Экспериментальное исследование физических свойств регулярных матричных композитов и слоистых систем с наноструктурированными неорганическими и органическими веществами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Соловьёв, Владимир Гаевич

• Соловьёв, Владимир Гаевич
• доктор физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Соловьёв, Владимир Гаевич

Введение.

Глава 1. Экспериментальные методы получения и исследования свойств наноструктур на основе регулярных пористых матриц и слоистых систем.

1.1. Методы получения и исследования электрофизических и оптических свойств микрообразцов цеолитов и нанокомпозитов на их основе.

1.2. Методы получения наноструктур на основе опалов и измерения их электрофизических свойств.

1.3. Методы получения фотонных кристаллов на основе опалов и изучения их оптических свойств.

1.4. Получение слоистых систем с наноструктурированными органическими полупроводниками методом нанолитографии.

Выводы из главы 1.

Глава 2. Структурная неоднородность и физические явления в микрокристаллах цеолитов и матричных системах на их основе.

2.1. Структурные особенности цеолитов как регулярных пористых матриц нанокомпозиционных материалов.

2.2. Явления переноса заряда в микрокристаллах цеолитов.

2.3. Электрические и оптические явления в регулярных матричных композитах на основе цеолитов с наночастицами неорганических веществ.

Выводы из главы 2.

Глава 3. Строение опалов и электрические явления в регулярных матричных системах на их основе.

3.1. Строение и электрические свойства опалов.

3.2. Электропроводность матричных композитов на основе опалов с наночастицами неорганических веществ.

3.3. Пороговые электрические явления в нанокомпозиционных материалах на основе опалов.

Выводы из главы 3.

Глава 4. Оптические свойства опалов и нанокомпозитов на их основе.

Опалы как фотонные кристаллы.

4.1. Основные законы распространения электромагнитных волн в фотонных кристаллах.

4.2. Структурные особенности опалов и конструирование фотонных кристаллов на их основе.

4.3. Оптические свойства однослойных фотонных кристаллов на основе плёнок опалов.

4.4. Рассеяние света опалами.

4.5. Оптические свойства многослойных фотонно-кристаллических гетероструктур на основе плёнок опалов.

Выводы из главы 4.

Глава 5. Размерные эффекты в наноструктурах, полученных на основе регулярных пористых матриц.

5.1. Оптические и фотоэлектрические свойства композитов с наноструктурированными полупроводниками и диэлектриками.

5.2. Термоэлектрические свойства композитов с наноструктурированными полупроводниками, металлами и полуметаллами.

5.3. Фазовые превращения в наночастицах диэлектриков, диспергированных в регулярных пористых матрицах.

Выводы из главы 5.

Глава 6. Электронные свойства наноструктурированных органических полупроводников и их применение.

6.1. Физические свойства блок-сополимера PF/PANI и фотоэлектрические преобразователи на его основе.

6.2. Электрические свойства олигомера DH4T и его применение в тонкоплёночных полевых транзисторах.

Выводы из главы 6.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Экспериментальное исследование физических свойств регулярных матричных композитов и слоистых систем с наноструктурированными неорганическими и органическими веществами»

Актуальность проблемы. Изучение электрических и оптических явлений и фазовых переходов в наноструктурах находится в центре внимания многих исследователей. Это обусловлено фундаментальным характером проблемы формирования объемных свойств конденсированных систем с увеличением количества структурных элементов и интересом к физике низкоразмерных систем [1-9]. Наноструктуры представляют и значительный практический интерес, особенно в связи с возможностями использования их оптических свойств в фотонике. Периодические ансамбли наноструктур могут выступать в роли фотонных кристаллов (ФК), способных управлять потоками электромагнитного излучения с длинами волн, соизмеримыми с периодом структуры. В последние годы объектами изучения стали многослойные ФК с различными периодами решетки, так называемые фотонно-кристаллические гетероструктуры, позволяющие усилить анизотропию оптических свойств системы, что открывает новые возможности управления потоками электромагнитного излучения.

Наряду с неорганическими веществами, в настоящее время внимание привлекают наноструктурированные органические полупроводники. Это обусловлено возможностью их использования в электронике в качестве основы для создания фотоэлектрических преобразователей энергии и полевых транзисторов.

Среди разнообразных способов получения наноструктур большими возможностями обладает предложенный В. Н. Богомоловым метод диспергирования неорганических веществ в системе полостей и каналов регулярных пористых диэлектрических матриц: цеолитов и опалов [10,11]. Этот метод даёт возможность изучать ансамбли идентичных, упорядоченно расположенных наночастиц с высокой концентрацией (до 5 х Ю20 см"3) и ультрамалыми размерами (до 1 нм).

Нанокомпозиты на основе цеолитов и опалов могут рассматриваться как модельные системы для широкого класса материалов с порами нанометровых размеров различной морфологии, в том числе пористых кремния, оксида алюминия, полупроводников AinBv. Упорядоченное расположение каналов и полостей в регулярных пористых матрицах цеолитов и опалов придает полученным ансамблям в физике наноструктур роль, подобную идеальным кристаллам в физике твердого тела.

Вместе с тем необходимо отметить отрывочность имеющихся данных о наноструктурах как в отношении электрофизических и оптических свойств изученных веществ, так и в отношении выбираемых в качестве объектов исследования веществ. Это обусловлено, в частности, ограниченными возможностями технологии получения и экспериментальных методов исследования матричных нанокомпозитов, необходимых для установления физических свойств матрицы-«хозяина» и наночастиц вещества-«гостя».

Так, несмотря на большое количество работ, посвященных исследованию структуры и свойств цеолитов, эти алюмосиликаты крайне мало исследованы как объекты физики конденсированного состояния, а физические свойства монокристаллов цеолитов (например, даже само существование сквозной проводимости на постоянном токе) продолжают оставаться не установленными. Малые размеры используемых в качестве матриц нанокомпозитов монокристаллов цеолитов, обычно не превышающие нескольких десятков микрон, создают большие экспериментальные трудности при исследовании их свойств, которые обычно изучались либо на природных минералах, либо на поликристаллических образцах. Существующие при этом структурные неоднородности образцов, границы раздела между зёрнами поликристалла сильно осложняют интерпретацию имеющихся экспериментальных результатов. Это не позволяет с определенностью судить и о свойствах диспергированных в цеолитах веществ. Кроме того, круг исследованных в каждой из предшествующих работ наноструктурированных веществ был узким. Аналогичные проблемы имеют место и для опалов. Практически не изученными остаются оптические свойства фотонно-кристаллических гетероструктур на их основе.

Недостаточность экспериментального материала затрудняет развитие модельных представлений физики композитов с наноструктурированными неорганическими веществами.

Далеки от завершения также и теоретические представления о механизмах физических процессов в наноструктурированных органических полупроводниках и слоистых системах на их основе [12]. Применение этих материалов в электронике сдерживается существующими проблемами воспроизводимости характеристик приборных структур и их стабильности в атмосферных условиях. Это предопределяет необходимость разработки технологии получения и изучения физических свойств наноструктурированных органических полупроводников приборного качества.

Целью данной работы являлось систематическое экспериментальное исследование электрических и оптических явлений в регулярных матричных и слоистых композитах с разнообразными, представительными для различных по электрофизическим свойствам классов материалов наноструктурированными веществами. В задачи работы входило:

1. Разработка и реализация экспериментальных методик изучения физических свойств микрообразцов пористых матриц цеолитов и опалов с размерами, не превосходящими десятков микрон, и нанокомпозитов на их основе.

2. Экспериментальное установление закономерностей электрических и оптических явлений в матричных композитах на основе монокристаллов цеолитов и микрообразцов опалов с наночастицами а различных веществ, в том числе при фазовых переходах.

3. Конструирование фотонно-кристаллических гетероструктур на основе пленок опалов и экспериментальное исследование их оптических свойств.

4. Разработка технологии получения и изучение физических свойств наноструктурированных органических полупроводников, перспективных в плане использования в приборных системах.

5. Развитие модельных представлений о физических процессах, определяющих свойства регулярных матричных и слоистых композитов с наночастицами неорганических и органических веществ.

6. Определение возможностей практического использования разработанных экспериментальных методик и результатов исследования.

Научная новизна результатов исследования заключается в следующем.

В отличие от большинства предшествующих исследований цеолитов и опалов, проводимых на природных минералах или поликристаллических образцах, в настоящей работе посредством специально разработанных экспериментальных методик охарактеризованы непосредственно используемые в качестве матриц композитов микроскопические монокристаллы цеолитов и микрообразцы опалов; получены новые данные об их электропроводности, диэлектрических и оптических свойствах. Это, в свою очередь, позволило на основе результатов экспериментального исследования электрических и оптических явлений в матричных композитах надежно установить физические свойства наночастиц диспергированных в них веществ.

Впервые в рамках единого по методическому обеспечению экспериментального исследования охвачены целый ряд качественно различных по природе и электронным свойствам наноструктурированных веществ и широкий круг разнообразных явлений в них. Это позволило составить целостное представление о физических свойствах основных классов конденсированных веществ в наноструктурированном состоянии.

В результате проведенных в работе экспериментальных исследований физических явлений в регулярных матричных композитах, полученных диспергированием полупроводников, металлов и диэлектриков в полостях цеолитов и опалов, установлен ряд новых закономерностей:

- гигантский рост действительной части диэлектрической проницаемости нанокомпозиционных материалов на основе опалов в области температур плавления наночастиц ионных соединений;

- «синий» сдвиг не только спектров оптического поглощения регулярных матричных нанокомпозитов в сравнении со спектрами вещества -«гостя» в массивном состоянии, но и спектров фотопроводимости и фото-э.д.с., обусловленный размерным квантованием электронных состояний наночастиц;

- размерные зависимости удельной термо- э.д.с. и температур фазовых переходов «плавление - отвердевание» и «сегнетоэлектрик -параэлектрик» в нанокомпозиционных материалах на основе опалов;

- нелинейная зависимость интенсивности фотолюминесценции наночастиц полупроводника от мощности возбуждающего лазерного излучения в фотонных кристаллах на основе инвертированных опалов;

- совпадение максимумов брэгговского отражения не только с экстремумами в спектрах пропускания и фотолюминесценции, но и с минимумами в спектрах рассеяния света фотонными кристаллами на основе опалов;

- возникновение особенностей в оптических спектрах многослойных фотонно-кристаллических гетероструктур на основе пленок опалов, обусловленных влиянием границ раздела между слоями.

В работе развиты модельные представления о механизмах обнаруженных физических явлений, в том числе переноса заряда и пороговых эффектов в регулярных матричных и слоистых композитах. На защиту выносятся следующие положения:

1. Разработанные в диссертационном исследовании экспериментальные методики позволяют установить электрофизические свойства микроскопических монокристаллов цеолитов и микрообразцов опалов, используемых в качестве матриц нанокомпозитов, и наночастиц диспергированных в них разнообразных по своей природе и электронным свойствам веществ.

2. Наноструктурированные неорганические вещества в регулярных матричных композитах на основе цеолитов и опалов проявляют ряд классических и квантовых размерных эффектов: «синий» сдвиг спектров фотопроводимости и фото-э.д.с., размерные зависимости удельной термо-э.д.с. и температур фазовых переходов «плавление— отвердевание» и «сегнетоэлектрик - параэлектрик».

3. Композиты на основе опалов с наночастицами ионных соединений обладают гигантской диэлектрической проницаемостью выше температуры плавления малых частиц в результате образования перколяционного кластера в композиционном материале и двойного электрического слоя на границе раздела фаз.

4. Фотонно-кристаллические гетероструктуры на основе плёнок опалов обладают анизотропией оптических характеристик отражения, пропускания, рассеяния и излучения света, определяемой влиянием двух основных факторов: структуры фотонных зон и состояния границ раздела между слоями.

5. Эффективность преобразования энергии возбуждения в энергию излучения в фотонных кристаллах, активированных наночастицами полупроводника, может быть определена на основе спектральной характеристики показателя степенной зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждающего лазерного излучения.

6. Установленные корреляции электрических и фотоэлектрических свойств наноструктурированных органических полупроводников с условиями их формирования открывают возможности создания на их основе полевых транзисторов и фотоэлектрических преобразователей приборного качества.

Из совокупности сформулированных положений следует, что в диссертации решена научная проблема анализа физических свойств упорядоченных наноструктур на основе регулярных пористых матриц и слоистых систем, что вносит вклад в физику наноструктурированных конденсированных веществ и способствует дальнейшему развитию научных основ фотоники и микроэлектроники.

Достоверность и обоснованность полученных результатов и выводов обеспечивались комплексным характером исследования, корректностью использованных экспериментальных методик и воспроизводимостью результатов измерений, применением современных методов математической обработки экспериментальных данных на ЭВМ, сопоставлением с литературными данными по проблеме исследования, опорой на современные физические представления, соответствием экспериментальных результатов модельным представлениям.

Теоретическая значимость. Полученные результаты предоставляют экспериментальный материал для теоретического обобщения физических свойств наноструктурированных веществ, представляющих целый ряд классов материалов: металлов и полуметаллов, полупроводников и диэлектриков, сегнетоэлектриков и ионных суперпроводников, включая фазовые переходы.

Установленные в диссертации оптические свойства слоистых структур на основе пленок опалов расширяют представления о физике периодических ансамблей наноструктур, являющейся теоретической основой фотоники.

Результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств наноструктурированных органических веществ вносят вклад в теоретические основы микроэлектроники.

Развитые в работе модельные представления о свойствах (эффективной проводимости, термо-э.д.с. и др.) регулярных матричных композитов с наноструктурированными веществами способствуют дальнейшему развитию физики нанокристаллических материалов.

Практическая значимость. Разработаны экспериментальные методики, применимые к исследованию как микрокристаллов цеолитов и опалов с изученными в работе веществами - наполнителями, так и микрообразцов нанокомпозиционных материалов других типов.

Предложен метод определения эффективности преобразования энергии возбуждения в энергию электромагнитного излучения наночастиц полупроводника в фотонном кристалле, основанный на установленной нелинейной зависимости интенсивности фотолюминесценции наночастиц полупроводника от мощности возбуждающего лазерного излучения.

Для наноструктурированных органических полупроводников DH4T, 6Т и PF/PANI установлена корреляция в цепи «технология - структура -свойства», что позволило улучшить функциональные характеристики фотоэлементов и полевых транзисторов на их основе.

Полученные в диссертации экспериментальные результаты открывают новые практические возможности создания наноструктур с заданными свойствами, предназначенных для использования в фотонике и в электронике.

Результаты работы и могут быть использованы также в учебном процессе при подготовке студентов и аспирантов в области физики конденсированного состояния.

Публикации. В ходе выполнения исследований по теме диссертации опубликовано 49 научных работ, из которых 1 монография, 21 статья в центральных отечественных и зарубежных журналах.

Личный вклад автора. Диссертанту принадлежат постановка и решение сформулированной в работе научной проблемы, создание и использование на практике оригинальных методов экспериментального исследования микроскопических образцов цеолитов, опалов и нанокомпозитов на их основе, проведение и анализ результатов основных физических экспериментов, разработка ряда физических моделей, описывающих электрофизические свойства исследованных композиционных материалов. Все основные результаты и выводы диссертации, отраженные в публикациях, принадлежат автору.

Рекомендации по использованию результатов исследования.

Основные результаты, материалы и выводы диссертации рекомендуются для дальнейшего использования при проведении научных исследований и в учебном процессе в РГПУ имени А. И. Герцена, МГУ имени М. В. Ломоносова, ФТИ имени А. Ф. Иоффе РАН, СПбГУ, СПбГТУ, ПГПУ имени С. М. Кирова и др.

Апробация результатов исследования. Основные результаты диссертационной работы изложены в [13-61] и докладывались на следующих международных научных конференциях, симпозиумах и совещаниях: VII Международном совещании по фотоэлектрическим явлениям в твёрдом теле (Варна, 1983 г.), III и V Международных симпозиумах по малым частицам и неорганическим кластерам (Берлин,

1984 г., Констанц, 1990 г.), II Российско-японском совещании "Material design using zeolite space" (Санкт-Петербург, 1992 г.), V Международной конференции «Физика в системе современного образования (ФССО-99)» (Санкт-Петербург, 1999 г.), IX и X Международных конференциях «Диэлектрики-2000» и «Диэлектрики-2004» (Санкт-Петербург, 2000 и 2004 гг.), IV Международной теплофизической школе «Теплофизические измерения в начале XXI века» (Тамбов, 2001 г.), XXVI Международной конференции по физике полупроводников "ICPS-26" (Эдинбург, 2002 г.), Европейском симпозиуме по фотонным кристаллам "ESPC-2002" (Варшава, 2002 г.), Международной конференции по квантовой электронике "IQEC-2002" (Москва, 2002 г.), V Международной конференции по органическим и неорганическим наноструктурам "ОР-2003" (Венеция, 2003 г.), XI Международном симпозиуме «Наноструктуры: Физика и технология» (Санкт-Петербург, 2003 г.), II Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века» (Москва, 2003 г.), Международной конференции «Наноматериалы и нанотехнологии» (Крит, 2003 г.), Европейском совещании "2003 CERION Workshop" (Бильбао, 2003 г.), I Международном симпозиуме по комплексным материалам (Бремен, 2003 г.), IV Международной конференции «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии» (Санкт-Петербург, 2004 г.), Европейском совещании «Наночастицы, наноструктуры и нанокомпозиты» (Санкт-Петербург, 2004 г.), VII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск-Туапсе, 2004 г.);

Всесоюзных, Всероссийских научных конференциях, симпозиумах и совещаниях, а также научных форумах других стран (Японии, США и Германии): Всеяпонском совещании по кластерам "NAIR Workshop'95" (Цукуба, 1995 г.), осеннем (2001 г.) и весеннем (2002 г.) симпозиумах MRS

США), весенних научных конференциях Немецкого Физического Общества (Дрезден, 2003 г., Регенсбург, 2004 г.), IV Всесоюзном симпозиуме «Свойства малых частиц и тонких металлических плёнок» (Сумы, 1985 г.), VIII сессии секции "Ультрадисперсные системы» Совета АН СССР «Физика, химия и механика поверхности» (Черноголовка, 1988 г.), IV Всесоюзной конференции по химии кластерных соединений (Душанбе, 1989 г.), II Всесоюзной конференции «Физико-химия ультрадисперсных систем» (Юрмала, 1989 г.), IV Всесоюзном симпозиуме «Неоднородные электронные состояния» (Новосибирск, 1991 г.); региональных научных форумах, конференциях и семинарах: I, II и III региональных материаловедческих форумах Земли ФРГ Северный Рейн-Вестфалия (Вупперталь, 2001 - 2003 гг.), Псковских областных научно-практических конференциях (Псков, 1982 г. и 1988 г.), научных семинарах и конференциях РГПУ имени А. И. Герцена, ФТИ имени А. Ф. Иоффе РАН, Псковского государственного педагогического института имени С. М. Кирова, Университета города Вупперталя (ФРГ).

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Соловьёв, Владимир Гаевич

Основные результаты диссертации состоят в следующем.

1. Разработаны методики экспериментального определения электрофизических свойств микрообразцов размерами 20 100 мкм, позволившие в рамках единого по методическому обеспечению исследования надежно установить свойства монокристаллов цеолитов, микрообразцов опалов как регулярных пористых матриц композитов и диспергированных в них наночастиц неорганических веществ, представляющих основные классы материалов, а также наноструктурированных органических полупроводников.

2. Изучены явления ионного и электронного переноса в регулярных пористых матрицах цеолитов и опалов и нанокомпозитов на их основе. Выявлено влияние воды на проводимость цеолитов различных структурных типов и характер ее изменения в зависимости от длительности приложения напряжения и температуры. Установлено превышение эффективной проводимости матричных композитов на основе опалов с диспергированными ионными соединениями по отношению к проводимости компонентов, что связано с высокой концентрацией дефектов на межфазовых границах раздела. Предложен метод расчета эффективной проводимости нанокомпозитов, позволяющий учесть особенности реальной геометрии структуры.

3. Обнаружен эффект гигантского роста диэлектрической проницаемости нанокомпозитов o-NaN02, o-NaN03 и o-Agl в области температур плавления наночастиц диспергированных веществ. Показано, что этот эффект может быть объяснен с привлечением модельных представлений теории протекания и теории диэлектрических явлений в дисперсных системах с двойным электрическим слоем на границах раздела фаз.

4. Установлено, что регулярные ансамбли наночастиц, полученные диспергированием полупроводников, металлов, полуметаллов и ионных диэлектриков в полостях регулярных пористых диэлектрических матриц цеолитов и опалов, проявляют квантовые размерные эффекты: «синий» сдвиг спектров оптического поглощения, фотопроводимости и фото - э.д.с., размерные зависимости удельной термо - э.д.с., связанные с особенностями электронного энергетического спектра в квантово-ограниченных структурах, и классические размерные эффекты изменения температур фазовых переходов «плавление - отвердевание» и «сегнетоэлектрик - параэлектрик», нашедшие объяснение в рамках соответствующих феноменологических теорий.

5. В фотонных кристаллах на основе инвертированных TiCb - опалов обнаружена нелинейная зависимость интенсивности фотолюминесценции наночастиц полупроводника, введенного в опал, от мощности возбуждающего лазерного излучения. Эта зависимость может быть положена в основу предложенного метода определения эффективности преобразования энергии «накачки» в энергию излучения для различных частот и различных направлений.

6. Обнаружено, что максимумы брэгговского отражения света фотонными кристаллами на основе опалов совпадают с минимумами не только в спектре пропускания, но и в спектре рассеяния света опалами, а также с экстремумами в относительном спектре фотолюминесценции введенных в опал наночастиц полупроводника.

7. Установлена анизотропия оптических характеристик отражения, пропускания, рассеяния и излучения света фотонно-кристаллическими гетероструктурами на основе плёнок опалов, определяемая влиянием структуры фотонных зон и состоянием границ раздела между слоями, что открывает новые возможности управления потоками электромагнитного излучения в фотонике.

8. Для наноструктурированных органических полупроводников DH4T, 6Т и PF/PANI установлена корреляция в цепи «технология - структура -свойства», что позволило создать на их основе структуры фотоэлементов и тонкопленочных полевых транзисторов приборного качества. Показана принципиальная возможность создания органических тонкоплёночных полевых «нанотранзисторов», обладающих «классическими» выходными ВАХ с хорошо выраженной областью насыщения, несмотря на малую длину канала (до 100 нм).

Перспективными автору представляются дальнейшие исследования в следующих направлениях:

- уточнения механизмов критических явлений в нанокомпозитах;

- анализа термоэлектрических явлений в композитах с наночастицами металлов, полуметаллов и полупроводников в совокупности ,с.,их электро- и теплопроводностью;

- выяснения механизма взаимодействия наночастиц в регулярных пористых матрицах;

- развития физики границ раздела фотонно-кристаллических гетероструктур.

В заключение приношу глубокую благодарность моему научному консультанту - профессору С. Д. Ханину, профессорам В. Н. Богомолову, Ю. А. Кумзерову, К. М. Сотомайор Торрес, У. Шерфу за постоянное внимание и поддержку, ценные советы и критические замечания.

Считаю также своим долгом выразить глубокую признательность Ю.А. Алексееву, В.Л. Вейсману, С.Е. Ганго, Й. Зеекампу, Е.Н. Ивановой, М.С. Ивановой, А. Кам, В.Н. Маркову, С.В. Паньковой, В. В. Поборчему, В.П. Петрановскому, С. Г. Романову, С. В. Холодкевичу, Д.Н. Чигрину, и другим сотрудникам, аспирантам и студентам Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе РАН, Российского' государственного педагогичебского университета имени А.И. Герцена, Псковского государственного педагогического университета имени С.М. Кирова и Университета г. Вупперталя (ФРГ), оказавшим мне большую помощь при подготовке этой работы в 1980 - 2004 годах.

Основные результаты и выводы. Заключение

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Соловьёв, Владимир Гаевич, 2005 год

1. Петров Ю. И. Физика малых частиц. - М.: Наука, 1982. - 360 с.

2. Непийко С. А. Физические свойства малых металлических частиц. -Киев: Наукова думка, 1985. 248 с.

3. Петров Ю. И. Кластеры и малые частицы. М.: Наука, 1986. - 368 с.

4. Губин С. П. Химия кластеров. Основы классификации и строение. -М.: Наука, 1987.-263 с.

5. Демиховский В. Я., Вугальтер Г. А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос, 2000.- 248 с.

6. Помогайло А. Д., Розенберг А. С., Уфлянд И. Е. Наночастицы металлов в полимерах. М.: Химия, 2000. - 672 с.

7. Гусев А. И., Ремпель А. А. Нанокристаллические материалы. М.: Физматлит, 2001. - 224 с.

8. Rubahn H.-G. Nanophysik und Nanotechnologie. Teubner-Verlag, 2002. -246 S.

9. Ajayan P. M., Schadler L. S., Braun P. V. Nanocomposite Science and Technology. Wiley, 2003. - 230 p.

10. Богомолов В. H. Жидкости в ультратонких каналах (Нитяные и кластерные кристаллы) // УФН. 1978. - Т. 124. - № 1. - С. 171 - 182.

11. Semiconducting polymers: Chemistry, physics and engineering / Ed. G. Hadziioannou, P. F. van Hutten. Wiley, 2000. - 631 p.

12. Алексеев Ю. А., Богомолов В. H., Ионов JI. Н., Соловьёв В. Г., Холодкевич С. В. Оптические свойства восьмиатомных кластеров индия // Известия АН СССР. Сер. физ. 1986. - Т. 50. - № 8. - С. 1609 - 1613.

13. Марков В. Н., Соловьёв В. Г. Ячейка для измерения электропроводности игольчатых микрокристаллов // Приборы и техника эксперимента. 1988. - № 5. - С. 205 - 206.

14. Марков В. Н., Соловьёв В. Г. Ячейки для измерения электропроводности микрокристаллов цеолитов // Приборы и техника эксперимента. 1990. - № 5. - С. 232 - 234.

15. Богомолов В. Н., Иванова М. С., Петрановский В. П., Поборчий В. В., Соловьёв В. Г., Шагин С. И. Синтез, оптические и фотоэлектрические свойства трёхмерных сверхрешёток кластеров CdS в цеолитах типов А и X // Письма в ЖТФ. 1991. - Т. 17.-№ 11.-С. 37-41.

16. Вейсман В. Л., Марков В. Н., Николаева Л. В., Панькова С. В., Соловьёв В. Г. Проводимость монокристаллов цеолитов // Физика твердого тела. 1993. - Т. 35. - № 5. - С. 1390 - 1393.

17. Barnakov Yu. A., Ivanova М. S., Petranovskii V. P., Poborchii V. V., Soloviev V. G. Optical, electric and photoelectric properties of pure and CdS or CuCl cluster doped zeolite single crystals // Stud. Surf. Sci. Catal. 1994.1. V. 84.-P. 829 836.

18. Pan'kova S. V., Poborchii V. V., Solov'ev V. G. The giant dielectric constant of opal containing sodium nitrite nanoparticles // J. Phys.: Condens. Matter. ~ 1996. V. 8. - № 12. - L203 - L206.

19. Ганго С. Е., Марков В. Н., Соловьёв В. Г. Ячейка для измерения термо-э.д.с. микрообразцов импульсным методом // Приборы и техника эксперимента. 1998. - № 6. - С. 123 - 124.

20. Solov'ev V. G., Ivanova М. S., IvanovaЕ. N., Kodaira Т., Kiyozumi Y. Optical and photoelectric properties of Se/AFI nanocomposite materials // Материаловедение. 2001. - № 7. - С. 23 - 24.

21. Соловьёв В. Г., Вейсман В. Л., Марков В. Н., Ганго С. Е.,

22. Иванова Е. Н., Панькова С. В., Сохарева О. JL Процессы электропереноса в диэлектрических цеолитных матрицах // Материаловедение. 2001. - № 8. -С. 22-24.

23. Бондаренко И. К., Марков В. Н., Соловьёв В. Г. Ячейка для исследования термоэлектрических и контактных явлений // Приборы и техника эксперимента. 2002. -№3.-С. 137-138.

24. Romanov S. G., ChigrinD. N., Solovyev V. G., Мака Т., GaponikN., Eychmtiller A., Rogach A. L., Sotomayor Torres С. M. Light emission in a directional photonic bandgap // Physica status solidi (a). 2003. - V. 197. -No. 3.-P. 662-672.

25. Solovyev V. G., Romanov S. G., Chigrin D. N., Sotomayor Torres С. M. Light extinction in bulk and thin film opal photonic crystals // Synthetic Metals. -2003.-V. 139.-No. 3.-P. 601 -604.

26. Соловьёв В. Г., Романов С. Г., Сотомайор Торрес К. М. Отражение, пропускание и рассеяние света фотонными кристаллами на основе плёнок опалов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2004. - Т.47. -№3.- С. 54-58.

27. Gaponik N., Eychmiiller A., Rogach A. L., Solovyev V. G.,

28. Sotomayor Torres С. M., Romanov S. G. Structure-related optical properties of luminescent hetero-opals // J. Appl. Phys. 2004. - V. 95. - No. 3. - P. 1029 -1035.

29. Соловьев В. Г., Ханин С. Д. Размерные эффекты в наноструктурах на основе регулярных пористых матриц // Известия Российского государств, педагогического университета им. А. И. Герцена: Естественные и точные науки. 2004. - № 4 (8). ~ С. 84 - 93.

30. Зеекамп Й., Кам А. П., Соловьев В. Г., Ханин С. Д. Наноструктурированные органические полупроводники PF/PANI, DH4T и 6Т как перспективные материалы современной микроэлектроники // Материаловедение. 2004. - № 9. - С. 45 - 55.

31. Балабинская А. С., Иванова М. С., Соловьёв В. Г. Влияние нитрита натрия на оптические свойства цеолита NaA // Труды Псковского политехнического института. Санкт-Петербург / Псков: Изд-во СПбГТУ, 2002.-№ 6.- С. 9-11.

32. Богомолов В. Н., Петрановский В. П., Поборчий В. В., Соловьёв В. Г., Шагин С. И. Колебательные спектры 10 А х кластеров CdS // Вторая Всесоюзн. конф. «Физикохимия ультрадисперсных систем». - Юрмала, 1989.-Рига, 1989.-С. 89.

33. Соловьёв В. Г., Вейсман В. Л., Марков В. Н., Ганго С. Е.,

34. Ivanova М. S., Solov'ev V. G., Ivanova Е. N., Kodaira Т., Kiyozumi Y. Optical and photoelectric properties of Se/AFI single crystals // 9th International

35. Conference on Dielectrics (ICD-2000), Saint-Petersburg, Russia, 2000. -St. Petersburg: HSPU Press, 2000. V. II. - P. 3 - 4.

36. Solovyev V. G., Romanov S. G., Sotomayor Torres С. M., GaponikN., Eychmiiller A., Rogach A. L. Optical characterization of cadmium telluride doped heterostructured opaline photonic crystal // MRS 2001 Fall Meeting. -2002. -V. 708. К 7.8.1 - К 7.8.6.

37. Мака Т., Chigrin D., Soloviev V. G., Romanov S.G.,

38. Зеекамп Й., Гюнтнер P., Соловьёв В. Г., Кам А. П., Ханин С. Д., Гольдшмидт А., Фаррелл Т., Шерф У., Сотомайор Торрес К. М. Использование наноструктурированных органических полупроводников

39. DH4T, аТ6 и PF/PANI в тонкоплёночных полевых транзисторах и фотоэлементах // Четвертая Международная конференция «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии». -Санкт Петербург, 2004. - СПб.: Изд-во СПбГУ, 2004. - С. 36 - 37.

40. Соловьёв В.Г. Исследование оптических, электрических и фотоэлектрических свойств кластерных систем на основе индия и сульфида кадмия в матрицах цеолитов // Дисс. на соиск. учёной степени кандидата физ.-мат. наук. Л.: РГПУ им. А. И. Герцена, 1991.

41. Shaw W. С., Hudson D. Е., Danielson G. С. Preparation of microscopic crystals for electrical measurements // Rev. Sci. Instrum. 1955. - V. 26. -P. 237-238.

42. Иванов-Шиц А. К., Мурин И. В. Ионика твердого тела. Т. 1. - СПб: Изд-во С.-Петерб. ун-та, 2000. - 616 е.

43. Сохарева О. Л. Экспериментальное исследование электропроводности микрокристаллов цеолитов с использованием охранного кольца // Вестн. НовГУ. ~ Сер.: Естеств. и техн. науки. 1999. - № 13. - С. 125.

44. Рыбкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Гос. Изд-во физико-математической литературы, 1963. - 496 с.

45. Ганго С. Е. Исследование одномерного нестационарного температурного поля и термоэлектрического отклика, возникающего в проводящем микрообразце под действием теплового импульса // Вестн. НовГУ. Сер.: Естеств. и техн. науки. - 2003. - № 23. - С. 30 - 35.

46. Gurevic М. Uber eine rationelle Klassifikation der Lichtstreuenden Medien // Phys. Zs. 1930. - Bd. 31. - S. 753 - 763.

47. Kubelka P., Munk F. Ein Beitrag zur Optik der Farbanstriche // Zs. fur techn. Phys.-1931.-Bd. 12.- Nr. 11a. S. 593 -601.

48. Антонов Романовский В. В. Определение коэффициента поглощения порошкообразных фосфоров // ЖЭТФ - 1954. - Т. 26. - № 4. - С. 459 - 472.

49. Sawyer С. В., Tower С. Н. Rochelle salt as a dielectric // Phys. Rev. 1930. -V. 35.-No. 3.-P. 269-273.

50. Нейман Л. Р., Демирчян К. С. Теоретические основы электротехники -Изд. 2-е. Т. 2. - Л.: Энергия, 1975. - 408 с. - С. 242.

51. Ansatze zur technischen Nutzung der Selbstorganisation // Zukimftige Technologies Dusseldorf: VDI-Technologiezentrum, 2003. - Nr. 48. -S. 51-54.

52. Biswas R., Sigalas M. M., Subramania G., Soukoulis С. M., Ho K.-M. Photonic band gaps of porous solids // Phys. Rev. B. 2000. - V. 61. -No. 7.-P. 4549-4553.

53. Chou S. Y., Krauss P. R., Renstrom P. J. Imprint of sub-25 nm vias and trenches in polymers // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 67. - No. 21.1. P. 3114-3116.

54. Chou S. Y., Krauss P. R, Renstrom P. J. Nanoimprint lithography // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. - V. 14. - No. 6. - P. 4129 - 4133.

55. Chou S. Y., Krauss P. R., Zhang W., Guo L., Zhuang L. Sub-10 nm imprint lithography and applications // J. Vac. Sci. Technol. B. 1997. - V. 15. - No. 6. -P. 2897 - 2904.

56. Krauss P. R., Chou S. Y. Nano-compact disks with 400 Gbit/in2 storage density fabricated using nanoimprint lithography and read with proximal probe // Appl. Phys. Lett. 1997. - V. 71. - No. 21. - P. 3174 - 3176.

57. Scheer H.-C., Schulz H.5 Hoffmann Т., Sotomayor Torres С. M. Problems of the nanoimprinting technique for nanometer scale pattern definition // J. Vac. Sci. Technol.B. 1998. - V. 16. - No. 6. - P. 3917 - 3921.

58. Makela Т., Haatainen Т., Ahopelto J., Isotalo H. Imprinted electrically conductive patterns from a polyaniline blend // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. -V. 19.-No. 2.-P. 487-489.

59. Zankovych S., Hoffmann Т., Seekamp J., Bruch J.-U.,

60. Sotomayor Torres С. M. Nanoimprint lithography: challenges and prospects // Nanotechnology. 2001. - V. 12. - P. 91 - 95.

61. Hirai Y., Yoshida S., Okamoto A., Tanaka Y., Endo M., Irie S., Nakagawa H., Sasago M. Mold surface treatment for imprint lithography // J. Photopolym. Sci. Technol. 2001. - V. 14. - No. 3. - P. 457 - 462.

62. Hirai Y., Fujiwara M., Okuno Т., Tanaka Y., Endo M., Irie S., Nakagawa K., Sasago M. Study of the resist deformation in nanoimprint lithography // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. - V. 19. - No. 6. - P. 1 - 5.

63. Scheer H.-C., Schulz H., Hoffmann Т., Sotomayor Torres C.M. Nanoimprint techniques // Handbook of thin film materials / Ed. H.S.Nalwa. V.5. -Academic Press, 2002. - P. 1 - 60.

64. Sotomayor Torres С. M., Zankovych S., Seekamp J., Kam A. P.,

65. Cedeno С. C., Hoffmann Т., Ahopelto J., Reuther F., Pfeiffer K., Bleidiessel G., Gruetzner G., Maximov M. V., Heidari B. Nanoimprint lithography: an alternative nanofabrication approach // Mater. Science and Engineering C. -2003.-V. 23.-P. 23-31.

66. Жданов С. П., Егорова E. Н. Химия цеолитов.- Л.: Наука, 1968. 158 с.

67. Маневич JI. О., Долгов А. Н. Осушка масла цеолитами. М.: Энергия, 1972.- 167 с.

68. Брек Д. Цеолитовые молекулярные сита. М.: Мир, 1976. - 781 с.

69. Химия цеолитов и катализ на цеолитах / Под ред. Дж. Рабо. Т.1 -М.: Мир, 1980.-508 с.

70. Ионе К. Г. Полифункциональный катализ на цеолитах. Новосибирск: Наука, 1982.-272 с.

71. Баррер Р. Гидротермальная химия цеолитов. М.: Мир, 1985. -424 с.

72. Пущаровский Д. Ю. Структурная минералогия силикатов и их синтетических аналогов. М.: Недра, 1986. - 123 с.

73. Либау Ф. Структурная химия силикатов. М.: Мир, 1988. - 412 с.

74. Челищев Н. Ф., Володин В. Ф., Крюков В. Л. Ионообменные свойства природных высококремнистых цеолитов. М.: Наука, 1988. - 128 с.

75. Пущаровский Д. Ю. Структурная минералогия силикатов // Соросовский образовательный журнал. 1998. - № 3. - С. 83-91.

76. Кубасов А. А. Цеолиты кипящие камни // Соросовский образовательный журнал. - 1998. - № 7. - С. 70 - 76.

77. Дубов П. Л., Корольков Д. В., Петрановский В. П. Кластеры и матрично изолированные кластерные сверхструктуры. - С-Пб.: Изд-во С-ПбГУ, 1995.-191 с.

78. Kodaira Т., Nozue Y., Ohwashi S., Goto Т., Terasaki О. Optical properties of potassium clusters incorporated into zeolite LTA // Phys. Rev. B. 1993. -V. 48. - No. 16. - P. 12245 - 12252.

79. Smirnov K. S., Bougeard D. Molecular dinamics study of the vibrational spectra of siliceous zeolites built from sodalite cages // J. Phys. Chem. 1993. -V. 97. - No. 37. - P. 9434 - 9440.

80. Денкс В. П., Мере А. Л., Миленина Р. В. Миграция электронных возбуждений в люминесцирующих цеолитах NaA и NaX // Труды Института физики АН Эстонской ССР. 1983. - Т. 54. - С. 167 - 187.

81. Weigel О. Die Elektrizitatsleitung in den Zeolithen // Zeitschr. f. Kristallographie. 1923. - Bd. 58. - S. 183 - 202.

82. Rabinowitsch E., Wood W. C. Uber die Elektrizitatsleitung in Zeolithen // Z. Elektrochem. 1933. - Bd. 39. - Nr. 7b. - S. 562 - 566.

83. Gross B. Zur elektrischen Leitfahigkeit der Zeolithe // Z. Kristallogr.-1935.-Bd. 92. S. 284 - 292.

84. Freeman D. C., Stamires D. N. Electrical conductivity of synthetic crystalline zeolites // J. Chem. Phys. 1961. - V.35. - No. 3. - P. 799 - 806.

85. Stamires D. N. Effect of adsorbed phases on the electrical conductivity of synthetic crystalline zeolites // J. Chem. Phys. 1962. - V. 36. - No. 12.1. P. 3174 3181.

86. Vucelic D. Ionic conduction bands at zeolite interfaces // J. Chem. Phys. 1977. - V. 66. - No. 1. - P. 43 - 47.

87. Jansen F. J., Schoonheydt R. A. Electrical properties of crystalline synthetic zeolites types X and Y, exchanged with monovalent cations // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1973. - V. 69. - Pt. 1. - No. 8. - P. 1338 - 1355.

88. Haidar A. R., Jonscher A. K. The dielectric properties of zeolites in variable temperature and humidity // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1986. - Pt.l. - V. 82. -No. 12.-P. 3535 -3551.

89. Jonscher A. K., Haidar A. R. The time-domain response of humid zeolites // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1986. - Pt. 1. - V. 82. - No. 12. - P. 3553 - 3560.

90. Vigil O., Fundora J., Villavicencio H., Hernandez Velez M.,

91. Roque Malherbe R. Direct-current transport phenomena in Na-FAU zeolite // J. Mater. Sci. Lett. - 1992. - V. 11. - No. 2-4. - P. 1725 - 1727.

92. Jonscher А. К. Universal relaxation law. London: Chelsea Dielectric Press, 1996. -415 p.

93. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. М.: Мир, 1973.-416 с.

94. Kelemen G., Schon G. Ionic conductivity in dehydrated zeolites // J. Mater. Science. 1992. - V. 27. - No. 22. - P. 6036 - 6040.

95. Габуда С. П. Связанная вода. Факты и гипотезы. Новосибирск: Наука, 1982.- 160 с.

96. Денкс В. П. Электронные и ионные процессы в содалитовых запоминающих материалах // Труды Института физики АН Эстонской ССР.- 1984.-Т. 55.-С. 14-71.

97. Денкс В. П. Собственные электронные возбуждения галогенсодержащих каркасных алюмосиликатов // Физика твердого тела. -1994. Т. 36. - № 6. - С. 1679 - 1690.

98. Абдуллаев Г. Б., Абдинов Д. Ш. Физика селена. Баку: Элм, 1975. -403 с.

99. Poborchii V. V., Kolobov А. V., Саго J., Zhuravlev V. V., Tanaka К. Polarized Raman spectra of selenium species confined in nanochannels of AIPO4-5 single crystals // Chem. Phys. Lett. 1997. - V. 280. - P. 17 - 23.

100. Lazarenkova O. L., Balandin A. A. Miniband formation in a quantum dot crystal//J. Appl. Phys.-2001.-V. 89.-No. 10.-P. 5509-5515.

101. Алексеев Ю. А., Богомолов В. H., Жукова Т. Б., Петрановский В. П., Романов С. Г., Холодкевич С. В. Образование и свойства регулярных ансамблей кластеров и нитей в кристаллических матрицах //

102. Изв. АН СССР. Сер. физ. 1986. - Т. 50. - № 3. - С. 418 - 423.

103. Пенкин Н. П., Шабанова Л. Н. Силы осцилляторов спектральных линий атомов алюминия, галлия и индия // Оптика и спектроскопия. -1963. -Т. 14. -№ 1.-С. 12- 17.

104. Koyama R. Y., Smith N. V., Spicer W. E. Optical properties of indium //Phys. Rev. В.- 1973.-V. 8.-No. 6.-P. 2426-2432.

105. Яценко С. П. Индий. Свойства и применение. М.: Наука, 1987. -256 с.

106. Романов С. Г. Получение квазиодномерных решёток одноатомных нитей и исследование их оптических и электрических свойств // Автореф. канд. дисс. JL, 1986. - 18 с.

107. Sanders J. V. Colour precious opal //Nature. 1964. -V. 204. -No. 4964. -P. 1151-1153.

108. Минералогическая энциклопедия / Под. ред. К. Фрея. Л.: «Недра», 1985.-512 с.

109. Денискина Н. Д., Калинин Д. В., Казанцева Л. К. Благородные опалы (природные и синтетические). Новосибирск: Наука, 1987.183 с.

110. Шуман В. Мир камня. Т.2.- М.: Мир, 1986. - 263 с.

111. Балакирев В. Г., Богомолов В. Н., Журавлёв В. В.,

112. Кумзеров Ю. А., Петрановский В. П., Романов С. Г., Самойлович Л. А. Трехмерные сверхрешетки в матрицах опалов // Кристаллография. 1993. - Т.38. - № 3. - С. 111 - 120.

113. Барышев А. В., Каплянский А. А., Кособукин В. А., Лимонов М. Ф., Самусев К. Б., Усвят Д. Е. Брэгговская дифракция света в искусственных опалах // Физика твердого тела. 2003. - Т.45. -№ 3. - С. 434-445.

114. Богомолов В. Н., Парфеньева JI. С., Смирнов И. А., Мисиорек X., Ежовский А. Прохождение фононов через фотонные кристаллы -среды с пространственной модуляцией акустических свойств // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44. - № 1. - С. 175 - 179.

115. Богомолов В. H., Ктиторов С. А., Курдюков Д. А., Прокофьев А. В., Самойлович С. М., Смирнов Д. В. Нелинейная проводимость трехмерной решетки кластеров GaAs в опале // Письма в ЖЭТФ. 1995. - Т. 61. - № 9-10. - С. 738 - 742.

116. Богомолов В. Н., Курдюков Д. А., Парфеньева JL С., Прокофьев А. В., Самойлович С. М., Смирнов И. А., Ежовский А., Муха Я., Мисерек X. Особенности теплопроводности синтетических опалов // Физика твердого тела. 1997. - Т. 39. - № 2. - С. 392 - 398.

117. Ратников В. В. Определение пористости синтетических опалов и пористого кремния рентгеновским методом // Физика твердого тела. -1997. Т.39. - № 5. - С. 956 - 958.

118. Kumar К. К., Sirdeshmukh L. Dielectric properties and electrical conductivity studies on some minerals // Indian J. Pure & Appl. Phys. 1996. -V. 34. - No.8. - P. 559-565.

119. Сонин А. С., Желудев А. С. Исследование некоторых диэлектрических свойств монокристаллов нитрита натрия // Кристаллография. 1963. - Т. 8. - № 1. - С. 57 - 62.

120. Maier J. Ionic conduction in space charge regions // Progr. Solid. State Chem. 1995. - V. 23. - No. 3. - P. 171 - 263.

121. Romanov S. G. Concept of templated lattices of semiconductor nanostructures // J. Porous Mater. 2000. - V. 7. - P. 153 - 157.

122. Simmons J. G. Conduction in thin dielectric films // J. Phys. D: Appl. Phys. 1971. - V. 4.-P. 613-657.

123. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1-2. - М.: Мир, 1982. - 664 с.

124. Дульнев Г. Н., Заричняк Ю. П. Теплопроводность смесей и композиционных материалов. Л.: Энергия, 1974. - 264 с.

125. Дульнев Г. Н., Новиков В. В. Процессы переноса в неоднородных средах. Л.: Энероатомиздат, 1991. - 248 с.

126. Chernyaev А. V., Shamshur D. V., Parfeniev R. V., Fokin A. V.,th

127. Romanov S. G. Superconductivity in indium opal nanocomposites // Proc. 1128.11.t. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Saint-Petersburg, Russia, June 23 28, 2003. - St. Petersburg: Ioffe Physico - Technical Institute, 2003.-P. 398 -399.

128. Китель Ч. Введение в физику твёрдого тела. Пер. с четвёртого американского издания под ред. А. А. Гусева. - М.: Наука, 1978. - 792 с. -С. 498-499.

129. Виноградов А. П. Электродинамика композитных материалов / Под ред. Б. 3. Каценеленбаума. М.: Эдиториал УРСС, 2001. - 208 с.

130. Maxwell Garnett J. С. Colours in metal glasses and in metallic films // Phylos. Trans. Roy. Soc. London. 1904. - V. 203. - P.385 - 420.

131. Maxwell Garnett J. C. Colours in metal glasses, in metallic films, and in metallic solutions // Phylos. Trans. Roy. Soc. London. 1906. - V. 205 -P. 237 - 288.

132. Cohen.R. W., Cody G. D., Coutts M. D., Abeles B. Optical properties of granular silver and gold films // Phys. Rev. B. 1973. - V. 8. - No. 8. -P. 3689 -3701.

133. Богородицкий H. Г., Волокобинский Ю. M., Воробьёв А. А., Тареев Б. М. Теория диэлектриков. M.-JL: Энергия, 1965. - 344 с.

134. Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977. - 448 с.

135. Bruggeman D. A. G. Berechnung verschiedener physikalischer Konstanten von heterogenen Substanzen. 1 .Dielektrizitatskonstanten und Leitfahigkeiten der Mischkorper aus isotropen Substanzen //Annalen der Physik. 1935. - Bd. 24. - Nr. 5. - S. 636 - 679.

136. Prinkey M. Т., Lakhtakia A., Shanker B. On the extended Maxwell-Garnett and the extended Bruggeman approaches for dielectric in-dielectric composites // Optik. - 1994. - V. 96. - No. 1. - P. 25 - 30.

137. Pecharroman C., Iglesias J. E. Effective dielectric properties of packed mixtures of insulator particles // Phys. Rev. B. 1994. - V. 49. - No. 11.-P. 7137-7147.

138. Doyle W. T. Particle clustering and dielectric enhancement in percolating metal-insulator composites // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78. -No.10.-P. 6165 -6169.

139. Koops C. G. On the dispersion of resistivity and dielectric constant of some semiconductors at audiofrequencies // Phys. Rev. 1951. - V. 83. - No. 1.1. P. 121 124.

140. Roberts J. N., Schwartz L. M. Grain consolidation and electrical conductivity in porous media // Phys. Rev. B. 1985. - V. 31. - No. 9. - P. 5990 -5997.

141. Shen L. C., Liu C., Korringa J., Dunn K. J. Computation of conductivity and dielectric constant of periodic porous media // J. Appl. Phys. 1990. - V. 67. -No. 11. - P. 7071 -7081.

142. Tyc S., Schwartz L. M., Sen P. N., Wong P.-Z. Geometrical models for the high-frequency dielectric properties of brine saturated sandstones // J. Appl. Phys. 1988. - V.64. - No. 5. - P. 2575 - 2582.

143. Chew W. C., Sen P. N. Dielectric enhancement due to electro-chemical double layer: thin double layer approximation // J. Chem. Phys. 1982. - V. 77. -No. 9.-P. 4683 -4693.

144. Grosse С., Foster К. R. Permittivity of a suspension of charged spherical particles in electrolyte solution // J. Phys. Chem. 1987. - V. 91. - No. 11.-P. 3073 - 3076.

145. Nettelblad В., Nilclasson G. A. On the low frequency permittivity of liquid-filled porous media // Solid State Commun. 1994. - V. 90. - No. 3. ~1. P. 201 204.

146. Claro F., Brouers F. Dielectric anomaly of porous media: The role of multipolar interactions // Phys. Rev. B. 1989. - V. 40. - No. 5. - P. 3261 - 3265.

147. Шилов В. H., Духии С. С. Теория поляризации диффузной части тонкого двойного слоя сферической частицы в переменном электрическом поле // Коллоидный журнал. 1970. - Т. 32. - № 1. - С. 117 - 123.

148. Шилов В. Н., Духин С. С. Теория низкочастотной дисперсии диэлектрической проницаемости суспензий сферических коллоидных частиц, обусловленной поляризацией двойного слоя // Коллоидный журнал. 1970. - Т. 32. - № 2. - С. 293 - 300.

149. Духин С. С., Шилов В. Н. Диэлектрические явления и двойной слой в дисперсных системах и полиэлектролитах. Киев: Наукова думка, 1972. -207 с.

150. Nettelblad В., Niklasson G. A. Effects of microgeometry on the permittivity of impregnated porous media // J. Phys.: Condens. Matter. -1996. V. 8. - No. 38. - P. 7049 - 7058.

151. Nettelblad В., Niklasson G. A. The effects of salinity on low-frequency dielectric dispersion in liquid-impregnated porous solids // J. Phys.: Condens. Matter. 1995. - V. 7. - No. 45. - L619 - L624.

152. Mandel M., Odijk T. Dielectric properties of polyelectrolyte solutions // Ann. Rev. Phys. Chem. 1984. - V. 35. - P. 75 - 108.

153. Nettelblad В., Niklasson G. A. Simple expressions for the dielectric response of suspensions in an electrolyte // J. Colloid and Interface Sci. -1996. V. 181. - No. 1. - P. 165 - 168.

154. Efros A. L., Shklovskii В. I. Critical behaviour of conductivity and dielectric constant near the metal-non-metal transition threshold // Physica status solidi (b) 1976. - V. 76. - No. 2. - P. 475 - 485.

155. Grannan D. M., Garland J. C., Tanner D. B. Critical behavior of the dielectric constant of a random composite near the percolation threshold // Phys. Rev. Lett. 1981. - V. 46. - No. 5. - P. 375 - 378.

156. Быков В. П. Спонтанное излучение в периодической структуре // ЖЭТФ. 1972. - Т.62. - № 2. - С. 505 - 513.

157. Yablonovitch Е. Inhibited spontaneous emission in solid-state physics and electronics // Phys. Rev. Lett. 1987. - V.58. - No. 20. - P. 2059 - 2062.

158. John S. Strong localization of photons in certain disordered dielectric superlattices // Phys. Rev. Lett. 1987. - V.58. - No. 23. - P. 2486 - 2489.

159. Chigrin D. N., Lavrinenlco A. V., Yarotsky D. A., Gaponenko S. V. Observation of total omnidirectional reflection from a one-dimensional dielectric lattice // Appl. Phys. A. 1999. - V. 68. - P. 25 - 28.

160. Chigrin D. N., Sotomayor Torres С. M. Periodic thin-film interference filters as one-dimensional photonic crystals // Оптика и спектроскопия. -2001.-Т. 91. -№3.-С. 513-518.

161. Joannopoulos J. D., Meade R. D., Winn J. N. Photonic Crystals: Molding the Flow of Light. Princeton University Press, 1995. - 138 p.

162. Sakoda К. Optical Properties of Photonic Crystals. Springer, 2001. -223 p.

163. Photonic crystals: Advances in design, fabrication, and characterization / Ed. by K. Busch, S. Lolkes, R. B. Wehrspohn, and H. Foil. Wiley-VCH, 2004. -354 p.

164. Photonic crystals: Optical materials for the 21st century / Ed. by Kurt Busch and Ralf Wehrspohn. Wiley-VCH, 2003 // Physica status solidi (a). -2003. - V. 197. - No. 3 (Special issue).

165. Нанотехнологии и фотонные кристаллы: Монографический сборник на основе пленарных докладов 2 Российского межрегионального симпозиума, Калуга, 15-17 марта 2004 г. / Ред. Белянина А. Ф., Самойлович М. И. М.: Изд-во ЦНИТИ «Техномаш», 2004 . - 241 с.

166. Garcia-Santamaria F., Lopez C., Meseguer F., Lopez-Tejeira F., Sanchez-Dehesa J., Miyazaki H. T. Opal-like photonic crystal with diamond lattice // Appl. Phys. Lett. 2001. - V. 79. - No. 15. - P. 2309 - 2311.

167. Nanostructures: reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003, Minsk, Belarus, May 20-23, 2003. World Scientific Publishing, 2003. - P. 100 - 102.

168. Birner A., Wehrspohn R. В., Gosele U., Busch К. Silicon based photonic crystals // Adv. Mater. - 2001. - V. 13. - No. 6. - P. 377 - 388.

169. Карачевцева Л. А., Любченко А. В. Материалы с фотонной запрещенной зоной (обзор) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.- 1997.- № 32. С. 150 - 161.

170. Баженов А. В., Горбунов А. В., Алдушин К. А., Масалов В. М., Емельченко Г. А. Оптические свойства тонких пленок из плотноупакованных Si02 сфер // Физика твердого тела. - 2002. - Т. 4. -№6.-С. 1026-1031.

171. Zhao Y., Wostyn К., de Schaetzen G., Clays К., Hellemans L., Persoons A., Szekeres M., Schoonheydt R. A. The fabrication of photonic band gap materials with a two-dimensional defect // Appl. Phys. Lett. 2003. - V. 82. -No. 21.-P. 3764-3766.

172. Wostyn K., Zhao Y., de Schaetzen G., Hellemans L., Matsuda N., Clays K., Persoons A. Insertion of a two-dimensional cavity into a self-assembled colloidal crystal // Langmuir. 2003. - V. 19. - No. 10. - P. 4465 - 4468.

173. Romanov S. G., Yates N. M., Pemble M. E., De La Rue R. M. Opal-based photonic crystal with double photonic bandgap structure // J.Phys.: Condens. Matter. 2000. - V. 12. - No. 37. - P. 8221 - 8229.

174. Jiang P., Ostojic G. N., Narat R., Mittleman D. M., Colvin V. L. The fabrication and bandgap engineering of photonic multilayers //Advanced Materials.-2001.-V. 13.-No. 6.-P. 389-393.

175. Rengarajan R, Jiang P., Larrabee D. C., Colvin V. L., Mittleman D. M. Colloidal photonic superlattices // Phys. Rev. B. 2001. - V. 64. - No. 20. -P. 205103 (1 -4).

176. Reynolds A., Lopez-Tejeira F., Cassagne D., Garcia-Vidal F. J., Jouanin C., Sanchez-Dehesa J. Spectral properties of opal-based photonic crystals having a Si02 matrix // Phys. Rev. B. 1999. - V. 60. - No. 16. -P. 11422- 11426.

177. Zhukov E. A., Yates H. M., Pemble M. E., Sotomayor Torres С. M.5 Romanov S. G. Interface interactions and the photoluminescence from asbestos-templated InP quantum wires // Superlattices and Microstructures. 2000.

178. V. 27. No. 5-6. -P. 571 -576.

179. Wang X., Linlce R. A., Delvin G., Yokoyama H. basing threshold behavior of microcavities: Observation by polarization and spectroscopic measurements // Phys. Rev. A. 1993. - V. 47. - No. 4. - R2488 - R2491.

180. Spontaneous Emission and Laser Oscillation in Microcavities / Ed. by H. Yokoyama and K. Ujihara. NY: CRC Press, 1995.-374 p.

181. Purcell E. M. Spontaneous emission probabilities at radio frequencies // Phys. Rev. 1946. - V. 69. - No. 11-12. - P. 681.

182. Astratov V. N., Adawi A. M., Fricker S., Skolnick M. S., Whittaker D. M., Pusey P. N. Interplay of order and disorder in the optical properties of opal photonic crystals//Phys. Rev. В.-2002.-V. 66.-No. 16.-P. 165215 (1- 13).

183. Koenderinlc A. F., Vos W. L. Optical loss due to intrinsic structural variations of photonic crystals // arXiv:physics/0406052/ V. 1. - 11 June 2004.

184. Photonic Band Gaps and Localization / Ed. by С. M. Soukoulis. Plenum Press, 1993. - NATO ASI Series. - Ser. B: Physics. - V. 308. - 520 p.

185. Photonic Crystals and Light Localisation in the 21st Century /

186. Garcia N., Li J. LI., Polkosnik W., Cheung T. D., Tsang P. H., Lisyansky A. A., Genack A. Z. Influencing the approach to the localization threshold//PhysicaВ. 1991.-V. 175.-P. 9-16.

187. Gomez Rivas J., Sprik R., Soukoulis С. M., Busch K., Lagendijk A. Optical transmission through strong scattering and highly polydisperse media // Europhys. Lett.- 1999. -V. 48. No. 1. - P. 22 - 28.

188. Kerker M. The Scattering of Light. Academic Press, 1970. - 666 p.

189. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. T.VIII. Электродинамика сплошных сред. - М.: «Наука», 1982. - 620 с. -С. 562-596.

190. Vlasov Yu. A., Astratov V. N., Baryshev A.V., Kaplyanskii A. A., Karimov O. Z., Limonov M. F. Manifestation of intrinsic defects in optical properties of self-organized opal photonic crystals // Phys. Rev. E. 2000. -V. 61.-No. 5.-P. 5784- 5793.

191. Huang J., Eradat N., Raikh M. E., Vardeny Z. V., Zakhidov A. A., Baughman R. H. Anomalous coherent backscattering of light from opal photonic crystals //Phys. Rev. Lett. -2001. V.86. -No.21. - P. 4815 - 4818.

192. Vlasov Yu. A., Astratov V. N., Karimov O. Z., Kaplyanskii A. A., Bogomolov V. N., Prokofiev A. V. Existence of a photonic pseudogap for visible light in synthetic opals // Phys. Rev. B. 1997. - V. 55. - No. 20. -R13357 - R13360.

193. Барышев А. В., Анкудинов А. В., Каплянский А. А., Кособукин В. А., Лимонов М. Ф., Самусев К. Б., Усвят Д. Е. Оптическая характеризация синтетических опалов // Физика твердого тела. 2002. - Т.44. - №.9.1. С. 1573 1581.

194. Барышев А. В. Оптические исследования фотонных кристаллов на основе синтетических опалов // Автореф. канд. дисс. СПб., 2003. -16 с.

195. Dutton D. Fundamental absorption edge in cadmium sulfide // Phys. Rev. -1958.-V. 112.-No. 3.-P. 785-792.

196. Herron N., Wang Y., Eddy M., Stucky G., Cox D., Moller K., Bein T. Structure and optical properties of CdS superclusters in zeolite hosts // J. Amer. Chem. Soc. 1989. - V. 111. - No. 2. - P. 530 - 540.

197. Wang Y., Herron N., Mahler W., Suna A. Linear- and nonlinear- optical properties of semiconductor clusters // J. Opt. Soc. Amer. 1989. V. 6. - No. 4. -P. 808-813.

198. Bube R. H. Surface photoconductivity in cadmium sulfide crystals //J. Chem. Phys. ~ 1953.-V. 21.-No. 7-9.-P. 1409-1410.

199. Henglein A. Fluorescence, photochemistry and size quantization effects of colloidal semiconductor particles // J. chim. phys. et phys.-chim. biol. 1987. -V. 84.-No. 9.-P. 1043- 1047.

200. Henglein A. Small-particle research: physicochemical properties of extremely small colloidal metal and semiconductor particles // Chem. Rev. -1989. V. 89. - No. 8. - P. 1861 - 1873.

201. Эфрос Ал. JI., Эфрос A. JI. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре // Физика и техника полупроводников. 1982. -Т. 16. -№7.-С. 1209- 1214.

202. Ekimov A. I., Efros Al. L., Onushchenko A. A. Quantum size effect in semiconductor microcrystals // Solid State Commun. 1985. - V. 56. - No. 11. -P. 921 -924.

203. Brus L. E. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites. The size dependence of the lowest excited electronic state // J. Chem. Phys. 1984. - V. 80. - No. 9. - P. 4403 - 4409.

204. Brus L. E. On the development of bulk optical properties in small semiconductor crystallites // J. Luminescence. 1984. - V. 31-32. - Pt. 1. -P. 381 -384.

205. Lippens P. E., Lanoo M. Calculation of the band gap for small CdS and ZnS crystallites // Phys. Rev. B. 1989. - V. 39. - No. 15. - P. 10935 - 10942.

206. Peng H., Mao L., Wang Sh.-j., Liu Sh.-m., Lin Zh.-j. Synthesis, growing processes and physical properties of CdS nanoclusters in Y-zeolite studied by positron annihilation // Wuhan Univ. J. Natur. Sci. 2000. - V. 5. - No. 4. -P. 431 -435.

207. Смолин Ю. И., Шепелев Ю. Ф., Лапшин А. Е., Васильева Е. А. Кластеры CdS в полостях цеолита // Кристаллография. 1998. - Т. 43. -№ 3. - С. 425-432.

208. Williams R., Bube R. Н. Photoemission in the photovoltaic effect in cadmium sulfide crystals // J. Appl. Phys. 1960. - V. 31. - No. 6.1. P. 968-978.

209. Турова H. Я. Справочные таблицы по неорганической химии. Л.: Изд-во Химия. Ленинградское отделение, 1977. - 116 с.

210. Ахметов Н. С. Общая и неорганическая химия М.: Высшая школа, 2001.- 743 с.

211. Ravindran P., Delin A., Johansson В., Eriksson O., Wills J. M. Electronic structure, chemical bonding, and optical properties of ferroelectric and antiferroelectric NaN02 // Phys. Rev. B. 1999. - V. 59. - No. 3.1. P. 1776- 1785.

212. Смит Р. Полупроводники. Пер. с англ. -М.: Мир, 1982. - 560 с. -С. 466.

213. Физический энциклопедический словарь / Под ред. А. М. Прохорова. М.: Советская энциклопедия, 1983. - 928 с. - С. 756.

214. Комаров В. А. Механизмы рассеяния носителей заряда в пленках висмута // Термоэлектрики и их применение: Доклады VIII Межгосударственного семинара, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 12-13 ноября 2002 г. СПб: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 2002. - 515 с. - С. 237 - 242.

215. Hicks L. D., Dresselhaus M. S. Effect of quantum-well structures on the thermoelectric figure of merit // Phys. Rev. B. 1993. - V. 47. - No. 19.1. P. 12727- 12731.

216. Hicks L. D., Dresselhaus M. S. Thermoelectric figure of merit of a one-dimensional conductor // Phys. Rev. B. 1993. - V. 47. - No. 24.1. P. 16631 16634.

217. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. -Пер. с англ. М.: Мир, 1964. - 392 с. - С. 365 - 387.

218. Бонч-Бруевич В. JL, Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. - 672 с. - С. 171, 646.

219. Жирифалько JI. Статистическая физика твёрдого тела. Пер. с англ. -М.: Мир, 1975. - 382 с. - С. 143 - 146, 355 - 358.

220. Маделунг О. Теория твёрдого тела. Пер. с нем. - М.: Наука, 1980. -416с.-С. 35 - 36.

221. Физическая энциклопедия / Под ред. А. М. Прохорова. Т. 4. - М.: Большая Российская энциклопедия, 1994. - 704 с. - С. 45.

222. Hicks L. D., Harman Т. С., Sun X., Dresselhaus М. S. Experimental study of the effect of quantum-well structures on the thermoelectric figure of merit // Phys. Rev. В.- 1996. V. 53.-No. 16.-R10493 -R10496.

223. Sun X., Zhang Z., Dresselhaus M. S. Theoretical modeling of thermoelectricity in Bi nanowires // Appl. Phys. Lett. 1999. - V.74. - No. 26. -P. 4005-4007.

224. Lin Yu-M., Sun X., Dresselhaus M. S. Theoretical investigation of thermoelectric transport properties of cylindrical Bi nanowires // Phys. Rev. B. -2000. V. 62. - No. 7. - P. 4610 - 4623.

225. Гольцман Б. M. Наноструктурный высокоэффективный термоэлектрический микроохладитель // Термоэлектрики и их применение:

226. Доклады VIII Межгосударственного семинара, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 12-13 ноября 2002 г. СПб: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 2002.-515 с.-С. 7 - 11.

227. Rabin О., Lin Yu-M., Dresselhaus М. S. Anomalously high thermoelectric figure of merit in Bii.xSbxnanowires by carrier pocket alignment //

228. Appl. Phys. Lett. 2001. - V.79. - No. 1. - P. 81 - 83.

229. Song D. W., Shen W.- N, Dunn B, Moore C. D., Goorsky M. S., Radetic Т., Gronsky R., Chen G. Thermal conductivity of nanoporous bismuth thin films // Appl. Phys. Lett. 2004. - V. 84. - No. 11. - P. 1883 - 1885.

230. Albrecht J. D., Knipp P. A., Reineclce T. L. Thermal conductivity of opals and related composites // Phys. Rev. B. 2001. - V. 63.-No. 13.-P. 134303 (1 - 8).

231. Pawlow P. Uber die Abhangiglceit des Schmelzpunlctes von der Oberflachenenergie eines festen Korpers // Zs. fur physilc. Chemie. 1909. -Bd. 65.-Nr. 1. - S. 1 - 35, 545 - 548.

232. Скрипов В. П., Коверда В. П., Скоков В. Н. Влияние поверхностных гетерофазных флуктуации: на кинетику фазового перехода жидкость-кристалл в малых металлических частицах // Физикохимия УДС: Материалы I Всес. конф. М., 1987. - С. 10 - 15.

233. Cheng Tien, Чарная Е. В., Барышников С. В., Lee М. К., Sun S. Y., Michel D., Bohlman W. Эволюция NaN02 в пористых матрицах // Физика твердого тела. 2004. - Т. 46. - № 12. - С. 2224 - 2228.

234. Пак В. Н., Вережинская Р. Л., Буркат Т. М. Влияние условий восстановления AgN03 на характер распределения серебра в пористом стекле // Журнал физической химии. 202. - Т. 76. - № 7. - С. 1324 - 1327.

235. Пак В. Н., Суханов С. В., Буркат Т. М. Фотохромизм в пористых стеклах, модифицированных оксидом молибдена // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2004): Материалы X Международной конференции. СПб.: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2004. - С. 419 - 420.

236. Sawada S., Nomura S., Fujii S., Yoshida I. Ferroelectricity in NaN02 // Phys. Rev. Lett.- 1958.-V. 1.-No. 9.-P. 320 321.

237. Лайнс M., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -Пер. с англ. под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского. М.: Мир, 1981. -736 с.-С. 368-373.

238. Струков Б. А., Леванюк А. П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука. Физматлит, 1995.-304 с.-С. 29-30.

239. Ichikawa М., Gustafsson Т., Olovsson I. Is NaNCb a pure order-disorder type ferroelectric? // Solid State Communications. 2002. - V. 123. - No. 3-4. -P. 135 - 139.

240. Бурсиан Э. В. Нелинейный кристалл (титанат бария). М.: Наука, 1974.-295 с. -С. 142-157.

241. Zhong W. L., Wang Y. G., Zhang P. L., Qu B. D. Phenomenological study of the size effect on phase transitions in ferroelectric particles // Phys. Rev. B. -1994. V. 50. - No. 2. - P. 698 - 703.

242. Xu T.-B., Cheng Z.-Y., Zhang Q. M., Baughman R. H., Cui C., Zakhidov A. A., Su J. Fabrication and characterization of three-dimensional periodic ferroelectric polymer-silica opal composites and inverse opals //

243. J. Appl. Phys. 2000. - V. 88. - No. 1. - P. 405 - 409.

244. ICoksharov Yu. A., Gubin S. P., Kosobudsky I. D., Yurkov G. Yu., Pankratov D. A., Ponomarenko L. A., Mikheev M. G., Beltran M.,

245. Khodorkovsky Y., Tishin A. M. Electron paramagnetic resonance spectra near the spin-glass transition in iron oxide nanoparticles // Phys. Rev. B. 2000. -V. 63.-No. l.-P. 012407(1 -4).

246. Gubin S. P., Spichkin Y. I., Yurkov G. Yu., Tishin A. M. Nanomaterial for high-density magnetic data storage // Russian J. Inorg. Chem. 2002. - V. 47. -No. 1.- S32-S67.

247. Cox S. D., Gier Т. E., Stucky G. D. Inclusion tuning of nonlinear optical materials: SHG of organic guests in molecular sieve hosts // Solid State Ionics. -1989.- V. 32-33.-Pt. l.-P. 514- 520.

248. Eradat N., Wohlgenannt M., Vardeny Z. V., Zakhidov A. A., Baughman R. H. Studies of optical transitions related to ^-conjugated polymers and laser dyes infiltrated in opal photonic crystals // Synthetic Metals. 2001. -V. 116.-No. 1-3.-P. 509 - 513.

249. Shirakawa H., Louis E. J., MacDiarmid A. G., Chiang С. K., Heeger A. J. Synthesis of electrically conducting organic polymers: Halogen derivatives of polyacetylene, (CH)n // J. Chem. Society, Chem. Communications. 1977. -№16.-P. 578 - 580.

250. Chiang С. K., Fincher C. R., Park Y. W., Heeger A. J., Shirakawa H., Louis E. J., Gau S. C., MacDiarmid A. G. Electrical conductivity in doped polyacetylene// Phys. Rev. Lett. 1977.-V. 39.-No. 17.-P. 1098 - 1101.

251. Кобрянский B.M. Лауреаты Нобелевской премии 2000 года по химии А. Хигер, А. Мак-Диармид, X. Сиракава // Природа,- 2001.- № 1.- С. 7-10.

252. Ииокути X., Акамату X. Электропроводность органических полупроводников. Пер. с англ. М.: Издательство иностранной литературы, 1963. - 214 с.

253. Gutmann F., Lyons L. Е. Organic semiconductors. Part A. -Wiley & Sons, 1967.-858 p.

254. Meier H. Organic semiconductors. Verlag Chemie, 1974. - 661 p.

255. Pope M., Swenberg С. E. Electronic processes in organic crystals. Oxford University Press, 1982. - 821 p.

256. Gutmann F., ICeyzer H., Lyons L. E. Organic semiconductors. Part B. -Krieger Publishing Co., 1983. - 723 p.

257. Kao К., Хуанг В. Перенос электронов в твёрдых телах. Ч. 1,2. -Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 352 с.

258. Conjugated polymers / Ed. J. L. Bredas, R. Silbey.- Kluwer, 1991- 624 p.

259. Conjugated conducting polymers / Ed. H.G. Kiess Springer, 1992.-310 p.

260. Primary photoexcitations in conjugated polymers: Molecular exciton versus semiconductor band model / Ed. N. S. Sariciftci. World Scientific, 1997.- 621 p.

261. Organic electronic materials / Ed. R. Farchioni, G. Grosso. Springer, 2001.-448 p.

262. Organic Photovoltaics: Concepts and Realization / Ed. C. Brabec, V. Dyalconov, J. Parisi, N. S. Sariciftci. Springer, 2003. - 297 p.

263. Granqvist C. G. Solar energy materials // Adv. Mater. 2003. - V. 15. -No. 21.-P. 1789- 1803.

264. Peumans P., Uchida S., Forrest S. R. Efficient bulk heterojunction photovoltaic cells using small-molecular-weight organic thin films // Nature. -2003.-V. 425.-P. 158- 162.

265. Bourguiga R., Gamier F., Horowitz G., Hajlaoui R., Delannoy P., Hajlaoui M., Bouchriha H. Simulation of I-V characteristics of organic thin film transistor: Application to the dihexilquaterthiophene // European Phys. J. AP. -2001,-V. 14.-P. 121-125.

266. Dimitrakopoulos С. D., Mascara D. J. Organic thin-film transistors:

267. A review of recent advances // IBM J. Res. & Dev. 2001.- V. 45. - No. 1. -P. 11-27.

268. Someya Т., Katz H. E., Gelperin A., Lovinger A. J., Dodabalapur A. Vapor sensing with a,co-dihexylquarterthiophene field-effect transistors: The role of grain boundaries // Appl. Phys. Lett. 2002. - V. 81. - No. 16. - P. 3079 - 3081.

269. Wegewijs В., de Haas M. P., de Leeuw D. M., Wilson R., Sirringhaus H. Charge carrier mobilities in mesomorphic a,co-dihexylquaterthiophene:

270. A comparative microwave conductivity and thin film transistor study // Synthetic Metals. 1999. -V. 101. - No. 1-3. - P. 534-535.

271. Horowitz G., Hajlaoui M. E., Hajlaoui R. Temperature and gate voltage dependence of hole mobility in poly crystalline oligothiophene thin film transistors // J. Appl. Phys. 2000. - V. 87. - No. 9. - P. 4456 - 4463.

272. Collet J., Tharaud O., Chapoton A., Vuillaume D. Low-voltage, 30 nm channel length, organic transistors with a self-assembled monolayer as gate insulating films // Appl. Phys. Lett. 2000. - V. 76. - No. 14. - P. 1941 - 1943.

273. Katz H. E., Bao Z. The physical chemistry of organic field-effect transistors // J. Phys. Chem. B. 2000. - V. 104. - No. 4. - P. 671 - 678.

274. Rogers J. A., Dodabalapur A., Bao Z., Katz H. E. Low-voltage 0.1 (im organic transistors and complementary inverter circuits fabricated with a low-cost form of near-field photolithography // Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 75. -No. 7.-P. 1010-1012.

275. Horowitz G. Organic field-effect transistors // Adv. Mater. 1998. - V. 10. -No. 5.-P. 365-377.

276. Cedeno С. E. C., Sotomayor Torres С. M. Miniaturization effects on the performance of dihexylquaterthiophene solution-cast field-effect transistors (in press).

277. Юрре Т. А., Рудая Л. И., Климова Н. В., Шаманин В. В. Органические материалы для фотовольтаических и светоизлучающих устройств // Физика и техника полупроводников. 2003. - Т. 37. - № 7. - С. 835 - 843.

278. Schmitt С., Nothofer H.-G., Falcou A., Scherf U. Conjugated polyfluorene/polyaniline block copolymers // Macromol. Rapid Commun. -2001. V. 22. - No. 8. - P. 624 - 628.

279. Neher D. Polyfluorene homopolymers: Conjugated liquid-crystalline polymers for bright blue emission and polarized electroluminescence // Macromol. Rapid Commun. 2001. - V. 22. - No. 17. - P. 1365 - 1385.

280. Барабан А. П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988.-302 с.

281. Коноров П. П., Яфясов А. М. Физика поверхности полупроводниковых электродов. СПб: Изд-во СПбГУ, 2003. - 532 с.

282. Кэй Дж., Лэби Т. Таблицы физических и химических постоянных. ~ М.: Физматгиз, 1962. 248 с. - С. 134.

283. Antolini L., Horowitz G., Kouki F., Gamier F. Polymorphism in oligothiophenes with an even number of thiophene subunits // Adv. Mater. -1998. V. 10. - No. 5. - P. 382 - 385.

284. Porzio W., Destri S., Mascherpa M., Bruckner S. Structural aspects of oligothienyl series from X-ray powder diffraction data // Acta Polymer.,- 1993. V. 44. P. 266-272.

285. Spearman P., Sassella A., Tavazzi S. Transmittance and reflectance spectra of crystalline a,co-dihexyl-quaterthiophene thin films // Synthetic Metals. -2003.-V. 139.-No. 3. P. 877-880.

286. Siegrist Т., ICloc C., Laudise R. A., Katz H. E., Haddon R. C. Crystal growth, structure, and electronic band structure of a-4T polymorphs // Adv. Mater. 1998. - V. 10. - No. 5. - P. 379 - 382.

287. Gamier F. Thin-film transistors based on organic conjugated semiconductors // Chem. Phys. 1998. - V. 227. - No. 1-2. - P. 253 - 262.

288. Верницкая Т. В., Ефимов О. Н. Полипиррол как представитель класса проводящих полимеров (синтез, свойства, приложения) // Успехи химии. -1997. Т. 66. - № 5. - С. 489 - 505.

289. Булярский С. В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во МГУ, 1995. - 400 с.

290. Brown A. R., Jarrett С. P., de Leeuw D. М., Matters М. Field-effect transistors made from solution-processed organic semiconductors // Synthetic Metals. 1997. - V.88. - P. 37-55.

291. Tanase C., Meijer E. J., Blom P. W. M., de Leeuw D. M. Local charge carrier mobility in disordered organic field-effect transistors // Organic Electronics. 2003. - V. 4. - P. 33 - 37.

292. Geurst J. A. Theory of space-charge-limited currents in thin semiconductor layers // Phys. stat. sol. 1966. - V. 15. - P. 107 - 118.

293. Le Comber P.G., Spear W. E. Electronic transport in amorphous silicon films//Phys. Rev. Lett. 1970.-V. 25. - No. 8.-P. 509 - 511.

294. Leamy H. J. Charge collection scanning electron microscopy // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53. - No. 6. - R51 - R80.

295. Donolato C. Evaluation of diffusion lengths and surface recombination velocities from electron beam induced current scans // Appl. Phys. Lett. 1983. -V. 43.-No. l.-P. 120-122.

296. Donolato C., Bell R. O. Characterization of grain boundaries in polycrystalline solar cells using a computerized electron beam induced current system // Rev. Sci. Instrum. 1983. - V. 54. - No. 8. - P. 1005 - 1008.

297. Sawyer W. D., Bell R. O. Digital electron beam induced current imaging: Apparatus and analysis // Rev. Sci. Instrum. 1993. - V. 64. - No. 4.1. P. 937-945.

298. Corlcish R., Puzzer Т., Sproul А. В., Luke K. L. Quantitative interpretation of electron-beam- induced current grain boundary contrast profiles with application to silicon // J. Appl. Phys. 1998. - V. 84. - No. 10. - P. 5473 - 5481.

299. Harju R., Karpov V. G., Grecu D., Dorer G. Electron-beam induced degradation in CdTe photovoltaics // J. Appl. Phys. 2000. - V. 88. - No. 4. -P. 1794- 1801.

300. Gaevslci M., Elfwing M., Olsson E., Kvist A. Three-dimensional investigations of electrical barriers using electron beam induced current measurements // J. Appl. Phys. 2002. - V. 91. - No. 5. - P. 2713 - 2724.

301. Austin M. D., Chou S. Y. Fabrication of 70 nm channel length polymer organic thin-film transistors using nanoimprint lithography // Appl. Phys. Lett. -2002. V. 81. - No. 23. - P. 4431 - 4433.

302. Ioannidis A., Forsythe E., Gao Y., Wu M. W., Conwell E. M. Current-voltage characteristics of organic light emitting diodes // Appl. Phys. Lett. -1998. V. 72. - No. 23. - P. 3038 - 3040.

303. Parker I. D. Carrier tunnelling and device characteristics in polymer light-emitting diodes // J. Appl. Phys. -1994. V. 75. - No. 3. - P. 1656 - 1666.

304. Рисунки (120) и таблицы (5) 109 стр.1. Текстовая часть 149 стр.1. Список литературы 40 стр.