Электрические свойства ограниченных полупроводников с естественными и искусственными неоднородностями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Лузянин Сергей Евгеньевич

• Лузянин Сергей Евгеньевич
• кандидат наук
• 2023

Оглавление диссертации кандидат наук Лузянин Сергей Евгеньевич

Введение

Глава 1. Электрические свойства неоднородных полупроводниковых материалов и контактные методы их измерений (обзор)

1.1. Неоднородные полупроводниковые материалы в современной электронной технике

1.2. Актуальные контактные методы измерения электрических свойств однородных и неоднородных полупроводников

1.3. Контакт металл-полупроводник в измерительных полупроводниковых

структурах

Выводы и результаты главы

Глава 2. Электрические потенциалы в ограниченных полупроводниках при измерениях контактными методами

2.1. Распределение потенциала стационарного электрического тока

в однородных полупроводниках прямоугольной формы

2.2. Распределение холловского потенциала в ограниченных прямоугольных полупроводниках

2.3. Распределение электрического потенциала в однородных полупроводниковых дисках

2.4. Холловское поле в полупроводниковых дисках

2.5. Расчет распределения потенциала в полупроводниковых образцах при зондовых измерениях

2.6. Экспериментальная проверка распределений электрического потенциала

2.6.1. Физические параметры экспериментальных однородных образцов

2.6.2. Проверка распределений потенциала для однородных образцов

2.6.3. Экспериментальная проверка поля зонда при проведении измерений на проводящей подложке

Выводы и результаты главы

Глава 3. Сопротивления на контактах металл-полупроводник при измерениях параметров полупроводниковых материалов

3.1. Методики исследования переходных сопротивлений контактов металл-полупроводник

3.1.1. Определение переходных сопротивлений металлических контактов к полупроводниковым образцам прямоугольной формы

3.1.2. Определение переходных сопротивлений металлических контактов к полупроводниковым образцам круглой формы

3.2. Исследование никелевых электрохимических контактов

к арсениду галлия

Выводы и результаты главы

Глава 4. Влияние реальных неоднородностей на электрические свойства ограниченных полупроводников

4.1. Методика выявления локальных неоднородностей полупроводниковых пластин по величине удельной электропроводности

4.1.1. Прямоугольные полупроводниковые пластины

4.1.2. Круглые полупроводниковые пластины и диски

4.1.3. Экспериментальная апробация методики контроля однородности полупроводников по величине удельной проводимости

4.2. Контроль распределения легирующих примесей и выявление локальных неоднородностей по данным измерений эффекта Холла

4.2.1. Прямоугольные образцы

4.2.2. Круглые образцы

4.2.3. Экспериментальная апробация методики контроля однородности полупроводников по величине постоянной Холла

4.3. Особенности электрических свойств диффузионных

и ионно-легированных полупроводников

4.3.1. Анализ распределения примесей в диффузионных и ионно-легированных полупроводниках

4.3.2. Теоретическое моделирование полей при зондовых измерениях в диффузионных и ионно-легированных полупроводниках

4.3.3. Компьютерное моделирование электрических полей в диффузионных легированных полупроводниках

4.3.4. Методика определения электропроводимости и сопротивления контактов к неоднородному по глубине полупроводниковому образцу

4.4. Особенности распределений электрических полей в полупроводниковых материалах с неоднородностями п+-п и p+-p

4.4.1. Теоретический расчет электрических полей в двухслойных полупроводниковых структурах

4.4.2. Компьютерное моделирование и анализ распределений потенциала и токовых линий

4.4.3. Методика определения электропроводимости эпитаксиальных полупроводниковых структур п-п+ и p-p+

4.5. Экспериментальная проверка

Выводы и результаты главы

Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрические свойства ограниченных полупроводников с естественными и искусственными неоднородностями»

Введение

Актуальность темы исследования и степень её разработанности

Непрерывное развитие современной полупроводниковой микро- и нано-электроники тесно связано как с разработкой новых материалов, так и совершенствованием технологии их получения. В условиях сокращения базового размера р-п переходов (с достигнутым уровнем 2-3 нм [1, 2]) актуализируются проблемы обеспечения высокого уровня качества измерительных и функциональных контактов, а также исключения их паразитных влияний на работу и электрические свойства производимых электронных элементах и устройствах. Широкое применение при легировании полупроводников находят процессы синтеза, такие как диффузионные, ионно-легирующие, атомно-слоевые, гетеро-и молекулярно-лучевые эпитаксиальные. Данные технологические процессы при получении необходимых структур интегральных схем и дискретных приборов цифровой электроники и оптоэлектроники неизбежно сопровождаются формированием как естественных, так и специально задаваемых неоднородностей в твердотельных полупроводниковых материалах [3].

При проектировании полупроводниковых приборов и интегральных схем широко используются известные в литературе зависимости пространственного залегания легирующих примесей при диффузии, ионном внедрении, эпитаксии. Геометрические параметры распределения примесей, несомненно, определяют важнейшие электрофизические параметры полупроводниковых материалов (удельное сопротивление, концентрация и подвижность свободных носителей заряда), критически определяющих их дальнейшую применимость. Соответственно, возрастает существенное значение развития методов исследования кинетических параметров таких материалов, включая, например, зондовые методы, контактные методики Лео Ван дер Пау и другие. Используемые лабораторные методы исследования неоднородностей в полупроводниках приводят к разрушению образцов (метод последовательного удаления слоев), нарушению условий на поверхности (применение протяженных омических контактов) или измене-

нию внутренней структуры исследуемых объектов (рентгеновские исследования, электронная просвечивающая микроскопия). Соответственно, сохраняется необходимость в надежных, неразрушающих методах исследований полупроводниковых материалов с естественными и/или искусственными неоднородностями. Однако, необходимая для этого теория расчета электрических полей в легированных полупроводниковых структурах разработана недостаточно. В частности, в обозримой литературе отсутствуют необходимые аналитические расчеты электрических полей при установившихся токах в ограниченных диффузионных или ионно-легированных полупроводниковых материалах. Данные аналитические выражения для электрических полей являются необходимой теоретической базой для построения новых (зондовых) методов измерений основных электрических параметров неоднородных полупроводниковых материалов и структур.

Таким образом, существующий уровень разработанности методов измерений кинетических коэффициентов неоднородных полупроводниковых материалов свидетельствует о востребованности их дальнейшего развития. Необходимость комплексного учета физических эффектов концентрирования электрических полей в приконтактных областях, а также влияния распределений примесей и границ на основании анализа электрических свойств, с привлечением математического и компьютерного моделирования подтверждает актуальность исследований по данной проблеме.

Цель работы: экспериментальное подтверждение модельно-обоснованного влияния естественных и создаваемых примесных неоднородно-стей на электрические свойства ограниченных полупроводников.

Задачи исследования

1. На основе решения краевой электродинамической задачи аналитически описать распределение потенциала стационарных электрических полей, согласующееся с 4-х зондовыми и холловскими измерениями в ограниченных полупроводниках.

2. На основе предложенной теоретической модели построить распределения потенциала стационарных электрических полей при зондовых измерениях для

выявления естественных локальных неоднородностей в ограниченных полупроводниках прямоугольной и круглой формы.

3. Построить модель распределений потенциала стационарных электрических полей в ограниченных неоднородных полупроводниковых материалах с созданными искусственно примесными включениями, основанную на решении уравнений Пуассона с учетом характерных законов изменений электропроводимости по глубине.

4. Выявить влияние распределения примесей в ограниченных полупроводниках с искусственными неоднородностями на концентрирование стационарного электрического поля и распределение плотности тока при контактных методах измерений удельной электропроводности.

5. Выявить роль типа проводимости (п и р) в полупроводнике GaAs с прямоугольной и круглой формами по вольтамперным характеристикам, измеренным с помощью никелевого контакта.

Объект исследования: диффузионно- и ионно-легированные полупроводниковые материалы, эпитаксиальные структуры, естественные неоднородности в ограниченных полупроводниках.

Предмет исследования: изменения электрических свойств с учетом естественных и созданных диффузионно- и ионно-легированных неоднородностей в ограниченных полупроводниковых материалах на примере Si и GaAs.

Научная новизна

Построена и экспериментально подтверждена теоретическая модель расчета трехмерных распределений потенциалов в объеме образцов полупроводниковых материалов в форме параллелепипеда, содержащего структурные неоднородности однослойных материалов с характерными для планарной технологии законами изменений электропроводимости по глубине, и двуслойных структур п-п+ и р-р+ со скачкообразным изменением проводимости, представленная рядом Фурье из специальных ортогональных функций.

По оригинальной методике определения сопротивлений растекания и переходного в контактах металл-неоднородный полупроводник в ограниченной области построена трехмерная модель распределений статических потенциалов, подтвержденная результатами экспериментальных измерений. Основные положения, выносимые на защиту

1. Концентрирование плотности электрического тока и потенциала в прикон-тактных областях ограниченных полупроводников с неоднородностями, определяемое геометрическими параметрами диффузионного легирования и площадью сечений контактов, подтвержденное зондовыми измерениями и согласующееся с расчетами трехмерных распределений потенциалов.

2. Снижение отношения удельной проводимости контактирующего полупроводникового слоя к проводимости подложки полупроводниковых эпитакси-

+ + / / +\ альных n-n и p-p структур с резкими границами (g/g ) при протекании постоянного электрического тока приводит к возрастанию градиента потенциала в приконтактных областях и концентрированию плотности тока в высоколегированной подложке, подтвержденному расчетами электрических полей и согласующееся с результатами проведенных зондовых измерений.

3. Результаты контактных двух- и четырехзондовых измерений величин поверхностной и средней удельной электропроводимости для диффузионно- и

++

ионно-легированных полупроводников, эпитаксиальных n-n и p-p структур, основанные на аналитическом решении уравнений Лапласа и Пуассона и учитывающие концентрирование потенциала в приконтактной области при сопряженном эффекте вытеснения плотности электрического тока в высоколегированную область.

Теоретическая и практическая значимость работы Полученные в работе выражения для распределений электрических полей в ограниченных неоднородных и однородных полупроводниковых образцах использованы при расчетах удельной электропроводности и коэффициента Холла. Представлены аналитические соотношения, с помощью которых можно контролировать однородность образцов по величине удельной проводимости и коэф-

фициента Холла на основе зондовых измерений. Для полупроводниковых дисков получена удобная методика моделирования электрических полей при помещении образца с током в однородное магнитное поле, разработана соответствующая компьютерная программа, зарегистрированная в ФИПС.

Выявлена и определена аналитическая нелинейная зависимость электрического напряжения между измерительными зондами от параметров распределения примесей в ограниченных неоднородных диффузионно-легированных и ионно-имплантированных полупроводниках реальных образцов при проведении исследований на постоянном токе.

Разработан и практически реализован метод получения омических измерительных контактов к GaAs. Показаны особенности протекания постоянного тока через полученный электрохимическим методом контакт Ni-GaAs. Выявлено, что структуры Ni-p-GaAs проявляют омические свойства, а вольтамперные характеристики контактов Ni-n-GaAs имеют нелинейную область при напряжениях менее 1,5 вольт.

Представленные в работе выражения в виде рядов специальных ортогональных функций для распределений электрических полей в неоднородных полупроводниковых пленках и образцах могут быть использованы при анализе экспериментальных данных зондовых измерений, в том числе при рассмотрении результатов сканирующей зондовой микроскопии методом сопротивления растекания. Полученные и проанализированные в работе выражения для электрических полей могут быть использованы для моделирования электрофизических свойств реальных неоднородных материалов электроники и легированных полупроводников.

Достоверность результатов исследования, представленных в работе, обеспечивается выбором надежных методов математической физики для решения требуемых электродинамических краевых задач, подбором поверенного и сертифицированного оборудования для проведения экспериментальных работ, сопоставлением с результатами работ, принятых и опубликованных в рейтинговых отечественных и зарубежных издательствах. Основные результаты

работы теоретически обоснованы и проверены экспериментально. Использованные в диссертационной работе алгоритмы для расчета электрических полей выполнены автором с применением стандартных компьютерных прикладных программ.

Апробация и реализация полученных результатов

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на 14 российских и международных конференциях: Всероссийской научно-технической конференции «Диагностика веществ, изделий и устройств» (Орел, ОрелГТУ, 1999); международной научно-технической конференции «Электроника и информатика - XXI век» (Москва, МИЭТ, 2000); 1-ой Российской конференции молодых ученых по физическому материаловедению (Калуга, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2001), Международной конференции «Физика электронных материалов» (Калуга, КГПУ им. К.Э. Циолковского, 2002); XV Международной конференции «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, ВГУ, 2011); Международном семинаре «Физико-математическое моделирование систем» (Воронеж, ВГТУ, 2014, 2017, 2018); VIII Международной конференции «Деформация и разрушение материалов и наноматериалов. DFMN-2019» (Москва, ИМЕТ РАН, 2019); 4-й Международной научной конференции перспективных разработок молодых ученых «Наука молодых - Будущее России» (Курск, ЮЗГУ, 2019); Международной конференции «International Conference on Control Systems, Mathematical Modelling, Automation and Energy Efficiency, SUMMA» (Липецк, ЛГТУ, 2019, 2020, 2022); Всероссийской научно-практической конференции «Проблемы естественных, математических и технических наук в контексте современного образования» (Липецк, ЛГПУ имени П.П. Семенова-Тян-Шанского, 2022).

Реализация результатов работы

Результаты диссертационной работы были использованы при проведении НИР № 2271 «Особенности электронного переноса в ограниченных анизотропных и неоднородных полупроводниках» в базовой части Государственного за-

дания №2014/351 (2014, 2015 г.г.), а также используются в учебном процессе при изучении дисциплин «Общая и экспериментальная физика» и «Методы математической физики» (направление подготовки 03.03.02 «Физика») в Липецком государственном педагогическом университете имени П.П. Семенова-Тян-Шанского и могут быть рекомендованы к внедрению в профильные дисциплины по направлениям подготовки высшего образования, связанными с необходимостью изучения современных материалов электронной техники («Радиофизика», «Техническая физика», «Электроника и наноэлектроника» и др.).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 23 научные работы, в том числе 5 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, и 4 - в изданиях, входящих в наукометрические базы данных Scopus и Web of Science, получено авторское свидетельство на программу для ЭВМ.

Личный вклад соискателя состоит в получении и анализе теоретических результатов работы, в проведении экспериментов, обработке опытных данных, подготовке и написании научных статей, представлении докладов на научных конференциях и оформлении диссертационной работы.

Соответствие паспорту научной специальности. Диссертация соответствует требованиям паспорта специальности 1.3.11. Физика полупроводников: п. 3. Примеси и дефекты в полупроводниках и композитных структурах; п. 4. Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетеро-структуры, контактные явления; п. 6. Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах; п. 17. Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах; п. 19. Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, содержащего 117 наименований. Работа изложена на 154 страницах, содержит 74 рисунка и 18 таблиц.

Глава 1. Электрические свойства неоднородных полупроводниковых материалов и контактные методы их измерений (обзор)

1.1. Неоднородные полупроводниковые материалы в современной

электронной технике

Современная база полупроводниковых электронных приборов и устройств постоянно пополняется путем использования новых материалов, размерных эффектов, различных примесей и способах их внедрения [1-3]. Развитие современной полупроводниковой электроники идет преимущественно по пути миниатюризации и логической оптимизации построения новых сверхбольших интегральных схем [4]. Использование новых материалов, способов их легирования, а также размерных эффектов, позволяет создавать функционально новые приборы и устройства [5, 6, 7]. Подробное описание всевозможных полупроводниковых приборов электроники не могут уже охватить классические монографии и учебные пособия, база данных устройств и приборов постоянно пополняется [8].

Физические процессы, применяемые в актуальной микро- и наноэлектро-нике описаны в хорошо известных книгах [4, 9, 10, 11]. Опишем распределение примесей в полупроводниках, возникающих при стандартных технологиях. Основными методами создания неоднородных структур являются диффузия и ионное внедрение. Методом диффузии успешно создают различные активные, пассивные элементы интегральных микросхем (ИМС), а также изоляционные слои. Самый распространенный вариант диффузии - локальная диффузия с применением защитных масок из диэлектрических пленок. При тотальной диффузии примеси равномерно проникают по всей поверхности полупроводниковой пластины, в этом случае специальные защитные маски, пленки не используются. Для кремния часто в качестве легирующей примеси применяются: бор (В) — акцепторная примесь, создающая области р-типа электропроводности, фосфор (Р), мышьяк (As) и сурьма ^Ь) — донорные примеси, создающие

области п-типа. Диффузия акцепторной примесью происходит быстрее, чем до-норной, т.к. акцепторные примеси имеют меньший ионный радиус [11].

При формировании неоднородных полупроводниковых структур выделяют два идеализированных варианта диффузии: из бесконечного источника и из ограниченного источника. Диффузия из бесконечного (постоянного) источника производится, когда количество примеси, уходящее из тонкого приповерхностного слоя полупроводника, восполняется таким же количеством примеси, поступающим извне. Характерной особенностью является то, что на поверхности концентрация примеси остается неизменной, но по глубине концентрация начинает быстро убывать. Если использовать ограниченный источник, то в верхнем слое полупроводника будет наблюдаться конечное число атомов примеси, при этом уходящие легирующие атомы не восполняются извне, как в предыдущем случае, и концентрация примеси на поверхности со временем постепенно уменьшится. В реальном случае в полупроводниковом образце распределение примеси по глубине будет немного отличаться из-за влияния диффузии, протекающей в различных направлениях, отличных от перпендикулярного к поверхности образца, и присутствия до начала диффузии других примесей, введенных в полупроводник.

Существенное влияние на распределение легирующей примеси оказывает диффузия различных случайных примесей (алюминия, меди, золота, железа и т.д.), которые могут попадать в приповерхностный слой полупроводниковых пластин на предыдущих этапах обработки пластин. Скорость диффузии неконтролируемых примесей значительно больше, чем легирующих, и поэтому свойства активных областей приборов могут измениться в худшую сторону. [12]. Данный факт приводит к появлению высоких требований к чистоте проведения диффузионных процессов, максимально снижающих возможность попадания неконтролируемых примесей в рабочую область диффузионного реактора.

На первом этапе технологического процесса происходит загонка примеси. Для данного этапа процесса загонки соответствует модель диффузии от постоянного источника примесей. Конечная цель загонки примеси - создание в при-

поверхностном слое пластины тонкого слоя с заданным содержанием примесных атомов.

Загонка примеси также часто осуществляется методом ионной имплантации, который позволяет более точно контролировать количество внедренных в пластину атомов. Данный метод применяется для формирования сильно легированных диффузионных слоев (например, эмиттерных) с поверхностными концентрациями С0, значения которых стремятся к предельной твердой растворимости примеси в данном полупроводниковом материале.

Рисунок 1.1 - Качественное распределение концентрации примеси по глубине полупроводника (диффузия из постоянного источника) [11]

Из второго уравнения Фика

dN

= D

д2 N

дг дх2 '

при диффузии из постоянного источника решением является функция [11]

(1.1.1)

N(х, t) = N0 1 - erf

х

24Dt

(1.1.2)

2 z

где erf z = —;= I exp(-y2)dy - функция ошибок (error function; гауссовский yjn i

ин-

теграл, интеграл вероятности, функция Крампа), Щх,г) - концентрация диффундирующих атомов примеси в единицу объема, N0 - концентрация примесей

на границе раздела в начальный момент времени, D - коэффициент диффузии, t

- время диффузии.

Обычно выражение (1.1.2) записывают в следующем виде:

x

N (x, t) = N0erfc , (1.1.3)

где erfc z = 1 - erf z - дополнительная функция ошибок.

На рисунке 1.1 приведен график, полученный на основе решений уравнения Фика для диффузии от постоянного источника (1.1.2) и (1.1.3) в форме зависимости относительной концентрации примеси от глубины при трех различных значениях времени диффузии t.

При диффузии из ограниченного источника начальные условия имеют следующий вид:

ГN0, при 0 < x < d; N(x,0) = i o0 (1.1.4)

[ 0, при d < x < да,

а решение уравнения Фика (1.1.1) для такого случая записывается в виде

N (x, t) = No (erf^L + erf^^L 1. (1.1.5)

2 ^ J 24Dt 24Dt)

Перечислим основные характеристики диффузных слоев:

- глубина залегания p-n перехода или легирующего слоя, глубина сопротивления;

- поверхностное сопротивление или поверхностная концентрация примесей;

- закон распределения примесей в легируемом слое.

Ионное внедрение - наиболее часто применяемый метод вместо диффузии и имеющий некоторые преимущества. При ионном внедрении имеется возможность управлять процессом внесения примеси в полупроводниковый материал [11]. Профиль легирования зависит от энергии пучка примеси, а концентрация внедренных ионов в свою очередь - от ионной дозы. Указанный метод не позволяет получить глубокий профиль. Концентрация внедренных ионов может быть вычислена по формуле Гаусса [11]:

Ф

N (х) = ехр

2

х - RP

J

(1.1.6)

где Ф - величина, связанная с ионной дозой, ЯР - проекция пробега, АЯР - разброс пробега, х - глубина проникновения иона в полупроводниковый материал, Щ(х) - концентрация внедренных ионов. Максимальная концентрация достигается на глубине х = ЯР.

В работе [13] представлены данные по проекции пробега и разбросу ионов фосфора, бора и мышьяка в кремнии.

Ионы после попадания в материал начинают двигаться сквозь кристаллическую решетку, совершая на своем пути хаотические столкновения с атомами решетки, и таким образом ионы вносят дефекты в решетку. При увеличении дозы облучения кристаллическая решетка получает большие повреждения. В идеальном случае ионы должны попадать в узлы кристаллической решетки. Но это невозможно реализовать. Поэтому после ионной имплантации проводят термический отжиг при не очень высоких температурах. При этом колебания ионов кристаллической решетки позволяют устранить ее повреждения и активизировать внедренные ионы. Верхний слой, который повреждается сильнее всего в процессе отжига, рекристаллизуется, повторяя структуру расположенных более глубоко слоев при температуре порядка 5500С.

В работе [14] изучалось перераспределение примеси МЬ, 1п-МЬ, Sn-Nb на монокристаллическом кремнии после диффузионного осаждения. Были экспериментально получены графики концентрации распределения относительных концентраций ниобия и кремния по глубине сразу после осаждения ниобия (рисунок 1.2,а), после вакуумного отжига при различных температурах (рисунки 1.2,б и 1.2,в). На рисунках ось Оz направлена вглубь образца, координата z = 0 соответствует верхней границе слоя МЬ.

Из данной работы видно, что распределение примесей существенно изменяется после отжига, зависит от температурного режима отжига и распределение примеси МЬ может описываться экспоненциальной зависимостью.

1

20 40 60 КО 100 120 140 160 I КО 200 220 240

40 60 80 100 121) 140 160 180

Рисунок 1.2 - Распределение относительных концентраций ниобия и кремния по глубине слоистой структуры Nb-Si; после осаждения Ш (а); дальнейшего вакуумного отжига при различных температурах: Т1=420 К (б), Т2=770 К (в).

На рисунке точки 1 - Ш, 2 - Si [14]

Свободные носители тока в полупроводниках можно получить при облучении светом, бомбардировкой различными частицами, вызывающими ионизацию и т.д. Такие свободные носители являются избыточными по отношению к равновесным и поэтому называются неравновесными носителями [15].

Концентрацию свободных носителей заряда в полупроводнике можно записать в виде:

п = п0 + Лп, (1.1.7)

Р = Ро + Лр, (1.1.8)

где п0, р0- равновесные концентрации электронов и дырок, Дп, Ар - концентрации избыточных электронов и дырок.

Условие электронейтральности, при котором в полупроводнике создавались бы только собственные носители заряда и не было объемных зарядов, выглядит следующим образом:

Ли = Лр. (1.1.9)

Если подвижность избыточных и основных носителей примерно одинакова, то для дополнительной электропроводности можно записать следующее соотношение:

Ла = е(ип-Ли + ир-Лр), (1.1.10)

тогда полная электропроводность будет равна

а = а +Ла = е-[щ-(по +Лп) + Мр-(ро +Лр)[ (1.1.11)

После выключения источника неравновесных зарядов полупроводник постепенно возвращается в равновесное состояние. Это происходит благодаря процессу рекомбинации.

В работе [16] было показано, что кластеры никеля на поверхности кремния содержат большое количество примесей, получаемых при рекомбинации, и некоторое количество кислорода. Также экспериментально была подобрана оптимальная температура диффузии никеля в кремний 800-8500 С. Авторы показали, что благодаря легированию никеля при образовании кластеров в кремнии удалось увеличить время жизни неравновесных носителей заряда в солнечном

элементе до двух раз, одновременно с этим на лицевом слое элемента более эффективно сформировалась область, обогащенная никелем. Авторы делают выводы о том, что внедрение атомов никеля в полупроводниковый материал является действенным методом геттерирования рекомбинационных центров в кремнии. При этом метод имеет преимущества: является эффективным, достаточно дешевым в производстве; применение никеля в качестве примеси позволяет повысить эффективность солнечных элементов до 20-25 %; электрофизические параметры полупроводниковой пластины практически не изменяются после легирования никелем, что очень удобно применять для легирования кремния на всех видах электронных приборов и устройств.

На практике в качестве неоднородных слоев используют наноразмерные оксидные пленки на поверхности полупроводников, которые часто получают методом термического оксидирования. В работе [17] исследовались электрофизические параметры тонких пленок, полученных с помощью термооксидирования гетероструктур MnO2/GaAs и Y5O5/GaAs. Данные пленки могут найти применение в качестве покрытий оптических зеркал, применяться в качестве омических контактов в гетеролазерах. В работе показано, что при небольших поданных на образец напряжениях наклон обратных ветвей ВАХ в координатах

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Лузянин Сергей Евгеньевич, 2023 год

Список литературы

1. Yadav, N. Impact of Gate Length and Doping Variation on the DC and Ana-log/RF Performance of sub - 3 nm Stacked Si Gate-All-Around Nanosheet FET / N. Yadav, S. Jadav, G. Saini // Silicon. - 2023. - V. 15. - P. 217-228.

2. Yamamoto, T. Advanced process technologies for continuous logic scaling towards 2 nm node and beyond / T. Yamamoto // IEEE International Conference on Interconnect Technology, 27-30 June 2022. - P. 40-41.

3. Sze, S.M. Physics of Semiconductor Devices 4th Edition / S.M. Sze, Y. Li, K.K. Ng. - Wiley, 2021. - 944 p.

4. Воротынцев, В.М. Базовые технологии микро- и наноэлектроники / В.М. Воротынцев, В.Д. Скупов. - М.: Проспект, 2019. - 520 с.

5. Карандашев, С.А. Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор) / С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный // Физика и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, №2. - С. 147-157.

6. Михайлова, М.П. Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (обзор) / М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев // Физика и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, №3. - С. 291-308.

7. Сорокин, В.С. Материалы и элементы электронной техники. Проводники, полупроводники, диэлектрики / В.С. Сорокин, Б.Л. Антипов, Н.П. Лазарева. - СПб.: Лань, 2015. - 448 с.

8. Демидов, А.А. Современные и перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники следующего десятилетия (2020-2030 гг.) / А.А. Демидов, С.Б. Рыбалка // Прикладная математика & Физика. - 2021. - Т. 53, №1. - С. 53- 72.

9. Widmann, D. Technology of Integrated Circuits. Springer Series in Advanced Microelectronics / D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich. - Springer, 2000. -360 p.

10.Технология СБИС: в 2-х кн. / К. Пирс [и др.] / под ред. Зи С. - М.: Мир, 1986. - Т. 1. - 404 с.; Т. 2. - 453 с.

11. Тилл, У. Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление. (пер. с англ.) / У. Тилл, Дж. Лаксон. - М.: Мир, 1985. - 504 с.

12. Диффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов и применение этого метода в технологии полупроводниковых приборов. Обзор / Е.Г. Гук [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 1999. - Т. 33, №3. - С. 257- 269.

13. Lee, D.H. Ion-Implanted Semiconductor Devices / D.H. Lee, J.W. Mayer // Proceedings of the IEEE, September 1974. - P. 1241-1255.

14. Фазовые превращения и перераспределение компонентов в процессе формирования пленочных систем Nb, In-Nb и Sn-Nb на монокристаллическом кремнии / Н.Н. Афонин [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2009. - Т. 11, №1. - С. 21-30.

15. Павлов, Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л.П. Павлов. - М.: Высшая школа, 1987. - 240 с.

16. Влияние никеля на время жизни носителей заряда в кремниевых солнечных элементах// М.К. Бахадырханов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2022. - Т. 56, №1. - С. 128-133.

17. Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур Mn02/GaAs(100) и V505/GaAs(100), прошедших термическую обработку / Б.В. Сладкопевцев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2019. -Т. 53, №8. - С. 1074-1079.

18. Кузубов, С.В. Упорядочение вакансий галлия в тонких слоях Ga2Se3 на подложках из кремния различной ориентации: (100), (111), (123) / С.В. Кузубов, Г.И. Котов, Ю.В. Сыноров // Кристаллография.- 2017. - Т. 62, №5. - С. 800-804.

19. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами / С.С. Хлудков [и др.] / под. ред. О.П. Толбанова. - Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. - 258 с.

20. Бахрушин, В.Е. Получение и физические свойства слаболегированных слоев многослойных композиций / В.Е. Бахрушин. - Запорожье: ЗИГМУ, 2001. - 248 с.

21. Влияние механического утонения и плазмохимического травления на морфологию поверхности кремниевых пластин / И.В. Коняев [и др.] // Электронная техника, серия 1: СВЧ-Техника. - 2020, №3 (546). - С. 84-90.

22. Особенности электронной структуры мультислойных структур карбида кремния / А.В. Тучин [и др.] // «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика»: тез. докл. XII Всерос. конф. молодых ученых. - Саратов: Изд-во «Техно-Декор», 2017. - 346 с. С. 92-93.

23. Батавин В.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. - М.: Радио-исвязь, 1985. - 264 с.

24. Rudan, M. Physics of Semiconductor Devices / M. Rudan. - Springer, 2015. - 649 p.

25. Брандон, Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля / Д. Брандон, У. Каплан. - М.: Техносфера, 2006. - 384 с.

26. Schroder, D.K. Semiconductor Material and Device Characterization / D.K. Schroder. - Wiley-IEEE Press, 2006. - 784 p.

27. Щемеров, И.В. Разработка и создание аппаратуры для безконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов: Дис. канд. тех. наук: 05.27.06 / И.В. Щемеров. - М.: НИТУ «МИ-СИС», 2015. - 128 с.

28. Методика определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии / В.А. Смирнов [и др.] // Журнал технической физики. - 2018. - Т. 88, №8. - С. 1273-1278.

29. Модификация метода Ван дер Пау для измерения электрофизических параметров высокоомных полупроводников / А.Г. Белов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2014, № 5. - С. 115-119.

30. Луганский, Л.Б. Четырехзондовые методы измерения удельного сопротивления образцов, имеющих форму прямоугольного параллелепипеда / Л.Б. Луганский, В.И. Цебро // Приборы и техника эксперимента. -2015, №1. - С. 122-133.

31. Филиппов, В.В. Зондовые измерения распределения потенциала в анизотропных полупроводниковых кристаллах и пленках / В.В. Филиппов,

A.Н. Власов // Известия вузов. Электроника. - 2012, №1 (93). - С. 48-53.

32. Филиппов, В.В. Методы измерения и контроля коэффициентов электронного переноса анизотропных полупроводников: монография /

B.В. Филиппов, Н.Н. Поляков. - Липецк: ЛГПУ, 2011. - 110 с.

33. Филиппов, В.В. Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках: монография / В.В. Филиппов. - М.: Издательство «Спутник+», 2015. - 259 с.

34. Исследование морфологии алюминиевой металлизации на контактных площадках кристалла плис / Е.В. Гончаренко [и др.] // Вестник Воронежского государственного технического университета - 2017. - Т. 13, №1. -

C. 90-94.

35. Кучис, Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е.В. Кучис. - М.: Радио и связь, 1990. - 264 с.

36. Родерик, Э.Х. Контакты металл-полупроводник / Э.Х. Родерик. - М.: Радио и связь, 1982. - 208 с.

37. Стриха, В.И. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике / В.И. Стриха, Е.В. Бузанева. - М.: Радио и связь, 1987. - 256 с.

38. Гольдберг, Ю.А. Омический контакт металл-полупроводник АШВУ: методы создания и свойства / Ю.А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. - 1994. - Т. 28, №10. - С. 1681-1698.

39. Бланк, Т.В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, №11. - С. 1281-1308.

40. Padovani, F.A. Field and thermionic-field emission in Schottky barriers / F.A. Padovani, R. Stratton. // Sol. St. Electron. - 1966. - V. 9, №7. - P. 695707.

41. Особенности механизма протекания тока в омическом контакте к GaP / Т.В. Бланк [и др.] // Письма в Журнал технической физики. - 2004. -Т. 30, №19. - С. 17-24.

42. Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In-GaN / Т.В. Бланк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т. 40, №10. - С. 1204-1208.

43. Хольм, Р. Электрические контакты. Ч. 1 / Р. Хольм. - М.: Издательство иностранной литературы, 1961. - 464 с.

44. A simple Ohmic-contact formation technology using phosphine plasma treatment for top-gate amorphous-silicon thin-film transistors / U. Yasuhiro [et. al.] // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. - 1998. - V.37, № 6a. - P. 3226-3231.

45. Фролов, П.В. Измерение переходного сопротивления контактов и контроль удельного сопротивления полупроводниковых пленок / П.В. Фролов, Н.Н. Поляков // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. -2002. - Т.68, №8. - С. 26-29.

46. Поляков, Н.Н. Капельный метод электрохимического осаждения контактов металл-полупроводник и исследование их свойств / Н.Н. Поляков, С.В. Мицук, В.В. Филиппов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2006. - Т.72, №2. - С. 30-34.

47. Рембеза, С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников / С.И. Рембеза. - Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. - 224 с.

48. Поляков, Н.Н. К выводу формулы сопротивления растекания для плоского контакта круглой формы / Н.Н. Поляков, В.Л. Коньков // Известия высших учебных заведений. Физика. - 1970. - №9. - С. 100-105.

49. Mazur, R.G. Asp reading resistance technique for resistivity measurement on silicon / R.G. Mazur, D.N. Dickey // J. Electrochem. Soc. - 1966. - V. 113, №3. - P. 255-259.

50. Поляков, Н.Н. Кинетические явления в ограниченных анизотропных и неоднородных полупроводниках: Дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н.Н. Поляков. - Липецк: ЛГПИ, 1995. - 308 с.

51. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов / А.Н. Андреев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т. 32, №7. - С. 832-838.

52. Contacts an GaInAs / H. Kräutie [et. al.] // IEEE Trans. - 1985. - V. ED-32, №6. - P. 1119-1123.

53. Lei, T.F. Specific contacts resistivity measurement by a vertical Kelvin test structure / T.F. Lei, I.Y. Leu, Ch.L. Lee // IEEE Trans. - 1987. - V. ED-34, №6. - P. 1390-1395.

54. Kraftmakher, Y. Eddy currents: Contactless measurement of electrical resistivity / Y. Kraftmakher // American J. of Phys. - 2000. - V.68, №4. - P. 755760.

55. Филиппов, В.В. Моделирование электрических полей при зондовых измерениях в анизотропных полупроводниковых пленках / В.В. Филиппов, А.Н. Власов, Е.Н. Бормонтов // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2011. - Т.13, №4. - С. 499-503.

56. Филиппов, В.В. Измерение сопротивления контактов металл-полупроводник и контроль удельного сопротивления полупроводниковых пленок / В.В. Филиппов, П.В. Фролов, Н.Н. Поляков // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т.46, №7. - С. 80-87.

57. Филиппов, В.В. Явления электронного переноса в анизотропных и низкоразмерных полупроводниковых структурах: Дис. д-ра. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В.В. Филиппов. - Липецк: ЛГПУ, 2012. - 358 с.

58. Поляков, Н.Н. Измерение сопротивлений контактов и компонент электропроводности анизотропных кристаллов и пленок / Н.Н. Поляков // Журнал технической физики. - 1993. - Т. 63, №7. - С. 167-175.

59. Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN / В.И. Егоркин

[и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, №12. -С. 1260- 1263.

60. Миролюбов, Н.Н. Методы расчета электростатических полей / Н.Н. Миролюбов, М.В. Костенко, М.Л. Левинштейн. - М.: Высш. шк., 1963. - 415 с.

61. Владимиров, В.С. Уравнения математической физики / В.С. Владимиров, В.В. Жаринов. - М.: Физматлит, 2004. - 400 с.

62. Джексон, Дж. Классическая электродинамика / Дж. Джексон. - М.: Мир, 1965. - 702 с.

63. Ландау, Л.Д. Электродинамика сплошных сред / Л.Д. Ландау, Е.М. Лиф-шиц. - М.: Физматлит, 2003. - 656 с.

64. Лаврентьев, М.А. Методы теории функций комплексного переменного / М.А. Лаврентьев, Б.В. Шабат. - М.: Наука, 1973. - 736 с.

65. Корн, Г. Справочник по математике для научных работников и инженеров / Г. Корн, Т. Корн. - М.: Наука, 1974. - 832 с.

66. Аскеров, Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках / Б.М. Аскеров. - М.: Наука, 1985. - 320 с.

67. Киреев, П.С. Физика полупроводников / П.С. Киреев. - М.: Высш. шк., 1975. - 574 с.

68. Бойко, И.И. Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводников с анизотропной проводимостью (обзор) / И.И. Бойко, В.А. Романов // Физика и техника полупроводников. - 1977. - Т.11, №5. - С. 817835.

69. Гуревич, Ю.Г. О задаче с косой производной в теории гальваномагнитных явлений / Ю.Г. Гуревич, В.В. Кучеренко, Э. Рамирес де Арейано // Математические заметки. - 1999. - Т. 65, №4. - С. 520-532.

70. Gonzalez, G. New mechanism of magnetoresistance in bulk semiconductors: Boundary condition effects / G. Gonzalez, Yu. G. Gurevich, V.V. Prosentsov // Solid State Commun. - 1996. - V. 97, № 12. - P. 1069-1072.

71. Ахиезер, И.Т. Геометрия образца и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках / И.Т. Ахиезер, Ю.Г. Гуревич, Н. Закиров // Физика и техника полупроводников. - 1993. - Т. 27, №4. - С. 628-633.

72. Gurevich, Yu.G. On the magnetoresistance of finite semiconductors / Yu.G. Gurevich, V.V. Kucherenko // Europhys. Lett. - 2001. - V. 53, №4. -P. 539-543.

73. Electric potential in the classical Hall effect: An unusual boundary-value problem / M.J. Moelter [et al] // Am. J. Phys. - 1998. - V. 66, № 8. - P. 668-677.

74. Филиппов, В.В. Особенности гальваномагнитных явлений в пленках анизотропных полупроводников / В.В. Филиппов, Н.Н. Поляков // Известия вузов. Электроника. - 2004, №2. - С. 9-16.

75. Van der Pauw, L. J. A method of measuring the specific resistivity and Hall coefficient of disc of arbitrary shape / L. J. Van der Pauw // Phil. Res. Rep. -1958. - V. 13, №1. - P. 1-9.

76. Van der Pauw, L. J. A method of measuring the resistivity and Hall coefficient on lamellae of arbitrary shape / L. J. Van der Pauw // Phil. Tech. Rev. - 1959. - V. 20, № 8. - P. 220-224.

77. Неволин, В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике / В.К. Неволин. -М.: Техносфера, 2014. - 176 с.

78. Миронов, В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В.Л. Миронов. - М.: Техносфера, 2009. - 143 с.

79. Най, Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц / Дж. Най. - М.: Мир, 1967. - 380 с.

80. Драгунов, В.П. Основы наноэлектроники / В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. - М.: Физматкнига, 2006. - 496 с.

81. Ando, T. Electronic properties of two-dimensional systems / T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern // Reviews of Modern Physics. - 1982. - V. 54, № 2. -P. 437-672.

82. Мицук, С.В. Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках// Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С.В. Мицук. - Липецк: ЛГПУ, 2008. - 132 с.

83. Anatomy of large perpendicular magnetic anisotropy in free-standing Co/Ni (111) multilayer / I. Pardede [et al] // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 2020. - V. 500. - P. 166357.

84. Electroless Deposition of Ni-Fe Alloys on Scaffolds for 3D Nanomagnetism / Petai Pip [et al] // Nano micro small. - 2020. - V. 16, № 44. - P. 2004099.

85. Maximizing necking-delayed fracture of sandwich-structured Ni/Cu/Ni composites / Fei Liang [et al] // Scripta Materialia. - 2017. - V. 134, № 6. -P. 28-32.

86. Румянцева, К.Е. Физические и технологические свойства покрытий / К.Е. Румянцева. - Иваново: Ивановский государственный химико-технологический университет, 2007. - 84 с.

87.Апокин, И.А. Технология изготовления ферромагнитных пленок. / И.А. Апокин. - М.-Л.: Энергия, 1966. - 80 с.

88. Бережная А.Г. Электрохимические технологии и материалы / А.Г. Бережная. - Ростов н/Д: Изд-во ЮФУ, 2017. - 118 с.

89. Филонов, Н.Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия / Н.Г. Филонов, И.В. Ивонин. - Томск: Издательский дом Томского государственного университета, 2018. - 364 с.

90. Шур, М. Современные приборы на основе арсенида галлия / М. Шур. : Пер. с англ. - М.: Мир, 1991. - 632 с.

91. Лебедев, М.В. Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников АШВ'У на границе с растворами электролитов. (обзор) / М.В. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2020. Т. 54, №7. - С. 587-630.

92. Вирбилис, С. Гальванотехника для мастеров / С. Вирбилис. - М.: Металлургия, 1990. - 208 с.

93. Логинов, Б.А. Зондовая микроскопия: применения и рекомендации по разработке / Б.А., Логинов, П.Б., Логинов, В.Б. Логинов // Наноиндуст-рия. - 2019. - Т. 12, №6. - С. 352-365.

94. Chen, C.J. Introduction to Scanning Tunneling Microscopy / C.J. Chen. - Ne-wYork: Oxford University Press, 2015. - 488 p.

95. Божков, В.Г. Контакты металл-полупроводник: физика и модели / В.Г. Божков. - Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. - 528 с.

96. Условия формирования и топография поверхности никелевых нанопле-нок на меди / В.В. Филиппов [и др.] // Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии. - 2021. - Т. 11, №3. - С. 59-76.

97.Рабаи, Ж.М. Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования / Ж.М. Рабаи, А. Чандракасан, Б. Николич. - М.: ООО «И.Д. Виль-ямс», 2007. - 912 с.

98. Таиров, Ю.М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов / Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. - СПб.: Лань, 2002. - 424 с.

99. Малкович, Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках/ Р.Ш. Малко-вич. - М.: Наука, 1999. - 387 с.

100. Соколов, И.А. Расчеты процессов полупроводниковой технологии / И.А. Соколов. - М.: Металлургия, 1994. - 176 с.

101. Янке, Е. Специальные функции / Е. Янке, Ф. Эмде, Ф. Леш. - М.: Наука, 1968. - 344 с.

102. Гетеродиффузия ниобия, индия, олова при формировании двухслойных систем на монокристаллическом кремнии / Н.Н. Афонин [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2011. - Т. 56, №5. - С. 821-825.

103. Бондаренко В. Б. Естественные неоднородности потенциала на поверхности полупроводника при равновесном распределении примеси / В. Б. Бондаренко, С. Н. Давыдов, А. В. Филимонов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, № 1. - С. 44.

104. Коньков, В.Л. Об измерении проводимости неоднородных полупроводниковых слоев зондовым методом / В.Л. Коньков, Н.И. Павлов, Н.Н. Поляков // Известия вузов. Физика. - 1971. - №10. -С. 33-38.

105. Капустин, В.И. Материаловедение и технологии электроники / В.И. Капустин, А.С. Сигов. - М.: ИНФРА-М, 2014. - 427 с.

106. Герасименко, Н.Н. Кремний - материал наноэлектроники / Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. - М.: Техносфера, 2007. - 352 с.

107. Полякова, А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А.Л. Полякова. - М.: Энергия, 1979. - 168 с.

108. Voigtlander, B. Scanning Probe Microscopy. Atomic Force Microscopy and Scanning Tunneling Microscopy / B. Voigtlander. - Springer, Berlin, Heidelberg, 2015. - 382 p.

109. Кирьянов, Д.В. Mathcad 15/Mathcad Prime 1.0. / Д. В. Кирьянов. -СПб.: БХВ-Петербург, 2012. - 432 с.

110. Поршнев, С.В. Численные методы на базе Mathcad / С.В. Поршнев, И.В. Беленкова. - СПб.: БХВ-Петербург, 2005. — 464 с.

111. Padamsee, H. RF Superconductivity: Science, Technology and Applications / H. Padamsee. - John Wiley & Sons, 2009. - 464 p.

112. Optimization of BCP processing of elliptical Nb SRF cavities / Cooper C. [et al] // Proceedings of SRF. - 2007. - P. 308-312.

113. Анализ неразрушающих методов измерения и контроля толщины тонких пленок / А. Е. Шупенев [и др.] // Известия высших учебных заведений. Машиностроение. - 2019. - № 4(709). - С. 18-27.

114. Electrical conduction through surface superstructures measured by microscopic four-point probes / H. Shuji [et al] // Surface Review and Letters. -2003. - V. 10, №6. - P. 963-980.

115. Li, J. C. Characterization of Semiconductor Surface Conductivity by Using Microscopic Four-Point Probe Technique / J. C. Li, Y. Wang, D.C. Ba // Physics Procedia. - 2012. - V. 32. - P. 347-355.

116. Бормонтов, Е.Н. Физика и метрология МДП-структур / Е.Н. Бормонтов. - Воронеж: Воронежский государственный университет, 1997. - 183 с.

117. Вольт-фарадный метод контроля зарядовых свойств ионно-легированных структур металл-окисел-полупроводник / E.H. Бормонтов [и др.] // Письма в Журнал технической физики. - 2000. - Т. 26, №21. -С. 76-81.