Электрофизическое диагностирование МДП-структур с неоднородно распределенными параметрами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Лукин, Сергей Владимирович

• Лукин, Сергей Владимирович
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Лукин, Сергей Владимирович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 4 ГЛАВА 1. МЕТОДЫ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКОГО ДИАГНОСТИРОВАНИЯ МДП -

СТРУКТУР

1.1. Метод вольт-фарадных характеристик

1.1.1. Теоретические основы метода

1.1.2. Определение электрофизических параметров

а) Определение напряжений плоских зон, инверсии и порогового

б) Определение эффективного поверхностного заряда

1.1.3. Определение энергетического спектра поверхностных состояний

а) Дифференциальный метод Термана

б) Интегральный метод Верглунда

в) Метод температурной зависимости напряжения плоских зон

1.2. Метод полной проводимости (адмитганса)

1.2.1. Модели адмитганса МДП- структуры

а) Адмиттанс моноуровня поверхностных состояний

б) Адмиттанс континуума поверхностных состояний

в) Флуктуационная модель адмиттанса в микронеоднородных по поверхностному потенциалу структурах

г) Туннельная модель адмиттанса МДП-структуры

1.2.2. Метод полной проводимости и его модификации 36 ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАНАРНО-НЕОДНОРОДНЫХ МДП-СТРУКТУР МЕТОДОМ АДМИТТАНСА

2.1. Экспресс-методика определения поверхностных параметров планарно-неоднородных МДП- структур

2.2. Метод двухтемпературной полной проводимости

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ И ПРИГРАНИЧНЫХ СОСТОЯНИЙ В МДП-СТРУКТУРАХ С УЧЕТОМ ТУННЕЛЬНЫХ И ТУННЕЛЬНО-ФЛУКТУАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ

3.1. Определение параметров приграничных состояний в диэлектрике одночастотным методом адмиттанса

в) Равномерное распределение приграничных состояний в диэлектрике 75 б) Экспоненциально убывающая плотность состояний в диэлектрике

3.2. Туннельно - флуктуационная модель адмиттанса МДП-структуры

а) Однородное распределение ловушек в диэлектрике

б) Экспоненциальное распределение ловушек в диэлектрике

3.3. Методика определения поверхностных и туннельно-флуктуационных параметров МДП-структур

ГЛАВА 4. ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НЕОДНОРОДНЫХ МДП-СТРУКТУР

4.1. Моделирование ВФХ планарно-неоднородных МДП-структур

4.2. Моделирование вольт - фарадных характеристик МДП-структур с неоднородно легированной подзатворной областью

а) Численное решение уравнения Пуассона

б) Использование полуаналитического подхода

4.3. Совместное использование емкостных и адмиттансных методов исследования МДП-структур с неоднородно распределенными параметрами

ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизическое диагностирование МДП-структур с неоднородно распределенными параметрами»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. В последнее время основной тенденцией развития микроэлектроники является повышение степени интеграции и быстродействия интегральных схем и связанное с этим уменьшение геометрических размеров элементов. Эта тенденция приводит к возрастанию влияния различных неоднородностей в МДП-системах, в частности, сложного профиля распределения примеси и гетерогенности поверхностного заряда на границе раздела полупроводник - диэлектрик. Пленарные и пространственные неоднородности оказывают существенное влияние на электрофизические характеристики МДП-структур и приборов на их основе: сдвигают напряжение плоских зон и пороговое напряжение, растягивают вольт-фарадные характеристики и кривые нормированной проводимости, уменьшают крутизну полевых МДП-транзисторов, приводят к появлению так называемых флуктуационных поверхностных состояний. Всё это делает проблему электрофизического диагностирования МДП-структур с неоднородно распределенными параметрами весьма актуальной.

В литературе имеется достаточно много работ, посвященных исследованию поверхностных состояний в МДП-структурах методом адмитганса с учетом планарной неоднородности поверхностного потенциала, а также туннельной перезарядки приграничных ловушек в диэлектрике. Однако, во-первых, они рассматривают флуктуационные и туннельные эффекты раздельно, во-вторых, как правило, в них предлагаются различные модификации классической многочастотной методики Николлиана-Гоетцбергера, которая требует для реализации сложного оборудования, что затрудняет её широкое

использование в промышленности. В связи с этим актуальной задачей представляется разработка одночастотных методик контроля поверхностных параметров МДП-структур с учетом флуктуационных и туннельных эффектов, а также туннельно-флуктуационной модели адмиттанса МДП-структуры, учитывающей совместное влияние флуктуаций поверхностного потенциала и туннельной перезарядки приграничных ловушек в диэлектрике.

Важной задачей также является повышение точности контроля электрофизических параметров неоднородных МДП-структур вольт-фарадными методами, для чего необходимо моделирование теоретических вольт-фарадных характеристик (ВФХ) таких структур. Использование приближения эффективной постоянной концентрации и подгоночных параметров приводит к значительным погрешностям в определении напряжений плоских зон и порогового, эффективного поверхностного заряда и других характеристик МДП-структур. Поэтому актуальна разработка численных и полуаналитических методик моделирования ВФХ МДП-структур с неоднородным распределением примеси в полупроводнике и поверхностного потенциала.

Приведенные соображения говорят об актуальности темы настоящей работы.

Цель работы:

Разработка комплекса методик для электрофизического диагностирования МДП-струюур с неоднородно распределенными параметрами.

Для реализации этой цели в работе решались следующие задачи:

1. Разработка одночастотных методик контроля времени перезарядки, поперечных сечений захвата и спектральной плотности поверхностных состояний

методом адмиттанса <с учетом планарной неоднородности поверхностного потенциала.

2. Разработка одночастотной методики контроля поверхностных параметров МДП-структур с -приграничными ловушками в диэлектрике для однородного и экспоненциального профилей распределения этих ловушек.

3. Построение туннельно-флуктуационной модели адмиттанса МДП-структуры, в которой учитывается совместное влияние неоднородности поверхностного потенциала и туннельной перезарядки ловушек в диэлектрике.

4. Создание методики исследования поверхностных параметров МДП-структур с учетом флуктуационных и туннельных эффектов.

5. Моделирование теоретических ВФХ МДП-структур с неоднородно распределёнными параметрами для повышения точности контроля их электрофизических параметров.

6. Создание комплексной методики исследования поверхностных и электрофизических параметров неоднородных МДП-структур методами адмиттанса и вольт-фарадных характеристик.

При решении поставленных задач использовались методы математического моделирования, численные методы интегрирования и решения дифференциальных уравнений, для экспериментальной апробации новых методик применялись емкостные и адмиттансные методы исследования МДП-структур.

Научная новизна. В работе получены следующие новые результаты:

1. Разработана одночастотная методика контроля энергетического спектра времени перезарядки, поперечных сечений захвата и спектральной плотности поверхнрстных состояний методом адмиттанса с учетом планарной

неоднородности поверхностного потенциала, в которой обрабатываются две кривые нормированной проводимости, измеренные при различных температурах из диапазона 150-500 К.

2. Разработана методика определения средних значений поверхностных и флуктуационного параметров планарно- неоднородных МДП-структур путём анализа одной кривой нормированной проводимости, измеренной при фиксированной частоте.

3. Предложена одночастотная методика контроля поверхностных параметров МДП-структур с приграничными ловушками в диэлектрике методом полной проводимости для двух профилей распределения ловушек: однородного и экспоненциально убывающего.

4. Создана туннельно-флуктуационная модель адмиттанса МДП-структуры, в которой учитывается совместное влияние флуктуаций поверхностного потенциала и туннельной перезарядки приграничных состояний в диэлектрике на активную составляющую полной проводимости.

5. Разработана методика исследования поверхностных параметров МДП-структур с учетом флуктуационных и туннельных эффектов. В этой методике постоянная времени перезарядки и сечение захвата поверхностных состояний определяются нестационарными ёмкостными методами, а туннельно-флуктуационные параметры и плотность поверхностных состояний - методом адмиттанса. Показано, что сочетание адмиттансных и нестационарных емкостных методов позволяет разделить туннельный и флуктуационный механизмы.

6. Проведено моделирование теоретических ВФХ МДП-структур с неоднородно распределённым поверхностным потенциалом на основе

конденсаторной модели Николлиана-Гоетцбергера и теории Гаррета-Браттейна. Исследовано влияние флуктуаций поверхностного потенциала на электрофизические параметры и энергетический спектр поверхностных состояний.

7. Предложены методики моделирования теоретических ВФХ МДП-структур со сложным профилем легирования путём численного решения уравнения Пуассона методами Рунге-Кутта и пристрелки начальных условий (для произвольного профиля легирования) и с использованием полуаналитического подхода к расчету параметров области пространственного заряда полупроводника (для гауссовского профиля). Исследовано влияние параметров ионной имплантации и отжига на форму С-У кривых.

8. Создана комплексная методика контроля поверхностных и электрофизических параметров неоднородных МДП-структур методами адмиттанса и вольт-фарадных характеристик.

Практическая ценность результатов работы. Представленные в настоящей работе одночастотные методики контроля поверхностных параметров МДП-структур с учетом флуктуационных и туннельных эффектов могут найти широкое применение в условиях промышленного производства МДП-приборов и интегральных схем, так как предполагают использование серийно выпускаемых в стране цифровых измерителей адмиттанса типа Е7-12, работающих на фиксированной частоте. Существенно повышается точность контроля электрофизических характеристик структур с неоднородно распределёнными параметрами благодаря учету «растягивания» теоретических ВФХ, вызванного неоднородным распределением поверхностного /ютэнциала и легирующей примеси в полупроводнике. Все разработанные и представленные методики

включены в состав измерительно- вычислительного комплекса для электрофизического диагностирования МДП-структур.

Положения, выносимые на защиту.

1. Одночастотная методика контроля средних значений стандартного отклонения поверхностного потенциала, поперечного сечения захвата и энергетической плотности поверхностных состояний методом адмиттанса.

2. Метод двухтемпературной полной проводимости для контроля энергетического спектра флуктуационного и поверхностных параметров планарно-неоднородных МДП-структур путём обработки двух в-У кривых, измеренных при различных температурах из диапазона 150-500 К.

3. Одночастотная методика контроля поверхностных параметров МДП-структур с туннельной перезарядкой ловушек в диэлектрике, разработанная для двух профилей распределения ловушек: однородного и экспоненциально убывающего.

4. Туннельно-флуктуационная модель адмиттанса МДП-структуры, учитывающая совместное влияние флуктуаций поверхностного потенциала и туннельной перезарядки приграничных состоянии в диэлектрике на кривые нормированной проводимости. Рассмотрены те же два профиля распределения ловушек в диэлектрике.

5. Методика контроля поверхностных и туннельно-флуктуационных параметров МДП-структур, сочетающая метод адмиттанса и нестационарные емкостные методы. Принципиальная возможность разделения туннельного и флуктуационного механизмов в рамках этой методики.

6. Методика моделирования теоретических ВФХ планарно-неоднородных МДП-структур на основе конденсаторной модели Николлиана-Гоетцбергера и теории приповерхностной ОПЗ Гаррета-Браттейна.

7. Методики моделирования теоретических ВФХ МДП-структур со сложным профилем легирования с использованием численного решения уравнения Пуассона и полуаналитического подхода. Показано, что использование новых методик даёт возможность существенно повысить точность контроля электрофизических параметров таких структур.

8. Комплексная методика электрофизического диагностирования МДП-структур с неоднородно распределёнными параметрами методами адмиттанса и вольт-фарадных характеристик.

Апробация работы. Основные результаты, представленные в диссертационной работе, докладывались на третьей и пятой Международных конференциях по моделированию приборов и технологий (Обнинск, 1994, 1996), 1997 MRS Spring Meeting (San- Francisco, 1997), III Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 1997), Международном семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1997), а также на научных конференциях преподавателей и сотрудников ВГУ (1994-1998).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 15 печатных работ, в том числе 8 статей в местной и центральной научной печати, 6 тезисов докладов на научных конференциях и 1 методическое пособие к лабораторному практикуму.

Структура работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырёх глав, заключения с общими выводами и списка литературы из 94 наименований, содержит 33 рисунка. Общий объём диссертации составляет 148 страниц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Лукин, Сергей Владимирович

135 ВЫВОДЫ

1. Разработана методика контроля поверхностных параметров (постоянной времени перезарядки, поперечного сечения захвата и спектральной плотности поверхностных состояний) планарно-неоднородных МДП-структур, основанная на обработке экспериментальных О-У характеристик с использованием аналитического приближения в рамках флуктуационной модели адмиттанса. Экспресс-методика позволяет находить усредненные значения стандартного отклонения поверхностного потенциала и поверхностных параметров путем анализа одной в-У кривой с погрешностью не более 5%. Метод двухтемпературной полной проводимости даёт возможность рассчитать энергетические зависимости указанных параметров путём обработки двух кривых нормированной проводимости, измеренных при различных температурах из диапазона 150-500 К. Отличие от результатов, полученных другими адмиттансными методиками, не превосходит 5%.

2. Представлена методика контроля поверхностных параметров МДП-структур с туннельно перезаряжающимися ловушками в диэлектрике для двух профилей распределения этих ловушек: однородного и экспоненциально убывающего. Получены аналитические выражения для ширины и положения максимума кривой нормированной проводимости в зависимости от глубины залегания ловушек в диэлектрике для обоих профилей. С помощью этих выражений можно рассчитать туннельный параметр, постоянную времени поверхностных состояний, а затем найти сечение захвата и плотность поверхностных состояний в МДП-структуре. Методика имеет точность 5-6%.

3. Разработана туннельно- флуктуационная модель адмиттанса МДП-структуры, которая учитывает совместное влияние планарной неоднородности поверхностного потенциала и туннельной перезарядки приграничных состояний в диэлектрике. Модель создана на основе флуктуационной модели Николлиана-Гоетцбергера и туннельной модели Прайера. Результаты моделирования свидетельствуют о существенном уширении кривых нормированной проводимости и понижении максимума этих кривых с ростом туннельного и флуктуационного параметров, а также о сдвиге максимума вправо с ростом б и влево с ростом с/. Обнаружена заметная асимметрия кривых нормированной проводимости в случае экспоненциального распределения ловушек в диэлектрике. Корректность туннельно-флуктуационной модели подтверждена как математически, так и экспериментально.

4. Предложена методика контроля поверхностных и туннельно-флуктуационных параметров МДП-структур, сочетающая в себе метод адмитганса и нестационарные емкостные методы. Показано, что в рамках только метода адмитганса невозможно разделить туннельный и флуктуационный механизмы в случае однородного распределения ловушек в диэлектрике. Поэтому для нахождения постоянной времени перезарядки и поперечного сечения захвата поверхностных состояний в методике используются нестационарные емкостные методы, например, метод зарядовой накачки. В то же время, туннельно-флуктуационные параметры и энергетическая плотность поверхностных состояний находятся методом адмиттанса в рамках туннельно-флуктуационной модели. Методика апробирована экспериментально.

5. Представлена методика моделирования вольт-фарадных характеристик МДП-структур с неоднородным распределением поверхностного потенциала, основанная на конденсаторной модели Николлиана-Гоетцбергера и теории приповерхностной области пространственного заряда Гаррета-Браттейна.

Результаты моделирования показывают значительный сдвиг напряжения плоских зон, порогового напряжения, а также существенную «растяжку» вольт-фарадных кривых с ростом флуктуационного параметра. Использование теоретических ВФХ, рассчитанных этой методикой, позволяет значительно повысить точность контроля электрофизических параметров планарно-неоднородных МДП-структур и энергетического спектра поверхностных состояний в таких структурах.

6. Разработаны методики расчета вольт-фарадных характеристик МДП-структур с неоднородным распределением легирующей примеси в полупроводнике. Первая методика основана на численном решении уравнения Пуассона методами Рунге-Кутта и пристрелки начальных условий. Эта методика позволяет получить точные теоретические ВФХ для произвольного профиля легирования. Вторая методика, использующая полуаналитический подход к расчету параметров ОПЗ, позволяет построить С-\/ кривые в области обеднения для МДП-структур с гауссовским профилем распределения примеси без численного решения уравнения Пуассона. Обе методики позволяют существенно повысить точность контроля электрофизических параметров МДП-структур со сложным профилем легирования по сравнению с методиками, использующими приближение эффективной постоянной концентрации.

7. Предложена комплексная методика электрофизического диагностирования МДП-структур с неоднородно распределенными параметрами, сочетающая методы адмиттанса и вольт-фарадных характеристик. В этой методике туннельно-флуктуационные и поверхностные параметры определяются более чувствительным и корректным методом адмиттанса, а электрофизические характеристики (напряжения плоских зон и пороговое, эффективный поверхностный заряд и др.) - емкостными методами с использованием теоретических ВФХ, построенных по алгоритмам, описанным в главе 4 настоящей работы. Комплексная методика исследования МДП-структур с неоднородно распределёнными параметрами включена в состав измерительно-вычислительного комплекса для электрофизического диагностирования МДП-структур.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Лукин, Сергей Владимирович, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Буа Д., Розентер Э. Физические границы возможного в микроэлектронике II Физика за рубежом. Серия А, Исследования: Сб. ст.: Пер. с англ. М., 1991. С. 93-119.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. Кн. 1.456 с.

3. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 253 с.

4. Литовченко В. Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл - диэлектрик - полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. 315 с.

5. Чистов Ю.С., Сыноров В.Ф. Физика МДП-сггруктур. Воронеж: Изд-во Воронежского университета, 1989. 224 с.

6. Свойства структур металл - диэлектрик - полупроводник / Под ред. A.B. Ржанова. М.: Наука, 1976. 279 с.

7. Гуртов В.А. Основы физики структур металл - диэлектрик -полупроводник. Петрозаводск: {Б.и.], 1983. 92 с.

8. Рембеза С. И. Методы измерения основных параметров полупроводников. Воронеж: Изд-во Воронежского университета, 1989. 224 с.

9. Nicollian E.H., Brews J.R. MOS (metal - oxide - semiconductor) physics and technology. N.Y.: Wiley & Sons, 1982. 902 p.

10. Бормонтов E.H. Физика и метрология МДП-структур. Воронеж. Воронежский университет. 1997. 184 с.

11. Garrett C.G., Brattain W.H. Physical theory of semiconductor surfaces // Phys. Rev. 1955. V. 99. №2. P. 376-397.

12. Grove A.S., Deal B.E., Snow E.H., Sah C.T. Investigation of thermally oxidized silicon surfaces using metal - oxide - semiconductor structures H Sol.-St Electron. 1965. V. 8. P. 145-154.

13. Grove A.S., Deal B.E.-, Snow E.H., Sah C.T. Simple physical model for the space charge capacitance of metal - oxide - semiconductor structures // Jour. Appl. Phys. 1964. V. 33. P. 2458-2469.

14. Росадо Jl. Физическая электроника и микроэлектроника: Пер. с исп. М.: Высшая школа. 1991. 352 с.

15. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 632 с.

16. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: Пер. с англ. Ленинград: Энергоатомиздат, 1986. 248 с.

17. Grove A.S. Physics and technology of semiconductor devices. N. Y.: Wiley, 1967. 364 p.

18. Terman L.M. An investigation of surface states at a silicon - silicon oxide interface employing metal - oxide - silicon diodes H Sol.-St. Electron. 1962. V. 5. №3. P. 155-163.

19. Lehovec K., Slobodsky A., Sprague J.L. Field effect - capacitance analysis of surface states on silicon // Phys. Stat. Sol. 1963. V. 3. №3. P. 447-464.

20. Berglund C. Surface states at steam-grown Si-SiC>2 interfaces // IEEE Trans. Electron. Dev. 1966. ED-13. №11. P. 701-712.

21. Gray P.V., Brawn D.M. Density of Si-SiCk interlace states II Appl. Phys. Lett. 1966. V. 8. №2. P. 31-33.

22. Iwauchi S. arid Tanaka T. Characteristics of silicon - silicon dioxide structures formed by DC reactive sputtering II Jap. Jour. Appl. Phys. 1968. V. 7. №10. P. 1237-1246.

23. Kuhn M. A quasi-static technique for MOS C-V and surface state measurements II Sol.-St. Electron. 1970. V. 13. №6. P. 873-885.

24. Boudry M.R. Theoretical origins of Nss peaks observed in Gray-Brown MOS studies II Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. №10. P. 530-531.

25. Goetzberger A., Schultz M. Fundamentals of MOS technology // Fectkorper Probleme. 1973. V. 16. №1. P. 80.

26. Brews J.R. Correcting interface state errors in MOS doping profile determinations II J. Appl. Phys. 1973. V. 44. №7. P. 3228-3231.

27. Nicollian E.H., Hanes M.N., Brews J.R. Using the MIS capacitor for doping profile measurements with minimal interface state error II IEEE Trans. Electron. Dev. 1973. V. 20. №4. P. 380-389.

28. Ziegler K., Klausmann E., Kar S. Determination of the semiconductor doping profile right up to its surface using the MIS capacitor // Sol.-St. Electron. 1975. V. 18. №2. P. 189-198.

29. Lin S.T., Reuter J. The complete doping profile using MOS CV technique // Sol.-St. Electron. 1983. V. 26. №4. P. 343-351.

30. Zohta Y. Frequency dependence of AV/A(C"2) of MOS capacitors // Sol.-St. Electron. 1974. V. 17. №12. P. 1299-1309.

31. Kinder R., Frank H. Determination of doping profiles for low boron ion implantations in silicon // Sol.-St. Electron. 1988. V. 31. №2. P. 265-268.

32. Zerbst M. Relaxation effecte an Halbleiter - Isolator - Grenzflächen // Z. Angew. Phys. 1966. V. 22. №1. S. 3039-3046.

33. Tomanec P. Measuring of lifetime of minority carriers in MIS structures II Sol.-St. Electron. 1969. V. 12. №4. P. 301-308.

34. Nicollian E.H., Goetzberger A. MOS conductance technique for measuring of surface state parameters//Appl. Phys. Lett. 1965. V. 7. №8. P. 216-218.

35. Nicollian E.H., Goetzberger A. MOS study of interface state time constant dispersion //Appl. Phys. Lett. 1967. V. 10. №2. P. 60-64.

36. Nicollian E.H., Goetzberger A. The Si-S»02 interface electrical properties as determined by metal - insulator - silicon conductance technique II Bell Syst. Tech. Jour. 1967. V. 46. №5. P. 1055-1133.

37. Lehovec K., Slobodsky A. Impedance of semiconductor - insulator - metal capacitors // Sol.-St. Electron. 1964. V. 7. №1. P. 59-79.

38. Lehovec K. Frequency dependence of the impedance of distributed surface states in MOS structures //Appl. Phys. Lett. 1966. V. 8. №2. P. 48-50.

39. Brews J.R., Lopez A.D. A test for lateral nonuniformities in MOS device using only capacitance curves//Sol.-St. Electron. 1973. V. 16. №11. P. 1267-1277.

40. Brews J.R. Admittance of an MOS device with interface charge inhomogeneities//J. Appl. Phys. 1974. V. 43. №11. P. 3451-3455.

41. Preier H. Contributions of surface states to MOS impedance // Appl. Phys. Lett. 1967. V. 10. №11. P. 361-364.

42. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977. 672 с.

43. Khosru Q.D.M., Yasuda N.. Taniguchi К.. Hamaguchi С. Spatial distribution of trapped holes in Si02 II Jour. Appl. Phys. 1994. V. 76. №8. P. 4738-4742.

44. Nicollian E.H., Goetzberger A, Lopez A.D. Expedient method of obtaining interface state properties from MIS conductance measurements // Sol.-St. Electron. 1969. V. 12. №12. P. 937-944.

45. Brews J.R. Graphical technique to determine the density of interface states at the Si-Si02 interface of MOS devices using the a.c. conductance method И Sol.-St. Electron. 1983. V. 26. P. 711-721.

46. Yadava R.D.S. Analytic approach to a.c. conductance method for rapid characterization of interface states in MOS structures // Sol.-St. Electron. 1990. V.33. №1. P. 127-137.

47. Выгодский M .Я. Справочник по высшей математике. M.: Гос. изд-во физико-математической литературы. 1963. 872 с.

48. Simonne J.J. A method to extract interface state parameters from the MIS parallel conductance technique // Sol.-St. Electron. 1973. V. 16. №1. P. 121-129.

49. Noras J.M. Extraction of interface state attributes from MOS conductance measurements//Sol.-St. Electron. 1987. V.30. №4. P. 433-437.

50. De Dios A., Castan E., Bailon L., Barbolla J., Lozano M., Lora-Tamayo E. Interface state density measurement in MOS structure by analysis of the thermally stimulated conductance//Sol.-St. Electron. 1990. V. 33. №8. P.987-992.

51. Van Overstraeten R.J., Declerck G., Broux G.L. Description of the Si-Si02 properties in the presence of surface charge fluctuations II IEEE Trans. Electron. Dev. 1973. ED-20. №12. P. 1154-1162.

52. Михайловский И.П., Овсюк В.H., Эпов А.Е. Неоднородное накопление положительного заряда в кремниевых МДП-струкгурах в сильных полях // Письма вЖТФ. 1983. Т. 9. №17. С. 1051-1057.

53. Фролов О.С., Руденко Т.Е. Особенности перезарядки поверхностных состояний неосновными носителями в МДП-структурах при неоднородной по площади генерации//Микроэлектроника. 1981. Т. 10. №6. С. 552-555.

54. Абрамова H.A., Мосейчук А.Г., Семушкин Г.Б. Природа эффектов так называемой полевой генерации в МДП- структурах // Proceedings of XXVI Int. Wiss. Kolloq. Ilmenau, GDR. 1981. С. 24-32.

55. Гуртов В.А., Золотев M.B. Влияние крупномасштабных неоднородноеггей на релаксацию неравновесной емкости МДП-структур // ФТП. 1985. Т. 19. №12. С. 2127-2130.

56. Мосейчук А.Г. Экспериментальное моделирование неоднородной по площади поверхностной генерации носителей заряда в МДП- структурах // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 7. С. 1225-1230.

57. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. 1985. 264 с.

58. Muls Р., Declerck G., Overstraeten R. Influence of interface charge inhomogeneities on the measurement of surface state densities in SÍ-SÍO2 interfaces by means of the MOS a.c. conductance technique // Sol.-St. Electron. 1977. V. 20. №11. P. 911-918.

59. Гузеев A.A., Ржанов A.B. Подвижность дырок в кремниевых МДП-структурах в области слабой инверсии // Микроэлектроника. 1979. Т. 8. Вып. 1. С. 56-62.

60. Гергель В.А., Сурис P.A. Теория поверхностных состояний и проводимости в структурах металл- диэлектрик- полупроводник //ЖЭТФ. 1983. Т. 84. Вып. 2. С. 719-736.

61. Бормонтов Е.Н., Котов C.B., Лукин C.B., Колычев А.И. Экспресс-метод определения микронеоднородности поверхностных параметров МДП-структур // Электронная промышленность. 1994. Вып. 4-5. С. 127-128.

62. Бормонтов Е.Н., Головин C.B., Котов C.B., Лукин C.B. Методика быстрого определения поверхностных параметров планарно-неоднородных МДП-структур//ФТП. 1996. Т. 30. Вып.7. С. 1205-1212.

63. Бормонтов Е.Н., Головин C.B., Котов C.B., Лукин C.B. Исследование поверхностных состояний в МДП- структурах методом двухтемпературной полной проводимости И ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 4. С. 646-653.

64. Schuegraf К.F., Ни С. Reliability of thin Si02 H Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 988-1005.

65. Бормонтов E.H., Лукин C.B. Исследование приграничных состояний в МДП-структурах одночастотным методом адмиттанса //ЖТФ. 1997. Т. 67. №10. С. 55-59.

66. Бормонтов Е.Н., Лукин C.B. Исследование поверхностных состояний в МДП-структурах с учетом флуктуационных и туннельных эффектов // Тез. докл. III Российской конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97". Москва. 1997. С. 318.

67. Bormontov E.N., Lukin S.V. Tunnel-fluctuation model of MIS admittance II 1997 MRS Spring Meeting. San-Francisco. Symposium J. Abstract #10091.

68. Shewchun J., Waxman A., Warfield G. Tunneling in MIS structures -I. Theory II Sol.-St. Electron. 1967. V. 10. P. 1165-1186.

69. Градштейн И.С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука. 1971. 1108 с.

70. Bormontov E.N., Lukin S.V. A model of MIS admittance in the presence of tunnel trapping to the near-interface states in insulator // Proc. of the 5th Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1996. P. 31-34.

71. Kar S., and Dahlke W-.E. Interface states in MOS structures with 20-40 A thick Si02 films on nondegradate Si*// Sol.-St. Electron. 1972. V. 15. №2. P. 231-237.

72. Deuling H., Klausmann E., Goetzberger A. Interface states at the Si-Si02 interface II Sol.-St. Electron. 1972. V. 15. N»5. P. 559-570.

73. Warachina M., Ushirokawa A. Conductance (C ) - bias (V) method for interface states in MOS structure II Jap. Jour. Appl. Phys. 1975. V. 14. №11. P. 17391749.

74. Johnson N.M. Measurement of semiconductor - insulator interface states by constant- capacitance deep- level transient spectroscopy II J. Vac. Sd. Technol. 1982. V. 21. №2. P. 303-315.

75. Groeseneken G., Maes H.E., Beltran N.. Dekeersmaecker R.F. A reliable approach to charge- pumping measurements in MOS transistors // IEEE Trans. Electron. Dev. 1984. V. ED-31. №1. P. 42-44.

76. Johnson N.M. Energy- resolved DLTS measurement of interface states in MIS structures//Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. №11. P. 802-804.

77. Saks N.S., Ancona M.G. Determination of interface trap capture cross section using three-level charge pumping II IEEE Electron. Dev. Lett. 1990. V. 11. №8. P. 339-341.

78. Ishivara H. et al. Ion implantation in semiconductors. N.-Y.: Plenum Press. 1975. 345 p.

79. Bormontov E.N., Lukin S.V. Simulation of C-V curves of MIS structures with nonuniformly distributed surface potential // Proc. of the 5th Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1996. P. 35-39.

80. Бормонтов E.H., Лукин C.B., Сыноров В.Ф. Расчет теоретических вольт-фарадных характеристик МДП-сгрукгур с неоднородно распределенным поверхностным потенциалом Н Межвуз. сб. научных трудов «Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры». Воронеж. 1997. С. 69-74.

81. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация: Пер. с нем. М.: Наука. 1983.

425 с.

82. Lindner R. Semiconductor surface varactor // Bell Syst. Tech. Jour. 1962. V. 41. №3. P. 803-831.

83. Нахмансон P.C. Теория поверхностной емкости // ФТТ. 1964. Т. 6. №4. С. 1115-1124.

84. Kuzmich W. MOSAT users guide. Warshaw: Technical University of Warshaw. 1988. 30 p.

85. Баев А.А., Бормонтов E.H., Лукин С.В. и др. Расчет теоретических вольт- фарадных характеристик МДП-структур с неоднородным распределением примеси в полупроводнике // Межвуз. сб. научных трудов "Физика и технология материалов и изделий электронной техники". - Воронеж. 1994. С. 113-116.

86. Bormontov E.N., Kotov S.V., Lukin S.V. Numerical simulation of C-V curves for MIS structures with nonuniform impurity distribution // The Third Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1994. P. 62-63.

87. Дьяконов В.П. Справочник по алгоритмам и программам на языке Бейсик для ПЭВМ. М.: Наука. 1987. 240 с.

88. Бормонтов E.H., Леженин В.П. Численно - аналитическая модель МОП-транзистора с неоднородно легированной подзатворной областью // Микроэлектроника. 1995. Т. 24. Вып. 5. С. 343-348.

89. Хаджи П. И. Функция вероятности. Кишинев. 1971. 398 с.

90. Бормонтов E.H., Головин C.B., Котов В.В. Измерительно -вычислительный комплекс для экспресс - контроля электрофизических параметров и исследования технологии МОП-ИС // Электронная промышленность. 1994. Вып. 4-5. С. 120-121.

91. Бормонтов E.H., Вялых С.А., Леженин В.П., Лукин C.B. Оптимизация технологии изготовления п(р)- канальных МОП ИС по статическим параметрам пары тестовых транзисторов// Микроэлектроника. 1998. Т. 27. №4. С. 282-287.

92. Бормонтов E.H., Лукин C.B. Контроль электрофизических характеристик МДП-структур с учетом эффектов флуктуационного потенциала II Материалы докл. междунар. семинара "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". Москва. 1997. С. 352-356.

93. Zisman W. A new method of measuring contact potential differences in metals // The review of scientific instruments. 1932. №7. P. 367-370.

94. Бормонтов E.H., Борисов C.B., Крячко В В., Лукин C.B. Спектроскопия поверхностных состояний в структурах диэлектрик-полупроводник методом вибрационного конденсатора И Межвуз. сб. науч. тр. "Твердотельная электроника и микроэлектроника". Воронеж. 1997. С. 28-34.