Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Черняев, Антон Валентинович

• Черняев, Антон Валентинович
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Черняев, Антон Валентинович

Введение.

Глава I. Обзор. Влияние примесей III группы (In и Т1) и изовалентной нримеси Sn на энергетический спектр и электрофизические свойства халькогенидов свинца и олова.

1.1. Основные свойства халькогенидов свинца и олова.

1.1.1. Кристаллическая структура и характер химической связи.

1.1.2. Зонная структура халькогенидов свинца и олова.

1.1.3. Точечные дефекты.

1.2. Примесные состояния In и Т1 в халькогенидах свинца, SnTe и твердых растворах Pbi.xSnxTe.

1.2.1. Особенности поведения примеси In в SnTe и твердых растворах Pb,.xSnxTe.

1.2.2. Квазилокальиые примесные состояния на фоне валентной зоны

1.2.3. Резонансное рассеяние на примесных атомах Т1 и In.

1.3. Явления переноса в РЬТе, легированном Т1, в SnTe, легированном In, и твердых растворах на их основе.

1.3.1. Влияние примеси Т1 на концентрацию дырок в халькогенидах свинца.

1.3.2. Влияние примеси таллия на подвижность дырок в РЬТе.

1.3.3. Влияние атомов таллия на коэффициент термоэде в РЬТе.2.

1.3.4. Стабилизация холловской концентрации дырок в РЬТе:Т1 и SnTe:In.

1.3.5. Температурная зависимость коэффициента Холла.

1.3.6. Эффект Нернста - Эттингсгаузепа.

1.4. Сверхпроводящие свойства соедипеиий на основе РЬТе:Т1 и SnTe:ln . 40 1.4.1. Роль квазилокальных состояний таллия (индия) в появлении сверхпроводимости в РЬТе (в SnTe).

1.4.2. Влияние дополнительного экстремума на возникновение сверхпроводимости в халькогенидах свинца.

1.4.3. Влияние замещения атомов в катионпой и анионной подрешетке на параметры сверхпроводящего перехода РЬТе:Т1.

1.5. Изовалентная примесь Sn в халькогенидах свинца.

1.5.1. Зарядовые состояния изовалентной примеси олова.

1.5.2. Отсутствие зарядового состояния Sn+3.

ГЛАВА II. Экспериментальные методы исследования

2.1. Методика приготовления образцов.

2.2. Установка для измерения гальвано- и термомагнитных эффектов в полупроводниках.

2.3. Низкотемпературная установка «Не3» для измерений электропроводности и эффекта Холла.

2.4. Методика исследований эффекта Мессбауэра.

ГЛАВА III. Примесные состояния Т1 и Sn в твердых растворах (PbTe)iy(PbS)y.

3.1. Электрофизические «свойства твердых растворов (PbTe)].>(PbS)y:(Tl, Sn).

3.2. Сверхпроводящие свойства твердых растворов (PbTe)|.y(PbS)y:(Tl, Sn).

3.3. Эффект Мессбауэра в твердых растворах (PbTe)i.y(PbS)y:(Tl, Sn).

3.4. Модель примесных полос Т1 и Sn в твердых растворах

PbTe),.y(PbS)y:(Tl, Sn).

Выводы к главе III.

ГЛАВА IV. Квазилокальные состояния индия в твердых растворах Sni.xInxTeiySy и SnixInxTeiySey.

4.1. Электрофизические свойства твердых растворов Sn0.84lno.i6Tei.ySey и Sn0.95In0.05Te1.ySey.

4.2. Сверхпроводящие свойства твердых растворов Sn0.84lno.i6Tei.ySey и Sno.95Ino.05Te1.ySey.

4.3. Электрофизические свойства твердых растворов Sno.84Ino.i6Tej.ySy.

4.4. Сверхпроводящие свойства твердых растворов Sn0.84lno.i6Te1.ySy.

Выводы к главе IV.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена»

Халькогениды свинца и олова, а также твердые растворы на их основе имеют уникальные физические свойства, что определяет как научный интерес, так и их широкое практическое использование, например, в инфракрасной технике, оптоэлсктропике, термоэлектрических преобразователях энергии, тензометрии. Благодаря малой ширине запрещенной зоны эти материалы применяются в качестве детекторов инфракрасного излучения в средней и дальней области спектра. Возможность достижения высоких концентраций носителей заряда наряду с относительно высокими значениями коэффициента термоэдс и относительно низкой теплопроводностью обуславливает их высокие термоэлектрические свойства.

Особый интерес представляет исследование физических свойств легированных халькогенидов свинца и олова примесями III группы. Индий в SnTe и таллий в PbTe, PbSe, PbS образуют квазилокальные энергетические уровни, расположенные на фоне разрешенного спектра валентной зоны, наличие которых приводит к пиннингу уровня Ферми £р, резонансному рассеянию дырок в примесные состояния, а также к возникновению сверхпроводящего перехода с критической температурой Тс, достигающей гелиевых температур в твердых растворах PbixSnxTe:In.

Состояния примесей III группы в AIVBVI формируются короткодействующим некулоновским потенциалом вследствие высокой диэлектрической проницаемости материалов^малой эффективной массы носителей заряда и высокой концентрации электрически активных собственных дефектов, поэтому их параметры сильно зависят от состава матрицы. В связи с этим замещение атомов матрицы является эффективным способом управления параметрами сверхпроводящего перехода, индуцированного примесями III группы. Сверхпроводимость, наблюдаемая в данных материалах, тесно связана с резонансным рассеянием носителей заряда в примесные состояния. Данное обстоятельство позволяет использовать сведения о сверхпроводящих свойствах таких материалов для изучения примесных состояний и зависимости их характеристик от состава матрицы.

Необычно также поведение примеси олова в халькогенидах свиица. Изовалентиые примеси в полупроводниках обычно имеют нейтральный характер. Однако, в РЬ8 и в РЬБе атомы Бп, образуя глубокие донорные уровни в запрещенной зоне и на фоне зонных состояний вблизи потолка валентной зоны соответственно, могут проявлять электроактивность, что наблюдается, например, при введении акцепторной примеси (Иа или Т1). При этом происходит ионизация нейтральных (относительно металлической подрешетки) атомов олова 8п+2 с захватом двух дырок и образованием заряженных центров 8п+4, т.е. атомы Бп являются центрами с отрицательной корреляционной энергией.

Для создания более адекватной физической модели, описывающей проявления примесных состояний в халькогенидах свинца и олова, необходимы новые экспериментальные данные. Знание закономерностей поведения примесей, характера их влияния на физические свойства и энергетический спектр позволит расширить возможности практического использования данных материалов.

К моменту начала наших исследований оставались неизученными электрофизические и сверхпроводящие свойства твердых растворов на основе 8пТе с замещением атомов в подрешетке халькогена с примесью 1п. Кроме того, несомненный интерес представляет исследование проявлений электроактивности атомов 8п в твердых растворах на основе РЬТе и влияние данного эффекта на резонансное рассеяние и сверхпроводимость.

Пели работы заключались в следующем:

1. Экспериментальное изучение проявлений примесных резонансных состояний Т1 в кинетических эффектах и сверхпроводящих свойствах твердых растворов (РЬТе)1у(РЬ8)у (у < 0.2) при дополнительном легировании 8п.

2. Поиск электронных состояний примеси 8п и определение их зарядового состояния в твердых растворах (РЬТе)1у(РЬ8)у вплоть до у < 0.2 с уровнем Ферми, фиксированным примесью Т1.

3. Обнаружение квазилокальных состояний 1п в четверных твердых растворах 8п|.х1пхТе|.у8у и 8п|.х1пхТе|.у8еу, у < 0.16, с фиксированным содержанием 1п х = 0.05 и х = 0.16, оценка их энергетического положения и изучение сверхпроводящих свойств.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Черняев, Антон Валентинович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. В твердых растворах (РЬТе)|.у(РЬ8)у:(Т1, Бп), у < 0,2, ^ 3 ат.%, таллий создает полосу квазилокальных состояний, расположенную вблизи края Е-зоны тяжелых дырок. При этом наблюдается резонансное рассеяние зонных дырок в примесную полосу Т1.

2. В твердых растворах (РЬТе)1.у(РЬ8)у:(Т1, 8п) атомы олова создают полосу двухэлектронных состояний в глубине валентной зоны, энергетическое положение которой сильно зависит от содержания РЬБ в твердом растворе. В РЬТе:(Т1, Бп) (у = 0) и в твердом растворе с у = 0,05 примесные состояния Бп находятся глубоко под уровнем Ферми, а в твердых растворах с 0,1 < у < 0,2 они расположены вблизи 8р и оказывают существенное влияние на электрофизические и сверхпроводящие свойства этих соединений.

3. Методом мессбауэровскоП спектроскопии показано, что в твердых растворах (РЬ'Ге)|.>(РЬ8)у:Т1, 0,1 <у <0,2, примесные уровни 8п являются центрами с отрицательной корреляционной энергией.

4. Определены характеристики сверхпроводящего перехода твердых растворов Sni.xInxTei.jSej, х = 0.05 и х = 0.16 и 8п(,841по.|бТе|.у8у при добавках селена и серы соответственно вплоть до 16 ат.%. Установлено, что при замещении атомов Те на 8е критическая температура и абсолютная величина производной второго критического магнитного поля по температуре вблизи Тс возрастают, при замещении атомов теллура на атомы серы Тс и | дНс2/ЗТ | Т->тс зависят от состава немонотонным образом.

5. При увеличении содержания дополнительного халькогена (8с или 8) в твердых растворах БпТе - 8п8е и 8пТе - 8п8 квазилокальные состояния 1п смещаются к потолку валентной зоны.

6. Величины коэффициента Холла, характер электрической проводимости при низких температурах четверных твердых растворов 8п].х1пхТе1.у8еу, х = 0.05 и х = 0.16 и 8По.841по. 1 бТсI.у8Зг находят объяснение в модели частично заполненных резонансных состояний индия, расположенных на фоне разрешенного спектра валентной зоны.

7. В модели жестких зон с использованием зонных параметров SnTe [12] получены следующие оценки энергетического положения полосы квазилокальных состояний индия Ci„ в зависимости от содержания In и халькогена: в твердых ь растворах Sn|.xInxTei.ySey при 5ат.% In положение полосы индия изменяется приблизительно от 0.28 эВ (у = 0.02) ниже потолка валентной зоны до 0.25 эВ (у = 0.16) относительно L-экстремума валентной зоны и при 16 ат.% In - от 0.37 эВ (у - 0.02) до 0.32 эВ (у = 0.16); в твердых растворах с серой Sn0.84lrio.i6Te|.ySy располагается от 0.21 эВ (у = 0.04) до 0.15 эВ (у = 0.16).

Основное содержание диссертации изложено в следующих работах: I. Статьи

1. С.А. Немов, Ф.С. Насрединов, Р.В. Парфеньев, М.К. Житинская, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур. Влияние добавок Sn на электрофизические свойства и сверхпроводящий переход в (PbTe)o.95(PbS)o.o5- ФТТ, 1996, Т.38, В.2, с. 550-557.

2. С.А. Немов, Ф.С. Насрединов, Р.В. Парфеньев, Ю.И. Равич, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур. Примесные электронные состояния атомов Т1 и Sn в твердом растворе (PbTeMPbS),,,. ФТТ, 1996, Т.38, В.5, с. 1586-1591.

3. В.А. Мошников, A.B. Мошников, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, А.И. Румянцева,

A.B. Черняев, Рентгеноспектральный микроанализ четверных полупроводниковых твердых растворов и его применение к системе (SnTe-SnSe):In. ФТТ, 1999, Т.41,

B.4, с.612-617.

II. Материалы конференций

4. С.А. Немов, Парфеньев, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур. Влияние уровня легирования In на сверхпроводящие свойства твердых растворов SnTe|.vSev. Доклады VI Межгосударственного семинара "Термоэлектрики и их применения", СПб. октябрь 1998. с.93-96.

5. M.V. Bestaev, S.A. Nemov, V.A. Moshnikov, R.V. Parfeniev, A.I. Rumjantseva, A.V. Chernyaev. Influence of the sample preparation technology on electrophysical and superconducting properties of PbTe doped with Tl. IV International Conference

Material Science and material researches on infrared optoelectronics". Theses of reports. Kiev. 1998. c.54.

6. C.A. Немов, Р.В. Парфеньев, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур. Явления переноса в системе (PbTe)1.x(PbS)x:Tl,Sn. Доклады V Межгосударственного семинара "Термоэлектрики и их применения", СПб, ноябрь 1996, с.55-59.

7. Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, Д.В. Шакура, A.B. Черняев, С.А. Немов Низкотемпературные свойства полупроводников систем PbSnTe, SnTeSe и SnTeS, легированных In. Тезисы V Российской Конференции по физике полупроводников. е

Нижний Новгород, сентябрь 2001 г., с.272.

8. С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур. Сверхпроводящие свойства твердых растворов на основе РЬТе:Т1 и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в иодрешетке халькогена. Доклады VIII Межгосударственного семинара "Термоэлектрики и их применения", СПб, ноябрь 2002 г., с.84-89.

9. Р.В. Парфеньев, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов, П.П. Серегин. Влияние изовалентного замещения атомов в катионной и анионной подрешетке на явления переноса и сверхпроводящие свойства РЬТе<Т1>. ФТТ-2005 Актуальные проблемы фундаментальных наук. Сборник докладов международной научной конференции, Минск, октябрь 2005 г., т. 2, с. 103 - 105.

Благодарности

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю данной работы - зав. лаб. Физики и оптики твердого тела СПбГПУ проф. Немову Сергею Александровичу - и зав. лаб. кинетических явлений в твердых телах ФТИ им. Иоффе, директору ОФДП проф. Парфеньеву Роберту Васильевичу - за предоставление экспериментальной базы для проведения исследований, постоянный интерес к работе на всех ее этапах и многочисленные ценные замечания и дополнения; моему ближайшему коллеге д. ф.-м. н. Шамшуру Дмитрию Владиленовичу за помощь в освоении низкотемпературной установки, предоставление технических и временных ресурсов, многочисленные ценные советы.

Автор благодарен лаборанту Николаевой Галине Александровне за проведение синтеза образцов, проф. Серегину Павлу Павловичу и проф. Насрединову Ф. С. за предоставление установки для измерения эффекта Мессбауэра, проф. Мошникову Вячеславу Алексеевичу за проведение анализа состава образцов. Изготовление образцов было бы невозможно без Смирнова Валентина Ивановича (проведение процесса отжига) и Скорятиной Елены Андреевны (предоставление печй с прецизионной установкой температуры для отжига образцов), а также без работы кварцедувов - Ишутова Михаила Петровича и Водолазовой Галины Петровны (изготовление ампул для синтеза и отжига образцов, откачка и запаивание ампул).

Автор благодарен моим первым коллегам и соавторам: к. ф.-м. п. Житинской Марине Константиновне и к. ф.-м. н. Прошину Владимиру Ивановичу, а также проф. Равичу Юрию Исааковичу за совместную работу. Автор благодарит сотрудников кафедры Физики полупроводников и наноэлекгроники СПбГПУ и лаборатории Кинетических коэффициентов в твердых телах при низких температурах ФТИ за помощь в работе.

В заключение автор хотел бы выразить глубокую признательность моим родителям - Черняевой Катажине Юзефовне и Черняеву Валентину Ивановичу, -без поддержки которых данная работа не была бы завершена.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Черняев, Антон Валентинович, 2005 год

1. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. М., Наука, 1968, 384с.

2. Н.Х. Абриксов, J1.E. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. М. Наука, 1975, 196 с.

3. R. Dornhaus, G. Nimiz, В. Scliht. Narrow-Gap Semiconductors (Springer Tracts in Modern Physics, 98) (Berlin-New York: Springer-Verlag, 1983).

4. M.A. Коржуев. Теллурид германия и его свойства. М. Наука. 1986, 104 с.

5. С.А. Немов, Ю.И. Равич. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности. УФН, 1998, т. 168, в.8, с.817-842.

6. Л.Д. Дудкин, Н.А.Ерасова, В.И. Кайданов, Т.А.Калашникова, Э.Ф. Косолапова. Влияние примеси индия на электрические свойства теллурида олова. ФТП, 1972, т.6, в.11, с.2294 2297.

7. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, New Series, Group III, V.17, subvol. (Berlin: Springer-Verlag 1983).

8. E.O. Kane. The Band Structure of Indium Antimonide. J. Phys. Chem. Sol. 1956. v.l. N4. p.249.

9. Б.А. Волков, O.A. Панкратов. Кристаллические структуры и симметрия электронного спектра полупроводников группы А4В6. ЖЭТФ. 1978, т.75, в.4, с.1362-1379.

10. Б.А. Волков, O.A. Панкратов, A.B. Сазонов. Зонная структура полупроводников группы AIVBV1 в приближении сильной связи на р-орбиталях. ФТП. 1982, т. 16, с. 1734.

11. Б.А. Волков, O.A. Панкратов, A.B. Сазонов. Теория электронного энергетического спектра полупроводников группы А4В6. ЖЭТФ. 1983, т.85, в.4, с.1395-1408.

12. O.E. Квятковский. Строение валентной зоны соединений AIVBVI. ФТТ 32, 10, с.2862-2868.

13. Y.W. Tung, M.L. Cohen, Relativistic Band Structure and Electric properties of SnTc, GeTe and PbTe. Phys. Rev. 1969, v.180, N3, p.823-826.

14. J.S. Melvin and D.S. Hendry. Self-consistent relativistic energy bands for tin telluride J.Phys.C: Solid State Phys. V.12, 1979, p.3003-3012.

15. N.E. Phillips, B.B. Triplett, R.D. Clear, H.E. Simon, J.K. Hulm, C.K. Jones, R. Mazelsky, Low-temperature heat capacities of superconducting degenerate semiconductors. Physika. 1971. v.55, N10, p.571.

16. A.J. Bevolo, H.R. Shanks, D.E. Eckels. Molar heat capacity of GeTe, SnTe and PbTe from 0.9 to 60 K. Phys. Rev. B. 1976, v.13, N8, p.3523.о

17. L. Finegold, J.K. Hulm, R. Mazelsky, N.E. Phillips, B.B. Triplett. Establishment of bulk superconductivity in superconducting semiconductors. Ann. Acad. Sci. Finnicae Ser. A. 1966, v.210,p.l29.

18. M.L. ' Cohen, Y.W. Tsang. The Physics of Semimetals and Narrow-gap Semiconductors, Ed. D. L. Carter and R.T. Bate, Pergamon. 1971, p.303.

19. H.T. Savage, B. Houston, J.R. Burke. Fermi-Surface studies in SnTe. Phys. Rev. B. 1972, v.6, N6, p.2292.

20. Yu.I. Ravich, B.A. Efimova, V.I. Tamarchenko. Scattering of current carriers and transport phenomena in lead halcogenides. Phys. Status Solidi B. 1971, V.43, N1, 11-33; N2, 453-469.

21. G.F. Koster, J.C. Slater. Wave Functions for Impurity Levels. Phys. Rev. 1954, V.95, N5, p.1167- 1176.

22. G.F. Koster, J.C. Slater. Impurity Calculations. Phys. Rev. 1954, V.96, N5, p. 1208 -1223.

23. N.J. Parada, G. W. Pratt. New model for vacancy states for PbTe. Phys. Rev. Lett. 1969, v.22, N5, p. 180-182.

24. Б.А. Волков, О.А. Панкратов. Электронная структура точечных дефектов в полупроводниках A1VBVI. ЖЭТФ. 1985, т.88, в.1, с.280-293.

25. А.Н. Вейс. Энергетический спектр вакансий халькогена в электронном селениде свинца по данным оптического поглощения. ДАР1 СССР. 1987, т. 289, в.6, с. 13551360.

26. А.И. Ковалев, В.В. Остробородова, П.И. Фоломин. Глубокие уровни в запрещенной зоне нелегироваппого PbTe. ФТП. 1988, т.22, в.9, с.1601-1603.

27. В.И. Кайданов, Ю.И. Рйвич Глубокие резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI. УФН. 1985, т.145, в.1, с.51.

28. A.A. Аверкин, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. ФТП. 1971, т. 5, в.1, с.91.

29. В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, И.А. Черник, Исследование теллурида свинца с примссыо индия. ФТП. 1973, т.7, в.4, с.759.

30. Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, С.А. Богословский, Л.И. Рябова, С.М. Чудинов. Неравновесное металлическое состояние в сплавах Pbi.xSnxTe(In). Письма ЖЭТФ. 1979, т.29, в.1, с.11.

31. Б.М. Вул, И.Д. Воронова, Г.А. Калюжная, Т.С. Мамедов, Т.Ш. Рагимова.в

32. Особенности явлений переноса в Pb0,78Sn0,22Te с большим содержанием индия. Письма ЖЭТФ. 1979, т.29, в. 1, с.21.

33. С.Н. Лыков, Ю.И. Равич, И.А. Черник. Проводимость по примесным состояниям и температурная зависимость кинетических коэффициентов в твердых растворах РЬ|.х1п.чТе с высоким содержанием индия. ФТП. 1977, т. 11, в.9, с. 1731.

34. С.А. Немов, Ю.И. Равич, A.B. Березин, В.Э. Гасумянц, М.К. Житинская, В.И. Прошин. Явления переноса в Pbo.7gSno.22Te с большим содержанием примеси In. ФТП. 1993, т.27, в.2, с.299-306.

35. Ю.И. Равич, С.А. Нсмов. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в '.PbTe и твердых растворах на его основе. ФТП. 2002, т.36, в.1, с.3-23.

36. Андроник К.И., Бойко М.П., Никорич A.B. Влияние примеси индия на электрофизические свойства Pb|.xSnvTe при х > 0.3. ФТП, т.26, в.5, с.839 (1992).

37. Акимов Б.А., Л.И. Рябова, О.Б. Яценко, С.М. Чудинов. Перестройка энергетического спектра в сплавах Pb!.xSnxTe с нримесыо In при изменении их состава и под давлением. ФТП. 1979, т. 13, в.4, с.752.

38. Г.С. Бушмарина, Б.Ф. Грузинов, И.А. Драбкин, Е.Я. Лев, В.М. Юнесв, Особенности легирующего действия In в SnTe. ФТП. 1984, т. 18, в. 12, с.2203.

39. А.Н. Вейс, В.И. Кайданов, С.А. Немов, С.Н. Емелин, А.Я. Ксендзов, Ю.К. Шалабугов. Примесные состояния галлия в теллуриде свинца. ФТП. 1979, г. 13. в.1. с.185-187.и

40. А.Н. Вейс, С.А. Немов. Исследование коэффициента поглощения теллурида свинца, легированного таллием. ФТП. 1979, т.13, в. 12, с.2384-2388.

41. А.Н. Вейс, С.А. Немов. Особенности электрофизических и оптических свойств РЬТс:Т1,.при больших содержаниях примеси. ФТП. 1981, т. 15, в.6, с. 1237-1240.

42. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа А4В6. ФТП. 1992, т.26, в.2, с.201-222.

43. В.И. Кайданов, С.А. Немов. Влияние примеси таллия на рассеяние дырок в халькогенидах свинца. ФТП. 1981, т.15, в.З, с.542-550.

44. С.А. Немов, Ю.И. Равич. Плотность резонансных состояний по данным гермоэде в РЬТе<Т1>. ФТП. 1988, т.22, в.8, с. 1370.е

45. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич, A.M. Зайцев. Влияние резонансных состояний на эффект Холла и электропроводность в РЬТе при одновременном легировании таллием и натрием. ФТП. 1983, т.17, в.9, с.1613-1617.

46. А.Н. Вейс, С.А. Немов, В.А. Половинкин, Ю.И. Уханов. Исследование примесных состояний таллия в селениде свинца. ФТП. 1977, т. 11, №5, с.995.

47. Али Аларик Гогук, М.Б. Бабанлы, A.A. Кулиев. Фазовые равновесия в системах Tl2Se SnSe и Tl2Se - PbSe. Известия АН СССР, серия Неорганические материалы. 1978. т. 14, в.З, с.587-588.

48. А.Н. Вейс, В.И. Кайданов, С.А. Немов, С.И. Семенов. Структура валентной зоны сульфида свинца. ФТП. 1979, т.13, N5, с.1026-1029.

49. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.Б. Мельник Особенности электрофизических свойств PbS с примесыо таллия. ФТП. 1979, т.13, N5, с.1011-1013.

50. И.А. Черник. В.И. Кайданов. М.И. Виноградова, Н.В. Коломоец. Исследования валентной зоны теллурида свинца с помощью явлений переноса. ФТП. 1968, т.2, в.6, с.773-781.

51. В.И. Кайданов, С.А. Псмов, Ю.И. Равич. Влияние резонансных состояний на эффект Холла и электропроводность в РЬТе при одновременном легировании таллием и натрием. ФТП. 1983, т. 17, в.9, с. 1613-1617.

52. A.I. Rosrnberg, F. J. Wald. Massive Heterovalent Substitutions in Octahedrally Coordinated Semiconductors. Phys. Chem. Sol. 1965, V.26, N7, p. 1079-1086.

53. R.S. Allgaier. Valence band in-lead telluride. J. Appl. Phys. 1961. Suppl. to N10, p.2185.

54. R.S. Allgaier, B.B. Houston. Hall coefficient behavior and the second valence band in lead telluride. J. Appl. Phys. 1966, v.37, p.302-309.

55. В.И. 'Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич, A.M. Зайцев. Особенности проводимости РЬТе, легированного таллием. ФТП. 1984, т. 18, в.7, с. 1288-1290.

56. С.А. Немов, Ю.И. Равич, A.M. Зайцев. Особенности поперечного эффекта Нернста Эттингсгаузена в условиях сильного резонансного рассеяния в РЬТе<Т1>. ФТП. 1985, т. 19, в.4, с.636-641.

57. И.А. Черник, С.Н. Лыков. Объёмная сверхпроводимость в легированном РЬТе. Письма в ЖТФ. 1981, т.7, в.2, с.9496.

58. И.А. Черник, С.Н. Лыков. Примесные состояния таллия в геллуриде свинца и сверхпроводимость. ФТТ. 1981, т.23, в.12, с.3548-3553.

59. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. Влияние дополнительного легирования акцепторной примесыо па сверхпроводящий переход в РЬТе<Т1>. Письма в ЖЭТФ. 1982, т.35, в.12, с.517-519.

60. И.А. Черник, С.Н. Лыков, Н.И. Гречко. О природе сверхпроводящего состояния РЬТе, легированного таллием. ФТТ. 1982, т.24, в. 10, с.2931-2937.

61. R.A. Hein and P.H.E. Meijr. Critical magnetic fields of superconducting SnTe. Phys. Rev. 1969, v. 179, N2, p.497-511.

62. V.I. Kaidanov, S.A. Nemov, R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur. Defects in semiconductors I. Proceeding of the 1st National Conference on Defects in Semiconductors. St. Petersburg. Russia, April 26-30, 1992, Scitec Publications Ltd, Switzeland, 1993.

63. P.B. Парфеньев, Д.В. Шамшур, C.A. Немов. Зависимость параметров сверхпроводящего перехода от состава твердого раствора и избытка Те в Sn|.zPbzTe: In, ФТТ, т.41, в. 12, с.2132-2134 (1999).

64. М.К. Житинская, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур Сверхпроводимость в твердых растворах Pb!xTexS с примесыо таллия. ФТТ. 1990, т.32 в.1 с.122-126.

65. A.L. Shelankov Mixed-valence behavior of impurities as a mechanism for superconductivity in IV-VI compounds Sol. St. Comm. 1987, V.62, N5, p.706-709.

66. Х.А. Абдуллин, А.И. Лебедев, A.M. Гаськов, В.Н. Демин, В.Г1. Зломанов. Структурный фазовый переход в твердом растворе PbTei.xSx. Письма в ЖЭ'ГФ. 1984, т.40, в.6, с.229-231.

67. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. Сверхпроводимость в системе PbTe,xSex<Tl>. ФТТ. 1985, т.27, в.8, с.2513-2515.

68. Л.В. Прокофьева, М.Н. Виноградова, С.В. Зарубо. Легирующий эффект олова в твердых растворах Pb,.xSnxSe и Pb,.ySnyS. ФТП. 1980, т.14, в. 12, с.2201-2204.

69. Ф.С. Насрсдинов, С.А. Немов, В.Ф. Мастеров, П.П. Серегин. Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца. ФТТ. 1999, т. 14, в. 11, с. 1897 1917.

70. JI.B. Прокофьева, Ф.С. Насредипов, Ю.А. Никулин, Г1.П. Серегин. Наблюдение методом Мессбауэра перезарядки атомов олова в твердых растворах халькогенчдов олова и свинца. ФТТ. 1982, т.24, в.6, с. 1630 1634.

71. JT.B. Прокофьева, C.B. Зарубо, М.Н. Виноградова, Ю.А. Никулин, К.Г. Гарцман. Об энерг етическом спектре примесных состояний Sn и Ge в твердых растворах на основе халькогенидов свинца. ФТГ1. 1982, т. 16, в. 12, с.2136 2140.

72. J1.B. Прокофьева, C.B. Зарубо, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин. Эффект перезарядки атомов олова в твердых растворах Pbi.xSnxS. Письма в ЖЭТФ. 1981, т.ЗЗ, в.1, с.14 16.

73. В.И. Кайдапов, И.С. Лискер. Исследование гальвано- и термомагнитиых явлений в полупроводниках нестационарным методом. Зав. лаб. 1966, т.32, в.9, с. 1091 1095.

74. В.И. Кайданов, И.С. Лискер. К вопросу об определении гальвано- и термомагнитных явлений в полупроводниках. ИФЖ. 1965, т.8, в.5 с.661 665.

75. Е.В. Кучис. Методы исследования эффекта Холла. М. Сов. радио. 1974.

76. В.И. Гольданский, Е.Ф. Макаров. Основы гамма-резонансной спектроскопии. Химические применения мессбуэровской спектроскопии. Под. ред. В.И. Гольданского. М., 1970.

77. С.А. Немов, Ф.С. Насрединов, Р.В. Парфеньев, М.К. Житинская, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур. Влияние добавок Sn на электрофизические свойства исверхпроводящий переход в (PbTe)0.95(PbS)0.05- ФТТ. 1996, г.38, в.2, с.550-557.

78. С.А. Немов, Ф.С. Насрединов, Р.В. Парфеньев, Ю.И. Равич, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур. Примесные электронные состояния атомов Т1 и Sn в твердом растворе (PbTe)o.9(PbS)o.i. ФТТ. 1996, т.38, в.5, с.1586-1591.

79. С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур. Явления переноса в системе (PbTe)|.x(PbS)x:Tl,Sn. Доклады V Межгосударственного семинара «Термоэлектрики и их применения», Санкт-Петербург, ноябрь 1996, с.55-59.

80. Р.В. Парфеньев, A.B. Черняев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов, П.П. Серегин. Влияние изовалентпого замещения атомов в катионной и анионной подрешетке на явления переноса и сверхпроводящие свойства РЬТе:Т1. Сборник докладов

81. Международной научной конференции «ФТТ-2005. Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск, октябрь 2005 г., т.2, с. 103 105.

82. С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, А.В. Черняев, Д.В. Шамшур. Влияние уровня легирования In на сверхпроводящие свойства твердых растворов SnTeiySey, Доклады VI Межгосударственного семинара «Термоэлектрики и их применения», СПб, октябрь 1998, с.93-96.

83. В.А. Мошников, А.В. Мошников, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, А.И. Румянцева, А.В. Черняев. Рентгеноспектральный микроанализ четверных полупроводниковых твердых растворов и его применение к системе (SnTe-SnSe):In. ФТТ. 1999, т.41, в.4, с.612-617.

84. R.V. Parleniev, D.V. Shamshur, М.А. Shakhov, Zb. Chrapkiewicz. Superconductivity and magnetism in In-doped lead-tin tellurides. J. of Alloys and Compounds. V.219, p.313.

85. S.A. Nemov, R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur, P.P. Konstantinov, M.O. Safonchik, D.I. Popov, J. Stepien-Damm, D. Kaczorowski. Observation of Superconducting and Structural Phase Transitions in Sn!.zGezTe:In Solid Solutions. Physica C. 2000, 333, p.31-40.

86. Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, М.А. Квантов, О.Е. Квятковский. Строение валентной зоны соединений AIVBVI. ФТТ 32, 10, 2869-2880.

87. I I.R. O'Neal, N.E. Phillips. Low-temperature heat capacities of indium and tin. Phys. Rev. 1965, v. 137, A748.

88. B.B. Шмидт. Введение в физику сверхпроводников. М.: Наука. 1982, с. 134.