Электрофизические свойства структуры металл - полимер - металл при фазовых превращениях в металлах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Набиуллин, Ильсур Рашитович

• Набиуллин, Ильсур Рашитович
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Набиуллин, Ильсур Рашитович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

стр

8

§1.1. Зарядовая неустойчивость в тонких пленках 8 полиариленфталидов.

§1.2. Инициирование высокопроводящего состояния в структуре 18 металл - полимер - металл методом «вариации граничных условий».

§1.2.1. Влияние разности потет{иалов на переход в 23 высокопроводящее состояние.

§1.3. Влияние внешних параметров на переход в ВПС

§1.3.1. Влияние электрического поля

§1.3.2. Зависимость от толщины

§ 1.3.3. Влияние скорости изменения температуры

§1.4. Анализ применимости инжекционной модели 31 возникновения проводимости.

§ 1.4.1. Оценка концентрации неравновесного заряда

§1.4.2. Динамика вольт - амперных характеристик в области 35 перехода в ВПС.

§1.5. Эффект переключения при эволюции микроструктуры в 40 наноструктурном металле.

§1.6. Поведение химического потенциала при фазовых 46 переходах второго рода.

§2.2.1 Методика изготовления и измерения толщины 68 полимерных пленок.

ГЛАВА И. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ

§2.1. Полидифениленфталид и его свойства. §2.2 Изготовление пленочных образцов.

66

66

68

§2.2.2. Методика подготовки металлических электродов

§2.3 Методика подготовки электродов с 73 субмикрокристаллической структурой.

§2.4. Методика измерения температурных зависимостей тока. 76 §2.5. Анализ ошибок измерений

ГЛАВА III. ВЛИЯНИЕ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ ВТОРОГО 81 РОДА НА ПРОВОДИМОСТЬ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ -ПОЛИМЕР - МЕТАЛЛ

§3.1. Исследование температурных зависимостей тока в 82 структуре Си - ПДФ - Cr.

§3.2 Исследование температурных зависимостей тока в 84 структуре Си - ПДФ - Gd.

§3.3 Исследование температурных зависимостей тока в 88 структуре Си - ПДФ - GdAl2.

§3.4 Исследование температурных зависимостей тока в 91 структуре Си - ПДФ - GdCo2. ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ РОЛИ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО 95 БАРЬЕРА НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА МЕТАЛЛ/ПОЛИМЕР

§4.1 Влияние контакта полимер/металл, претерпевающий 95 фазовое превращение, на эффект переключения. §4.2. Исследование поведения потенциального барьера на 108 границе раздела металл/полимер.

§4.3. Анализ вольт - амперных характеристик в рамках теории 115 токов, ограниченных объемным зарядом. ГЛАВА У. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ

ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ НИКЕЛЬ/ПОЛИМЕР

§5.1. Исследование температурных зависимостей тока в 132 структуре СМК-никель - полимер - ванадий.

§5.2. Исследование изменения параметров потенциального барьера на границе СМК-никель/полимер в результате высокотемпературного отжига. ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические свойства структуры металл - полимер - металл при фазовых превращениях в металлах»

Введение

Материалы с большой шириной запрещенной зоны (Ец > 3 эВ) в последние годы заняли особое место, как в фундаментальной науке, так и в области практических применений. Это связано с возможностью изменения их электронных свойств в широких пределах за счет целенаправленного создания электронно-дырочных состояний в нужных энергетических интервалах в запрещенной зоне материала. Большая ширина запрещенной зоны позволяет моделировать электронные свойства материала таким образом, что электропроводность системы может изменяться от значений близких к металлам до значений соответствующих изолятору. Органические полимерные материалы с большой шириной запрещенной зоны, так называемые несопряженные соединения, также демонстрируют выдающиеся электронные свойства в пленках при условии, что толщина последних меньше глубины проникновения поверхностного заряда. Ранее было убедительно показано, что несмотря на то, что эти материалы являются аморфными, электропроводность в них может достигать значений сопоставимых с металлами, плотности токов аномально больших даже для металлов величин. В тоже время, в отличие от неорганических систем, электропроводностью в полимерных пленках можно управлять относительно слабыми внешними полями и воздействиями, что свидетельствует о важной роли границ раздела и потенциальных барьеров па этих границах. Возникает вопрос: можно ли за счет изменения параметров потенциального барьера на границе раздела металл/полимер осуществить переход из низкопроводящего состояния в высокопроводящее, то есть реализовать эффект электронного переключения. В 90-х годах прошлого века, а затем в начале 2000-х годов были описаны такие эксперименты. В них изменения потенциального барьера осуществляли за счет использования в качестве одного из электродов металла с низкой температурой плавлеиия. Было использовано изменение эффективной работы выхода металла вблизи температуры фазового

перехода, влияющего на высоту потенциального барьера на границе металл/полимер. К удивительным и плохо объясненным до сих пор фактам необходимо отнести следующие: относительное изменение проводимости 810 порядков; аномально высокая чувствительность электропроводности многослойной системы к незначительным структурным изменениям в контактирующем металле. В частности, были обнаружены заметные флуктуации тока при температурах значительно меньших температуры плавления металла. При этом было установлено, что именно в этом температурном интервале возникает «поверхностное» плавление металла, так называемые предпереходные явления. Непосредственное использование зонной модели контакта металл/полимер не позволяет получить ответ о механизме столь сильного изменения транспортных свойств структуры. Если взять среднее значение работы выхода металла <рм порядка 4 эВ, энергию электронного сродства полимерного диэлектрика д„ ~ 2 эВ следовательно ожидаемый потенциальный барьер У7,,/,, = <ри - д„ ~ 2 эВ. Это типичная величина барьера на границе металл/диэлектрик и значительную величину протекающего тока через такой барьер при комнатной температуре и слабых электрических полях ожидать не следует. Это означает, что в зонную структуру контакта металл/несопряженный полимер необходимо вносить дополнительные коррективы, которые бы позволили лучше объяснить экспериментальные факты.

Между тем, использование фазового перехода типа плавление кристаллизация вызывает много вопросов, на которые трудно ответить односложно в связи с изменением агрегатного состояния электрода и сопутствующих этому изменению проблем (растекание электрода по поверхности полимерной пленки, протекание жидкого металла сквозь возможные дефекты тонкой полимерной пленки, облегченный процесс дендритообразования и т.п.). Потому существует необходимость исследования металл/полимерных систем, в которых металл, претерпевая

фазовое или структурное превращение, не изменяет своего агрегатного состояния.

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Зарядовая неустойчивость в тонких пленках полиариленфталидов

Первые сообщения о реализации проводящего состояния в несопряженных полимерах из класса полиариленфталидов относится к концу 80-х годов прошлого столетия. В работах [1; 2] было показано, что допирование полиариленфталидов йодом приводит к изменению электропроводности от 10~15 до 10~5 Ом-см"1. В работе [3] интерпретацию полученных результатов проводили в рамках модели токов, ограниченных объемным зарядом [4]. Сравнение результатов работ [1; 5-7] с данными по фенолфталеину [8] позволило авторам предложить модель, в которой возникновение проводящего состояния в полимерной пленке связывалось с изменением электронной энергетической структуры полимера, вызванной допированием.

В работе [9] было сообщено о возможности инициации проводящего состояния в недопированных пленках полиариленфталидов под действием внешнего электрического поля. Анализ вольт-амперных характеристик (ВАХ) показал, что существует некоторое пороговое напряжение, при превышении которого исследуемая структура переходит из высокоомного состояния (ВС) в низкоомное (НС). Так же в данной работе была проведена визуализация структуры пленки в проводящем состоянии методом «виртуального» электрода, суть которого заключалась в том, что в качестве одного из электродов использовали прозрачный электрод из двуокиси олова с нанесенным на его поверхность слоя нематического жидкого кристалла (НЖК). Из проведенных исследований авторы делают вывод, что перенос носителей заряда в ВПС происходит по каналам проводимости (рис. 1.1). На основе полученных данных, в данной работе была проведена оценка проводимости и геометрических размеров проводящих областей (каналов).

Используя данные работы [10] о том, что диаметр дефекта в НЖК /> и

напряжение визуализации £/,Л достаточно хорошо описывается формулой Х> =

^ 10 2 47/и„, , авторы [9] получили поперечное сечение каналов менее 10" см ,

электропроводность ЮМ О1 (Ом см)"1 , поверхностная плотность ЮМО3 см Авторы предполагают, что размеры электропроводящих областей зависят от толщины полимерной пленки, в то же время, их диаметр может довольно широкий разброс. Так на одном и том же полимерном образце были обнаружены сферолиты в слое НЖК размерами от 50 до 150 нм. Причем появление сферолитов различного диаметра зависит от величины приложенного напряжения.

-2

-2

а)

б)

Рис. 1.1 а) Схема экспериментальной ячейки: 1- полимерная пленка, 2 - слой БпОг, 3 -стеклянные пластины, 4 - слой жидкого кристалла, 5 - микроскоп. Я балластное сопротивление, Ян - сопротивление нагрузки, Уь Уг - вольтметры, б) Поляризационно -оптическая картина слоя жидкого кристалла после приложения электрического поля. [9]

В работе [11] было сообщено о возможности реализации высокопроводящего состояния (ВПС) в тонких пленках полидифениленфталида (ПДФ) при приложении внешнего одноосного давления. Электропроводность пленок толщиной й = 300 нм в начальном состоянии составляло 10~14 (Ом-см)"1. При достижении порогового давления

5 3 1

Р,1, = 1.1 10 Па электропроводность изменялась до 10" (Ом-см)', при дальнейшем увеличении давления проводимость через исследуемую

структуру оставалась на данном значении (рис. 1.2). Стоит отметить, что ВПС полимерной пленки, индуцируемое давлением, оказалось неустойчивым. В ВПС характер тока /, протекающего через структуру, от приложенного напряжения и носил критический характер. При превышении определенного значения напряжения на зависимости /=/(£/) наблюдался излом, и структура возвращалась в начальное, непроводящее состояние. ВПС можно было восстановить либо сменой полярности на образце, либо повышением приложенного внешнего одноосного давления.

1}мй 130-

100

50

10

1 МО'^Па г

Рис. 1.2 . Зависимость тока, протекающего через полимерную пленку толщиной 300 нм от величины одноосного давления. [11]

Суммируя данные по возникновению ВПС в различных полимерных материалах, авторы работы [11] подчеркивают два характерных факта:

1) явление возникновения ВПС в некоторых полимерах [12; 13; 9] имеет общую природу.

2) существует некая пороговая толщина полимерных пленок, выше которой явление зарядовой неустойчивости не наблюдается. Причем

пороговая толщина коррелирует по величине с глубиной проникновения поверхностного заряда в объем полимера.

Продолжение исследования влияния внешнего одноосного давления и электрического поля на электропроводность пленок ПДФ было проведено в работах [14; 15; 16]. В данных работах были измерены ВАХ и частотные зависимости проводимости пленок ПДФ толщиной менее 1 мкм при различных значениях приложенного давления. Было установлено, что в отсутствии приложенного давления проводимость структуры имеет Э-образную ВАХ с участком отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС). При малых приложенных напряжениях, ВАХ нелинейная и зависимость тока от приложенного напряжения можно представить в виде: I ~ ехр(Ц"), где значения п варьируются от 1 до 0,5. Зависимости такого вида, характерны как для токов ограниченных объемным зарядом [4], так и для эффекта Пула-Френкеля [17]. Участок ОДС на ВАХ наблюдается при достижении напряженности электрического поля (~104-106В/см). В низкоомном состоянии ток через структуру протекает согласно закону Ома, температурная зависимость электропроводности имеет металлический характер [18] и наблюдается высокая анизотропия проводимости Ох/Сц ~ Ю10'12 [15].

Обратное переключение в высокоомное состояние проводили подачей импульса напряжения длительностью 0.1-1 мкс и амплитудой 15-20 В. Стоит отметить, что не всегда образец полностью "выключался", в некоторых случаях наблюдалась остаточная проводимость. Можно сказать, что в полимерной пленке реализовывалось некоторое "промежуточное" состояние с активационным типом проводимости. ВАХ в этом случае описывалась степенным законом V , где п = 1-2.

При увеличении толщины полимерной пленки больше пороговой (1ц, (~2 мкм) в исследуемом интервале давлений изменение электропроводности составляло около 30 % [16]. Пороговая толщина характерна резким экспоненциальным возрастанием величины приложенного давления, которое

необходимо для инициации высокопроводящего состояния в полимерной пленке. При превышении пороговой толщины зависимость

электропроводности от давления имеет традиционный для полимерных диэлектриков характер, то есть проводимость слабо возрастает.

В работе [15] было показано, что воздействие внешнего электрического поля и одноосного давления взаимозависимы. Около пороговых значений электрического поля и давления проводимость структуры металл - полимер -металл (М - П - М) становится крайне неустойчивой. Любое слабое воздействие (механическое или электрическое) может вызвать переключение полимерной пленки в низкоомное состояние.

Так же в [16] был установлен нетривиальный характер влияния внешнего электрического поля на переключение полимерной пленки в ВПС. Так при малых значениях приложенного напряжения (до 3,5 В) проводимость полимерной пленки монотонно возрастает с увеличением давления выше порогового. В то время если приложенное напряжение составляет более 5 В переключение в ВПС не происходит. По мнению авторов, внешнее электрическое поле выше некоторого значения производит блокирование эффекта.

В работе [14] было измерено время переключения из высокоомного состояния в низкоомное, которое составило т < 10"6 с. Авторы [14] отмечают, что истинное время переключения может быть значительно меньше измеренного, а данное значение является минимальным которое удалось измерить с помощью использовавшихся приборов. Так же в данной работе был выявлен факт, что при достижении порогового давления ток, через исследуемую структуру начиная увеличиваться в момент переключения, по каким-то причинам так же быстро падает до исходной величины. Было высказано предположение о том, что высокопроводящее состояние в этих условиях не устойчиво к протекающему через образец току.

В работе [16] исследовали В АХ при приложении к экспериментальной структуре давления, выше порогового Р,/,. Методика экспериментов

заключалась в следующем. На экспериментальную структуру подавали пилообразный импульс напряжения обоих полярностей. При малых значениях напряжениях (десятки милливольт) наблюдалась область ОДС и полимерная пленка переключалась в проводящее состояние. При увеличении напряжения, протекание тока происходило пропорционально / ~ ¿У1'5. При достижении некоторого критического значения /сг величина тока резко уменьшалась, образец переключался в высокоомное состояние и при дальнейшем увеличении напряжения оставался в этом состоянии. При смене полярности импульса напряжения, процесс протекания тока был аналогичен, но с противоположной полярностью.

В общей сложности было зарегистрировано до 100 циклов переключения экспериментальной структуры. Стоит отметить, что наилучшая воспроизводимость наблюдалась, если интервал между измерениями составлял около 2-х часов.

Зависимость возникновения высокопроводящего состояния от полярности приложенного напряжения, по мнению авторов, указывает на электронную природу наблюдаемого эффекта и может объясняться перераспределением носителей заряда в объеме или приконтактной области полимерной пленки. То есть можно характеризовать поверхностным взаимодействием [19].

Из совокупности полученных результатов авторы [16] делают следующие выводы:

1. Относительно небольшое давление приводит к изменению В АХ.

2. Изменение вида В АХ (от экспоненциальной к степенной зависимости) указывает на то, что с увеличением давления протекание тока происходит по моноэнергетическим ловушечным состояниям.

3. Приложенное одноосное давление изменяет условия инжекции носителей заряда из металлического электрода.

Исследование влияния на эффект переключения материала электрода показало, что со сменой металлического электрода происходит изменение

удельной электропроводности полимерной пленки в ВПС и величина электропроводности пленки всегда была близка по значению к электропроводности контактирующего металла. Отсюда следует, что проводимость многослойной металл-полимерной структуры лимитируется электрической проводимостью металлического электрода.

Исследование толщинных зависимостей ВАХ при приложенном внешнем одноосном давлении было проведено в работе [20]. Анализ измеренных ВАХ показал, что экспериментальные данные наилучшим образом описывают в рамках модели инжекционных токов. В таблице 1.1 приведены результаты вычисления следующих параметров инжекционной модели переноса [20]: концентрация равновесных электронов (п0), подвижность электронов (//), концентрация ловушечных уровней(/7/>0), напряжение перехода от омической к сверхлинейной зависимости (£/,) и др., в зависимости от приложенного давления,

Р-103, И0У, По-10™, Р.,о-Ю21, иьУ

Ра т2/У-8 ш"3 ш-3

720 1.39 3.68 1.37 6.14

820 1.65 2.41 1.52 5.55

860 1.77 2.18 1.79 5.22

Таблица 1.1 Влияние одноосного давления на параметры инжекционной модели.

[20]

Из данных, приведенных в таблице, можно сделать следующее заключение о влиянии давления на параметры переноса заряда: увеличение давления приводит к уменьшению концентрации равновесных носителей заряда, что, скорее всего, связано со смещением квазиуровня Ферми. Уменьшение величины напряжения перехода £// указывает на активацию глубоких ловушечных состояний, причем концентрация этих состояний с давлением увеличивается. Так же увеличивается подвижность носителей

заряда, что, скорее всего, связано с увеличение концентрации ловушечных состояний.

В работе [21] в рамках модели токов ограниченных пространственным зарядом была исследована динамика ВАХ в зависимости от приложенного давления. Результаты анализа экспериментальных ВАХ показал, что в предпереходной в ВПС области, вблизи уровня Ферми ПДФ возникают глубокие ловушечные состояния в узком энергетическом состоянии. По мере увеличения давления, концентрация ловушечных состояний увеличивается и при достижении критической величины происходит перекрытие волновых функций электронов. Таким образом, в области самого перехода формируется узкая зона когерентного переноса заряда, которая ответственна за высокую электропроводность ПДФ в высокопроводящем состоянии. Полуширина проводящей зоны, в которой располагаются ловушки, по оценкам авторов, составляет 0,05 эВ. Причем стоит отметить, что данная зона обладает крайне малым размытием краев, что связано с тем, что она сформирована в середине большого интервала запрещенных энергий.

В работе [22] для выяснения механизмов транспорта заряда в пленках ПДФ в предпереходной в ВПС области, были исследованы температурные зависимости проводимости структуры металл-полимер-металл. Из анализа полученных данных авторы делают вывод, что транспорт носителей заряда происходит по прыжковому механизму. Причем различным температурным интервалам характерна своя энергия активации, и перенос носителей заряда происходит по локализованным ловушечным состояниям расположенным глубоко в запрещенной зоне полимера.

В работах [22 - 24] были исследованы ВАХ многослойной структуры ЗьБЮз-полидифениленфталид-металл в интервале температур от 88 К до 300 К в режиме прямых и обратных токов. На рисунке 1.3 приведены графики зависимости электропроводности от температуры для прямых и обратных токов. Из рисунка видно, что можно выделить два температурных интервала с различными энергиями активации, которые проявляются при

обоих включениях экспериментального образца. Наличие участков с различными энергиями активации позволяет предположить, что каждому интервалу температур соответствует свой механизм преодоления энергетического барьера на контакте метал л/полимер. Перестроение экспериментальных ВАХ в рамках теории термоэлектронной и полевой эмиссии позволил авторам установить следующее: при низких температурах и относительно высоких приложенных полях, преобладающим механизмом переноса заряда является квантово - механическое туннелирование (рис.1.4 б), а при высоких температурах в качестве основной составляющей тока выступает ток, связанный с термоэлектронной эмиссией Шоттки (рис. 1.4 а).

-12 -14 ^-16

I

Я.-18 |

Б-20 -22 -24

3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

1000/г, к 1

Рис. 1.3. Зависимость проводимости образцов от обратной температуры для обратных (а) и прямых (Ь) токов. [23]

-—(а) —о— (Ь)

о-——_

-28

SC <

^"-30 £

-32

1000/7, К

а)

10 12

-1

14

-15

-0-214 К

-л-167 К —у—117 К

б)

Рис. 1.4. а) Зависимости 1/Т2 от 1 ООО/Г при различных напряжениях на образце прямых токов, б) Зависимости 1Ю2 от 1 /V. для обратных токов при различных температурах. [24]

Величины потенциальных барьеров, определенные по тангенсу угла наклона прямых участков в координатах 1/Т =f(l 000/Т) (рис. 1.4, а) составили: 0.145 эВ и 0.135 эВ при приложенных напряжениях 0.6 В и 0.8 В соответственно, для прямых токов и 0.32 эВ и 0.35 эВ в случае обратных токов. Величины барьеров когда основным механизмом переноса заряда выступает ток, связанный с квантово - механическим туннелированием (рис. 1.4, б) величины барьеров определенные по формуле Фаулера-Нардгейма составили 0.005 эВ и 0.008 эВ, соответственно для прямых и обратных токов.

В то же время, определенные экспериментально величины потенциальных барьеров оказываются на порядок заниженными. Ведь в случае контакта металла с диэлектриком или полупроводника величина барьера рассчитывается как разность между работой выхода электрона металла и сродства к электрону диэлектрика и в данном случае высота должна составлять около 2 эВ.

Скорее всего, по мнению авторов, высота потенциального барьера на контакте металл/полимер определяется разницей между энергией уровня

Ферми металлического электрода и энергетическим расположением ловушечных состояний, которые образуются в непосредственной близости середины щели запрещенных энергий полимера. Появление этих уровней обусловлено сильным взаимодействием инжектированного заряда с полимерной матрицей. В результате такого взаимодействия в середине запрещенной зоны полимера могут возникать глубокие ловушечные состояния большой плотности, по которым происходит транспорт носителей заряда.

1.2 Инициирование высокопроводяшего состояния в структуре металл - полимер - металл методом «вариации граничных условий»

В работах [25; 26; 27] было впервые сообщено о возможности инициации высокпроводящего состояния в тонких пленках полидифениленфталида методом «вариации граничных условий». Основополагающей идеей для проведения экспериментов послужили следующие предположения. При приведении в контакт двух материалов с различными положениями уровней Ферми происходит перетекание заряда из одного материала в другой. Данный процесс происходит вплоть до достижения термодинамического равновесия, в котором уровни Ферми будут равны по энергиям. Это приводит к тому, что на границе раздела двух материалов происходит изгиб энергетических зон. Величина изгиба будет определяться потенциальной энергией Уь(ю) носителей заряда на расстоянии г от поверхности [28]:

при 0 < г < при г > г0

(1.1)

где г0 - глубина проникновения поверхностного заряда N в объеме полимера. Плотность поверхностного заряда определяется выражением:

где 1¥0 =<рр-(рт, (рр и срт - работы выхода полимера и металла

соответственно. Из данного выражения следует, что плотность поверхностного заряда и глубину проникновения можно изменяя соотношения работ выхода полимера и металла. Таким образом, если каким-либо образом произвести изменение работы выхода электрона в контактирующем металле, то это может привести к переключению контактирующей с ним полимерной пленки в высокопроводящее состояние. Для резкого изменения работы выхода электрона в металле, было предложено произвести в нем фазовый переход первого рода.

Для проведения исследований были выбраны следующие легкоплавкие металлы и сплавы (галлий ТПЛ=29,75°С, сплав Вуда ТПЛ=68°С, индий ТПЛ.=156,2°С, олово ТПЛ.::=2320С). На рисунке 1.11 приведены типичные температурные зависимости тока, протекающего в структуре металл 1 -полимер - металл2, где металл 1 - металл в котором наблюдается фазовый переход, металл2 - стабильный в выбранном интервале температур. На зависимостях видно, что при достижении температуры фазового перехода наблюдается резкое увеличение протекающего через экспериментальную структуру тока. Такое увеличение тока, авторы связывают с переключением полимерной пленки в высокопроводящее состояние. Стоит отметить, что все измерения проводились на одной и той же экспериментальной структуре, последовательной заменой легкоплавкого электрода схеме: галлий - сплав Вуда - индий - олово. Для каждого металла проводилось по 10 циклов нагрев-охлаждение, что говорит о большой повторяемости наблюдаемого эффекта.

100

1

2

з

4

80

60

1

40

20

I

А

25 50

75 100 125 150 175 200 225 250

Т/С

Рис. 1.11. Температурная зависимость тока, протекающего через образец, при использовании в качестве М2 разных металлов: 1 - галлий, 2 - сплав Вуда, 3 - индий, 4 -олово. Толщина пленки - 1 мкм; напряжение источника - 5 В; скорость нагрева - 5 град/мин. [52]

Из рисунка 1.11 можно видеть, что на всех кривых вблизи температуры плавления легкоплавкого электрода наблюдается резкое увеличение инжекционного тока, что соответствует переходу структуры М]-П-М2 в высокопроводящее состояние. При дальнейшем нагреве структура остается в ВПС. При охлаждении она возвращается в исходное диэлектрическое состояние при температуре примерно равной температуре кристаллизации используемого легкоплавкого металла.

Подробно характер протекания тока через структуру металл-полимер-металл рассмотрено, когда в качестве легкоплавкого электрода использовался индий. В начальном состоянии экспериментальный образец находился в высокоомном состоянии. ВАХ структуры имеет экспоненциальный характер, что характерно при рассмотрении переноса

заряда сквозь диэлектрические материалы. При повышении температуры величина тока не изменяется вплоть до температуры 130 - 135 °С. Достижение этой температуры характеризуется возникновением флуктуаций тока. Флуктуации тока сохраняются до температуры фазового перехода индия. На этом участке ВАХ носит степенную зависимость и может быть интерпретирована в рамках модели токов ограниченных объемным зарядом. При достижении температуры плавления индия, ток через структуру скачком изменяется до максимально возможного значения (максимальный ток лимитируется величиной балластного сопротивления). В этом случае ВАХ подчиняется закону Ома, сопротивление структуры составляет порядка нескольких Ом. Таким образом, авторы констатируют, что плавление металлического электрода приводит к переключению полимерной пленки в ВПС. При охлаждении экспериментальной структуры все описанные изменения тока происходят в обратном порядке. Т.е. изначально структура находилась в ВПС, достижение температуры кристаллизации отмечается скачкообразным уменьшением величины тока и при дальнейшем охлаждении величина тока не изменяется.

Подобное поведение температурной зависимости тока характерно и для других использовавшихся в эксперименте легкоплавких электродов. Только все изменения в перетекании тока происходят вблизи температур фазового перехода каждого металла: для галлия - 29,75 °С, сплава Вуда - 68 °С, олово ТПЛ=232°С.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Набиуллин, Ильсур Рашитович, 2014 год

Литература:

1. Лачинов, А.Н. Биполяронная проводимость полимера, стимулированная аномальной термической поляризуемостью молекулы./ А.Н. Лачинов, М.Г. Золотухин, А.Ю. Жеребов, С.Н. Салазкин, И.Л. Валеева, А.Н. Чувыров // Письма в ЖЭТФ -1986.-Т.44.- С.6-10

2. Лачинов, А.Н. Термостимулированная проводимость в полиариленфталидах./ А.Н. Лачинов, , М.Г.Золотухин, С.Н. Салазкин // ДАН СССР - 1988,- Т.302.- № 2,- С.365-368

3. Лачинов, А.Н. Влияние объемного заряда на электронное переключение в полупроводниковых полимерах./ А.Н. Лачинов, В.А. Ковардаков, А.Н. Чувыров. // Письма в ЖТФ. - 1989. - Т. 15. -В.7. - С.24-29.

4. Ламперт, М. Инжекционные токи в твердых телах./ М. Ламперт, П.Марк// М.:мМир".- 1973.-416 с

5. Золотухин М.Г. Термостимулированная проводимость поли(ариленфталидов)./ М.Г. Золотухин, А.Н. Лачинов, С.Н. Салазкин, Ю.А. Сангалов, Г.И. Никифорова, А.А. Панасенко, Ф.А. Валямова // ДАН СССР. - 1988. - Т.302. - №2. - С.365-368.

6. Лачинов, А.Н. Нетрадиционный механизм допирования в полиариленфталидах./ А.Н. Лачинов, М.Г. Золотухин // Письма в ЖЭТФ. - 1991. - Т.53. - В.6. - С.297-301.

7. Zykov, B.G. Valence electronic structure of phtalide-based polymers./ B.G. Zykov, V.N. Baydin, Z.Sh. Bayburina, V.V. Timoshenko, A.N. Lachinov, M.G. Zolotuchin // J.El.Spectr.Rel.Phenom. - 1992. - V.61. -P.123-129.

8. Fesser, K. Optical absoiption from polarons in a model of polyacetylene./ K. Fesser, A.R. Bishop, D.H. Campbell // Phys. Rev. - 1983. - V.b27. -№ 8. - P.4804-4809.

9. Скалдин, O.A. Зарядовая неустойчивость в тонких пленках органических полупроводников./ O.A. Скалдин, А.Ю. Жеребов, А.Н. Лачинов, А.Н. Чувыров, В.А. Делев // Письма в ЖЭТФ. - 1990. -Т.51. - В.З. - С. 141-144.

Ю.Де Жен, П. // Физика жидких кристалллов./ П Де Жен // М.: Мир. -1977.-440 с.

11.Лачинов, А.Н. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении./ А.Н. Лачинов, А.Ю. Жеребов, В.М. Корнилов // Письма в ЖЭТФ. - 1990. - Т.52. - В.2. - С.742-745.

12.Ениколопян, Н.С. Возможная сверхпроводимость окисленного полипропилена в области 300 К./ Н.С. Ениколопян, Л.Н. Григоров, С.Г. Смирнова // Письма в ЖЭТФ. - 1989. - Т.49. - В.6. - С.326-330.

13.Архангородский, В.М. Высокопроводящее состояние в пленках окисленного полипропилена./ В.М. Архангородский, Е.Г. Гук, A.M. Ельяшевич, А.Н. Ионов, В.М. Тучкевич, PLC. Шлимак // ДАН СССР. - 1989. - Т.309. - №3. - С.603-606.

14.Lachinov, A.N. Electronic Instabilities in Polyphthalidilidenarylene Thin Films. Possible Applications./ A.N. Lachinov, A.Yu. Zherebov, O.A. Scaldin // Synth. Metals. - 1991. -'V.41-43. - P.805-809.

15.Zherebov, A.Yu. On the mutual influence of uniaxial pressure and electrical field on the electronic instabilities in polydiphenylenephtalide./ A.Yu. Zherebov, A.N. Lachinov // Synth. Metals. - 1991. - V.44. -P.99-102.

16. Lachinov, A.N. Influence of uniaxial pressure on conductivity of polydiphenylenepthalide./ A.N. Lachinov, A.Yu. Zherebov, V.M. Kornilov // Synth. Metals. - 1991. - V.44. - P. 111-115.

17.Френкель, И. О предпробойных явлениях в изоляторах и электронных полупроводниках./ И. Френкель // ЖТФ. - 1938. - В.5. - С.685-686.

18.Lachinov, A.N. Polymer films as a material for sensors./ A.N. Lachinov // Sensors and Actuators A. - 1993. - V.39. - P. 1-6.

19.Heine, V. Theory of Surface State./ V. Heine // Phys.Rev. A. - 1965. -V.138. - P.1689-1694.

20.Бунаков, A.A. Исследование вольт-амперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида/ А.А. Бунаков, А.Н. Лачинов, Р.Б. Салихов // ЖТФ. - 2003. - Т.73. - В.5. - С. 104-109.

21.Лачинов, А.Н. К вопросу о высокой проводимости несопряженных полимеров./ А.Н. Лачинов, В.М. Корнилов, Т.Г. Загуренко, А.Ю. Жеребов // ЖЭТФ. - 2006. - Т.129. - В.4. - С.728-734.

22.Салихов, Р.Б. О механизмах проводимости в системе кремний -полимер-металл./ Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, Р.Г. Рахмеев // ФТП. - 2007. - Т.41. - В. 10. - С.1182-1186.

23.Salikhov, R.B. Electrical properties of heterostructure Si/poly(diphenilenephthalide)/Cu./ R.B. Salikhov, A.N. Lachinov, R.G Rakhmeev // J.Appl.Phys. - 2007. - V. 101. - P.053706 (1-6).

24.Salikhov, R.B. Mechanisms of Conductivity in Metal-Polymer-Si Thin Film Structures./ R.B. Salikhov, A.N. Lachinov, R.G Rakhmeev // Mol.Cryst. and Liq. Crystals. - 2007. - V.467. - P.85-92.

25.Корнилов, В.М. Металлоподобное состояние в полимерной пленке, индуцированное изменением граничных условий на ее поверхности./ В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов // Письма в ЖЭТФ. -1995.-T.61.-B.il.-С. 902-906.

26.Lachinov, A.N. New effects in electroactive polymers - new basic for sensors./ A.N. Lachinov, A.Yu. Zherebov, V.M. Kornilov // Sensors & Actuators: A.Physical. - 1996. - V.53. - P.319-324.

27.Корнилов, В.М. Электропроводность в системе металл-полимер -металл: роль граничных условий./ В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов // ЖЭТФ.- 1997.- Т.111.-В.4.- С.1513-1529.

28.Бехштедт, Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников./ Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн // М.: Мир. - 1990. - 488с.

29.Лачинов, А.Н. Особенности гигантского магнитосопротивления в системе ферромагнетик-полимер./ А.Н. Лачинов, Н.В. Воробьева,

A.А. Лачинов // Письма в ЖЭТФ. - 2006. - Т. 84. - № 11. - С.720-722.

30.Zherebov, A.Yu. Polyheteroarylene films with intrinsic switching mechanism for nonvolatile memory applications./ A.Yu. Zherebov, A.N. Lachinov, J. Genoe, A.R. Tameev // Appl. Phys. Lett. - 2008. - V.92. -P.193302.

31.Lachinov, A.N. Metal Phase in electroactive polymer indused by uniaxial preassure./ A.N. Lachinov, A. Zherebov, V.M. Kornilov, M. Zolotukhin. // Synth. Metals. - 1997. - V.84. - P. 735.

32.3агуренко, Т.Г. Влияние процесса формовки и электрического поля на переход диэлектрик - проводник в тонких пленках полигетероариленов./ Т.Г. Загуренко, В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов // ЖТФ. - 1999. - Т.69. - В.З. - С.85-87. 33.Загуренко, Т.Г. Использование системы металл - диэлектрик -металл для изучения структурных переходов в металлах./ Т.Г. Загуренко, В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов // ЖТФ. - 2001. - Т.71. -

B.8.-С. 27-32.

34.Загуренко, Т.Г. О возможности регистрации структурных превращений в металлах с помощью системы металл - полимер -металл./ Т.Г. Загуренко, В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов // Электронный журнал «Исследовано в России». - 2000. - Т.З. -

C.541-553.

35.Загуренко, Т.Г. Влияние граничных условий на зарядовую неустойчивость в полимерных пленках./ Т.Г. Загуренко // Канд. дисс., ИФМК УНЦ РАН, Уфа - 2000.

36.Lachinov, A. Charge transport in metal-polymer-metal system under nonsteady boundary conditions./ A. Lachinov, V. Kornilov, T. Zagurenko, A. Zherebov, R. Valiev, M. Zolotukhin // Functional Materials. - 1998. - V.5. - №3. - P.417-423.

37.Лачинов, A.H. Перенос заряда в системе металл-полимер-нанокристаллический металл./ А.Н. Лачинов, Т.Г. Загуренко, В.М. Корнилов, А.И. Фокин, И.В. Александров, Р.З. Валиев // ФТТ. -2000. - Т.42. - В. 10. - С. 1882-1888.

38.Lachinov, A.N. Study of collective electronic effects, caused by severe plastic deformation./ A.N. Lachinov, T.G. Zagurenko, V.M. Kornilov, I.V. Alexandrov // «Investigations and Applications of Severe Plastic Deformation», edited by T.C.Lowe and R.Z.Valiev , High Technology Vol. 80, Kluwer Academic Publishers 2000, p. 333-337.

39.Загуренко, Т.Г. Влияние неравновесной микроструктуры меди на электрофизические свойства системы металл-полимер-металл./ Т.Г. Загуренко, В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов, И.В. Александров // ФММ. - 2002. - Т.94. - В.б. - С. 26-33.

40.Zagurenko, T.G. Nanostructured Metals Transformation Study by Means of Electroactive Polymer./ T.G. Zagurenko, V.M. Kornilov, A.N. Lachinov, I.V. Alexandrov and R.Z. Valiev // Trans. Tech. Publications.

- 2002. - V.208. - P.261-266.

41.Lachinov, A.N. Novel Method for Diagnostic the Structural Transformations in Nanostructured Metals./ A.N. Lachinov, T.G. Zagurenko, V.M. Kornilov, I.V. Alexandrov, V.V. Stolyarov, E.A. Prokofiev // Solid State Phenomena. - 2003. - V.94. P.229-235.

42.Lachinov, A.N. Effects of Severe Plastic Deformation on the Structure and Physical Properties of Polymers./ A.N. Lachinov, I.V. Alexandrov, N.M. Shishlov, S.N. Salaskin // Solid State Phenomena. - 2003. - V. 94.

- P.339-349.

43. Физический энциклопедический словарь М.: «Советская энциклопедия». - 1966. - Т.5. - с. 575

44.Robaszkiewicz, S. Hartree theory for the negative-U extended Hubbard model. II. Finite temperature./ S. Robaszkiewicz, R. Micnas, K.A. Chao // Phys. Rev. B. - 1982 -V. 26. -N.7 - P. 3915-3922.

45.Rice, H.J. Superconductivity in a quasi-two-dimensional Bose gas./ H.J. Rice, Y.R. Wang // Phys. Rev. B. - 1988. - V.37. -1.10. - P.5893-5896

46.Van der Marel, D. Anomalous behaviour of the chemical potential in superconductors with a low density of charge carriers./ D. Van der Marel // Physica C. - 1990. - V.165. - P.35-43.

47.Grabriec, B. Thermodynamical cross - relation for superconductors at the critical points./ B. Grabriec, M. Matlak // Arxiv:cond-mat/0209473vl. -2002.-P.1-16.

48.Van der Marel, D. Universal jump in slope of the chemical potential at second-order phase transitions./ D. Van der Marel, G. Rietveld // Phys. Rev. Lett. - 1992. - V.69. - N. 17. - P.2575-2577.

49. Van der Marel, D. Long-range Coulomb forces and the behavior of the chemical potential of electrons in metals at a second-order phase transition./ D. Van der Marel, D.I. Khomskii, G.M. Eliashberg // Phys. Rev. B. - 1994. - V.50. - N.22. - P. 594-597.

50.Khomskii, D. Charge redistribution at the phase transitions in solids and charged vortices in type-II superconductors./ D. Khomskii // Journal of Supercond.. - 1996. - V.9. - N. 1. - P.7-11.

51.Dotsenko, A.V. Temperature dependence of the electron chemical potential in YBa2Cu306+8./ A.V. Dotsenko, O.P. Sushkov // Arxiv:cond-mat/9601031v3.- 1996.-P.l-10.

52.Rietvied, G. Temperature dependence of the chemical potential of high-Tc superconductors./ G. Rietvied, M.A. Van Veenendal, D. Van der Marel, J.E Mooij // Physica B. - 1990. -V.165. - P. 1605-1606.

53.Rietveld, G. Anomalous temperature dependence of the work function in YBa2Cu307-5/ G. Rietveld, N.Y. Chen, D. Van der Marel // Phys. Rev. Lett. - 1992. - V.69. - N. 17. - P.2578-2581.

54.Nizhankovskii, V.I. Change in the chemical potential of niobium at transition to the superconducting state./ V.I. Nizhankovskii // The Eur. Phys. J. B. - 2000. - V. 18. - P.397-399.

55.Saito, S. Temperature dependence of the work function of Bi2Sr2CaCu208 single crystal cleaved at low temperature./ S. Saito, T. Sutou, Y. Norimitsu, N. Yajima, Y. Uhara, T. Uenosono, T. Soumura, T. Tani // Appl. Surf. Sci. - 2005. - V. 252. - P.379-384.

56.Matlak, M. Chemical potential evidence for phase transitions in Fermi systems./ M. Matlak, M. Pietruszka // J. Alloys Comp. - 1999. - V.291. -P. 21-27.

57.Pietruszka M. Chemical potential derivative as a hallmark for phase transitions./ M. Pietruszka, M. Matlak // Acta Phys. Pol. A - 1999. -V.96.-P. 725-732.

58.Matlak, M. Critical behaviour of the chemical potential at phase transitions./ M. Matlak, M. Pietruszka // Physica B. - 2000. - V. 291 -P.12-18.

59.Matlak, M. Chemical potential evidence for phase transitions in magnetic and superconducting compounds and alloys./ M. Matlak, M. Pietruszka // Acta Phys. Pol. A. - 2000. - V.97. - P.253-256.

60.Pietruszka, M. Numerical investigation of the action potential transmission in plants./ M. Pietruszka, K. Pazurkiewicz-Kocot // Acta Soc. Bot. Pol. - 2000. V.69. - P. 181 -184.

61.Matlak, M. Comparative study of the specific heat and chemical potential at phase transitions./ M. Matlak, M. Pietruszka // Solid State Commun. -V.l 17. -P.413-417.

62.Pietruszka, M. Critical behaviour of the chemical potential at martensitic phase transitions in selected shape-memory alloys./ M. Pietruszka, E.

Rowinski, M. Matlalc // Applied Crystallography, Eds. H. Morawiec. -World Scientific, Singapore. - 2001. - P. 206-209.

63.Grabiec, B. Magnetism and superconductivity within extended Hubbard madel for a dimmer./ B. Grabiec, S. Krawiec, M. Matlak // Arxiv:cond-mat/0511329vl. -2008. - P. 1-14.

64.Matlak, M. Thermodynamical relations at characteristic points./ M. Matlak // Phase transitions. - 2008. - V.81. - N.9. - P.857-880.

65.Matlak, M. Fermionic lattice models and electronic correlations: Magnetism and superconductivity./ M. Matlak, B. Grabiec, S. Krawiec // J. Non-Cryst. Solids. - 2008. - V.354. - P.4326-4329.

66.Matlak, M. Localization of critical temperatures by means of the chemical potential measurement./ M. Matlak, M. Pietruszka, E. Rowinski // Phys. Stat. Sol. A. - 2001. - V. 184. - N.2. - P. 335-339.

67.Matlak, M. Experimental method to detect transition via the chemical potential./ M. Matlak, M. Pietruszka, E. Rowinski // Phys. Rev. B. -2001. - V.63. - P.052101 (1-3).

68.Matlak, M. Phase transition detection by means of a contact electrode./ M. Matlak, M. Pietruszka // Phys. Stat. sol. B. - 2004. - V.241. - N.l. -P.163-169.

69.Matlak, M. Chemical potential induced phase transitions./ M. Matlak, A. Molak, M. Pietruszka // Phys. Stat. sol. B. - 2004. - V.241. - N.7. - P. R23-R26.

70.Roleder, K. Ferroelectric phase transition detected by means of a contact electrode method./ K. Roleder, M. Matlak, A. Ziebinska, K. Cwikiel, I. Franke // Phys. stat. sol. B. - 2006. - V.243. - N. 12. - P.2929-2934.

71.Molak, A. Observation of the ferroelectric phase transition in Pb5Ge30n by the chemical potential changes./ A. Molak, M. Matlak, M. Koralewski // Phase transit. - 2006. - V.79. - P. 525-534.

72.Molak, A. Chemical potential induced phase transition in the metallic electrode attached to the ferroelectric Pb5Ge30ii single crystal./ A.

Molak, M. Matlak, M Koralewski // Physica В. - 2007. - V.387. -P.122-129.

73. Золотухин, М.Г. Некоторые закономерности синтеза полиариленфталидов гомополиконденсацией п-(3-хлоро-3-фталидил)-бефинила./ М.Г. Золотухин, В.А. Ковардаков, С.Н. Салазкин, С.Р. Рафиков // Высокомолек. Соед. - 1984. - Т.26а. -№6. - С.1212-1217.

74.Zolotukhin, M.G. Gelation in the homopolycondensation of 3-arel-3-clorphtalides./ M.G. Zolotukhin, V.D. Skirda, E. A. Sedova, V. I. Sundukov, S.N. Salazkin // Macromol. Chem. - 1993. - V.94. - N.2. -P.543-549.

75.Рафиков, С.Р. Полигетероарилены для изготовления термостойких материалов и способ их получения./ С.Р. Рафиков, Г.А. Толстиков, С.Н. Салазкин, М.Г. Золотухин // А.С. 734989 СССР. - Б.И. - 1991. -№20

76.Новоселов, И.В. Взаимодействие полиариленфталидов и их аналогов с йодом./ И.В. Новоселов // Канд. дисс., ИОХ УНЦ РАН, Уфа - 1996.

77.Салазкин, С.Н. Молекулярно-массовые характеристики полиариленфталида./ С.Н. Салазкин, М.Г. Золотухин, В. Ковардаков, JI.B. Дубровина, Е.А. Гладкова, С.С. Павлова, С.Р. Рафиков //Высокомолек. соед. - 1987. - А29. - №7. - С. 1431-1436

78.Wu, C.R. The chemical and electronic structure of the conjugated polymer poly(3,3'-phthalidyliden-4,4'-biphenylilene)./ C.R. Wu, N. Johansson, A.N. Lachinov, S. Stafstrom, T. Kugler, J. Rasmusson, W.R. Salaneck // Synth.Metals. - 1994. - V.67. - №1-3. - P. 125-128

79.Валиев, Р.З. Наноструктурные материалы, полученные интенсивной пластической деформацией./ Р.З. Валиев, И.В. Александров // М.: Логос. - 2000. - 272 с.

80.Nazarov, A.A. Nanostructured Materials./ A.A. Nazarov, R.R. Mulyukov // In:Handbook of Nanoscience, Engineering and Technology. Ed.: Goddard W., Brenner D., Lyshevski S., Iafrate G. CRC Press. - 2002. - V. 22. - P.l

81.Фремеке А.В. Электрические измерения./ A.B. Фремеке, E.M. Душина // 1980. - Л.: Энергия. - 392с.

82.Николаева, М.Н. К эффекту переключения полимерной пленки в высокопроводящее состояние при плавлении металлического электрода./ М.Н. Николаева, М.С. Дунаевкий, А.Н. Ионов // ЖТФ. -2012. - Т.80. - В.1. - С.145-147.

83.Keffer, F. Ferromagnetism./ F. Keffer // Ferromagnetismus. Series: Encyclopedia of Physics. - Springer: Berlin, Edited by H. P. J. Wijn. -1966.-V. 18.-P. 1-273.

84.Lewowski, T. Measurement of Curie temperature for gadolinium: a laboratory experiment for students./ T. Lewowski, K. Wozniak // Eur. J. Phys. - 1997. - V.18. - P.452-455.

85.Child, H.R. Magnetic short-range order in Gd./ H.R. Child // Phys. Rev. B. - 1978. - V.18. -№3. - P.1247-1252.

86.Cable, J.W. Neutron diffraction of the magnetic behavior of gadolinium./ J.W. Cable, E.O. Wollan // Phys. Rev. - 1968. - V.165. - №2. - P.733-734.

87.Kirchmayr, R. Magnetic properties of intermetallic compounds of rare earth metals./ R. Kirchmayr, C.A. Poldy // Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earth, ed. K.A. Gschneidner and L. Eyring. - 1979. -Amsterdam: North-Holland. - Ch.14.

88.Matlak, M. Remote Fermi level induced ferromagnetic transition in GdA12Ag system./ M. Matlak, A. Molak, M. Pietruszka, A. Slebarski. // Physica Status Solidi B. - 2005. - V. 242. - № 2. - P. 461-462

89.Williams, D.S. Magnetic transitions in disordered GdAl2./ D.S. Williams, P.M. Shand, T.M. Pekarek, R. Skomski, V. Petkov, D.L. Leslie-Pelecky // Phys. Rev. B. - 2003. - V. 68. - P. 214404(1-8).

90.Gatner, K. Fermi level and phase transformation in GdCo2./ K. Gatner, A.N. Lachinov, M. Matlak, A. Slebarski and T.G. Zagurenko // arXiv cond-mat. - 2005. - V. 1. - P.0503432.

91.Прохоров, A. M. Физический энциклопедический словарь./ A. M. Прохоров // — М.: Советская энциклопедия. - 1984. - 944с.

92.Dash, J.G.. History of the search for continuous melting./ J.G. Dash. // Rev. Mod. Phys. - 1999.-V.71.-P. 1737- 1743.

93.Cahn, R.W. Materials science: Melting from within./ R.W. Cahn // Nature. - 2001. - V.413. - P.582-583.

94.Вайнгард, У. Введение в физику кристаллизации металлов./ У. Вайнгард // М.: Мир. - 1967. - 170 с.

95.Попов А.А. Фазовые превращения в металлических сплавах./ А.А. Попов // М.: Металлургиздат. - 1963. - 3 Юс.

96.Борисова, Н.В. Закономерности изменения свойств пленок меди в процессе термообработки. / Н.В. Борисова, Э.П. Суровой, И.В. Титов // Известия Томского политехнического университета. -2006ю - Т.309ю - №1. - с. 86-90.

97.Вертопрахов, В.Н. Термостимулированные токи в неорганических веществах./ В.Н. Вертопрахов, Е.Г. Сальман // Новосибирск: Наукаю - 1979.-336 с. .

98.Бьюб, Р. Фотопроводимость твердых тел./ Р. Бьюб // М.: Иностр. Литература. - 1962. - 556с.

99.Ганжа С.В., Максимова С.Н., Грушевская С.Н., Введенский А.В. Кинетика формирования оксидов Cu(I) и Cu(II) на меди в щелочном растворе и особенности их фотоэлектрохимического поведения./ С.В. Ганжа, С.Н. Максимова, С.Н. Грушевская, А.В. Введенский //

Конденсированные среды и межфазные границы. - 2010. - Т.12. -№2.-С. 101-112.

100. Strehblowa, Н-Н. Initial and later stages of anodic oxide formation on Cu, chemical aspects, structure and electronic properties./ H-H. Strehblowa, V. Mauriceb, P. Marcusb // Electrochim. Acta. - 2001. - V. 46. - 1.24-25. - P.3755-3766.

r s

101. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов./ С. Зи // М.:Мир. -1984.-455с.

102. Орешкин, П.Г. Физика полупроводников и диэлектриков./ П.Г. Орешкин // М.: Высшая школа. - 1972. - 448с.

103. Алчагиров, Б.Б. Современные методы измерения быстрых изменений работы выхода электрона./ Б.Б. Алчагиров, Х.Х. Калажоков, Х.Б. Хоконов // Изв. АН СССР. - 1991. - В.55. - С.2463 - 2467.

104. Као, К. Перенос электронов в твердых телах./ К. Као, В. Хуанг // М.: Мир, - 1984.-352с.

105. Поуп, М. Электронные процессы в органических кристаллах./ М. Поуп, Ч. Свенберг // М.: Мир. - 1985. - 544с.

106. Zmeskal, О. The bulk trap spectroscopy of solids by temperature-modulated space-charge-limited currents ( TMSCLC ) in the cteady state./ O. Zmeskal, F. Schauer, S. Nespurek // J. Phys. C: Solid State Phys. 1985. -V. 18. - P. 1873-1884.

107. Schauer, F. The bulk trap spectroscopy of solids by temperature-modulated space-charge-limited currents ( TMSCLC ): Application to real crystalline and amorphous semiconductors./ F. Schauer, S. Nespurek, O. Zmeskal // J. Phys. C: Solid State Phys. - 1985. V.18. - P.1873-1884.

108. Nespurek, S. Spectroscopy of local states in molecular marerials using space-charge-limited currents./ S. Nespurek, J. Sworakowski // Radiat. Phys. Chem. - 1990. - V.36. - P.3-12.

109. Zmeskal, О. Space-charge-limited currents: An E-infinity Cantorian approach./ O. Zmeskal, S. Nespurek, M. Weiter // Choas, Solitons and fractals. - 2007. - V. 34. - P.l 143-1158.

110. Nespurek, S. Space-charge-limited currents in organic films: Some open problems./ S. Nespurek, O. Zmeskal, J. Sworakowski // Thin solid films. - 2008. - V.516. - P.8949-8962.

111. Barbe, D.F. Bulk trapping states in (3-phthalocyanine single crystals./ D.F. Barbe, C.R. Westgate // J. Chem. Phys. - 1970. - V.52. - P.4046-4054.

112. Campos, M. Space charge limited current in naphthalene single crystals./ M. Campos // Mol. Cryst. Liq. Crist. - 1972. - V. 18. - P. 100115.

113. Lampert, M.A. Simplified theory of space-charge-limited currents in an insulator with traps./ M.A. Lampert // Phys. Rev. - 1956. - V.103. -P.1648-1656.

114. Александров, И.В. Рентгеноструктурные исследования ультрамелкозернистых металлов полученных равноканальным угловым прессованием./ И. В. Александров, А. Р. Кильмаметов, Р.З. Валиев // Металлы. - 2004. - №.1. - С. 63-71.

115. Чувыльдеев, В.Н. Рекристаллизация в микрокристаллических меди и никеле, полученных методами РКУ - прессования./ В.Н. Чувыльдеев, А.В. Нохрин, В.И. Копылов, И.М. Макаров, М.Ю. Грязнов // ФММ. - 2003. - Т.96. - №5. - С. 51-60.

116. Чувыльдеев, В.Н. Аномальный рост зерен в нано- и микрокристаллических металлов, полученных методами РКУ-прессования./ В.Н. Чувыльдеев, В.И. Копылов, А.В. Нохрин, И.М. Макаров // Материаловедение. - 2003. -№5. - С. 12-23.

117. Горелик, С.С. Рекристаллизация металлов и сплавов./ С.С. Горелик // М.: металлургия - 1967. - 404с.

118. Зубаиров, JI.P. Влияние формирования субмикрокристаллической структуры на полевую электронную эмиссию никеля./ JI.P. Зубаиров, Е.А. Литвинов, P.P. Мулюков, Р.Ш. Мусалимов, Ю.М. Юмагузин // ДАН. - 2000. - Т.372. - №3. - С.319-321.

119. Мулюков, Р.Р Полевая эмиссия из субмикрокристаллического вольфрама./ P.P. Мулюков, Ю.М. Юмагузин, В.А. Ивченко, Л.Р. Зубаиров // Письма в ЖЭТФ. - 2000. - Т.72. - В.5. - С.377-381.

120. Литвинов, Расшифровка сложных спектров (распределений по полным энергиям) электронов автоэмиссии для катодов с неоднородной работой выхода./ Е.А. Литвинов, P.P. Мулюков, Л.Р. Зубаиров, Ю.М. Юмагузин, В.А. Ивченко // ЖТФ. - 2004. - Т.74. -В.6. - С.96-101.

121. Мулюков, P.P. Работа выхода электронов из нанокристаллического вольфрама./ P.P. Мулюков, Ю.М. Юмагузин // ДАН. - 2004. - Т.399. - № 6. - С.760-761.

122. Носкова, Н.И. Субмикрокристаллические и нанокристаллические металлы и сплавы./ Н.И. Носкова, P.P. Мулюков // Екатеринбург: УрО РАН.-2003.-279 с.

123. Хисамов, Р.Х. Влияние формирования микроструктуры металлического катода на работу выхода электрона и вольтамперные характеристики газового разряда./ Р.Х. Хисамов, P.P. Мулюков, Ю.М. Юмагузин, И.М. Сафаров, К.С. Назаров, Л.Р. Зубаиров // Перспективные материалы. - 2011. - №12. - С.546-549.

124. Хисамов, Р.Х. Влияние формирования нанокристаллической структуры на работу выхода электрона и ионно-электронную эмиссию никеля./ Р.Х. Хисамов, И.М. Сафаров, P.P. Мулюков, Ю.М. Юмагузин, Л.Р. Зубаиров, К.С. Назаров // ЖТФ. - 2011. -Т.81. - В.11. - С. 122-124.

125. Хисамов, Р.Х. Влияние границ зерен на работу выхода электрона нанокристаллического никеля./ Р.Х. Хисамов, И.М. Сафаров, P.P. Мулюков, Ю.М. Юмагузин // ФТТ. - 2013. - Т.55. - В.1. - С.3-6.