Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge, Sn) - As2, облученных протонами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Ведерникова, Татьяна Владимировна

• Ведерникова, Татьяна Владимировна
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ведерникова, Татьяна Владимировна

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

Введение.

1.1. Собственные дефекты решетки в соединениях II-IV-V2.

1.2. Радиационные дефекты в соединениях II-IV-V2.

ЦЕЛЬ И ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

Введение.

2.1. Подготовка, обработка и облучение образцов протонами.

2.2. Обработка экспериментальных данных.

2.2.1. Изохронный отжиг облученного материала.

ГЛАВА 3. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ДИАРСЕНИДАХ ЦИНКА -ОЛОВА (ZnSnAs2), -ГЕРМАНИЯ (ZnGeAs2), -КРЕМНИЯ (ZnSiAs2) Введение.

3.1. Диарсенид цинка-олова (ZnSnAs2).

3.2. Диарсенид цинка-германия (ZnGeAs2).

3.3. Диарсенид цинка-кремния (ZnSiAs2).

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge, Sn) - As2, облученных протонами»

5.1. Закрепление уровня Ферми при облучении. 64

5.1.1. Бинарные III-V и тройные И-1У-У2 аналоги.65

5.1.2. Дефекты решетки в тройных соединениях II-IV-V2.67

5.1.3. Средняя энергия гибридной связи в соединениях H-IV-V2.69

5.1.4. "Нейтральная" точка кристалла.71

5.2. Радиационное модифицирование и предельный уровень легирования химическими примесями соединений (Zn, Cd)-(Sn, Ge, Si)-As2.77

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.81

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.83

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.86

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Тройные соединения группы II-IV-V2 - ближайшие структурно-химические аналоги бинарных полупроводников группы III-V, получаемые из них методом "прямых" или "перекрестных" замещений химических элементов III группы в катионной подрешетке элементами II и IV групп таблицы Д.И. Менделеева. Структура этих соединений относится к халькопиритной кристаллохимической фазе с упорядоченным расположением атомов II и IV групп в катионной подрешетке. Из-за сжатия решетки вдоль тетрагональной оси с величина тетрагонального сжатия т = (2 - с/а) в структуре халькопирита в большинстве соединений II-IV-V2 изменяется в пределах (0.000-0.164), здесь а и с — постоянные кристаллической решётки халькопирита. У ряда тройных соединений, например, ZnSnAs2, ZnSnP2 тетрагональное сжатие отсутствует вследствие одинаковой поляризуемости связей Zn-C5 и Sn-C5, что приводит к возможности разупорядочения катионной подрешетки по реакции II<=>IV, поскольку величина т является мерой упорядоченности катионной подрешетки. У других соединений данной группы величина с/а Ф 2. Поэтому большинство полупроводников группы II-IV-V2 обладают естественным двулучепреломлением (являются одноосными оптическими кристаллами), что обуславливает перспективность их использования в качестве материалов для изготовления поляризационно-чувствительных фотоприемников и источников, а также смесителей (модуляторов) оптического излучения. Кроме того, тройные соединения II-IV-V2 дополняют бинарные полупроводники группы III-V по значениям ширины запрещенной зоны, номиналам удельного сопротивления, подвижностям носителей заряда и т.п., что расширяет возможности использовании тройных соединений совместно с их бинарными аналогами. Несмотря на усложнение энергетического зонного спектра при переходе от структуры цинковой обманки (ZnS) к структуре халькопирита, можно ожидать, что некоторые качественные особенности тройных полупроводников могут быть предсказаны путем их сопоставления с соответствующими свойствами бинарных аналогов. Так, между бинарными (III-V) и тройными (II-IV-V2) соединениями сохраняется много общего по значениям ширины запрещенной зоны, эффективной массы и подвижности носителей заряда, температурам плавления и т.п.

Объект исследований.

Объектом исследования настоящей работы являются тройные соединения на основе (Cd, Zn)-(Ge, Si, Sn)-As2, включая CdSnAs2, CdGeAs2, CdSiAs2, ZnSnAs2, ZnGeAs2, ZnSiAs2. Данные соединения получают известными для других полупроводников способами с учетом физико-химических особенностей этих материалов. К этим способам относятся синтез данных материалов путем непосредственного плавления простых исходных веществ, взятых в стехиометрическом соотношении; зонная плавка материала; кристаллизация расплава по методу Бриджмена; растворные способы - кристаллизация из раствора - расплава (металлы, химические соединения, содержащие компонент II-IV-V2); эпитаксиальные методы выращивания тонкопленочных тройных материалов.

При» этом, если в бинарных соединениях III-V определяющее значение на свойства ростового материала оказывает чистота исходных компонент и выбор типа легирующей химической примеси, то соединения II-IV-V2 плохо подчиняются простым правилам химического легирования. Так, например, специально нелегированные кристаллы CdSnAs2, CdGeAs2 всегда получают в виде образцов п -типа проводимости; другие соединения - ZnSnAs2, ZnGeAs2, CdSiAs2, ZnSiAs2 имеет устойчивый р-тип проводимости при различных способах их получения или последующих обработках - термическом отжиге, легировании химическими примесями. При этом большинство тройных полупроводников* слабо реагируют на легирование химическими примесями, как в расплаве, так и при диффузии примесей в ростовый материал. В большинстве случаев термообработка ростового материала также не оказывает существенного влияния на свойства тройных полупроводников. Плохая "управляемость" свойствами- соединений II-IV-V2 ограничивает возможности их использования в микро- и оптоэлектронике. Предполагается, что такие особенности тройных соединений связаны с процессами их "псевдолегирования" собственными дефектами решетки в процессе выращивания материала. Именно поэтому проблеме исследования собственных дефектов структуры в тройных полупроводниках группы II-IV-V2 и их влияния на свойства данных материалов уделяется особое внимание, что определяет актуальность данной работы.

В настоящей работе представлены результаты исследований собственных дефектов решетки, созданных протонным облучением в соединениях CdSnAs2, CdGeAs2, CdSiAs2, ZnSnAs2, ZnGeAs2, ZnSiAs2 и влияния таких дефектов на электрофизические свойства данных материалов. Предпринята попытка описания, всей совокупности экспериментальных данных для представленной группы материалов с использованием соответствующих данных, полученных при исследованиях их бинарных аналогов (Al, Ga, In)-As, принимая во внимание только самые общие соображения о кристаллохимической близости тройных II-IV-V2 и бинарных Ш-Усоединений.

Научная новизна результатов работы.

Впервые получены, проанализированы и систематизированы данные экспериментальных исследований электрофизических свойств облученных протонами тройных соединений - (Cd, Zn)-(Ge, Si)-As2 и сопоставлены с соответствующими литературными данными для их "родственных" бинарных аналогов- (Al, Ga, In)-As.

Исследовано явление закрепления электронного химпотенциала (уровня Ферми) при протонном облучении в предельном положении Fiim, характерном для каждого тройного соединения (Cd, Zn)-(Si,Ge,Sn)-As2, и выявлены закономерности изменения величины Fitm и, соответственно, электрофизических свойств тройных (Cd, Zn)-(Ge, Si)-As2 и бинарных (Al, Ga, In)-As соединений при высокоэнергетическом радиационном воздействии.

Проведено сопоставление экспериментальных данных по значениям Fjim с известными модельными расчетами энергетического положения "нейтральной" точки кристалла для тройных соединений - CdSnAs2, CdGeAs2, CdSiAs2, ZnSnAs2, ZnGeAs2, ZnSiAs2 сравнительно с соответствующими им "родственными" бинарными полупроводниками - InAs, GaAs, AlAs и показано, что величина /*ьт относится к основным параметрам материала и определяется энергетическим спектром идеального кристалла. t

Впервые проанализировано сравнительное г влияние радиационных и ростовых дефектов на электрофизические свойства тройных, соединений группы (Cd, .Zn)-(Ge, Si)-As2. В интервале температур; (20-500)°С исследована термическая стабильность радиационных дефектов' созданных высокоэнергетическим: протонным облучением в тройных полупроводниках.

Практическая значимость работы.

Представленные в работе результаты исследований электрофизических свойств облученных протонами соединений (Zn,Cd)-(Si,Ge,Sn)-As2, данные по термической стабильности радиационных дефектов в этих соединениях могут быть использованы для создания высокоомных областей за счет протонной "изоляции", проводящих дорожек, оптического просветления материала, а. также использованы при; прогнозировании стойкости тройных соединений к воздействию высокоэнергетического облучения, при развитии методов ионного или трансмутационного легирования тройных; соединений.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Протонное облучение приводит к самокомпенсации соединений: (Gd; Zn)-(Si; Ge, Sn)-As2 и, вследствие этого, к: закреплению уровня Ферми (F) в предельном (стационарном) положении; i^m за, счет одновременного введения радиационных дефектов донорного и; акцепторного типов. Положение Fyim определяет электронные свойства материала, насыщенного дефектами структуры.

2. Fnm является фундаментальным параметром кристалла, значение которого определяется особенностями зонного спектра соединения (Cd,Zn)-(Si,Ge,Sn)-As2 и соответствует положению Fyim в зоне проводимости; CdSnAs2, в верхней половине запрещенной зоны CdGeAs2 и ZnSnAs2 и вблизи середины-запрещенной зоны в GdSiAs2, ZnSiAs2, ZnGeAs2.

3. Введение радиационных дефектов в соединения (Cd; Zn)-(Si,Ge,Sn)-As2 при протонном облучении приводит к изменению их электрофизических свойств качественно подобному изменению электрофизических свойств соответствующих им бинарных аналогов III-V - соединений (Al, Ga, In)-As.

4. Для облученных протонами соединений (Cd, Zn)-(Si,Ge,Sn)-As2 интервалы восстановления электрофизических свойств, при- изохронном отжиге ограничены температурами вблизи 500°С.

Апробация работы.

Результаты исследований докладывались на Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-10)" (Кемерово 2007), 8-й российской1 конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002)" (Томск 2002), Международной конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск 2002), «The 9-th and The 10-th International Conferences on Ternary and Multinary Compounds» (Yokagama, 1993; Stuttgart, 1995); «VI Всесоюзной конференции по росту кристаллов" (Ереван 1985).

Публикации

По тематике диссертации опубликовано 7 статей в рецензируемых, научных журналах «Физика! и Техника Полупроводников» (2), «Известия вузов Физика» (3), «Оптика Атмосферы» (1), «Crystal Research Technology» (1), а также' 8 научных докладов и тезисов в материалах Российских и Международных научных конференций. В опубликованных работах автору принадлежат результаты, отображенные в тексте диссертации.

Личный вклад автора.

Диссертационная работа - результат многолетних исследований автора, часть из которых выполнена - лично автором, а часть совместно с сотрудниками лаборатории полупроводникового материаловедения СФТИ им. акад. В. Д. Кузнецова и кафедры физики полупроводников физического факультета Томского госуниверситета (г. Томск). Автором проводилась подготовка материала к измерениям, изготовление образцов, их измерение и обработка экспериментальных данных. Автору принадлежит часть результатов, опубликованных в совместных с другими исследователями работах, которые вошли в защищаемые положения, а также обобщение экспериментальных данных для группы тройных соединений (Cd, Zn)-(Si,Ge,Sn)-As2, представленное в настоящей диссертации.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из общей характеристики работы, пяти глав, заключения, содержит страниц 92, включая рисунков 25, таблиц 7 и список цитируемой литературы из 68 наименований.

Результаты диссертации изложены в научных статьях в рецензируемых журналах [36, 37, 38, 42, 48, 51, 55], а также материалах и тезисах конференций [35, 41, 49, 50, 52, 65] списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Ведерникова, Татьяна Владимировна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В диссертационной работе проведены исследования влияния протонного облучения на электрофизические свойства группы тройных соединений (Zn, Cd)-(Si, Ge, Sn) -As2. Изучены закономерности изменения электрофизических свойств данных материалов при облучении, исследована термическая стабильность радиационных нарушений. Особое внимание уделено явлению закрепления электронного химпотенциала в предельном положении /rlim в соединениях (Cd, Zn)-(Si, Ge, Sn) -As), облученных протонами и выявлению связи Fiim с энергетическими спектрами кристаллов. Совокупность полученных результатов, изложенных в диссертации, позволяет установить корреляции между электрофизическими характеристиками облученных соедииепий (Zn, Cd)-(Si, Ge, Sn) -As2 и их химической формулой.

В соответствии с поставленными задачами, основные результаты работы сформулированы следующим образом.

Введение радиационных дефектов в кристаллическую решетку тройных соединений CdSnAs2, CdGeAs2, CdSiAs2 и ZnSnAs2, ZnGeAs2, ZnSiAs2 приводит к закреплению уровня Ферми в предельном положении Fiim, характерном для каждого полупроводника независимо от его предыстории - способа выращивания и типа легирующей химической примеси. Значение Fnm является фундаментальным (основным) параметром соединения, которое определяется только химической формулой материала и, соответственно, его энергетическим спектром.

Эмпирические закономерности в изменении величины Fnm в бинарных и тройных соединениях с общим анионом As при изменении их химической формулы и, соответственно, ширины запрещенной зоны показывают, что с увеличением атомного веса (уменьшением ширины запрещенной зоны) соединения эффективность радиационного "легирования" материала дефектами донорного типа возрастает. Показано, "что данное явление обусловлено присутствием "тяжелых" катионов Sn и Cd в химической формуле соединений CdSnAs2, CdGeAs2, ZnSnAs2, что приводит к "уменьшению" ширины их запрещенной зоны и, соответственно, к п (п ) - типу проводимости данных материалов после облучения.

Облучение полупроводников группы (Zn, Cd)- (Si, Ge, Sn)-As2 - CdSnAs2, CdGeAs2, CdSiAs2 и ZnSnAs2, ZnGeAs2, ZnSiAs2 протонами приводит к накоплению в кристаллической решетке данных соединений радиационных дефектов как донорного, так и акцепторного типа, эффективность влияния которых на электрофизические свойства материала определяется исходным положением уровня Ферми F0 относительно его предельного значения в кристалле. При значениях F0<Fy,m при облучении материала более эффективны радиационные доноры, а при Fo>Fjjm - радиационные акцепторы. Жесткое облучение стимулирует в соединениях (Zn, Cd)- (Si, Ge, Sn)-As2 процесс самокомпенсации, эффективность которого определяется как исходным уровнем легирования материала, так и дозой протонного облучения. В условиях закрепления уровня Ферми вблизи Fiim степень компенсации облученного материала приближается к единице.

Исследования термической стабильности РД в облученных протонами соединениях (Zn, Cd)- (Si, Ge, Sn)-As2 показали, что для отжига таких дефектов достаточны температуры нагрева до (500-550)°С, в то время как ростовые дефекты не устраняются даже при температурах нагрева близких температурам плавления данных материалов. Показано, что радиационные и ростовые дефекты определяют п- тип проводимости соединений CdSnAs2 и CdGeAs2. В то же время радиационные дефекты определяют п- тип проводимости ZnSnAs2 и полу изолирующие свойства CdSiAs2, ZnGeAs2 и ZnSiAs2, в то время как ростовые дефекты задают р- тип проводимости данных соединений.

Результаты выполненных исследований, в частности, величина F\im и температура отжига РД позволяет априори рассчитать электрофизические свойства облученного полупроводника, прогнозировать устойчивость исследуемого материала к высокоэнергетическому радиационному воздействию, оценить эффективность легирования материала химическими примесями. Это представляет большое практическое значение при использовании методов радиационной технологии для управления электрофизическими параметрами соединений II-IV-As2, при разработке методов ионного и трансмутационного легирования тройных соединений, при анализе их радиационной стойкости, а таюке при оценке пределов легирования полупроводников II-IV-As2 "мелкими" химическими примесями.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Работа выполнялась в лаборатории полупроводникового материаловедения СФ'ГИ им: акад. В .Д. Кузнецова и на кафедре физики полупроводников Томского -государственного университета под руководством д.ф.-м.н., профессора Брудного ВЛ1.

Содержание диссертации отражено в 15 публикациях: Статьи в рецензируемых журналах

1. Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства облученного протонами CdSnAs2 / Брудиый В.Н:, Ведерникова Т.В. //ФТП.- 2008,- Т.42, Вып. 1.- С.34-37

2. Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния! (CdSiAs2), облученного ионами Ы+/ Брудный В.П., Ведерникова Т.В. //Изв. вузов Физика. -2007.-Т.50,№7.- С.122-125.

3. Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2. /Брудный В.Н:, Ведерникова Т.В. // ФТП. -2007 -Т.41; Вып.1.-С.13-16.

4. Vedernikova Т.У. Effect of impurity level widening on electrophysical properties of compounds. /Voevodin V.G., Voevodina O.V., Vedernikova T.V. // Cryst: Res. Technol.- 1996.-Y.31, S. 1.1 .-P.93-96. , '

5. Ведерникова? Т.В; Генерация второй гармоники излучения С02 - лазера; в GdGeAs2 /Андреев Ю.М., Воеводин В.Г., Ведерникова Т.В. и др., //Оптика атмосферы. - 1988.- Т.1, Х°2.- С. 103-105.

6. Ведерникова Т.В; Отжиг дефектов в монокристаллах CdGeAs2, облученных электронами при 300К. / Брудный В.Н:, Ведерникова Т.В;, Воеводин В:Г., Кривов; М.А., Отман Я.И. //Изв. вузов Физика. -1981.-Т.24,№9.- С.122 -125.

7. Ведерникова Т.В: Влияние примеси меди и структурных дефектов на свойства соединения CdSnAs2. / А.П. Вяткин, О.В. Воеводина, Т.В; Ведерникова и др.// Изв. вузов Физика. - 1980.-Т.23, №5.-С. 102-108:

Сборники научных трудов и тезисы докладов

1. Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства соединений П-1У-У2, облученных протонами. 17-21./Брудный В.Н., Ведерникова Т.В. //Доклады Межд. конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-10)!'.Кемерово,

10-12 октября 2007.Кемерово: Кузбассвузиздат, 2007.-Т.1.-С.17-21.

2. Ведерникова Т.В. Нелинейно-оптические кристаллы CdSnAs2, CdGeAs2: радиационные методы обработки. // Труды III межд. конф. "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах". 29 июля - 3 августа 2002 г. И. Томский политехнический университет, Томск 2002 г., С. 37.

3. Ведерникова Т.В. Электронные параметры CdGeAs2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5 МэВ)./ Брудный В.Н., Потапов А.И. // Материалы Восьмой Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002)". Томск (1-4) октября 2002.-С.373-375.

4. Vedernikova T.V. The photoelectromagnetic effect in CdGeAs2 ternary compound. / Voevodin V.G., Voevodina O.V., Vedernikova T.V. // Ternary and Multinary Compounds . Inst. Phys. Conf. Ser. N152.-1998,- P.835-838.

5. Vedernikova T.V. Effect of impurity level widening on electrophysical properties of A2B4C52 compounds./ Voevodin V.G, Voevodina O.V.Vedernikova T.V. // Book of Abstr. of 10-th Intern. Conf. on Ternary and Multinary Compounds, Stuttgart 19-22, 1995.-P.1B.3.

6. Vedernikova T.V. Impurity interaction effect on electrophysical properties of A2B4C52 compounds./ V.G. Voevodin, O.V. Voevodina, Vedernikova T.V. // Book of Abstr. of 9th. Intern. Conf. on Ternary and Multinary Compounds, Yokagama, Japan, 1993. Appendix of ICTMC-9.

7. Ведерникова Т.В. Энергетический спектр дефектов в кристаллах CdGeAs2. /Ведерникова Т.В., Воеводина О.В., Лебедева М.В. // Тез. докл. V Всес. конф. "Тройные полупроводники и их применение". И. Штиинца, Кишинев, 1987, С.81.

8. Ведерникова Т.В. Нелинейно-оптические кристаллы ZnGeP2 и CdGeAs2: получение монокристаллов и характеризация дефектов. / Ведерникова Т.В., Воеводин В.Г., Грибенюков А.И. и др. // VI Вс. конф. по росту кристаллов. Тез. докладов. Т1. Рост кристаллов из расплава. Ереван. И. АН Арм. ССР. 1985.- С. 196197.

Работа выполнялась в рамках следующих проектов:

Координационный план АН СССР по направлению "Физико-химические основы полупроводникового Материаловедения". Раздел 2.21.1.3 НТП по проблеме "Лазерные системы", Задание 04.22 (1985-1990) г.г.; Грант INTAS-94-396 "MID

Infrared Laser Nonlinear Spectroscopy" (1994 г.), грант Минобразования РФ "Разработка физико-химических основ и оптимизация технологии получения крупных монокристаллов сложного состава и нелинейно-оптических элементов на их основе для лазерных систем ИК-диапазона" (1996-1998) г.г.; по заказ нарядам Минобразования РФ (2000-2005 г.г.).

В заключение автор считает своим долгом выразить благодарность научному руководителю д.ф.-м.н., профессору Брудному В.Н. за руководство и помощь при выполнении работы.

Автор признателен д.ф.-м.н. Воеводину В.Г. и д.ф.-м.н. Воеводиной О.В. (J111M СФТИ им. акад. В.Д. Кузнецова ТГУ, г. Томск) за значительную помощь в работе и предоставление ряда материалов для исследований, д.ф.-м.н. Рудю Ю.В. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург) за представление ряда материалов для выполнения экспериментов; к.ф.-м.н. Потапову А.И. (СФТИ им. акад. В.Д. Кузнецова ТГУ, г. Томск) за помощь в подготовке экспериментальных образцов и их облучение протонами, а также другим сотрудникам ТГУ, которые в разной мере способствовали выполнению данной работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ведерникова, Татьяна Владимировна, 2008 год

1. Рудь Ю.В. Полупроводники II-IV-V2: получение, физические процессы, возможности применения./Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. ФТИ им. акад. Иоффе РАН, Л., 1987.-38 С.

2. Горюнова РА. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968.-267 С.

3. Бергер Л.И., Прочухан В.Д. Тройные алмазоподобные полупроводники. — М.: Металлургия, 1968.- 151 С.

4. Тройные полупроводники АиВ1УСу-> и АПВ1П2СУ14. Под ред. Радауцана С.И., Медведева З.С., Тычины И.И. и др. -Кишинев: Штиинца, 1972.- 259 С.

5. Борщевский Ф.С., Вайполин А.А., Валов Ю.А., Горюнова Н.А., Кесаманлы, Ф.П., Назаров А., Прочухан В.Д., Чалдышев В.А. Полупроводники А2В4С52. / Под ред. Горюновой Н.А., Валова Ю.А.- М.: Советское радио, 1974.- 374 С.

6. Прочухан В.Д. Полупроводниковые материалы типа А2В4С52. // Материалы шестой зимней школы по физике полупроводников. Л.:ЛИЯФ, 1974. -С.280-334.

7. Leroux-Hugon P., Weil G. Effect de'irradiation aux neutrons rapides sur la conductive therique d'arsenides ternaries // Rad. Damage in Semicond., Paris-Royamont (1964), Paris: Dunod Press,1965.- P.73-77.

8. Брудный B.H. Радиационные дефекты в полупроводниковых соединениях II-IV-V2 (обзор). // Известия вуз Физика. 1986. -Т. 29. -№ 8. - С.84-97.

9. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. -М.: Высшая школа, 1968. 487 С.

10. В.Н. Брудный, В.Г. Воеводин, С.Н. Гриняев. Глубокие уровни собственных точечных дефектов и природа "аномального" оптического поглощения в ZnGeP2. // ФТТ. 2006. - Т. 48. - Вып. 11.-С. 1949-1961.

11. Brudnyi V.N., Voevodin V.G., Voevodina O.V., Krivov M.A. Defects in electron irradiated CdSnAs2 crystals // Phys. stat. sol. (a). 1980. - V. 62. -N.l. - P.155-162.

12. Brudnyi V.N., Krivov M.A., Potapov A.I., Polushina I.K., Prochukhan V.D., Yu.V. Rud. Electrical properties in electron irradiated CdGeAs2 crystals. // Phys. stat. sol. (a). 1978. - V. 49. -N 2. - P. 761-765.

13. Brudnyi V.N., Borisenko S.I., Potapov A.I. Electrical, optical properties and Fermi-level stabilization in electron irradiated ZnSnAs2. // Phys. stat. sol. (a). -1990.-V. 118.-N.2.-P.505-511.

14. Брудный B.H., Дробот П.Н., Новиков B.A. Исследование радиационных дефектов в облученных ионами Н* фосфидах InP, CdSnP2. // Известия вузов Физика. Деп. в ВИНИТИ, per. № 104-В88.

15. Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И., Масагутова Р.В., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Компенсация проводимости фосфидов А2В4С52. // Письма в ЖТФ.- 1978.- Т.46.-№1.-С.41-46.

16. Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И., Рудь Ю.В. Электрические свойства ZnGeAs2> облученного электронами. // Известия вузов Физика. -1982.- Т.25.- № 9. С.121-123.

17. Брудный В.Н., Новиков В.А., Попова Е.А. Электрические и оптические свойства ZnGeP2. // Известия вузов Физика.- 1986. Т.29.- №8. - С.123-127.

18. Brudnyi Y.N., Krivov М.А., Mamedov F., Potapov A.I., Prochukhan V.D., Rud Yu.V. Electrical properties of electron irradiated p CdSiAs2 and p - ZnSiAs2 crystals. // Phys. stat. sol. (a). - 1980- V.60.- N1. - K57-K60.

19. Брудный В.Н., Потапов А.И. Электрические свойства ZnGeAs2, облученного ионами Н+. ЦНИИ "Электроника" 3-3371/82. 8С.

20. Brudnyi V.N., Krivov M.A., Potapov A.I., Mamedov A., Prochukhan V.D., Rud Yu.V. Radiation Defects in H+ irradiated /?-CdSiAs2 and p-ZnSiAs2 // Rad. Effects. - 1982. -V. 59. -N3/4. -P.21 - 215.

21. Хафнер Дж. Ядерное излучение и защита в космосе. М.: Атомиздат, 1971.320 С.

22. Burke Е.А., Dale C.J., Campbell А.В/, Summers G.P., Palmer Т. and Zuleeg R. Energy dependence of proton- induced displacement damage in gallium arsenide // IEEE Trans. NS.-1987.-V.34,N6.-P. 120-1226.

23. Кучис Е.Б. Методы исследования эффекта холла. М.: Советское радио, 1974.-328 С.

24. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. 590 С.

25. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Ленинград: Наука, 1970. - 304 С.

26. Isomura S., Tomioka S. Impurity Band Conduction in Chalcopyrite Semiconductors. // Memoirs of the Faculty of Engineering Ehime University. -1983.-V.10.-2.-P.67-73.

27. Brudnyi V.N., Budnitskii D.L., Krivov M.A., Melev V.G. P-n conversion and optical properties of 2 MeV electron irradiated ZnSnAs2. // Phys. stat. sol: (a). -1976.-V.35.-N.2.-P.425-430.

28. Popescu V., Tianenen O.J.A., Tuomi Т.О. Reactor irradiation of the chalcopyrity and sphalerity forms of ZnSnAs2. // Phys. stat. sol. (a). 1972. - V.14.- N12.-P.541-544.

29. Кривов M.A., Мелев В.Г., Климов B.H., Хлыстова А.С. Конверсия типа проводимости ZnSnAs2. ФТП.-1975.-Т.9.-Вып.6.-С.1211-1213.

30. А/С № 871680 (СССР). Способ обработки полупроводникового материала. // Брудный В.Н., Кривов М.А., Мелев В.Г., Потапов А.И. 1981.

31. Brudnyi V.N., Potapov A.I., Rud Yu.V. Electrical properties of H+- irradiated p -ZnGeAs2// Phys. stat. sol. (a) 1983. V.73, N. 1. -P.K73-K76.

32. Voevodina O.V., Voevodin V.G., Vedernikova T.V. Impurity interaction effect on electrphysical properties of A2B4C52 compounds. The 9-th. Int. Conf. on Ternary and Multiternary Compounds. August 1993. Yokogama, Japan. Appendix of ICTMC-9. Abstracts.

33. Voevodina O.V., Voevodin V.G., Vedernikova T.V. Effect of impurity level widening on electrophysical properties of A2B4C52 compounds. // Crystal Research Technology. -1996.-V.31.- P. 93-96.

34. Брудный B.H., Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2. // ФТП.-2007.-Т.41.-Вып.№ 1.- С. 13-16.

35. Ведерникова Т.В., Воеводина О.В., Вяткин А.П., Воеводин В.Г., Кривов М.А., Отман Я.И. Влияние примеси меди и структурных дефектов на свойства соединения CdSnAs2. // Изв. вузов Физика. -1980.-Т.-24, №5.-С.102-108.

36. Воеводин В.Г., Воеводина О.В. Диарсенид кадмия олова. Томск: ТГУ, 1988.- 160 С.

37. Брудный В.Н., Воеводина О.В., Кривов М.А. Исследование дефектов в кристаллах CdSnAs2, облученных электронами. // ФТП. 1976. -Т. 10. -Вып.№7. - С. 1311-1314.

38. Ведерникова Т.В. Нелинейно-оптические кристаллы CdSnAs2 и CdGeAs2: радиационные методы обработки. Труды Межд. конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах". Томск. 29 июля-3 августа 2002. И. ТПУ.-2002.- С.37-39.

39. Брудный В.Н., Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства облученного протонами CdSnAs2. // ФТП.- 2008,- Т.42, Вып.1, С.34-37.

40. Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов // ФТП. 2005.- Т.39.- Вып. 4. -С.409-417.

41. Даунов М.И., Магомедов А.Б., Рамазанова А.Э. Влияние всестороннего давления на энергетический спектр электронов и кинетические свойства полупроводников II-IV-V2 // Изв. вуз Физика. 1986. -Т.29. - №8. - С.98-111.

42. Nakashima J. Hamaguchi С. Shubnikov de Haas oscillations in CdSnAs2, observed by magnetic field modulation technique. // J. Phys. Soc. Jap.- 1987. -V.56.-N9.-P.3248-3242.

43. Колин Н.Г., Освенский В.Б., Рытова H.C. и др. Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми нейтронами. // ФТП. Т.21, Вып.З.-С.753-755.

44. Walukiewicz W., Jones R.E., Li S.X., Yu K.M., Ager III j.W., Haller E.E., Lu H. and Schaff W.J. Dopants and defects in InN and InGaN alloys. // J. Cryst. Growth. 2005. - V.288. - Issue N2. - P. 278-282.

45. Андреев IO.M., Воеводин В.Г., Ведерникова T.B., Гейко П.П. и др. Генерация второй гармоники излучения С02 — лазера в CdGeAs2. // Оптика атмосферы. 1988.-Т.1.- №2.- С.103-107.

46. Ведерникова Т.В., Воеводина. О.В., Лебедева М.В. Энергетический спектр дефектов в монокристаллах CdGeAs2. // В сб. "Тройные полупроводники и их применение". VBc. конф. Кишинев, 1987.- Tl.-C.81.

47. Брудный В.Н. Ведерникова Т.В., Воеводин В.Г., Кривов М.А., Отман Я.И. Отжиг дефектов в монокристаллах CdGeAs2, облученных электронами. // Известия вузов Физика. 1981. - Т. 24. - № 9. - С. 122 - 125.

48. Брудный В.II., Кривов М.А., Потапов А.И., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Радиационные дефекты в кристаллах CdSiAs2 и ZnSiAs2, облученных электронами. //ФТП.-1978.-Т.12.-Вып.6.-С.1109-1114 .

49. Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И., Рудь Ю.В., Прочухан В.Д. // Межд. конф. по физике полупроводников и родственных материалов. Тбилиси:, ТбГУ, 1980.-С.680-683.

50. Брудный В.Н. Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства диарсенида кадмия кремния, облученного ионами Н+ // Изв. вузов Физика.-2007.- Т.50.-№ 8.-С.12-15.

51. Brudnyi V.N., Grinyaev, Kolin N.G. A model for Fermi-level pinning in semiconductors: radiation defects, interface boundaries. // Physica B. 2004. -V.348. - P.213- 225.

52. Коноплева Р.Ф., Остроумов В.Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. // М.: Атомиздат, 1975. 126 С.

53. Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. О корреляциях положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с "предельным" положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V. // Изв. вузов Физика. 2007. - Т. 50.-№ 5. - С.17-22.

54. Харрисон У. Электронная структура твердых тел. М.: Мир, 1983. -Т.1. -379 С., Т.2. - 330 С. (перевод с англ. Harrison W.A. Electronic Structure and the Properties of Solids. -San Francisco: W.H. Freeman and Company, 1980).

55. Lines N.E., Waszczak J.V. A bond orbital interpretation of the linear dielectric and magnetic properties of the ternary chalkopyries. // J. Appl. Phys. - 1997. -V.48. - N4. - P.1395-1403.

56. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors. // Physica B. 1995-V.212-P.429-435.

57. Брудный B.H., Колин Н.Г., Смирнов JI.C. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках // ФТП. 2007. -Т.41.-В.9.- С.1031-1040.

58. Степанов В.Е. Локальная электронейтральность и природа барьеров на межфазных границах. // В сб. "Новые материалы электронной техники" под ред. акад. Кузнецова Ф.А. Новосибирск: Наука СО, 1990.-С.26-31.65.