics. / D. N. Shannon // Applied Physics Letters.- 1997 Volume 70 - P. 1625-1627.

81. Gundel H., Time-dependent electron emission from ferroelectrics by eternal pulsed electric fields. / H.Gundel et al. //JAppl. Phys 1991- v.69(2).- P.975-982.

82. Sidorkin A.S., Exoelectron Emission From Ferroelectric Surfase In Alternating Electric Field. /A.S.Sidorkin et al. // Ferroelectrics.- 1993.- V.143.- P.209-213.

83. Sidorkin A.S., Electron emission from ferroelectric plate stimulated by switching./ A.S.Sidorkin, B.M Darinskii //Appl.Surface Science- 1997.—N111 — c.325-328.

84. Sidorkin A.S., Electron emission Stimulated by Switching of Ferroelectrics./ A.S. Sidorkin et al. //Journal of the Korean Physical Society. 1998. - v.32. - pp. S793-S795.

85. Сидоркин, А.С. Эмиссия электронов из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития./ А.С.Сидоркин и др. // Физика твердого тела. 1996. -т.38. - в.2. - с.624-629.

86. Иванов В.Н., Рабкин J1.M. Переключаемая часть поляризации сегнетокерамики при импульсной эмиссии электронов / В.Н., Иванов J1.M Рабкин.//ЖТФ.-2000:-том 70,- в. 12.-С.43-46.

87. Павлов А., Эмиссия электронов при импульсной переполяризации сегнетокерамики./ А. Павлов и др.// ЖТФ.-1999.-том 69 B.7.-C.49-52.

88. Asano J., Field-Excited Electron Emission from Ferroelectric Ceramic in Vacuum. /J.Asano et al. //Jpn. J. Appl. Phys.-1992.-Vol. 31.- P.3098-3101.

89. Сидоркин A.C., Кинетика экзоэлектронной эмиссии кристалла триглицинсульфата./ А.С. Сидоркин и др. // ФТТ- 1985- Т.27.-№7-С.2200-2203.

90. Колесников В.В., Особенности динамики 180°-х доменов в сегнетоэлектрике в процессах переключения поляризации и эмиссии электронов/ В.В.Колесников. и др.// ФТТ.-2000.-том 42.-№ 1.-е. 141- 146.

91. Томашпольский Ю.Я., Экзоэлектронная эмиссия сегнетоэлектрических* пленок /Томашпольский Ю.Я. и др.// ФТТ.- 1978.- Т.20 №11.-С.3491-3492.

92. Минакова Е.В., Особенности эмиссии электронов с ювенильной поверхнолсти скола полярного кристалла сегнетоэлектрика триглицинсульфата. / Минакова Е.В., //Поверхность - 1986 - Т.7.- С.135-136.

93. Сидоркин А.С., Экзоэлектронная эмиссия в сегнетоэлектрическом кристалле триглицинсульфата с дефектами. /А.С. Сидоркин., A.M. , Косцов //ФТТ.- 1991.- Т.ЗЗ.-№8- С.2458-2459.

94. Косцов A.M., Экзоэлектронная эмиссия из поверхностных состояний в сегнетоэлектрике. /A.M. Косцов и др. // ФТТ 1982.- Т.24.-№11.- С. 34363438.

95. Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в кристаллах триглицинсульфата, связанная с изменением состояния доменной структуры: автореф. Дис.канд.физ.- мат.наук./ A.M. Косцов Воронеж, 1990.

96. Розенман Г.И., Электронный эмиттер с регулируемым энергетическим спектром на основе сегнетоэлектрика / Г.И. Розенман //Радиотехника и электроника.- 1987,- Т.32.- в.9.- С.1997-1999.

97. Сидоркин А.С. Внутренняя холодная эмиссия при переполяризации сегнетоэлектрика. /А.С. Сидоркин // ФТТ-1982 Т.24.-№5.-С. 1542-1544.

98. Шихалиев П.М. О механизме усиленной полем самоподдерживающейся вторичной электронной эмиссии в пористых диэлектриках / П.М. Шихалиев // Писма в ЖТФ.-1998.-т.24.-№ 19.-С. 13-18.

99. Новик В.К. О механизме стабилизации лигандами (L, а аланин и L, а1. Л Iаланин + Сг ) полярного состояния ТГС В.К. Новик// Кристаллография .1983.- т.28- В.6.- С. 1165-1171.

100. Сидоркин А.С., Пономарёва Н.Ю., Миловидова С.Д. Электронная эмиссия в сегнетоэлектриках с различной величиной коэрцитивного поля. /. А.С.Сидоркин, Н.Ю.Пономарёва, С.Д. Миловидова // ФТТ. -1999.- том 41, вып. 9.- С. 1675-1678

101. Кортов B.C., Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки./ В.С.Кортов и др.- Киев: Наук, думка, 1986 176с.

102. Sujak В., Exoemission exitation of ferroelectrics in vacuum by alternating voltage. / B.Sujak, K. Biedrzycki //Jap.J.Appl.Phys-1985.- V.24.-Suppl.224.-P.81-82.

103. Sidorkin A.S. Exoelectron Emission From Ferroelectric Surfase In Alternating Electric Field. /A.S.Sidorkin et al.|//Ferroroelectrics 1993.- V.143-P.209-213

104. Сидоркин,А.А. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью /А.А. Сидоркин. и др.//ФТТ- 2002 т.44- в. 2- С.344-345.

105. Сидоркин А.А. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла ТГС с примесью хрома. /А.А. Сидоркин и др. // ФТТ 2003 - т.45- в.5- с.892-895.

106. Sidorkin A. A. Thermostimulated Electron Emission in Paraelectric Phase of TGS Crystals with Nickel Admixture/ A. A. Sidorkin et al. // Ferroelectrics-2004 V.302 - P.257-262

107. Козаков А.Т., Колесников В.В., Никольский А.В., Новиков И.В., Панченко Е.М, Емельянов С.М. Аномалии возбужденной мягким рентгеновским излучением эмиссии из магнониобата свинца /А.Т. Козаков // ФТТ 1996 - т.28 - №8 -с.2524-2636

108. Козаков А.Т. Аномальная электронная эмиссия из монокристаллов ниобата и танталата лития. /Козаков А.Т. и др.- ФТТ-1997- т.39- №4 с.679-682.

109. Никольский А.В., Козаков А.Т. Спектры аномальной электронной эмиссии и поляризационные явления в монокристалле магнониобата свинца./ А.В., Никольский А.Т. Козаков // ФТТ/ 1997 / т.39 / №8 / с. 1446-1451.

110. Козаков А.Т. Потенциальный рельеф на поверхности поляризованных сегнетоэлектриков-электретов по спектрам аномальной электронной эмиссии. /Козаков А.Т. // ФТТ / 2003 / т.45 / в.7 / с. 1228-1234.

111. Колесников В.В., Физические аспекты формы спектров электронной эмиссии из сегнетоэлектриков-электретов./ В.В.Колесников, А.Т. Козаков //ФТТ/ 2002 / т.44 / в.1 /с.147-149.

112. Козаков А.Т., Особенности аномальной электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрических пленок состава РЬТЮЗ и Pb(Zr,Ti)03./ А.Т.Козаков // Письма в ЖТФ/ 1997 / т.23 / №16 / с.55-61.

113. Козаков А.Т., Стимулированная мягким рентгеновским излучением электронная эмиссия с поверхности поляризованных сегнетоэлектриков./ А.Т.Козаков, и др.//ЖСХ 1998 - т.39 - №6 - С.1031-1036. 81

114. Рогазинская О.В., Влияние теплового отжига на термостимулированную эмиссию электронов с поверхности кристаллов ТГС / О.В.Рогазинская // Вестник ВГУ.- Сер.физ.- 2004. -№2. С. 82-85.

115. Вольдсет Р. Прикладная спектрометрия рентгеновского излучения. М. Атомиздат, 1977,197с.

116. Сидоркин А.С., Релаксация электронной эмиссии из кристалла ТГС с дефектами /А.С.Сидоркин и др.// Изв. РАН, Сер. физ., 2000, Т. 64, С. 17631766.

117. Неклюдов И.М., и др./ И.М.Неклюдов // Физика и химия обработки материалов. 1998. №4. С.23-25

118. Миловидова С.Д., Кристаллография. /С.Д. Миловидова // 1997. Т.42. № 6. С.1137-1139.

119. Milovidova S.D,Influence of x-ray irradiation on the formation of dielectric hysteresis loop for unipolar tgs crystals / S.D. Milovidova et al. // Ferroelectrics, 2001,- vol. 265,-P.189.-192.

120. Волк T.P. Ослабление рентгеновского излучениямонокристаллами триглицинсульфата / T.P. Волк С.В. Медников. // Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин, 1982, С.85-92.

121. Сидоркин А. А. Кинетика электронной эмиссии из сегнетоэлектрического кристалла ТГС / А.А.Сидоркин и др. //Физика твердого тела.-2000. т.42, №4. -С.725-726