Экспериментальное исследование физических свойств полупроводниковых структур при воздействии ионизирующих излучений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Гадоев, Сабзаали Мухшулович

• Гадоев, Сабзаали Мухшулович
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Гадоев, Сабзаали Мухшулович

СОДЕРЖАНИЕ

стр

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Литературный обзор. Образование радиационных нарушений в твердых кристаллических телах при облучении

1.1 Введение

1.2 Пороговая энергия образования радиационных дефектов

1.3 Первычные эффектные смещения атомов в узлах при электронном облучении

1.4 Деффекты смещения атомов в узлах при гамма-облучении

1.5 Возбуждение неравновесных электронов и дырок при облучении

1.6 Возникновение тока ионизации в двухслойной структуре (р-п переходе)

1.7 Радиационные эффекты в полупроводниках при облучении их малыми дозами облучения

1.8 Влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые

изделия

Заключение

Глава 2. Поверхностные радиационные явления в полупроводниковых структурах

2.1 Поверхностные радиационные эффекты в полупроводниковых структурах

2.2 Деградационные эффекты в облученных структурах

2.3 Поверхностные радиационные явления в структурах с инжекционным питанием

2.4 Вторичные ионизационные эффекты в полупроводниковых

структурах

Заключение

Глава 3. Использование ионизирующего излучения в технологии полупроводниковых структур и изделий

3.1 Влияние облучения на биполярные интегральные микросхемы

3.2 Влияние радиации на интегральные микросхемы ТТЛ и ТТЛШ -

типа

3.3 Влияние облучения на интегральные микросхемы И2Л

3.4 Изменение параметров аналоговых микросхем под действием радиации

3.5 Воздействие импульсного облучения на микросхемы

3.6 Влияние импульсной радиации на МДП интегральных

микросхем

Заключение

Глава 4. Эффекты защелкивания в полупроводниковых структурах и изделиях в поле дестабилизирующих факторов

4.1 Эффекты защелкивания в полупроводниковых структурах

4.2 Основные предпосылки эффекта защелкивания в интегральных

микросхемах

4.3 Эффекты защёлкивания в полупроводниковых структурах различных типов

4.4 Влияние электрического режима полупроводниковых структур

на эффект защелкивания

4.5 Влияние и уровни внешних дестабилизирующих воздействий на ИМС

4.6 Электрическое защелкивание в полупроводниковых структурах

4.7 Моделированние эффектов защелкивания

4.8 Электрические эквивалентные схемы для анализа эффекта защёлкивания

4.9 Аналитические методы расчета параметров элементов эквивалентных схем (эс)

4.10 Экспериментальные методы возбуждения защелкивания в полупроводниковых структурах

4.11 Выявление слабых мест полупроводниковых структур при защелкивании

4.12 Аттестационные испытания полупроводниковых структур на защелкивание

4.13 Радиационное защёлкивание в биполярных микросхемах

4.14 Радиационное защёлкивание в микросхемах на униполярных

транзисторах

Заключение

Глава 5. Моделирование работы полупроводниковых структур при внешних воздействиях

5.1 Физические проблемы моделирования воздействия облучения лазером в широком диапазоне температур

5.2 Экпериментальные методы исследования воздействия лазерного излучения на полупроводниковые структуры

5.3 Температурные исследования параметров моделей физического

уровня

Заключение

ОБЩЕЕ ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА

Сокращения

и условные обозначения

БИС большая интегральная микросхема

ЗУПВ запоминающее устройство с произвольной выборкой

имс о интегральные микросхемы

И2Л интегральная инжекционная логика

иии импульсное ионизирующее излучение

ИР ионизационная реакция

кмдп комплементарные металл-диэлектрик - полупроводник

лсм лазерный сканирующий микроскоп

ЛИ лазерное излучение

нз носители заряда

ОУ операционные усилители

РЭА радио электронная аппаратура

РЗ радиационное защелкивание

СБИС сверх большая интегральная микросхема

сис микросхемы средней степени интеграции

ТТЛ транзисторно - транзисторные логические микросхемы

ТЮШАС программа двухмерного анализа

эз электрическое защелкивание

эс эквивалентная схема

эсл эмиттерно-связанная логическая микросхема

мдп металл-диэлектрик-полупроводник

МОП металл- окисел - полупроводник

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Экспериментальное исследование физических свойств полупроводниковых структур при воздействии ионизирующих излучений»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы. Большие функциональные возможности и высокие эксплуатационные характеристики обусловливают широкое применение полупроводниковых структур в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА), в том числе, используемой в различных устройствах ядерной энергетики, космической технике и физическом эксперименте. Накопленный к настоящему времени обширный теоретический и экспериментальный материал показывает высокую чувствительность полупроводниковых устройств к воздействию различного рода ионизирующих излучений, характерных для условий работы аппаратуры такого типа. Поэтому проблема обеспечения радиационной стойкости аппаратуры на полупроводниковых структурах за последние годы стала одной из важнейших среди комплекса других традиционных проблем, связанных с проектированием высоконадёжной и стабильной РЭА.

Современные исследования в этой области показывают, что разнообразие технологий полуроводниковых структур, особенностей схемотехнического и конструктивного исполнения микросхем, их функциональной реализации и условий применения приводит к существенному различию в характере поведения конкретных полупроводниковых структур под действием радиации. В связи с этим для проектирования радиационностойких полупроводниковых структур и устройств на их основе необходимо располагать подробной информацией не только о физике радиационных процессов в материалах электронной техники, но и об особенностях их проявления в различных интегральных структурах (ИС), не только о зависимости основных параметров ячеек (ИС) от облучения, но и о влиянии схемотехнической, структурной и функциональной организации полупроводниковых структур на их радиационную стойкость, и, наконец, не только об изменении под действием

радиационных факторов статических, динамических и функциональных характеристик полупроводниковых структур как самостоятельного объекта, но и о зависимости радиационного поведения этих характеристик от условий применения изделия в составе РЭА, включая особенности режима работы, аппаратной и алгоритмической реализации устройства. К сожалению, на сегодняшний день вопросы адекватности используемых радиационных моделей реальным свойствам анализируемого объекта проработаны явно недостаточно. Из вышеизложенного следует, что поскольку полупроводниковые структуры, используемые в РЭА, средствах автоматики и вычислительной техники могут и должны работать в жёстких условиях эксплуатации (температурные и радиационные поля, среда и т.д.), поэтому исследования изменений характеристик полупроводниковых структур ИС в этих условиях являются важными и актуальными научно-техническими задачами.

Цель и задачи исследования. Целью работы является исследование влияния ионизирующих излучений на физические свойства полупроводниковых структур и приборов различных технологий, а также анализ работы микросхем в жёстких условиях эксплуатации, их диагностика с помощью приёмов физического моделирования.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование процессов образования радиационных нарушений в твёрдых кристаллических полупроводниковых телах при облучении их различными видами ионизирующих излучений и мощности.

2. Изучение влияния облучения на параметры полупроводниковых структур и приборов с целью установления пороговых доз для различных серийных элементов ИС.

3. Оценка работоспособности элементов полупроводниковых структур и приборов при воздействии на них дестабилизирующих факторов.

4. Изучение влияния различных видов излучения на полупроводниковые структуры и интегральные микросхемы различных технологий.

5. Исследование эффекта защёлкивания вполупроводниковых структурах

при их работе в полях дестабилизирующих факторов (температура,

радиация и др.) в зависимости от электрического режима.

Научная новизна работы

- Впервые выполнено многоплановое исследование радиационных эффектов (поверхностных и объёмных) в полупроводниковых структурах различных технологий и их элементов в зависимости от режима работы в полях дестабилизирующих факторов.

- Показано, что радиационное воздействие оказывает сильное влияние на параметры элементов структуры полупроводниковых изделий и приборов, а также на режим их работы.

- Установлено, что полупроводниковые структуры, подвергнутые различным видам облучения, характеризуются наличием пороговой дозы облучения, по достижении которой происходит деградация рабочих режимов.

- Выявлено, что все серийные полупроводниковые структуры различных технологий также характеризуются пороговыми дозами облучения, превышение которых обусловливает возникновение и увеличение радиационных сбоев.

- Установлено, что проявление радиационных эффектов (особенно радиационных сбоев) в полупроводниковых структурах и их элементах зависит от влияния внешних дестабилизирующих факторов (радиации, температуры, электрических режимов и др.).

- Установлено, что на возможность возникновения эффекта защёлкивания, помимо конструктивно-технологического исполнения отдельных паразитных структур, влияет схемотехническая и функциональная организация, а также условия возбуждения полупроводниковых структур в целом.

- Развита и предложена новая система анализа, проектирования и испытаний ИМС с учётом эффекта защёлкивания на основе экспериментального моделирования, включающего комплекс совместимых физических, электрических и функциональных моделей.

- Разработана методика выявления радиационного защёлкивания в полупроводниковых структурах и приборах с целью оценки их работоспособности в жестких условиях эксплуатации.

- Предложена методика имитационных (лазерных) испытаний и определения параметров используемых моделей.

Научно-практическая значимость. Научная и практическая значимость работы заключается в том, что приведенные в ней результаты экспериментального и теоретического характера по излучению влияния ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры и приборы различных типов и технологий могут быть использованы для создания технологий проиводства приборов опто- и микроэлектроники. Полученные результаты позволяют прогнозировать и наметить пути повышения радиационной стойкости полупроводниковых структур и открывают новые перспективы для создания более современных ИС, отвечающих потребностям новейшей техники. Результаты работы внедрены в НИИТТ при разработке БИС ПЗУ высокой информационной ёмкости (г. Москва).

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты исследований по излучению влияния различных видов ионизирующего облучения на дискретные элементы полупроводниковых структур, оценка основных электрофизических параметров, характеризующих их работоспособность в поле излучений и других дестабилизирующих факторов.

2. Определение для каждого элемента полупроводниковых структур различного технологического происхождения пороговой дозы облучения, после достижения которой происходит изменение их рабочих параметров.

3. Установление влияния поверхностных радиационных эффектов на функциональную деятельность полупроводниковых структур различных технологий, работающих в полях ионизирующих излучений.

4. Экспериментальное обоснование эффекта защёлкивания в полупроводниковых структурах при их работе в полях дестабилизирующих факторов (температура, радиация и др.) в зависимости от электрического режима и др.

5. Разработка методики проведения экспериментов на лазерном имитаторе, которая позволяет надёжно контролировать проявление эффекта защёлкивания в многослойных полупроводниковых структурах в широком диапазоне интенсивности излучения и температуры, режимов работы ИМС и др.

Достоверность результатов. Достоверность полученных результатов обеспечивалась применением современных информативных и надёжных физических методов исследования структуры, электрофизических свойств и радиационной стойкости полупроводниковых структур и приборов, а также хорошим согласием полученных в работе результатов с данными других исследователей.

Личный вклад автора определяется на всех этапах научного исследования, как при постановке задачи, так и при непосредственном выполнении комплексных технологических, структурных и электрофизических исследований полупроводниковых структур, приборов и ИМС, изучении их стабильности в полях дестабилизирующих факторов. Апробация результатов работы. Результаты работы доложены и обсуждены на следующих конференциях: Всесоюзной конф. по исследованию полупроводниковых материалов в твёрдом и жидком состояниях (Душанбе, 1989); Всесоюзной конф. по проблемам создания полупровод-никовых приборов ИС и РАЭ на их основе, стойких к ВВФ (Петрозаводск, 1991); Всесоюзной конф. по исследованию

полупроводниковых материалов в твёрдом состоянии (Душанбе, 1992); республиканской конф. по физико-химическим основам получения и исследования полупроводниковых материалов в твердом и жидком состояниях (Куляб, 1992); международной конф., посвященной 50-летию ТГНУ и 70-летию профессора Нарзуллоева Б.Н. (Душанбе, 1997); международной конф., посвящённой 80-летию Сулеймонова И.С. (Душанбе, ТТУ, 1997); международной конф. по физике конденсированного состояния (Душанбе, 1998); научно-теорет. конф., посвященной 50-летию ТГНУ (Душанбе, 1999); республиканской конф., посвящённой 1100-летию государства Саманидов (Душанбе, 1999); республиканской конф. по физике конденсированных сред, посвящённой памяти профессора Б.Г. Гафурова (Душанбе, 1999); международной конф. посвящённой 90-летию академика Гафурова Б.Г. (Худжанд, 2002); научно-теорет. конф. профессорско-преподавательского состава ТГНУ (Душанбе, 2002); международной конференции по физике конденсированного состояния и экологических систем (ФКС и ЭС), ФТИ им.С.У. Умарова АН РТ (Душанбе, 2004); международной конф. по физике конденсированного состояния, посвященной 100-летию теории относительности А. Эйнштейна (Душанбе, 2005); международной конф., посвящённой 60-летию ТНУ (Душанбе, 2008 г.); научно-теорет. конференции профессорско-преподавательского состава ТНУ, посвящённой 18-ой годовщине независимости Республики Таджикистан (Душанбе, 2009); республиканской научной конф. «Проблемы современной координационной химии», посвященной 60-летию члена-корр. АН РТ, профессора Аминджанова A.A. ( Душанбе, 2011); республиканской научно-практ. конф. «Перспективы энергетики Таджикистана», посвящённой 55-летию ТТУ им. академика М.С.Осими (Душанбе, 2011); республиканской научно-практ. конф. посвящённой 70-летию проф. Бобоева Т.Б.ДНУ, (Душанбе, 2012); материалы межд. конф. посвящ. 55-летию кафедры ядерной физики. ТНУ, (Душанбе,2014).

По теме диссертации опубликована 51 научная работа, в том числе 24 статей, 27 тезисов докладов, одна книга. Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планами НИР кафедры физической электроники ТНУ, зарегистрированными в ВНИТИ Центре при Госкомитете по науке и технике за номерами госрегистрации № 49000000645 (1999), № 0103.ТД007 (2002). Все исследования, результаты которых представлены в диссертации, выполнены автором.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 глав, общего заключения, списка цитированной литературы. Объем диссертации составляет 223 страницы машинописного текста, иллюстрированного 119 рисунками и 10 таблицами.

ГЛАВАI

ЛИТЕРАТКРНЫЙ ОБЗОР. ОБРАЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ НАРУШЕНИЙ В ТВЕРДЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕЛАХ ПРИ

ОБЛУЧЕНИИ

1.1. Введение

Проникающие излучения все в большей степени используются в различных областях науки и техники. Источниками проникающей радиации могут быть радиационные пояса Земли, космические излучения, атомные энергетические установки, ускорители, гамма - установки, рентгеновские и другие аппараты, создающие потоки электронов, гамма - квантов, нейтронов, тяжелых заряженных частиц. Под воздействием проникающей радиации изменяют свойства в основном все материалы: менее прочными становятся металлы, теряют прозрачность стекла, ухудшаются электрические характеристики полупроводников и др. Поэтому особую актуальность и важность приобретают исследования радиационных нарушений, а также изыскание путей повышения радиационной стойкости материалов и изделий.

Опыт показывает, что полупроводниковые материалы обладают относительно низкой радиационной стойкостью по сравнению, например, с металлами. Радиационные эффекты в полупроводниках (смещения атомов, ионизация, ядерные реакции, поверхностные явления) приводят к деградации характеристик и сокращению срока работы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС) в полях проникающей радиации, а в конечном счете к сбоям в работе и выходу из строя радиоэлектронной аппаратуры [1-3].

Вместе с тем полупроводниковые структуры все шире применяются в радиоэлектронной аппаратуре, в том числе предназначенной для работы в условиях облучения. Преимущество ИМС по сравнению с дискретными приборами состоит в том, что микросхемы имеют малые габариты и массу, минимальную потребляемую мощность и достаточно высокую надежность.

Успешно проводятся работы по увеличению степени интеграции микросхем и улучшению их рабочих характеристик, что привело к созданию больших (БИС) и сверхбольших (СБИС) интегральных микросхем, которые представляют собой целые функциональные узлы вычислительных устройств, из более простых ИМС.

1.2. Пороговая энергия образования радиационных дефектов Оценка радиационных повреждений интегральных микросхем невозможна без ясного представления о механизме образования радиационных дефектов и процессах ионизации в исходных материалах. В настоящее время получены обширные теоретические и экспериментальные данные о влиянии проникающей радиации на твёрдые тела [4 ].

Образование смещённых атомов в твердых телах рассматривают как два процесса это, во-первых, создание смещений при непосредственном взаимодействии излучения с твёрдым телом и, во-вторых, образование вторичных смещений, атомом, т.е энергию для необходимую для необратимого смещения атома из узла кристаллической решетки в междоузлие. Эту энергию обычно называют пороговой энергией смещения Е^. По оценкам [4] величина 25 эВ для кристаллов с энергией связи атомов, близкой к 10 эВ. Значение Ед получено следующим образом. Энергия сублимации атома Ес в твердом кристалле равно половине энергии связи атомов, т.е. примерно 5 эВ, так как возгонка происходит с поверхности кристалла, и для отрыва атома достаточно преодолеть лишь половину межатомных связей. Но это верно только в том случае, если атом перемещается из узла решетки по траектории наименьшего сопротивления в некоторое междоузельное положение, позволяя тем самым соседним атомам вернуться в исходное положение. В действительности смещенный атом получает резкий удар и перемещается не по линии наименьшего сопротивления. В результате соседние атомы не успевают релаксировать. Реальной оценкой значения энергии, затрачиваемой при этом, будет 5ЕС, т. е. Е^=25 эВ.

Таблица 1.1 Пороговые энергии смещения Еа в полупроводниках [5]

Материал Еа, Эв Температура Т, К

81 13 300

20.9 300

22 80

Ое 12.7 263

15.5 300

23 300

14 80

30 80

ваР 330+30 кэВ) 300

ОаАэ 9,1 (ва); 9,8 (Аэ) 300

9,0 (ва); 9,4 (Аз) 300

45 300

15 77

ва8Ь 6,2 (Оа); 7,5 (8Ь) 77

1пР 6,7 (1п); 8,7 (Р) 77

ТпАб 6,7 (1п); 8,3 (Аб) 77

1.3. Первичные эффектные смещения атомов в узлах при электронном облучении

Если рассматривать реальную кристаллическую решетку твёрдого тела, то очевидно, что Е^ будет зависеть от направления движения выбитого атома в кристаллической решетке и меняться в зависимости от места, занимаемого этим атомом внутри решетки. Обычно величину Еа определяют, облучая материал монохроматическим излучением, чаще электронами. Энергия излучения, при которой начинает изменяться какой-либо наиболее чувствител-

ьный параметр материала, например время жизни неосновных носителей в полупроводниках, соответствует пороговой энергии смешений.

Существенное влияние на величину пороговой энергии смещений атомов оказывает температура, при которой происходит облучение. С ростом температуры отклонения атомов возрастают, и при температуре плавления они таковы, что происходит фазовый переход. Поэтому предполагается, что с образованием дефектов в возбужденной области возникают аналогичные условия, при которых средние квадратичные отклонения атомов будут почти таким же, как и при температуре плавления. Приведенные в табл. 1.1 экспериментальные значения пороговых энергий смещения некоторых полупроводников достаточно близко совпадают с предскзанными теорией.

При рассмотрении механизма образования смещений не принимались во внимание эффекты, связанные с кристаллографией решетки. Теоретические и экспериментальные работы показывают, что пороговая энергия смещений в некоторой степени зависит от кристаллографического направления удара. Заслуживает внимания также учет эффекта каналирования частиц при рассмотрении процессов образования радиационных дефектов. Робинзон и Оэн сделали в каскадной теории Кинчина-Пиза учет вероятности каналирования частиц, который дал количество смещенных атомов почти в два раза меньше, чем без такого учета. В действительности могут создаваться такие ситуации, когда нарушения, возникающие в результате облучения, охватывают группы атомов. Это связано с тем, что значительная энергия, переданная одному атому быстрыми частящими, может распределяться между соседними атомами. В этом случае образуются целые области радиационных нарушений. В полупроводниках такие дефекты называют областями разупорядочения. Этот тип дефектов, по-видимому, особенно сильно влияет на надежность интегральных микросхем.

1.4. Деффекты смещения атомов в узлах при гамма-облучении

При облучении гамма-квантами, так же как и быстрыми электронами, происходят смещения атомов и образование дефектов типа пар Френкеля. Однако вероятность непосредственного взаимодействия гамма-квантов с ядрами атомов мала. Обычно образование смещений атомов при гамма-облучении обусловливается действием быстрых электронов, возникающих в результате фотоэффекта, эффекта Комптона и образования электронно-позитронных пар. В области энергий гамма-квантов менее 5 МэВ преобладает эффект Комптона. При более высоких энергиях наряду с этим эффектом существенную роль начинает играть образование электронно-позитронных пар. В кремнии при облучении гамма-квантами 60Со со средней энергией ~ 1,25МэВ комптоновское рассеяние образует электроны со средней энергией ~ 0,59МэВ. Расчет количества смещений под действием гамма - квантов начинается с расчета числа быстрых электронов и электронно-позитронных пар, возникающих под действием гамма-квантов. Вклад фотоэффекта в образование радиационных дефектов незначителен. Затем при вычислении количества смещенных атомов необходимо пользоваться рассмотренной выше теорией образования смещений под действием быстрых электронов. Число электронов, образующихся в 1 см вещества в результате эффекта Комптона при облучении гамма - квантами, определяется выражением

п = ФгКсге, (1.1)

где - флюенс гамма - квантов с энергией Еу; N - концентрация атомов в 1см вещества; ас- поперечное сечение образования комптоновских электронов с энергией Ее, отнесенное к одному атому.

Поперечное сечение комптоновского рассеяния определяется формулой

[ 1 1 • е

(И--Г + 1-* + -г-

[1-е Г (1-е)

(1.2)

где е = Е/Еу;у = Еу/шс2;а0 = т^Ътс1 /Е2;г0 =ц!тс- классический радиус электрона; Z-aтoмный номер веществе. Среднее число смещенных атомов в единиц объема веществе при облучении гамма-квантами можно рассчитать по формуле

=ФуЪ\-аЕ1с1хухстссг^с)Ё12Еа, (1.3)

где-йК/йбс-потери энергии комптоновских электронов; Ес- средняя энергия комптоновских электронов.

Сделанные оценки числа смещений в 1 см3 кремния под действием гамма-квантов 60Со (ег~1,25МэВ) дают значения М(/~5-1(Г3 при Еа=30 эВ и

N,-3-1 (Г2 при Еа=15 эВ. Обнаруживается сильная зависимости количества смещенных атомов от выбранной пороговой энергии смещений.

Наряду с ударным механизмом смещений атомов, который является основным, при облучении гамма-квантами и заряженными частицами может иметь место ионизационный механизм образования радиационных дефектов. В результате свойства некоторых полупроводниковых материалов могут изменяться под действием радиации «допороговых» энергий. Модель ионизационного механизма образования радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах была предложена Варли. Согласной это модели, при облучении кристаллы или некоторые полупроводниковые соединения, отдельные отрицательные ионы могут лишаться двух и более электронов и в результате такой многократной ионизации приобретать положительный заряд. Образовавшийся положительный ион может быть смещен соседними положительными ионами в междоузлие. Однако вопрос о «допороговых» эффектах образования радиационных дефектов в полупроводниках во многом остается спорным.

1.5. Возбуязденне неравновесных электронов и дырок при облучении Возникающие под действием ионизирующих излучений неравновесные электроны и дырки в полупроводниках и диэлектриках могут влиять на

функционирование дискретных полупроводниковых приборов и ИМС. В этой связи представляют интерес рассмотреть в общих чертах физические явления, в результате которых энергия ионизирующих излучений (электронов, протонов, у-квантов и др.) преобразуется в энергию неравновесных носителей тока.

Основная причина возникновения неравновесных электронов и дырок в твердом теле при облучении ионизация. Физический механизм при ионизации кулоновские взаимодействие быстрых заряженных частиц с электронами оболочек атомов вещества. При облучении нейтронами, которые не взаимодействуют с электронными оболочками атомов, также может иметь место ионизация, но в этом случае она является вторичным процессом, связанным с образованием смещенных ионов, а таюке ядер отдачи, возникающих при ядерных реакциях. При облучение гамма-лучами образуются быстрые комптоновские и фотоэлектронные, а также элек-тронно-позитронные пары. Количественной характеристикой ионизационных процессов являются удельные потери энергии, определяемые величиной с1Е/с1х (^-энергия частицы, х-координата частицы на ее траектории). При сравнительно высоких энергиях эти потери доминируют. Потери энергии на смещение атомов малы и составляет менее 1/1000 от полных потерь. Энергия возбужденного электрона может быть любой, если электрон оказывается вне атома, или приобретает определенные (дискретные) значения, если электрон не отрывается от атома, а лишь переходит в возбужденное состояние. При ионизации в газах возникают свободные электроны и положительные ионы, а потери энергии, идущие на ионизацию, принят называть ионизационными. В твердых телах, например в полупроводниках и диэлектриках, по аналогии с газами вводится понятие «внутренней ионизации», которая соответствует переходу валентных электронов в зону проводимости. Образующиеся таким образом избыточные электроны и дырки «свободны» лишь в пределах кристалла.

Важнейшие характеристики ионизационных процессов удельные потери энергии и средняя энергия ионизации рассматривались теоретически и экспериментально в ряде работ [5,6]. Зная эти характеристики, можно рассчитать для данного полупроводника количество неравновесных носителей заряда при ионизации. Заметим, что бомбардирующие заряженные частицы с энергией, превышающей некоторое критическое значение, начинают терять энергии больше на тормозное излучение, чем на ионизацию. Например, критическое значение энергии электронов при облучении кремния равно 28 МэВ, а германия-11 МэВ.

Исходя из того, что почти вся потерянная частицей энергия (поглощенная энергия) расходуется на ионизацию, можно подсчитать максимально возможное количество электронно-дырочных пар, возникающих в 1 см полупроводника или диэлектрика в 1 с:

пи =(р(-с1Е/с1х)/Еи, (1.4)

^ 1

где (р - плотность потока ионизирующего излучения (см" 5 с" ); Ен- средняя энергия ионизации; (¿Е/й5х:-удельные потери энергии. Средняя энергия ионизации для данного вещества-постоянная величина, равная энергии, расходуемой на образование одной электронно-дырочной пары.

1.6. Возникновение тока ионизации в двухслойной структуре Как было отмечено выше при воздействии проникающей радиации на полупроводник в нем будут возникать неравновесные электронно-дырочные пары. Вследствие ионизации примесного полупроводника концентрация основных носителей будет относительно возрастать, но в значительно меньшей степени, чем концентрация не основных. Например, кремний п-типа, имеющий равновесную концентрацию основных носителей пп = 5* 1014 см"3, имеет при комнатных температурах концентрацию не основных носителей, определенную из выражения п,рп=п? («-концентрация носителей при собственной проводимости), равную рп=Ащ 10псм"3. Тогда при образовании вследствие ионизации 5-1011 см"3 неравновесных электронно-дыроч-

ных при концентрация основных носителей увеличится всего на 0,1%, а не основных-примерно в 1,2-10браза.

Электронно-дырочные пары, возникающие в области объемного заряда р-п- перехода, полностью собираются электрическим полем р- п- перехода, образуют ток, которой не имеет временной задержки по отношению к воздействию излучения, так как время переноса носителей через область ¿»-«-перехода мало и составляет величину ~Ю"10 с. Неосновные носители, возникающие в полупроводнике за пределами области объемного заряда, собираются лишь частично и с некоторой задержкой во времени по отношению к воздействию излучения. При этом вклад в ток ионизации дают лишь те носители, которые возникают на расстоянии, не привышающей диффузионную длину от области объемного заряда. Электрический ток, обуслов-ленный ионизацией, по направлению совпадает с токам насыщения р-п- перехода и таким образом увеличивает обратный ток диода. Выражение для тока ионизации, возникающего в структуре с р-п- переходом, можно записать в виде

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Гадоев, Сабзаали Мухшулович, 2015 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев.: Наукова думка, 1979. С.122.

2. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск.: Наука и техника, 1976. С.232.

3. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат. 1969, С.312.

4. Seitz F. On the Disordering of Solids by the Action of Fast Particles// Discussions of the Faraday Society, London, 1949. Vol.5, p.271-282.

5. Юрков Б.Я. Проникновение электронов в германий и кремний // ЖТФ, 1958. Т.58,№6, С.1159-1164.

6. Дирнли Дж., Нортроп В. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений. М.: Мир, 1986. С.359.

7. Мырова Л.О., Испиженко А.З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. М.: Радио и связь, 1983. С. 18.

8. Лодыгина Е.А. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. М.: Сов.радио, 1980.С.87.

9. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. М. ."Атомиздат, 1979.С.12.

10. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981.С. 144.

11. Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. проф. Смирнова Л.С. Новосибирск. Наука, 1977.С.29-44.

12. Болотов Б., Васильев A.B. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Под ред. проф. Смирнова Л.С. Новосибирск. Наука, 1979.С.52.

13. Патрикеев JI.H., Подлепецкий Б.Н., Попов Д.В. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем // MB ССО СССР. МИФИ, М.: 1975. С. 107.

14. Кулаков В.М., Ладыгин Е.А. и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. М.: Советское радио, 1980.С.167.

15. Митчелл Дж., Уилсон Д. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией (Пер. с англ.) М.: Атомиздат, 1970.С.56.

16. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. (Пер. с англ. Под ред. Суриса Р.А.) М.: Мир, 1984.С.44.

17. George W., Clark L. Experimental determination of gain degradation mechanisms/ЛЕЕЕ Trans. Nucl.Sci, 1971. Vol.NS-18, № 6. P. 387-391.

18. Gamma total dose effects on ALS bipolar oxide Wall isolated devices// M.L.Buschbom, E.W.Jeffrey, L.E.Rhime е.а./ЛЕЕЕ Trans Nucl. Sci, 1983.Vol.N S-30, № 6. P. 4105-4109.

19. Гадоев C.M. Воздействие ИИ на работу микроэлектронных схем и их компонентов // Материалы конф. «Координационные соединения и аспекты их применения». Вестник ТГНУ. 2000. Вып.4. С.38-41.

20. Effect of dislocation in silicon transistors with implanted emitters // C.Bull, P.Ashburn, G.R.Booker e.a // Solid State Electronics. 1979. Vol.22. № 1. P.95-104.

21. Nicollian E.N., Brews J.R. MOS Physics technology. New York.: Wiley, 1982. p.275-290.

22. Абаев H.A., Дулин B.H., Наумов Ю.Е. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. М.: Советское радио, 1977.С.39.

23. Chou S. An investigation of lateral transistors - d.c. characteristics//Solid State Electronics, 1971. Vol.14, № 9. P.811-825.

24. Degradation analysis of lateral p-n-p transistors exposed to x-ray irradiation // M.Kato, T.Nakamura, T.Toyabe e.a.// IEEE Trans. Nucl. Sci, 1984. Vol.NS-31, № 6. P. 1513-1517.

25. Gregory B.L., Shafer B.D. latch-up in CMOS integrated Circuits // IEEE Trans. Nucl. Sci, 1973. Vol.NS-20, № 6. P. 293-299.

26. Гадоев C.M. Влияние гамма облучения на стимулированные процессы в полупроводниковых структурах // Наука и новые технологии. 2007. №1.С. 202-203.

27. Pease R.L. latch-up Bipolar LSI Devises // IEEE Trans, on Nucl. Sci, 1981.Vol.NS-28, № 6. P. 4295-4301.

28. Переходные ионизационные эффекты в цифровых интегральных микросхемах. Е.Р.Аствацатурьян, А.В.Раткин, П.К.Скоробогатов //Зарубежная электронная техника. 1983, № 9. С.36-72.

29. Genda J.A. Better Understanding of CMOS latch-up// IEEE Trans. Electron Diviees. 1984. V. ED-31, № 1. P.62-67.

30. Ching-Yuh Fang R., Moll J.L. latch-up Model for the Parasitic p-n-p-n Path in Bulk CMOS // IEEE Trans. Electron Diviees. 1984. V. ED-31, № 1. P. 113-120.

31. Raburn W.D. A Model for the Parasitic SCR in Bulk CMOS // IEDM. 1980.p.252-255.

32. Characterization of CMOS latch-up. C.C.Huang, M.D.Hartranft, N.F.Pu e.a.//IEDM. 1982. P.454-457.

33. Wieder A.W., Werker C. Ocsidu Accurate latch-up Prediction // IEEE Trans. Electron Divvies. 1983. V. ED-30, № 3. P. 240-245.

34. Seeing Through the latch-up Window. F.N.Coppaqe e.a.// IEEE Trans. Nucl. Sci, 1983. Vol.NS-30, № 6. P. 4122-4126.

35. Stationary and Non-stationary spatial Temperature Distribution in semiconductors caused by pulse voltages. V.I.Arkhipov, E.R.Astvatsaturyan e.a.// Int. J.Electronics. 1983. V.55, № 3. P.395-403.

36. Аствацатурьян Е.Р., Годовицын В.А., Ольчак A.C. Условия теплового пробоя в полупроводниковой структуре//Кинетические явления в полупроводниках и диэлектриках. Под ред. А.И.Руденко. М.: Энергоатомиздат, 1988. С. 51-57.

37. Годовицын В.А. Влияние мощных импульсных помех на работу автоматизированных систем физического эксперимента//Автоматизация физических исследований. М.: Энергоатомиздат. 1985.С. 189-193.

38. Архипов В.И., Годовицын В.А., Руденко А.И. Влияние размеров макроскопических дефектов полупроводникового материала на характеристики теплового пробоя // Радиотехника и электроника. 1985. № 6. С.1235-1238.

39. Пат.2088338 (Франция) Объемный кремний для схем. Х.Х.Бергер, С.К.Вейдман. Опубл.12.Ю.71.

40. Аваев И.А., Дулин В.И., Наумов Ю.Е.. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. М.: Сов.радио.1977. С.248.

41. Raymond J.P., Wang T.Y., Schuegraf K.K. Radiation Effects on Bipolar integrated injection Logic // IEEE Trans. Nucl. Sei, 1975. Vol.№ S-22, № 6. P. 2605-2610.

42.Гадоев C.M. Влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые изделия // Библиограф., 7.- Рус. Деп. В НПИ центре. №21 (1810) от 26.06.2009. Душанбе. 23с.

43. Агаханьян Т.М. Интегральные микросхемы. М.:Энергоатомиздат, 1983. С.463.

44. Raymond J.P. MSI/LSI Radiation Response, Characterization and Testing // IEEE Trans. Nucl. Sei, 1974. Vol.№ S-21, № 6. P. 308-322.

45. Чернышев A.A., Голотюк O.H., Попов Ю.В. и др. Радиационная стойкость интегральных схем, применяемых в специализированных ЭВМ //Зарубежная электронная техника. 1984, № 8. С. 87-112.

46. Tallon R.W. Ionizing Radiation Effects on the Sperry Rand Nonvolatile 256-Bit MNOS RAM Array (SR 2256) // IEEE Trans. Nucl. Sei, 1978. Vol. NS-25, №6. P. 1176-1180.

47. Scarpulla J., Morulay R., Aushit C. et al. Rapid Annealing Response of the Hardened 1802 Bulk CMOS Microprocessor // IEEE Trans. Nucl. Sei, 1980. Vol. NS-27, № 6. P. 1442-1448.

48. Wilkin N.D., Self C.T. Temperature Effects on Failure and Annealing Behavior in Dynamic Random Access Memories // IEEE Trans. Nucl. Sei, 1981. Vol. NS-28, № 6. P. 3968-3974.

49. Schrocder J.E., Ochoa A. Latch-up Elimination in Bulk CMOS LSI Circuits // IEEE Trans. Nucl. Sei, 1980. Vol. NS-27, № 6. P. 1735-1738.

50. Pickel J.C., Blanford J.T. CMOS RAM Cosmic Ray Induced Error Rate Analysis // IEEE Trans. Nucl. Sei, 1981. Vol. NS-28, № 6. P. 3962-3967.

51.Coppage F.N. , Evans D.C. Characteristics of Destruction from latch-up in CMOS. // IEEE Trans. Nucl. Sei, 1977. Vol.NS-24, № 6. P. 4122-4126.

52. Агаханян T.M., Аствацатурьян E.P., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат.1989.С.242.

53. Аствацатурьян Е.Р., Никифоров А.Ю., Раткин A.B. Защелкивания в интегральных микросхемах //Зарубежная электронная техника. 1989. Вып. 10. С.22-27.

54. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника. 1986.С. 254.

55. Гадоев С.М. Методы повышение стойкости к защёлкиванию паразитной четырёхслойной структуры // Вестник ТГНУ. №5. 1997. С.26-29.

56. Гадоев С.М., Скоробогатов П.К. Метод возбуждения защёлкивания в ИМС // Тезисы докладов конф., посвящённой 1100-летию государства Саманидов. Душанбинский политехникум им. Ю.Гагарина. Душанбе. 1999. С.86.

57. Переходные ионизационные эффекты в цифровых интегральных микросхемах. Аствацатурьян Е.Р., Раткин А.В., Скоробогатов П.К //Зарубежная электронная техника. 1983. Вып. 9. С.36-72.

58. Герлах В. Тиристоры, (пер.с нем.). М.: Энергоатомиздат.1985.

С.327.

59. Блихер А. Физика транзисторов, (пер. с англ.). Ленинград. Энергоатомиздат.1981. С. 262.

60. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. 1984.М.:Мир.Т.1.

С.450.

61. Troutman R.R. Latch-up CMOS Technology // The problem and it's cure. Boston. 1986. P.243.

62. Yue H., Davicon D. Radiation response of weigh speed CMOS integrated circuits // IEEE Trans. Nucl. Sci, 1987. Vol.NS-34, № 6. P. 1464-1466.

63. Honnold V.R., Goldberg M. Investigation of and di CMOS FxR response of different spectral energies // IEEE Trans. Nucl. Sci, 1975. Vol. NS-22, № 6. P. 2650-2652.

64. Leavy J.f. and Poll R.A. Radiation — induced integrated curcuit latch-up//IEEE Trans. Nucl. Sci, 1969. Vol. NS-16, № 6. P. 96-103.

65. Timothy J. Stultz and John.L. Computer - aided latch-up analysis of integrated circuits// IEEE Trans. Nucl. Sci, 1981. Vol.NS-28, № 6. P. 427-431.

66. Coppage F.N., Allen D.J. Seeing Through the latch-up window// IEEE Trans. Nucl. Sci, 1983. Vol. NS-30, № 6. P. 4121-4125.

67. Гадоев C.M., Якубов С.Э. Тестирование и диагностирование отказов ИМС // Тезисы докладов конф., посвящённой 1100-летию государства Саманидов. Душанбинский политехникум им. Ю.Гагарина. Душанбе. 1999. С.88-89.

68. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат. 1979.С. 312.

69. David M. long. Hardness of MOS and Bipolar integrated circuits // IEEE Trans. 1988. Vol. NS-27, № 6. P. 1675-1679.

70. Гадоев С.М.,Гафуров O.B. Особенности технического и математического обеспечения средств контроля интегральных схем при воздействии различных дестабилизирующих факторов // Научный журнал «Наука и инновация». №1. Душанбе.2014. С.69-71.

71. Dressendorfer P.V., Armandariz M.G. A sem technique for Experimentally locating latch-up path sin integrated circuits // IEEE Trans. 1980. Vol.NS-27, № 6. P. 1688-1692.

72. Vladimiresen A., Zhang K., Newton A.R. Spice version 26-users cuide// University of Colifornia, Barkly Technology. Memo. 1981.p. 1533.

73. Гадоев C.M. Температурная зависимость параметров физического уровня паразитных 4-слойных структур КМДП ИМС // Материалы межд. конф. по физике конденсированного состояния и экологических систем. ФТИ им. Умарова АНРТ. Душанбе. 2002. С.59-61.

74. Johnson А.Н., Baze М.Р. Mechanisms for the latch-up window effects in integrated circuits // IEEE Trans. 1985. Vol. NS-32, № 6. P.4295-4297.

75. Pease R.L. latch-up in bipolar LSI divices // IEEE Trans. 1981. Vol. NS-28, №6. P. 4295-4301.

76. Kovalinski W.A., Koga R., Schauss E. The effects of elevated temperature on latch-up and bit errors in CMOS devices // IEEE Trans. 1981. Vol.NS-33, № 6. P. 1605-1609.

77. Johnson A.H., Baze M.P. Mechanisms for the latch-up window effects // IEEE Trans. 1986. Vol.NS-33, № 6. P. 1605-1608.

78. Аствацатурьян E.P.,.Никифоров А.Ю, Раткин А.В.. Моделирование эффектов защелкивания //Зарубежная электронная техника. 1983. Вып. 10. С.22-27.

79. Chen M.J., Wu C.Y. Two-dimensional model for latch-up analysis // IEEE Trans. 1973. Vol. NS-20, № 6. P. 396-401.

80. Larin F. Radiation effects in semiconductor devices. John Wiley and Sons Incorporated. 1968. P.384-386.

81. Патрикеев JI.H., Подлепецкий Б.Н., Попов В.Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: МИФИ. 1975.С.128.

82. Митчелл Дж., Уилсон Д. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах и полупроводниках (пер. с англ.) М.: Атомиздат. 1970.С.123-127.

83. Гадоев С.М. Влияние гамма облучения на стимулированные процессы в полупроводниковых структурах // Наука и новые технологии. 2007. № 1.С. 202-203

84. Анализ и расчет интегральных схем. (пер. с англ. 4.1.). Под ред. Д.Линна, Ч.Майера и Д.Гамильтона. М.: Мир. 1969.С.369.

85. Gregory B.L., Shafer А.А. Latch-up in CMOS integrated circuits// IEEE Trans. 1973. Vol.NS-20, № 6. P. 293-299.

86. Аствацатурьян E.P., Никифоров А.Ю., Раткин A.B. Электрические эквивалентные схемы для анализа защелкивания //Зарубежная электронная техника. 1989. Вып. 10. С.25-31.

87. Huag С.С., Hartranft M.D., Pu N.F. Characterization of CMOS latch-up//IEDM. 1982. P.454-457.

88. Гадоев С.М. Исследование влияния лазерного излучения на параметры 4- слойных КМДП ИМС // Материалы республиканской научно-практич. конф. «Переспективы энергетики Таджикистана», посвящённой 55-летию ТТУ им.академика М.С.Осими. Душанбе. 2011.С.29-32.

89. Pinto M.R., Duttor R.W. An efficient numerical model of CMOS latch-up// IEEE Trans. Electron devices letters. 1983. V.EDL-4. № 11. P.414-417.

90. Chen M., Wu C.A structure driented model for determinate the substrate spreading Resistance// Solid State Electronics. 1985. V.28. № 9. p.855-866.

91. Seeing Through the latch-up window. F.N.Coppage // IEEE Trans.

Nucl. Sci, 1983. Vol.№ S-30, № 6. P. 4122-4126.

92. Кузьмин В.А. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское радио. 1971. С.178-182.

93. Azarevich J.L., Hardwick W.H. Latch-up window lest // IEEE Trans. Nucl. Sci, 1982. Vol. NS-29, № 6. P. 1804-1808.

94. Аствацатурьян E.P., Годовицын B.A., Ольчак A.C. Условия теплового пробоя в полупроводниковой структуре// Кинетические явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Энергоатомиздат.1989. С.51-60.

95. Гуртов В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов// Обзоры по электронной технике. Полупроводниковые приборы, 1978. Вып. 14. С. 595.

96. IEEE Letters, 1988, v.9, № ю, р.509-511.

97. Spice version 26-user's Guide. A.Vladimirescu, K.Zhaug, A.R.Newton University of California, Berkley, Tech. Memo, 1981.p. 1021.

98. IEEE Letters, 1987, v.TDL-8, № 4, p. 157-159.

99. Symp.VLSI Technol. Tokyo, 1982, p.52-53.

100. An efficient two-dimensional model for CMOS latch-up analysis//Solid State electronics. Vol.29.№ 4. p.398-401.

101. IEEE Trans. Nucl. Sci // An efficient two-dimensional model for CMOS latch-up analysis. 1986. Vol.№ EN-33, № 6. p. 489-493.

102. J.Electrochem. Soc. 1978, v. 125, № 7, p.l 170-1176.

103. Solid State Electronics, 1978, v.22, № 5, p.527-531.

104. Vandre R.H. Effects of Shadows on photocurrent compensated integrated circuits// IEEE Trans. 1973. Vol.NS-21, № 6.p.457-461.

105. Aoki Т., Kasai R., Hariguchi S. Transicut Characteristics of latch-up Bulk CMOS // Electronics letters. 1983. v. NS-19. p.758-759.

106. An efficient two-dimensional model for CMOS latch-up analysis// Solid State electronics. Vol.29.№ 4. p.395-407.

107. Yen-Hew Yang and Ching-Yu Wu. The effect of layout substrate/ Well bias-es and triggering source location of latch-up triggering currents in Bulk CMOS Curcuite//Solid State Electronics, 1989. Vol.32 № 4. p.269-279.

108. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Советское радио. 1963.С.463.

109. Гадоев С.М. Радиационно-стимулированные отказы ИС в зависимости от дозы ионизирующего излучения // Библиограф., 7.- Рус. Деп. В НПИ центре. №21 (1810) от 26.06.2009. Душанбе. Зс.

110. Гадоев С.М. Эффект защёлкивания в комплементарных металл — окисел полупроводник интегральных микросхемах // Современные наукоемкие технологии. 2011. № 2. С.58-61.

111. Методы повышения стойкости ИМС к защелкиванию. Е.Р.Аствацатурьян, А.Ю.Никифоров, А.В.Раткин //Зарубежная электронная техника. 1989. Вып. 10. С.71-74.

112. Агамалян Л.Р., Букис И.Я., Герасимов А.В., Месхи Г.Н., Чиковани Р.Н. Радиационная стойкость МДП приборов и схем на их основе // Зарубежная электронная техника. № 12. 1975. С.89-92.

113. Vandre R.H. Effects of Shadows on photocurrent compensated integrated circuits//IEEE Trans. 1973. Vol.NS-21, № 6.

114. Гадоев C.M., Головин A.B., Никифоров А.Ю. Схематическое моделирование базовых элементов ИС с учетом воздействия импульсного ионизирующего излучения //Тезисы докл. международ, конф. «Проблемы создания полупроводниковых приборов ИС и РЭА».Петрозаводск, 1991. С.74.

115. Гадоев С.М. Влияние равномерного излучения на параметры ИМС// Вестник ДГПУ им.Джураева.Вып.1. Душанбе, 2001. с.84-86.

116. 22 nd Annual Proceedings Reliability Physics, 1984, p.63-68.

117. Ochoa A., Dawes, Estraich D. Latch-up control in CMOS integrated circuits// IEEE Trans. 1979. Vol.S-26, № 6. p. 5074-5078.

118. Каталог изделий фирмы OPTION (ФРГ), 1986.

119. IEEE Letters. 1986, V. EDL-7, № 4, р.232-234.

120. Гадоев С.М. Экспериментальные методы возбуждения «latch-up» в ИМС//Тезисы докл.международной научно-технической конференции «Проблемы физики прочности и пластичности и физики жидкого состояния». Душанбе, 1995. С.86.

121. Гадоев С.М. Температурные зависимости параметров моделей физического уровня //Тезисы докл. республиканской научно-технической конференции «Проблемы физики прочности и пластичности и физики жидкого состояния». Душанбе. 1995. с.87.

122. Гадоев С.М. Аттестационные испытания КМДП ИС защелкивания в условиях повышенной температуры// Вестник ТГНУ.Вып.5. Душанбе.2001. С.51-53.

123. 21 st. Annual Proc. Reliab. Phys. Phoenix. 1983, p.130-137.

124. IEEE/IR PS, 1986, p.220-229.

125. Ochoa A., Dawes, Estraich D. Latch-up control in CMOS integrated circuits//IEEE Trans. 1979. Vol.S-26, № 6. p. 5065-5068.

126. Аствацатурьян E.P., Ахабаев Б.А., Скоробогатов П.К. Исследование переходных эффектов // Зарубежная электронная техника. 1988. Вып.6. С.64-66.

127. Ells T.D., Kim Y.D. Use of a pulsed laser as an aid to transient upset testing of I2L LSI microcircuits// IEEE Trans. 1978. Vol.S-25, № 6. P. 1489-1493.

128. 17 th Reliab. Physics Symp., 1979, p. 183.

129. 15 th Reliab. Physics Symp., 1977, p.204.

130. 18 th Reliab. Physics Symp., 1980, p.l 15.

131. Evaluation Engineering. 1978. № 1. p. 108-110.

132. Louis L Sivo. Fred Rosen and Larry G.Jeffers. latch-up serecning of LSI devices// IEEE Trans. Nucl. Scien, 1978. Vol.NS-29, № 6. P. 1534-1537.

133. Аствацатурьян Е.Р., Ахабаев Б.А.Б Скоробогатов П.К. Лазерный сканирующий микроскоп//3арубежная электронная техника. 1988. Вып.6. С.66-72.

134. Measel P.R., Greegor R.B. and Wohlin K.L. Radiation response of several memory device types// IEEE Trans. Nucl. Sci, 1980. Vol.N S-257 № 6. P. 1416-1419.

135. Mary Ann Hardman and Adrion R. Edwars. Exploitation of pulsed laser to exp lore transient effects on semiconductor devices// IEEE Trans. Nucl. Sci, 1982. Vol.NS-31, № 6. P. 1406-1410.

136. Erickson J J. and Binder D. Specification of bipolar LSI device input state for latch-up testing// IEEE Trans. 1981. Vol. N S-28, № 6. P. 4322-4323.

137. Гадоев C.M. Об эффекте защелкивания в КМДП ИМС при широком диапазоне температур// Тезисы докл.международной конференции, посвященная 70-летию академика Гафурова В.Г. Худжанд. 2002 С.50.

138. Гадоев С.М. Изучение переходных ионизационных эффектов в ИМС// Научный журнал Вестник ТГНУ.Вып.5. Душанбе. 2001. С.44-46.

139. Гадоев С.М., Скоробогатов П.К. Имитационные испытания КМДП ИС на защелкивание при воздействии импульсного излучения в условиях повышенной температуры//Тезисы докл.международной конференции «Физико-химические основы получения и исследования полупроводниковых материалов в твердом и жидком состояниях». Куляб. 1989. С.130.

140. Characterization of CMOS latch-up/ c/e/Huang M.D, Hartrauft N.F. Pu e.a.// IEDM. 1982. P.464-469.

141. Crowley J.L., Junda F.A., Stultz T.J. Technique for Selection of Transient Radiation-Hard Junction-Isolated Integrated circuits// IEEE Trans. 1976. Vol.NS-23, № 6. P. 1703-1708.

142. Investigation of JI and DI CMOS FxR Response at Different spectral energies/V.R.Honnold, M. e.a.// IEEE Trans. Nucl. Sci, 1975. V.NS-22, № 6.

P.2650-2655.

143. Уэйкман Л.К. МОПИС с кремниевыми затворами с повышенной устойчивостью к защелкиванию паразитных тиристоров//Электроника. 1983. Т.56. № 16. с.60-67.

144. Гадоев С.М., Скоробогатов П.К., Султонов Н.С. Физические проблемы моделирования воздействия высокоэнергетического ионизирующего излучения лазером в широком диапазоне температур// Доклады АН РТ. 1992.Т.35. № 2.С.52.

145. Гадоев С.М. Исследование паразитных КМДП-структур при широком диапазоне температур // Вестник ТГНУ. Душанбе. Вып.1. 2001, С.41-44.

146. Гадоев С.М., Гафуров Д.В. Влияние катастрофических отказов в ИС с использованием лазерных имитаторов // Вестник ТГНУ. Вып.5. Душанбе. Сино 2001. С.42.

147. Гадоев С.М. Паразитные эффекты в «latch-up»// Научно-теоретическая конференция профессорско-преподавательского состава ТГНУ. Душанбе. 2002. С.25.

148. Гадоев С.М. Паразитные эффекты в КМДП ИМС при работе в широком диапазоне температур// Полупроводниковые и микроэлектронные устройства обработки данных, (сб.научных трудов). М.: МИФИ. 1991.С. 1825.

149. Аствацатурьян Е.Р., Ахабаев Б.А., Скоробогатов П.К. Лазерный сканирующий микроскоп //Зарубежная электронная техника. 1988. Вып.6. С.66-72.

150. Гадоев С.М., Скоробогатов П.К., Султонов Н.С. Модель для расчета влияния температуры на радиационные защелкивания КМДП-структур//Вестник ТГНУ. Вып.5. Душанбе. 1991. С. 168.

151. Гадоев С.М., Скоробогатов П.К., Раткин A.B. Влияние температуры на активизацию 4-х слойных структур КМДП ИМС// Материалы кон-ференции «Физико-химические основы получения и исследования полупро-водниковых материалов в твердом и жидком состоянии. Куляб. 1989. С.129.

152. Скоробогатов П.К. Основные соотношения для расчета фототоков транзисторных структур//Ддерная электроника. Под ред. Т.М.Агаханяна. М.: Атомиздат. 1979.Вып. 10. С.80-87.

153. Pease R.L. Latch-up Bipolar LSI devises// IEEE Trans. Nucl. Sei, 1981. V.NS-28, № 6. P.4295-4301.

154. Гадоев C.M. Паразитные эффекты в КМДП ИМС при широком диапазоне температур// Акт о внедрении работы. М.: НИИТТ. 1993. СЛ.

155. Уэйкмен Л. К/МОПИС с кремниевыми затворами с повышенной устойчивостью к защелкиванию паразитных приборов//Электроника. 1983. Т.56, № 16. С.65-67.

156. Characterization of CMOS latch-up/ c/e/Huang М/D/, Hartrauft N.F. Pu e.a.//IEDM. 1982. p454-457.

157. Гадоев C.M., Саломов A.A. Температурная зависимость параметров физического уровня в паразитных 4-х слойных структурах КМОП ИС// Тезисы докл. апрельской научной конференции профессорско-преподавательского состава ТГНУ. Душанбе. 1993. С.30.

158. Гадоев С.М. Физические проблемы моделирования воздействия высокоэнергетического излучения в широком диапазоне температур// Материалы научной конференции, посвященной 50-летию Университета. Душанбе. 1998. С.68.

159. Гадоев С.М., Гафуров О.В., Ходжаев Т.А.Исследование влияния радиации на электрофизические параметры терморезисторов //Современные наукоемкие технологии, 2011.№2.С.56-57.

160. Аствацатурьян Е.Р.,РаткинА.В.,Никифоров А.Ю.Переходиые ионизационные эффекты в цифровых интегральных микросхем// Зарубежная электронная техника. 1988. № 1,2.С.48-51.

161. Аствацатурьян Е.Р.,Никифоров А.Ю. Защёлкивания в интегралных микросхемах // Зарубежная электронная техника. 1989. Вып. 10. с.47-55.

162. Гадоев С.М. Исследование влияние лазерного излучения на параметры 4-х слойных КМДП ИМС// Современные наукоемкие технологии, 2011.№З.С.44-48.

163. Методика определения критической температуры теплового прибора полупроводникового элемента. В.Н.Архипов, Е.Р.Аствацатурьян, В.А.Годовицын и др//Измерительная техника. 1983. № 8. С.60-61.

164. Агаханьян Т.М. Интегральные микросхемы. М.:Энергоатомиздат, 1983. С.464.

165. Ширшев Л.Г. Ионизирующие излучения и электроника. М.: Советское радио. 1969. С. 192.

166. Гадоев С.М., Гафуров О.В. Влияние катастрофических отказов ИС с использованием лазерных имитаторов // Вестник ТГНУ. Вып.5. Душанбе. 2001. С.47.

167. IEEE Journal of Solid-State Circuits//Effects of Shadows on photocurrent compensated integrated circuits 1985. V.SC-20. № 1. p. 123-129.

168. Гадоев C.M., Скоробогатов П.К. Влияние температуры и уровня легирования на параметры лазерного имитационного моделирования ионизационных эффектов в кремниевых ИС//Микроэлектроника, 2005 .том34.С.451-454.

169. Гадоев С.М. Паразитные эффекты в метал-диэлектрик-полупроводниковых интегральных микросхемах// Монография. Душанбе. 1998. С.89.

170. Е.Р.Аствацатурьян, О.Н. Голотюк, Ю.А. Попов и др. Проектирование устройств вычислительной техники с учетом радиационных воздействий. М.:МИФИ. 1985.С.220.