Электрические свойства матричных и смесевых нанокомпозитов с сегнетоэлектрическими включениями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Поправко, Надежда Геннадьевна

• Поправко, Надежда Геннадьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Поправко, Надежда Геннадьевна

Оглавление.

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Размерные эффекты в наночастицах.

1.2. Свойства сегнетоэлектрических наноматериалов и нанокомпозитов.

1.3. Теоретические подходы в описании свойств изолированных и взаимодействующих сегнетоэлектрических наночастиц.

Глава 2. Свойства нанокомпозитов на основе пористых матриц.

2.1. Получение сегнетоэлектрических нанокомпозитных структур на основе пористых матриц и методики их исследования.

2.2. Свойства сегнетоэлектрических нанокомпозитов на основе матриц с упорядоченной пористой структурой.

2.3. Свойства сегнетоэлектрических нанокомпозитов на основе пористых матриц с неупорядоченной геометрией сетки пор.

Глава 3. Сегнетоэлектрические свойства смесевых композитов на основе гидрозоля Si02.

Основные результаты работы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрические свойства матричных и смесевых нанокомпозитов с сегнетоэлектрическими включениями»

Актуальность темы. Одной из важнейших научных и технологических задач последних десятилетий является получение и исследование свойств неоднородных твердых тел, в которых химический состав, расположение атомов и структурных блоков (кристаллитов) изменяются на расстоянии в несколько нанометров. В связи с проявлением квантовых закономерностей, а также большой долей поверхности и приповерхностных областей свойства материалов с наномасштабным изменением состава и структуры существенно отличаются от свойств однородных объемных образцов. Поэтому синтез материалов с новыми свойствами, создаваемыми за счет регулируемого изменения их микроструктуры на атомном уровне, является важнейшей фундаментальной и прикладной задачей.

Одним из вариантов ее решения является создание новых композиционных материалов, в которых на изменение свойств материала влияют сразу два фактора: неоднородность структуры, т.е. расположения атомов, и неоднородность химического состава. Среди большого выбора наноструктуриро-ванных материалов важное практическое значение играют сегнетоэлектриче-ские составы, позволяющие получать материалы с улучшенными на порядки величин параметрами и создавать качественно новые функциональные устройства современной электроники. В сегнетоэлектриках с наномасштабным структурированием наблюдается заметное изменение многих функциональных параметров: диэлектрической проницаемости, пьезоэлектрических коэффициентов, коэффициентов электрострикции и др. Совершенствование технологий получения сегнетокомпозитов позволяет через изменение их состава и структуры целенаправленно управлять практически важными характеристиками данных объектов, что делает задачу исследования свойств сег-нетоэлектрических композиционных материалов актуальной и важной как в фундаментальном, так и в практическом плане.

Исследование поведения электрических характеристик наноразмерных композитных структур в сочетании с технологией получения, позволяющей регулировать размеры сегнетоэлектрических частиц в подобных структурах и их взаимное расположение; представляют большой интерес для1 решения-задачи получения?материалов с наперед заданными свойствами.

Тема диссертационной работы поддержана проектами 2.1.1.3701 и» 2.ГЛ/1381 ФЦП* «Развитие научного потенциала высшей < школы, (2008 -' 2010)» на тему «Нелинейные*явления в наноразмерных структурах вещества, при воздействии, внешних полей», грантом- Российского фонда фундаментальных исследований* № 10-02-00556-а (2010-2012 гг.).

Целью настоящей работы> является.' исследование электрических свойств нанокомпозитных структур с включениями сегнетоэлектрического триглицинсульфата, сегнетовой соли- и нитрита натрия, приготовленных на базе пористых матриц или на основе кремнезема по смесевой технологии.

В. соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи даннойработы:

- получение, структурные и фазовые исследования сегнетоэлектрических композитов с различными размерами и топологией пор по- матричной технологии;

- получение и характеризацияхмесевых композитов с различной степенью дисперсности связующего материала и наполнителя;

- исследование закономерностей протекания фазовых переходов в сегнетоэлектрических нанокомпозитах, их связи с размерами и топологией пор матрицы, с материалом и характером распределения, полярной и неполярной фаз для материалов, полученных по смесевой технологии;

- исследование природы аномально высокой диэлектрической восприимчивости сегнетоэлектрических композитов;

- экспериментальное и теоретическое исследование диэлектрической релаксации сегнетоэлектрических композитов различной связности и различной степени нанодисперсности.

Объект и методики исследования. В качестве объекта исследования в работе были выбраны композитные структуры в виде пористых матриц (оксида алюминия, пористого кремния и пористого стекла) с сегнетоэлектриче-скими включениями, а также сегнетоэлектрические нанокомпозитные материалы, приготовленные на основе кремнезема по смесевой технологии. В качестве сегнетоэлектрического наполнителя матричных структур использовались триглицинсульфат (Тс = 49 °С), сегнетова соль (Тс — 24 °С) и нитрит натрия (Тс =164 °С), а в случае смесевых композитов — триглицинсульфат.

Температурные зависимости емкости и тангенса угла диэлектрических потерь приготовленных образцов исследовались с помощью цифрового моста ЬСБ1-те1ег 41Я и измерителя иммитанса ЬСЯ-821. Исследования петель диэлектрического гистерезиса проводились с использованием стандартной схемы Сойера - Тауэра на частоте 50 Гц. Пироэлектрические исследования проводились в квазистатическом режиме стандартным компенсационным методом с помощью кулонометра ЦТ-6801А с чувствительностью по току Ю-17 А. Исследование поверхности образцов проводилось с помощью сканирующего зондового микроскопа «РешШЗсап 001» в атомно-силовом режиме (АРМ), сканирующего электронного микроскопа 18М-6380ЬУ и металлографического микроскопа «МЕТ-3». Измерения тока эмиссии проводились по стандартной методике в вакууме порядка

6,5*10 Ра в режимах линейного нагрева и стабилизации температуры.

Научная новизна работы. Все основные результаты данной работы являются новыми. В настоящей работе впервые

- отработаны технологии получения композитных структур с сегнетоэлектрическими включениями путем заполнения пористой диэлектрической матрицы из насыщенного водного раствора сегнетоэлектрической соли, а также по смесевой технологии;

- зафиксированы закономерности изменения температуры Кюри в сегнетоэлектрических частицах с размерами менее 100 нм по сравнению с данными для объемных монокристаллических сегнетоэлектриков; - получены новые закономерности диэлектрических, пироэлектрических, эмиссионных и переполяризационных свойств нанокомпозитных структур с сегнетоэлектрическими включениями.

Практическая ценность работы.

Полученные результаты работы дают информацию о способах расширения температурного интервала существования полярного состояния в сегнетокомпозитах по сравнению с однородными сегнетоэлектрическими -материалами, а также увеличения диэлектрической восприимчивости сегнетокомпозитов, позволяющих целенаправленно формировать материалы с заданными функциональными характеристиками.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Вариация размеров сегнетоэлектрических наночастиц, электрических и механических характеристик сегнетоэлектрического наполнителя и не-сегнетоэлектрического окружения позволяет существенно изменять температуру перехода в сегнетоэлектрическое состояние в композите.

2. Реальное изменение температуры фазового перехода в сегнетоэлектрическое состояние в сегнетокомпозитах определяется противоборством двух факторов - опрокидывающим действием деполяризующего поля связанных зарядов на границе между матрицей (несегнетоэлектрическим материалом) и сегнетоэлектрическим наполнителем, уменьшающим Тс, и фиксирующим действием окружения, затягивающего полярное состояние в сторону высоких температур по механизму внутреннего смещающего поля.

3. Увеличению значений диэлектрической проницаемости нанокомпозитов по сравнению с объемными материалами способствует уменьшение степени зажатости сегнетоэлектрического включения в случае его контакта с более податливым связующим материалом, а также наличие миграционной поляризации, обусловленной низкочастотной релаксацией подвижных зарядов по механизму Максвелла - Вагнера.

4. Высокие значения- коэрцитивного поля сегнетокомпозитов связаны с монодоменным состоянием, а также с фиксацией поляризации наноразмер-ных сегнетоэлектрических частиц на межфазных границах.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на XVIII-ой Всероссийской Конференции по физике сегнето-электриков, Санкт-Петербург, 2008; 9-ой Европейской конференции- по при-менению-полярных диэлектриков, Рим; Италия; 2008; 12-ой Международной конференции по сегнетоэлектричеству и 18-м Международном IEEE Симпозиуме по применению сегнетоэлектриков, (IMF-IS AF-2009), Китай, 2009; б-м Международном Семинаре по физике сегнетоэластиков (ISFP-6(11)), Воронеж, 2009;У1-ой и VIII-ой Международных научно-практических конференциях «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», Москва, 2008, 2010; V-ой Международной научно-технической школе-конференции «Молодые ученые науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике».

Публикации и вклад автора. Настоящая работа выполнена на кафедре экспериментальной физики Воронежского госуниверситета в соответствии с планом научно-исследовательских работ кафедры. Все включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором обоснован выбор методов и объекта исследования, получены все основные экспериментальные результаты, проведены анализ и интерпретация полученных данных. Обсуждение полученных результатов проводилось совместно с научным руководителем д.ф.-м.н., проф. Сидоркиным A.C.

По теме диссертации опубликовано 8 статей, в том числе 3 статьи в изданиях ВАК и 5 статей в прочих журналах и сборниках трудов конференций.

Объем и структура диссертации; Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 125 страницах машинописного текста, содержит 2 таблицы и 64 рисунка. Библиографический раздел включает 110 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Поправко, Надежда Геннадьевна

Основные результаты работы

Смещение температуры фазового перехода на 10 -ь 15 градусов выше Тс объемного материала в наночастицах ТГС, встроенных в пористую! матрицу AI2O3 с упорядоченной системой изолированных пор, связывается с фиксирующим действием окружения, затягивающим полярное состояние в сторону высоких температур по1 механизму внутреннего смещающего поля.

В нанокомпозитах с частицами ТГС на основе пористого стекла с неупорядоченной системой взаимосвязанных дендритных каналов, как и в смесевых композитах на основе гидрозоля Si02, затягивание Тс в область высоких температур усиливается за счет образования внутри композита кластерных структур ТГС со встроенными в них частицами Si02. Сегнетоэлектрическое состояние в нанокомпозите на основе пористого А120з с включениями, сегнетовой соли сохраняется вплоть до температуры разложения сегнетовой соли на смесь тартратов натрия и калия (56,5 °С).

В нанокомпозите на- основе пористого стекла с включениями сегнето-электрического нитрита натрия отмечено уменьшение температуры фазового перехода до 157 °С, которое объясняется опрокидывающим действием деполяризующего поля связанных зарядов на, границе между диэлектрической матрицей и сегнетоэлектрическим NaNCV Перераспределение со временем зарядов экранирования ведет к уменьшению величины деполяризующего поля и, следовательно, к росту Тс. Аномальный рост диэлектрической проницаемости в нанокомпозитах на основе пористого стекла с включениями сегнетоэлектрического NaN02 и диэлектрического NaN03 при температурах выше 230'°С на низких частотах объясняется уменьшением с температурой степени зажатости внедренного в матрицу сегнетоактивного материала, и, кроме того, ростом миграционной поляризации за счет увеличения электропроводности.

6. Для всех исследуемых композитов, как матричных, так и смесевых, отмечены необычайно высокие значения коэрцитивного поля 103 104 В/см), которые связаны с монодоменным состоянием отдельных сегнетоэлектрических частиц либо с фиксацией поляризации на межфазных границах.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Поправко, Надежда Геннадьевна, 2011 год

1. Gleiter H. Nanostructured materials: state of the art and perspectives / H. Gleiter // NanoStruct. Mater. - 1995. - V. 6. - No. 1-4. - P. 3-14.

2. Gleiter H. Materials with ultrafine microstructures: retrospectives and perspectives / H. Gleiter // NanoStruct. Mater. 1992. - V. 1. - No. 1. - P. 1-19.

3. Siegel R. W. Nanostructured materials -mind over matter- / R. W. Siegel // Nanostruct. Mater. 1993. -V. 3. - No. 1-6. - P. 1-18.

4. Siegel R. W. What do we really know about the atomic-scale structures of nanophase materials? / R. W. Siegel // J. Phys. and Chem. Solids. 1994. -Y. 55.-No. 10.-P. 1097-1106.

5. Петров Ю. И. Кластеры и малые частицы / Ю. И. Петров. — М.: Наука, 1986.-368 с.

6. Лариков Л. Н. Диффузионные процессы в нанокристаллических материалах / Л. Н. Лариков // Металлофизика и новейшие технологии. -1995.-Т. 17. № 1. - С. 3-29.

7. Лариков Л. Н. Нанокристаллические соединения материалов / Л. Н. Лариков // Металлофизика и новейшие технологии. 1995. — Т. 17 — № 9. — С. 56-68.

8. Гусев А. И. Эффекты нанокристаллического состояния в компактных металлах и соединениях / А. И. Гусев // УФН. 1998. - Т. 168. - № 1. -С.55-83.

9. Гусев А. И. Нанокристаллические материалы / А. И. Гусев, А. А. Ремпель. // М.: Физматлит, 2001. 224 с.

10. Наймарк О. Б. Нанокристаллическое состояние как топологический переход в ансамбле зернограничных дефектов / О. Б. Наймарк // ФММ. — 1997. Т. 84. - № 4. - С. 5-21.

11. Петров Ю. И. Кластеры и малые частицы / Ю. И. Петров. М.: Наука, 1986.-368 с.

12. Halperin W. Quantum size effects in metal particles / W. Halperin // Rev. Modern Phys. 1986. - V. 58t - No. 3. - P. 533-606.13: Нагаев Э. JI. Малые металлические частицы^/ Э. JI. Нагаев // УФНГ. — 1992. Т. 162. - № 9. - С. 49-54.

13. Морохов И. Д.' Структура и свойства малых металлических частиц / И4., Д: Морохов, В; И-. Петинов, JI. И. Трусов, В. Ф. Петрунин // УФН: -1981.-Т. 133.-№4.-С. 653-692.

14. Коверда В. П. Влияние флуктуаций и неравновесной1 огранки на плавление маленьких металлических кристаллов / В. П. Коверда, В. Н. Скоков, В. П1 Скрипов // Физика металлов и металловедение. — 1981. Т. 51. - № 6.-С. 1238-1244.

15. Коверда В. П. Кристаллизация малых частиц в островковых пленках олова, свинца и висмута / В: П. Коверда, В. Н. Скоков, В. П. Скрипов // Кристаллография. 1982. - Т. 27. -№ 2. - С. 358-362.

16. Castro Т. Size dependent melting temperature of individual nanometerßsized metallic clusters / T. Castro, R. Reifenberger, E. Choi, R. P. Andres // Phys. Rev. В.-1990.-V. 42.-No. 13.-P. 8548-8557.

17. Montano P. A. EXAFS study of iron monomers and dimers isolated-in solid argon-/ P. A. Montano, О. К. Shenoy // Solid State Commun. 1980. - V.35. -No. l.-P. 53-56.

18. Гусев А. И. Нанокристаллические материалы: методы получения и свойства/ А. И. Гусев. Екатеринбург: УрО РАН, 1998. - 201 с.

19. Юрков Г. Ю. Спектры электронного магнитного резонанса в аморфных наночастицах FeixMnx / Г. Ю. Юрков, Ю. А. Кокшаров, Д. А. Баранов, А. П. Малахо, С. Н. Поляков, С. П. Губин // ФТТ. 2006. - Т. 48. - № 5. -С. 885-892.

20. Вонсовский С. В. Магнетизм / С. В. Вонсовский. М.: Наука, 1971. — 1032 с.

21. Rempel A. A. Iron Nanoparticles in Severe-plastic-deformed Copper / A. A. Rempel; S. Z. Nazarova, A. L Gusev // J. Nanoparticle Research. -1999. -V. Г. -No. 4. -P. 485-490.

22. Ремпель А. А. Примесный» суперпарамагнетизм в пластически деформированной меди / А. А. Ремпель, А. И! Гусев, С. 3. Назарова, Р. Р. Мулю-ков // Докл. РАН. 1996. - Т. 347. - № 6. - С. 750-754'.

23. Abe Н. Surface plasmon absorption of various colloidal metal particles / H. Abe, K.-P. Charle, B. Tesche, W. Schuize // Chem. Phys. 1982. - V. 68. -No. 1-2.-P. 137-141.

24. Cini M: Classical and quantum aspects of size effects / M. Cini // J. Opt. Soc. Amer. 1981. - V. 71. -No. 4. - P. 386-392.

25. Dawber M. Physics of thin-film ferroelectric oxides / M. Dawber, K.M. Rabe, J.F. Scott. // Rev. Mod. Phys. 2005. - V. 77. - No. 4. - P. 1083-1130.

26. Сидоркин А. С. Диэлектрические свойства тонких пленок РЬТЮз / А. С. Сидоркин, А. М. Солодуха, JT. П. Нестеренко, С. В. Рябцев, И. А. Бочарова, Г. Л. Смирнов // ФТТ. 2004. - Т. 46. - № 10. - С. 1841-1844.

27. Балашова Е. В. Диэлектрическая проницаемость и проводимость пленок триглицинсульфата на подложках Al/Si02 и а-АЬОз / Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, В. В. Леманов // ФТТ. 2010. — Т. 52.-№ 1.-С. 119-123.

28. Granzon Т. Evidence of random electric fields in the relaxor-ferroelectric Sr0.6iBa0.39Nb2O6 / T. Granzon, V. Dorfler, Th. Woike, M. Wohleke, R. Pankrath, M. Imlau, W. Kleeman // Europhys. Lett. 2002. - V. 57. - No. 4. -P. 597-603.

29. Гладкий В. В. Реверсивная диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика / В. В. Гладкий, В. А. Кири-ков, Е. С. Иванова, Т. Р. Волк // ФТТ. 2006. - Т. 48. - № 11. - С. 20262029.

30. Berkovitz A. E. Giant magnetoresistance in heterogeneous Cu-Co alloys / A.

31. E. Berkovitz, J. R. Mitchell, M: J. Garey, A. P. Young, S. Zhang, F. E. Spada,

32. F. T. Parket, A. Hutten, G. Thomas // Phys. Rev. Lett. 1992. - V. 68. - No. 25.-P. 3745-3748.

33. Вызулин-G. А. Ферромагнитный резонанс в, многослойных и-композитных, наноструктурах / С. А. Вызулин, А. В. Горобинский, Е. В. Лебедева, Н. Е. Сырьев // III Всероссийская конференция «Радиолокация и радиосвязь» ИРЭ РАН, 26-30 октября 2009. - С. 725-729.

34. Zhong W. L. Phenomenological study of the size effect on phase transitions in ferroelectric particles / W. L. Zhong, Y. G. Wang, P. L. Zhang, B. D. Qu // Phys. Rev. B. 1994. - V. 50. - No. 2. - P. 698-703.

35. Wang Y. G. Surface effects and size effects on ferroelectrics with a first-order phase transition / Y. G. Wang, W. L. Zhong, P. L. Zhang // Phys. Rev. B: -1996.-V. 53.-No. 17.-P. 11439-11443.

36. Jiang B. Phenomenological theory of size effects in ultrafine ferroelectric particles of lead titanate / B. Jiang, L. A. Bursill // Phys. Rev. B. 1999. - V. 60. -No. 14.-P. 9978-9982.

37. Hadi A. High electric fields and surface layers in very thin single crystal plates of triglycine sulfate I A. Hadi, К Thomas // Ferroelectrics. 1984. V. 59.-No. l.-P: 221-232.

38. Zhong W. Size effect on the dielectric properties of ВаТЮ3 / W. Zhong, P. Zhang, Yu. Wang, T. Ren // Ferroelectrics. 1994. - V. 160. - No. l.-P. 55-59.

39. Chattopadhyay S. Finite-size effects in antiferroelectric PbZr03 nanoparticles / S. Chattopadhyay, P. Ayyub, V. R. Palkar, A. V. Gurjar, R. M. Wankar, M. Multani // J. Phys.: Condens. Matter. 1997. - V. 9. - No. 38. - P. 81358146.

40. Bai F. Destruction of spin cycloid in (11 l)c-oriented BiFe03 thin films by epi-tiaxial constraint: Enhanced polarization and release of latent magnetization / F. Bai, J. Wang, M. Wutting, J. F. Li, N. Wang, A. Pyatakov, A. K. Zvezdin,

41. E. Cross, D. Viehland // Appl. Phys. Lett. 2005. - V. 86. - No. 3. - P. 032511(1-3).

42. Yadlovker D. Uniform orientation and size of ferroelectric domains / D. Yad-lovker, S. Berger // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 71. No. 18. - P. 184112(1-6).

43. Morozovska A. N. Ferroelectricity enhancement in ferroelectric nanotubes / A. N. Morozovska, M. D. Glinchuk, E. A. Eliseev // Phase Transitions. — 2007. V.80. — No. 1-2. - P. 71-77.

44. Морозовская A. H. Наноразмерность материалов в современных микросистемных технологиях / А. Н. Морозовская, Г. С. Свечников. // SensorE-lectronicsandMicrosystemTechnologies. 2010. - Т. 1. - № 7. - С. 14-26.

45. Pan'kova S. V. The giant dielectric constant of opal containing sodium nitrate nanoparticles / S. V. Pan'kova, V. V. Poborchii, V. G. Solov'ev // J; Phys.: Condens. Matter. 1996. -V. 8. - No. 12. - P. L203-L206.

46. TienCh. Эволюция NaN02 в пористых матрицах / Ch. Tien, E. В. Чарная, С. В. Барышников, М. К. Lee, S. Y. Sun, D. Michel, W. Bohlmann // ФТТ.- 2004. T. 46. - № 12. - C. 2224-2228.

47. Tien Ch. Coexistence of melted and ferroelectric.states in sodium- nitrite within mesoporous sieves / Ch. Tien, E. V. Charnaya, M. K. Lee, S. V. Bary shni-kov, S. Y. Sun, D. Michel, W. Bohlmann // Phys. Rev. B. 2005; - V. 72.1. No. 10.-P: 104105(1-6).

48. Горчаков A-. Г. ЯМР-исследованиЯ' нанопористых матриц, заполненных нитритом натрия, при вращении под магическим углом / А; Г. Горчаков, П:.С.„Седых, Е. В; Чарная- С. В: Барышников, Ch; Tien, D: MicheM ФТТ. 2009. - Т. 51.- № 10. - С. 2028 -2032.

49. Borisov S. Neutron diffractiom study of NaN02 ferroelectric nanowires / S; Borisov, T. Hansen, Yu. Kumzerov, A. Naberezhnov, Y. Simkin, O. Smirnov,

50. A. Sotnikov,.Mi Tovar, S. Vakhrushev // Physica B: 2004. - V. 350.- No. 1-3. -P. Ell 19-H1121.

51. Costa? Lamus A. On the use of powder diffiactometry in the study, of phase transitions case of NaN02 / A. da Costa Lamus, S.-L. Chang, S; Caticha-Ellis // Phys. Status Solidi A. 1981. - V. 68. - No. 1. - P. 173-178.

52. Mayoral R. 3D Long-range ordering in ein Si02 submicrometer-sphere sintered superstructure / R. Mayoral, J. Requena, J. S; Moya, C. I-opez, A. Cintas, H: Migues // Adv. Mater. 1997. - V. 9.-No. 3. - P. 257-260.

53. Богомолов В. H. Особенности теплопроводности синтетических опалов /

54. B. Н. Богомолов, Д. А. Курдюков, JI. С. Парфеньева, А. В. Прокофьев, С. М. Самойлович, Ш А. Смирнов, А. Ежовский, Я. Муха, X. Мисерек. ФТТ 1997. - Т. 39. - № 2. - С. 392-398.

55. Rysiakiewicz-Pasek Е. Properties of porous glasses with embedded ferroelectric materials / E. Rysiakiewicz-Pasek, R. Poprawski, J. Polanska, A. Urba-nowicz, A. Sieradzki // J. Non-Cryst. Solids. 2006. - V. 352. - No, 40-41. -P. 4309-4314.

56. Барышников С. В. Диэлектрические и ЯМР-исследования нанопористых матриц; заполненных нитритом натрия / С. В. Барышников; Е. В. Отуко-ва, Е. Вi Чарная, Ch. Tien; Mi, К. Lee, W. Bohlmann, D. Michel // ФТТ. -2006. T. 48. - № 3'. - C. 551-557.

57. Коротков JI. H. Диэлектрический и упругий отклик в наноструктуриро-ванном нитрите натрия в пористом стекле / JI. Н. Коротков, В. С. Дворников, В. А. Дядькин, А. А. Набережнов, А. А. Сысоева // Изв. РАН Сер. Физ. 2007. - Т. 71 - № 10. - С. 1440-1444.

58. Asao Ya. The Effect of Gamma-Ray Irradiation on the Dielectric Properties of Single Crystals of Sodium Nitrite / Ya. Asao, T. Yoshida, R. Ando, S. Sa-wada // J. Phys. Soc. Jap. 1964. - V. 19. - No. 5. - P. 632-639.

59. Yoon S. DC Conductivity of Gamma-ray Irradiated NaN02 / S. Yoon, J.-G. Yoon, S.-I. Kwun // J. Korean Phys. Soc. 1986. - V. 19. - No. 3. - P. 244248.

60. Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П. Орешкин. -М.: Высш. Шк., 1977. 448 с.

61. Naberezhnov A. Structure and properties of confined sodium nitrite / A. Na-berezhnov, B. Dorner, A. Fokin, Yu. Kumzerov, A. Sotnikov, S. Vakhrushev //Eur. Phys. J. E. — 2003. —V. 12.-No. 1.-P. 21-24.

62. Kinka M. Dielectric Properties of Sodium Nitrite Confined in Porous.Glass / M. Kinka , J. Banys, A. Naberezhnov // Ferroelectrics. 2007. - V. 348. -No. 1. - P. 67-74.

63. Fokin A. Ferroelectric phase transitions in sodium nitrite nanocomposites / A. Fokin, Yu. Kumzerov, E. Koroleva, A. Naberezhnov, O. Smirnov, M. Tovar, S. Vakhrushev, M. Glazman // J. Electriceram. 2009. - V. 22. - P.270-275.

64. Baryshnikov S. V. Phase transitions in KixNaxN03 embedded into molecular sieves / S. V. Baiyshnikov, E. V. Charnaya, A. Yu. Milinskiy, E. V. Stukova, Cheng C. Tien, D. Michel // J; Phys.: Cond. Matter. 2009. - V. 21. - No. 12. -P. 325902(1-4).

65. Вахрушев С. Б. Структура и свойства нитрита натрия в условиях искусственно ограниченной геометрии / С. Б. Вахрушев, Е. Ю. Королева, Ю.

66. A. Кумзеров, А. А. Набережнов, А. В. Фокин, JI. Н. Короткое, М. Tovar, E.V. Colla // Нанотехника. 2006. - № 5. - С. 17-24.

67. Барышников С. В'. Диэлектрические свойства смешанных сегнетоэлек-триков NaN02—KNO3 в нанопористых силикатных матрицах / С.

68. B.Барышников, Е. В. Чарная, А. Ю. Милинский, Е. В. Стукова, Cheng

69. Tien, .W. Bohlmann; D: Michel:.// ФТТ\ 2009: - Т. 5 V - № 6. - С. W1&-1176. • Г. ■''■•:-.

70. Sekhara K. C. Study of feiToelectric properties in sodium nitrite:poly(vinyl alcohol) nanocomposite films / К. C. Sekhara, R. Nath // J. Appl. Phys;- 2007. -\002:-No:4i-P:0^^ '.': \ л

71. Navheet DiFerroelectric phase. stability studies in sprays deposited!

72. KNO^PVAcompositefilms/ DlNavneet, S. H: JasbirjC. Kopple,\N. Arr vind, N. Rabinder I I J: Amer. Ccram. Soc. 2009. - V. 92: -No. 4: - P. 834838.

73. Golla E. V. The lead magnoniobate behavior in applied electric field / E: V. Colla, A. V. Fokin, E. Y. Koroleva, Y. A. Kumzerov, S. B. Vakhrushev, B. N. Savenko //Nanostruct. Mater. 1999:-V. 12. -No. 5-8. -P. 963-966.

74. Барышников С. В. Диэлектрические исследования нанопористых пленок оксида алюминия, заполненных сегнетовой солью / С. В; Барышников; Е. В. Чарная, E.Bt Стукова, А. Ю. Милинский, Gh. Tiem // ФТТ. 2010:- Т. 52. № 7. - С. 1347-1350.

75. Yadlovker D. Uniform orientation and size of ferroelectric domains / D. Yad-lovker, S. Berger. II Phys. Rev. B. 2005. - V. 71. - No. 18. - P. 184112(1-6).

76. Tien Ch. Ferroelectricity and gradual melting in NaN02 particles confined within porous alumina / Ch; Tien, E. V. Charnaya, Mi K. Lee, S; V. Barysh-nikov. //Phys. Stat. Solidi B. 2009. - V.246. - No. 10. - P. 2346-2351.

77. Wang C. L. Size effects of ferroelectric particles described by the transverse Ising model / C:L. Wang, Y. Xin, X. S. Wang, W. L. Zhong // Phys. Rev. B:- 2000. V. 62. - No. 17. - P. 11423-11427.

78. Morozovska A. N.Ferroeiectricity. enhancement in confined-nanorods: Direct variational method / A. N. Morozovska,.E. A. Eliseev, M. D. Glinchuk // Phys. Rev. B. -2006. V. 73. -No. 21. -P. 214106(1-13).

79. Dorner B. Structure of KD2PO4 embedded in a porous glass / B. Dorner, I. Golosovsky, Yu. Kumzerov, D. Kurdyukov, A. Naberezhnov, A. Sotnikov, S. Vakhrushev // Ferroelectrics. 2003. - V. 286. - No. 1. - P. 213-219.

80. Colla E. V. Ferroelectrics properties of nanosize KDP particles / E. V. Colla, A. V. Fokin, Yu. A. Kumzerov // Solid State Communications. 1997. - V. 103.-No. 2.-P. 127-130.

81. Belotitskii V. I. Anisotropic properties of materials synthesized in porous matrices / V. I. Belotitskii, Yu. A. Kumzerov // Technical Physics Letters. -2010. -V. 36. No; 10. - P. 957-959.

82. Tarnavich V. Effect of restricted-geometry on structural phase transitions in KH2PO4 and NH4H2P04 crystals / V. Tarnavich, L. Korotkov, O.1 Karaeva, A. Naberezhnov, E. Rysiakiewicz-Pasek // Optica Applicata. 2010. - V. 40: -No. 2.-P. 305-309.

83. Marciniszyna T. Phase transition in NH4H2PO4: porous glass composites / T. Marciniszyna, R. Poprawskia, J. Komara, A. Sieradzkia // Phase Transitions: A Multinational J. 2010. - V. 83. - No. 10-11. - P. 909-916.

84. Ponomareva I. Atomistic treatment of depolarizing energy and field in ferroelectric nanostructures /1. Ponomareva, 1.1. Naumov, I. Kornev, Huaxiang Fu, and L. Bellaiche. // Phys. Rev. B. 2005. - V. 72. - No. 14. - P. 140102(1-4).

85. Aguilera-Granja F. Ising model of phase transitions in ultrathin films / F. Aguilera-Granja, J: L. Moran-Lopez // Solid State Commun. — 1990. V. 74. -N0.3.-P. 155-158.

86. Wang C. L. The Curie temperature of ultra-thin ferroelectric films / C. L. Wang, W. L. Zhong, P. L. Zhang // J. Phys. Condens. Matter. 1992. - V. 4. -No. 19.-P. 4743-4750.

87. Sy H. K. Surface modification in ferroelectric transitions / H. K. Sy. // J. Phys. Condens. Matter. 1993. - V. 5. - No. 9. - P. 1213-1220.

88. Scott J. F. Properties of ceramic KN03 thin-film memories / J. F. Scott, H. M. Duiker, P. D. Beale, B. Pouligny, K. Dimmler, M. Parris, D. Butler, S. Eaton. //PhysicaB+C.- 1988.-V. 150.-P. 160-167.

89. Tilley D. R. Phase transitions in ferroelectric films / D. R. Tilley, B. Zeks // Ferroelectrics. 1992. -V. 134. -No. 1. -P. 313-318.

90. Wang Y. G. Surface and size effects on ferroelectric films with domain structures / Y. G. Wang, W. L. Zhong, P. L. Zhang // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. -No. 8.-P. 5311-5314.

91. Junquera J. Critical thickness for ferroelectricity in perovskite ultrathin films / J. Junquera, P. Ghosez // Nature (London). 2003. - V. 422. - No. 6931. - P. 506-509.

92. Fong D. D. Ferroelectricity in Ultrathin Perovskite Films / D. D. Fong, G. B. Stephenson, S. K. Streiffer, J. A. Eastman, O. Auciello, P. H. Fuoss, and C. Thompson. // Science. -2004. -V. 304. No. 5677. - P. 1650-1653.

93. Kornev I. Ultrathin Films of Ferroelectric Solid Solutions under a Residual Depolarizing Field /1. Komev, H. Fu, L. Bellaiche. // Phys. Rev. Lett. 2004. -V. 93.-No. 19.-P. 196104(1-4).

94. Naumov I. I.Unusual phase transitions in ferroelectric nanodisks and nano-rods /1.1. Naumov, L. Bellaiche and H. Fu. // Nature (London) 2004. - V. 432. -No. 7018. -P. 737-740.

95. Hudâk O. Dielectric response of microcomposite ferroelectrics / O. Hudak, I. Rychetsk, J. Petzelt. // Ferroelectrics. 1998. - V. 208. - No. 1. - P. 429447.

96. Theiss W. The use of effective medium theories in optical speatroscopy / W. Theiss // Adv. Sol. St. Phys. 1994. - V. 33 - P. 149-175.

97. Dang Z.-M. Significantly enhanced low-frequency dielectric permittivity in the BaTi03/poly(vinylidene fluoride) nanocomposite / Z. M. Dang, H. P. Xu, H. Y. Wang // Appl. Phys. Lett. 2007. - V. 90. - No. 1. - P. 012901(1-3).

98. Чернышев В. В. Автоволновые процессы при анодном оксидном окисления / В. В. Чернышев // Электрохимия. 1990. - Т. 26. - № 7. - С. 847850.

99. Topolov V. Yu. A comparative analysis of electromechanical properties and their anisotropy in two-component composites with different connectivity / V. Yu. Topolov, A. V. Turik // Ferroelectrics. 1999. - V. 222. - No. 1-4. - P. 131-136.

100. Миловидова С.Д. Диэлектрическая нелинейность кристаллов TGS с малой концентрацией дефектов / С.Д. Миловидова, И.И Евсеев, И. В. Ваврисюк, З.А. Либерман // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Сб. науч.тр. Тверь, 1991. - С. 108-114.

101. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Глас. М.: Мир, 1982. - 236с.

102. Леванюк А.П., Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек переходов / А. П. Леванюк,В. В. Осипов, А. С. Сигов, А. А. Собянин // ЖЭТФ. 1979. - Т.76. -№1. — С.345-361.

103. Камышева Л.Н'. Исследование свойств триглицинсульфата, легированного хромом и а- аланином / Л.Н. Камышева, О.А. Годованная,

104. С. Д. Миловидова, В.П. Константинова // Изв. АН СССР, сер.физ. -1975. Т. 39. - № 4. - С. 857-860.

105. Сидоркин А. А. Термостимулированная эмиссия электронов в пара-электрической фазе кристалла ТОЗ с примесью хрома / А. А. Сидоркин, А. С. Сидоркин, О. В. Рогазинская, С. Д. Миловидова // ФТТ. 2003. -Т. 48.-№5.-С. 892-895.

106. Шабанова Н. А. Химия и технология нанодисперсных оксидов / Н. А. Шабанова, В. В. Попов, П. Д. Саркисов. М.: ИКЦ «Академкнига», 2006. - 309 с.

107. Маслов В. В. Уширение фазового перехода для триглицинсульфата в пористых матрицах / В. В. Маслов, Т. А. Трюхан, С. В. Барышников // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2010. - № 122 - С. 84-90.