Экситонные магнитные поляроны в полупроводниковых квантово-размерных гетероструктурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Яковлев, Дмитрий Робертович

• Яковлев, Дмитрий Робертович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Яковлев, Дмитрий Робертович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение

Сокращения и используемые обозначения

Гл. I Свойства широкозонных полумагнитных полупроводников и

гетероструктур на их основе

§1.1 Основные свойства полумагнитных полупроводников

1.1.1 Система магнитных ионов

1.1.2 Носители заряда и их взаимодействие с системой магнитных ионов

1.1.3 Энергетическая и спиновая релаксация магнитных ионов и носителей в полумагнитных полупроводниках

§1.2 Магнитные полкроны в полумагнитных полупроводниках

§1.3 Гетероструктуры на основе полумагнитных полупроводников

1.3.1 Компоненты квантового конструктора и типы гетероструктур

1.3.2 Гетероструктуры во внешнем магнитном поле

1.3.3 Оптические свойства гетероструктур

§1.4 Экспериментальные методы и исследуемые структуры

Резюме к главе I

Гл. II Условия формирования магнитных поляронов в системах

различной размерности

§2.1 Теоретические аспекты формирования магнитных поляронов в

системах пониженной размерности

§2.2 Метод селективного возбуждения для исследования свойств

экситонных магнитных поляронов

§2.3 Экситонные магнитные поляроны в толстых эпитаксиальных

слоях (31) система)

2.3.1 Магнитные поляроны в (Сс1,Мп)Те

2.3.2 Магнитные поляроны в (С(1,Мп5М§)Те и (Сс1,Мп,гп)Те

2.3.3 Локализация зкситонов, обусловленная формированием магнитных поляронов

§2.4 Экситонные магнитные поляроны в квантовых ямах (2В система) 119 §2.5 Экситонные магнитные поляроны в сверхрешётках

(переход от ЗБ к 2В системе)

2.5.1 Спиновые сверхрешётки (С<1,Мп)Те/(С(1,М£)Те

2.5.2 Сверхрешётки типа I С<1Те/(С(1,Мп)Те

Резюме к главе II

Гл. III Динамика формирования магнитных поляронов

§3.1 Теоретические аспекты динамики формирования магнитных

поляронов

§3.2 Динамика формирования экситонных магнитных поляронов

3.2.1 Эпитаксиальные слои (ЗБ система)

3.2.2 Квантовые ямы (2Б система)

§3.3 Проявление релаксационных процессов в системе

взаимодействующих магнитных ионов в динамике

формирования поляронов

§3.4 Оптическая ориентация магнитных поляронов

§3.5 Иерархия релаксационных процессов при формировании

экситонных магнитных поляронов

Резюме к главе III

Гл. IV Эффекты, определяемые анизотропией магнитных поляронов

в гетероструктурах

§4.1 Теоретическое рассмотрение

§4.2 Подавление квази-двумерных магнитных поляронов во внешнем

магнитном поле

§4.3 Понижение симметрии основного состояния экситона в квантовой яме при формировании магнитного полярона

во внешнем магнитном поле

§4.4 Механизм формирования магнитного полярона с передачей

энергии в зеемановский резервуар системы магнитных ионов

Резюме к главе IV

Гл. У Оптическая характеризация магнитных свойств полумагнитных

полупроводниковых гетероструктур

§5.1 Экситонная спектроскопия как метод исследования локальных

характеристик системы магнитных ионов

§5.2 Переход в фазу спинового стекла в 3D и 2D системах

§5.3 Гистерезисные явления в полумагнитных сверхрешётках

Резюме к главе V

Заключение

Литература

Публикации по теме диссертации

Публикации не вошедшие в диссертацию

Цитируемая литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Экситонные магнитные поляроны в полупроводниковых квантово-размерных гетероструктурах»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Открытие в 1976 г. полумагнитных полупроводников (п/м п/п) ознаменовало появление нового направления физики твёрдого тела, находящегося на стыке физики полупроводников, магнетизма и неупорядоченных систем. Обменное взаимодействие носителей заряда с магнитными примесями (ионами переходных металлов с нескомпенсированным спином), заместившими часть ионов полупроводника, существенно модифицирует оптические и транспортные свойства полупроводникового материала. Оно в тысячи раз усиливает магнитооптические эффекты, приводит к гигантскому спиновому расщеплению зонных состояний, гигантскому эффекту фарадеевского вращения плоскости поляризации света и даёт целый спектр новых эффектов, изучение которых важно для понимания фундаментальных физических явлений и перспективно с точки зрения их практического применения.

Уникальное сочетание полупроводниковых и магнитных свойств делает полумагнитные полупроводники важными модельными объектами для исследования: спин-зависимых явлений в полупроводниках, свойств неупорядоченной спиновой системы, переходящей при определённых условиях в фазу спинового стекла, магнитополяронного эффекта. Использование оптических методов, а также сочетание оптических и магнитометрических методов значительно расширяет экспериментальные возможности иследования свойств этих модельных объектов.

Современный уровень эпитаксиальных технологий роста полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур, в особенности метод молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), позволяет производить структуры с

толщинами слоев в несколько постоянных решётки. При этом имеется возможность варьировать в широких пределах состав слоев, получая сложные структуры с заданным профилем потенциального рельефа для носителей заряда, контролируемым распределением магнитных примесей и необходимыми оптическими свойствами. Полупроводниковые структуры с пониженной размерностью - квантовые ямы, гетеропереходы и др., являются перспективными материалами микро- и оптоэлектроники. Они позволяют реализовать переход от трёхмерной к двумерной системе, что значительно повышает ценность полумагнитных гетероструктур как модельного объекта. Первые полумагнитные гетероструктуры были выращены методом МПЭ в 1984 г., а интенсивные работы их по росту и исследованию начавшись в 1989-90 гг. продолжаются и в настоящее время.

Поляроном называют состояние носителя заряда в релаксирующей среде часть энергии которого зарабатывается за счёт поляризации окружающей среды. Наиболее изученными являются фононные поляроны скоррелированные состояния электрона и колебаний решётки. В случае мешитных поляронов поляризация среды осуществляется за счёт обменного взаимодействия спина носителя и локализованных магнитных моментов, и приводит к ориентации последних в области локализации носителя. Вопрос о критериях стабильности поляронных состояний и их модификации при понижении размерности системы представляет широкий интерес и выходит за рамки физики полумагнитных полупроводников. Сам процесс формирования магнитного полярона тесным образом связан с динамическими свойствами полумагнитных полупроводников, определяющими характер взаимодействия систем носителей заряда, магнитных ионов и фононов.

Целью настоящей работы является всестороннее исследование методами оптической спектроскопии экситонных магнитных поляронов в двумерных и трёхмерных системах, реализуемых в полумагнитных полупроводниках и квантово-размерных гетероструктурах на их основе.

Научная новизна работы определяется рядом перечисленных ниже новых результатов.

Впервые обнаружен и исследован двумерный магнитный полярон в полумагнитных полупроводниковых гетероструктурах (квантовых ямах и сверхрешётках). Показано, что уменьшение размерности системы от трёхмерной к двумерной значительно облегчает условия формирования магнитных поляронов, что находится в качественном согласии с теоретическими предсказаниями.

Формирование экситонных магнитных поляронов (ЭМП) исследовано в эпитаксиальных слоях Сс11.хМпхТе, Сс11-х-уМпх]\/^уТе и Сё 1 -х_уМпх2пуТе в широком интервале составов д;=0-*-0.4. Установлена решающая роль начальной локализации экситона для формирования ЭМП в трёхмерной системе.

Показано, что динамика спиновой организации в процессе формирования ЭМП определяется характерным временем спин-спиновых взаимодействий в системе магнитных ионов. Обнаружен эффект насыщения релаксационных каналов в системе магнитных ионов, приводящий к замедлению формирования ЭМП.

Установлена иерархия релаксационных процессов при формировании экситонных магнитных поляронов. Определены характерные времена и механизмы, соответствующие всем этапам формирования ЭМП.

Предложен и экспериментально обнаружен новый механизм формирования магнитных поляронов в гетероструктурах, обеспечивающий

быструю передачу энергии в зеемановский резервуар, формируемый спинами Мп, прецессирующими во внешнем и обменном полях. Этот механизм на порядок величины сокращает время формирования ЭМП.

Обнаружен эффект спонтанного понижения симметрии системы при формировании двумерного магнитного полярона в магнитном поле, лежащем в плоскости квантовой ямы.

Оптическими методами исследована модификация магнитных свойств системы магнитных ионов вблизи гетерограницы немагнитный / полумагнитный п/п и в тонких слоях п/м п/п. Показано, что фаза спинового стекла не формируется в квази-двумерных слоях п/м п/п толщиной менее 20А, что совпадает с теоретическими представлениями о том, что критическая размерность системы, обеспечивающей формирование спинового стекла, лежит между 2В и ЗО.

Обнаружен эффект фотоиндуцированной смены знака магнитного гистерезиса, связанный с динамическим намагничиванием спиновых кластеров фотоносителями в процессе их спиновой релаксации.

Практическая значимость работы. В диссертации получена новая информация о п/м п/п гетероструктурах, их оптических и магнитных свойствах, статических и динамических характеристиках.

Экспериментальные данные по формированию экситонных магнитных поляронов в двумерных и трёхмерных системах стимулировали теоретическую разработку проблемы формирования магнитных поляронов в системах различной размерности. Это позволило установить основные механизмы, ответственные за энергетические и динамические характеристики магнитных поляронов.

Научные выводы носят общий характер и не ограничиваются объектами исследования, используемыми в работе. Они относяться ко всему классу полумагнитных полупроводников и могут быть использованы в исследованиях по физике поляронных состояний и неупорядоченных спиновых систем. Результаты работы могут быть полезны для разработки оптических методов характеризации магнитных свойств тонкослойных структур.

Основная научная и практическая ценность работы заключается в фундаментальном характере исследованных явлений и установленных закономерностей.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. В формировании экситонных магнитных поляронов в полумагнитных полупроводниках и гетероструктурах на их основе доминирующую роль играют условия начальной локализации экситонов. Начальная локализация экситонов определяется немагнитным потенциальным рельефом и магнитными флуктуациями.

2. Понижение размерности системы от трёхмерной к двумерной, экспериментально реализованное в квантово-размерных гетероструктурах на основе полумагнитных полупроводников, существенно облегчает условия формирования магнитных поляронов. Этот результат находится в согласии с теоретическим выводом о стабилизации автолокализованных состояний в низкоразмерных системах.

3. Динамика формирования экситонных магнитных поляронов определяется характерным временем спин-спиновых взаимодействий в системе магнитных ионов. В двумерной системе изменение волновой функции экситона в процессе формирования магнитного полярона в несколько раз удлиняет время его формирования.

4. Иерархия релаксационных процессов при формировании экситонных магнитных поляронов включает три основных этапа:

0) быстрая релаксация спина экситона на направление момента магнитной флуктуации (<1 пс);

(И) энергетическая и спиновая релаксация магнитных ионов в объёме локализации экситона, приводящая к их выстраиванию и формированию магнитного полярона (-100 пс);

(Ш) медленная релаксация магнитного момента полярона на направление внешнего магнитного поля (~1-н10 не).

Рекомбинация экситонов происходит за времена характерные для второго этапа. Она может прерывать процесс формирования магнитного полярона и препятствовать равновесному распределению поляронных магнитных моментов во внешнем магнитном поле.

5. В полумагнитных гетероструктурах имеется эффективный механизм формирования магнитных поляронов за счёт передачи энергии из резервуара обменного взаимодействия носителя с магнитными ионами в зеемановский резервуар, формируемый спинами Мп, прецессирующими во внешнем и обменном полях. Этот механизм на порядок сокращает характерные времена формирования магнитных поляронов.

6. Стоксов сдвиг экситонной линии люминесценции в полумагнитных полупроводниках и гетероструктурах на их основе определяется конкуренцией между магнитной и немагнитной локализацией и зависит от температуры и величины внешнего магнитного поля, с увеличением которых подавляется вклад магнитных механизмов в локализацию экситонов.

7. Магнитные свойства полумагнитных полупроводниковых гетероструктур, определяемые системой взаимодействующих магнитных ионов,

существенно модифицируются вблизи гетерограниц и в тонких квазидвумерных слоях.

Апробапия работы. Основные результаты работы докладывались на многих отечественных и международных коференциях, симпозиумах, семинарах и школах по физике полупроводников и полупроводниковых гетероструктур. Приглашенные доклады были представлены на: конференции Немецкого Физического общества (Регенсбург, Германия, 1992); конференции по оптике экситонов в квантово-размерных системах (Монпелье, Франция, 1993); конференции по тонким пленкам (Вена, Австрия, 1993); конференции по применению сильных магнитных полей в физике полупроводников (Кембридж, США, 1994); конференции по полумагнитным полупроводникам (Линц, Австрия, 1994); конференции по физике и технологии мезоскопических систем (Черноголовка, Россия, 1994); симпозиуме по физике и технологии наноструктур (С.-Петербург, Россия, 1995); конференции по модулированным полупроводниковым структурам (Мадрид, Испания, 1995); Российской конференции по физике полупроводников (С.-Петербург, Россия, 1996); международной школе по полупроводниковым материалам (Яжовиц, Польша, 1996); зимней школе по физике полупроводников (Зеленогорск, Россия, 1997). Цикл работ А.В.Кавокина, К.В.Кавокина, И.А.Меркулова и Д.Р.Яковлева "Магнитные поляроны в полумагнитных полупроводниковых гетероструктурах" был удостоен премии Учёного Совета ФТИ им.А.Ф.Иоффе за 1996 г.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 56 работах, одна из которых является обзором.

и

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, и заключения. Объём диссертации составляет 266 страниц, включая 89 рисунков, и список литературы из 334 наименований, включая работы автора.

Первая глава носит обзорный характер. В ней приводятся необходимые сведения об оптических и магнитных свойствах широкозоных п/м п/п и гетероструктур на их основе и сделан обзор литературы по проблеме магнитного полярона до 1990 г., т.е. на момент начала исследований, представленных в настоящей работе. Во второй главе исследованы условия формирования экситонных магнитных поляронов в трёхмерных и двумерных системах. Динамическим аспектам формирования ЭМП посвящена глава III. В четвёртой главе рассматриваются эффекты, связанные с анизотропной спиновой структурой магнитополяронных состояний в квантовых ямах. Пятая глава посвящена исследованиям оптическими методами магнитных свойств п/м п/п. Основные результаты и выводы представлены в конце каждой главы.

Библиография разделена на три части. В первую часть включены работы автора, в которых опубликованы основные результаты по теме диссертации. Вторую часть составляют публикации автора, относящиеся к исследованию оптических свойств гетероструктур на основе II-VI полупроводников, но не рассматриваемые непосредственно в настоящей диссертации. В третью часть включена цитируемая литература.

Сокращения и используемые обозначения

ГСР гигантское спиновое расщепление

КЯ квантовая яма

ЛМП локализованный магнитный полярон

ЛЭМП локализованный экситонный магнитный полярон

ME край подвижности (mobility edge)

МП магнитный полярон

МПЭ молекулярно-пучковая эпитаксия

МЦПЛ магнитоиндуцированная поляризованная люминесценция

00 оптическая ориентация

п/м полумагнитный

п/п полупроводник

СВЛ спектр возбуждения люминесценции

СКЯ структура с квантовой ямой (ямами)

СМП связанный магнитный полярон

СвМП свободный магнитный полярон

CP сверхрешётка

SQUID superconducting quantum interference device

ФЛ фотолюминесценция

ЭМП экситонный магнитный полярон

а обменный интеграл для электронов в зоне проводимости

j3 обменный интеграл для дырок в валентной зоне

В напряжённость внешнего магнитного поля

Вех обменное поле индуцируемое носителем

АЕ поляронный сдвиг

Alh_hh расщепление состояний лёгкой и тяжёлой дырок

Ес обменная энергия в зоне проводимости

Ev обменная энергия в валентной зоне

Eg ширина запрещённой зоны

Еш энергия магнитного полярона

Es стоксов сдвиг линии ФЛ относительно СВЛ

eF ГСР состояний тяжёлых дырок в геометрии Фарадея

ev ГСР состояний тяжёлых дырок в геометрии Фойхта

ёмп g-фактор иона Мп2+

1р полный спин МП

J эффективный спин дырки

кв постоянная Больтцмана

Ьв длина диффузии ионов Мп

Ь2 ширина квантовой ямы

М намагниченность

Му флуктуационный магнитный момент в объёме локализации ЭМП магнитный момент ЭМП

ш магнитный момент иона Мп2+

¡лв магнетон Бора

Ы0 число катионов в единичном объёме

Р^ степень оптической ориентации

Рс степень МЦПЛ

Р1 магнитоиндуцированная линейная поляризация ФЛ спин иона Мп2+

¿>0 эффективный спин в модифицированной функции Бриллюэна

Бщ спин электрона (дырки)

Т температура

Т0 эффективная температура в модифицированной функции Бриллюэна

ТМп спиновая температура в системе магнитных ионов

Ть температура решётки (фононной системы)

Тх время продольной релаксации

Т2 время поперечной релаксации

т0 время жизни (экситона)

тл время излучательной рекомбинации

тш время безызлучательной рекомбинации

х8ь время спин-решёточной релаксации

т88 время спин-спиновой релаксации

ту время формирования МП

тл время установления стартовой корреляции

т ш время релаксации магнитного момента ЭМП по направлению

х концентрация ионов Мп

X магнитная восприимчивость

Гл. I Свойства широкозонных полумагнитных полупроводников и гетероструктур на их основе

Полумагнитные полупроводники (п/м п/п) (их ещё называют магнитосмешанными п/п или разбавленными магнитными п/п), открытые Комаровым и Рябченко в 1976 г. [214,225], являются особым классом материалов, привлекающим к себе внимание исследователей уникальным сочетанием полупроводниковых и магнитных свойств. Они включают в себя как широкозонные (С(11.хМпхТе, Сё1-хМпх8е,...) так и узкозонные и безщелевые п/п (Н£1.хМпхТе, ^1_хМпх8е, Щ^Ре^е,...), магнитные свойства которых определяются ионами переходных металлов (Мп, Бе, Со,...) или редкоземельных элементов (Бш, Ей, УЬ,...). Кристаллическая и зонная структуры, магнитные, транспортные и оптические характеристики многих представителей этого класса были детально исследованы за последние 20 лет (см. обзоры [20,48,41] и книги [43,44]). Возможность применения мощных методов оптической спектроскопии (которые не работают в случае магнитных металлов) позволила получить обширную информацию о механизмах взаимодействия и магнитного упорядочивания магнитных примесей в кристаллах. В свою очередь был открыт ряд новых магнитооптических явлений (гигантское спиновое расщепление зонных состояний, гигантское фарадеевское вращение плоскости поляризации света), представляющих практический интерес для создания приборов, измеряющих с высокой точностью статические и быстро меняющиеся (до 5 ГГц [24]) магнитные поля, оптических затворов и модуляторов.

СсЦ.хМпхТе является одним из наиболее исследованных широкозонных п/м п/п, с которого исторически и началось исследование всего класса

материалов [214]. В настоящей работе мы представляем результаты исследований, полученных на эпитаксиальных слоях Cdi-xMnxTe и на гетероструктурах на его основе. Глава I носит обзорный характер. В §1.1. мы рассмотрим основные магнитные и оптические свойства Cdi-xMnxTe и введем понятия, необходимые для последующего рассмотрения формирования магнитных поляронов. Обзор литературы по магнитным поляронам составляет основу §1.2. §1.3 посвящен описанию гетероструктур на основе п/м п/п и их оптических свойств. В §1.4 перечислены применяемые в данной работе экспериментальные методики и исследованные образцы.

Оригинальная часть главы написана по материалам работ [2А, 4А, 9А, 10А, 15А, 16А, 18А, 19А, 22А, 29А, ЗОА, 32А, ЗЗА, 36А, 37А, 38А, 43А, 53А].

§1.1 Основные свойства полумагнитных полупроводников.

Особенностью полумагнитных п/п является наличие системы магнитных ионов, которая обладает энергетическим и спиновым резервуарами и взаимодействует с носителями заряда и фононами. Условно интересующие нас свойства п/м п/п можно описать, рассматривая три взаимодействующие системы п/п кристалла: носители заряда, магнитные ионы и фононы (решётка). Схематически они представлены на рис. 1.1, где рассмотрен случай нелегированного п/п, в котором неравновесные носители создаются светом и время жизни которых т0 ограничено рекомбинационным уходом

(излучательным с характерным временем zR и безызлучательным с временем

тт). Стрелками показаны процессы взаимодействия между системами,

определяющие формирование магнитных поляронов. Рассмотрим детальнее сами системы и характер их взаимодействия. Материал §1.1 основан на обзорах [48,43,41], где и даны детальные ссылки на оригинальные работы.

Рис. 1.1 Основные системы полумагнитного п/п кристалла.

1.1.1 Система магнитных ионов.

л ,

Магнитный ион Мп имеет наполовину заполненную Ъй оболочку с пятью электронами. В кристалле Cdi-xMnxTe его основное состояние характеризуется спином 5=5/2, угловым моментом L=0 и пренебрежимо малым спин-орбитальным расщеплением. Как следствие, его магнитный момент имеет чисто спиновую природу (g-фактор равен 2), а спин-решёточное взаимодействие слабо, что отражается в длинных временах спин-решёточной

релаксации изолированного иона Мп2+. Положение ионов Мп2+ в пространстве строго фиксировано узлами кристаллической решётки (гранецентрированной в Cdi.xMnxTe при х<0.7). Однако, если в идеальном кристалле все эквивалентные узлы решетки заняты, то в твёрдых полумагнитных растворах можно лишь сказать, что вероятность нахождения магнитного иона в данном узле решётки равна их концентрации х.

d-d взаимодействие соседних магнитных ионов со спинами S„, Sm

главным образом определяется скалярным обменным вкладом, описываемым гейзенберговским гамильтонианом

Нпт'еХ = ~2J„m{S„ ' Sm) (1.1),

ще Jnm- обменная энергия, величина которой резко спадает с увеличением расстояния между локализованными спинами. В Cdi-xMnxTe для ближайших соседей, расположенных на расстоянии 4.6А, обменная энергия Jх - -6.3 К

[106,138]. При этом минимуму обменной энергии соответствует

антиферромагнитное упорядочение спинов. Для ионов Мп2+, расположенных во второй (6.5А) и третьей (7.9А) координационных сферах, J2 = -1.9 К и Jъ = -0.4 К [106]. Расчёты показали, что основной вклад в обменное взаимодействие катионов Мп вносит косвенный обмен (superexchange) через

электронные орбиталн аниона Cd, при этом важную роль играет p-d гибридизация электронных состояний [105,107].

Кроме рассмотренного скалярного взаимодействия между спинами магнитных ионов, которое не изменяет величину и направление их суммарного спина, существуют и более слабые нескалярные спин-спиновые взаимодействия (магнито-дипольное и Дзялошинского-Мориа), отвечающие, в частности, за процессы релаксации полного спина магнитных ионов [1]. Гамильтониан машито-дипольного взаимодействия имеет вид

Hnmdip = В • SM -3(SW • rwwl)(Sw• rwm)j (1-2),

^nm

ще gMn - g-фактор Mn2+, ¡iB- магнетон Бора, rnm- вектор, соединяющий позиции магнитных ионов. Оценка характерной энергии этого взаимодействия для ближайших соседей (rnm =4.6Á) даёт величину J^j - 2 А

L «0.013К

[108]. Гамильтониан взаимодействия Дзялошинского-Мориа

HfmDM = -Bnm-[SnxSm] (1.3),

1716 вектор Дзялошинского-Мориа перпендикулярный плоскости

проходящей через взаимодействующие ионы и лежащий между ними анион. Для ближайших соседей Dx= 0.3 К [108] и более чем на порядок величины

превосходит магаито-дипольную энергию.

Отметим, что диполь-дипольное взаимодействие носит дальнодействуюгций характер, а взаимодейстиве Дзялошинского-Мориа существует лишь между ионами, находящимися в соседних узлах магнитной подрешётки. Таким образом для магнитных ионов, расположенных в соседних узлах подрешетки Cd, основной вклад в процессы спиновой релаксации должно давать взаимодействие Дзялошинского-Мориа [108,166], а для изолированных ионов, не имеющих ближайших соседей, - магнито-дипольное

взаимодействие. Нескалярные взаимодействия, несмотря на их малые константы связи, играют определяющую роль в динамических процессах и магнитном упорядочивании (формировании антиферромагнитных спиновых

кластеров и фазы спинового стекла) спиновой системы ионов Мп2+.

Л,

Взаимодействие магнитного момента иона Мп т = -^^вgMJS с внешним магнитным полем В имеет вид

Н"1"8 = ш • В = -[¿в8мп$' В (1.4),

при этом усреднённая компонента спина на направление поля описывается функцией Бриллюэна

5

ще Т- температура, а кв- постоянная Больтцмана. Для случая малых концентраций магнитной примеси (х<0.01) макроскопическая намагниченность п/м п/п описывается той же функцией Бриллюэна

М(Т,В) = -хИ, !Лв8Мп{32) = ^хМ011в§МпВ5/2

Г5!Мм1В} 2 квТ

(1.6),

где - число катионов в единичном объёме. При этом в режиме малых полей или высоких температур ([1вёМпВ/квТ «1) намагниченность линейно зависит от магнитного поля, а магнитная восприимчивость % - сМ/йВ имеет вид закона Кюри

V _ С0Х г 35^0Увёмп П 7ч

Т 12%

Антиферромагнитное взаимодействие соседних магнитных ионов приводит к существенной модификации магнитных свойств. При этом, как показано на рис.1.2, низкотемпературная магнитная восприимчивость является немонотонной функцией х с максимумом при х -0.12 [136]. Для х>0.12

Рис. 1.2 Магнитная восприимчивость Сё1-хМпхТе как функция концентрации х при ТЫ К и 295 К [136].

антиферромагнитное спаривание магнитных ионов доминирует над вкладом от увеличения их концентрации. В режиме малых полей и высоких температур магнитная восприимчивость системы взаимодействующих спинов описывается законом Кюри-Вейсса

ще ©0- температура Кюри-Вейсса. Расчётная оценка этой температуры 0О = = -440 К для Сс11-хМпхТе хорошо согласуется с экспериментально определенной величиной -470 К [170]. Детальный обзор магнитных свойств п/м п/п приведён в [138].

Для описания намагниченности СсЦ-хМпхТе с произвольным составом Мп была предложена феноменологическая формула (модифицированная функция Бриллюэна) [51]

г АИвёмАл

(1.9),

Ч2 кВ{Т+Т0);

ще V эффективный спин (50 <5/2), а Т0- эффективная температура

(Т0 > 0). Значения феноменологических параметров ¿>0 и Т0 определяются

экспериментально магнитометрическими и/или магнитооптическими методами. Зависимости £0 и Т0 от х, измеренные на эпитаксиальных слоях С(11-хМпхТе,

представлены на рис.1.3. В линейном режиме зависимости М(Т,В) от поля

магнитная восприимчивость имеет вид

й

Х = $0хМф^Мп—В5/2

К2кв(Т + Т0))в=о 6 кв(Т + Т0)

Формула (1.9) хорошо описывает экспериментальные результаты в магнитных полях до 10 Т. Более сильные поля изменяют структуру спиновых кластеров, что даёт дополнительный вклад в намагниченность, для описания

которой, в свою очередь, надо привлекать более сложные феноменологические формулы [73,128].

Отметим, что параметры $0 и Т0 определяются статистикой

распределения ионов Мп по узлам катионнои подрешетки и могут зависеть от условий роста кристаллов. Заметный разброс в этих параметрах наблюдается при сопоставлении данных, полученных в различных лабораториях, для х>0.20. Мы наблюдали систематическую разницу в параметрах для кристаллов с л>0.25, выращенных методами молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и Бриджмен. При этом МПЭ слои демонстрировали более "парамагнитное" поведение - меньшие Т0 и большие

£0. Это наблюдение согласуется с результатами работы [162].

Антиферромагнитное взаимодействие соседних магнитных ионов приводит к образованию спонтанно упорядоченных спиновых кластеров. С ростом х размер наибольшего кластера увеличивается, и при критической концентрации х0 такой кластер становится бесконечно большим. В Сс11-хМпхТе по ближайшим соседям бесконечный кластер формируется при х0 -0.2 [19]. Антиферромагнитный характер взаимодействия между соседними „ 2+

ионами Мп и их случайное расположение в спиновых кластерах приводит к тому, что бесконечный кластер при низких температурах проявляет свойства спинового стекла. Температуре фазового перехода соответствует характерный излом в зависимости % = /¡Т'1^, регистрируемый как в магнитометрических

так и в магнитооптических экспериментах [138,217]. При этом было обнаружено, что упорядоченная спин-стекольная фаза возникает и для х < х0,

что свидетельствует о вкладе взаимодействий между ионами из второй и третьей координационных сфер [129,138].

Подробнее проблема формирования спин-стекольной фазы в п/м слоях и гетероструктурах будет рассмотрена в §5.2. Здесь же уместно отметить, что исследования тонких слоев п/м п/п с высокой концентрацией магнитных ионов могут дать ответ на вопрос о критической размерности системы (dt), в

которой возможно существование фазы спинового стекла. Тем самым информация, полученная в ходе таких исследований, выходит за рамки физики п/м п/п и представляет интерес для учёных, занимающихся проблемой спинового стекла в различных системах. Теоретические расчёты указывают, что критическая размерность 3 > dl > 2 попадает в интервал, доступный для

экспериментальной проверки [19]. Имеющиеся к настоящему моменту экспериментальные данные, приведённые в [6,163,56А] и §5.2, свидетельствуют в пользу этого теоретического предсказания.

Магнитные свойства системы взаимодействующих магнитных ионов существенно модифицируются в гетероструктурах, где на границах между полумапгитным и немагнитным материалами магнитные ионы имеют меньшее число магнитных соседей [9А, 139,55]. Этот механизм, в сочетании с частичной диффузией магнитных ионов в немагнитный материал на глубину в 1-5-2 монослоя, значительно усиливает проявления магнитных эффектов в структурах с квантовыми ямами и сверхрешётках. Он проявляется в увеличении спинового расщепления экситонных состояний и в изменении параметров S0 и Т0, приведённых на рис.1.3 [139]. Это обстоятельство

необходимо принимать во внимание при обработке и интерпретации экспериментальных результатов.

Интересную идею о возможности ослабления антиферромагнитного взаимодействия между магнитными ионами и, следовательно, усилении магнитных свойств высказали Ram-Mohan и Wolf [153]. Они отметили, что в

Рис .1.3 Зависимости феноменологических парметров £0 и Т0 от

94-

концентрации ионов Мп для эпитаксиальных слоев Сё1.хМпхТе выращенных МПЭ, С(1Те/Сё1.хМпхТе квантовых ям толщиной 12А и С<!Те/С(11-хМпхТе сверхрешётки с периодом 12А/12А. Параметры определены по гигантскому спиновому расщеплению экситонных состояний [139,36А]. Т= 1.6 К.

Концентрация Мп, х

сверхрешётке МпТе/СсГГе с периодом в 4 монослоя (1 монослой МпТе и 3 монослоя СсГГе), выращенной на подложке с ориентацией (120), расстояние между ионами Мп окажется в л/2 раз больше (т.е. 6.5А), чем между ближайшими узлами катионной подрешётки. В таком упорядоченном твёрдом растворе Cdo.75Mno.25Te взаимодействие между Мп2+ будет определяться т.е. будет почти на порядок слабее, чем в обычном Cdo.75Mno.25Te. Эта идея не подтверждена пока экспериментально.

1.1.2 Носители заряда и их взаимодействие с системой магнитных ионов

В этой части мы рассмотрим взаимодействие электронов из зоны проводимости (^ зоны) и дырок из валентной зоны (р зоны) с ¿/-электронами

А ,

ионов Мп . Именно ър-д, обменное взаимодействие определяет уникальные магнитооптические свойства п/м п/п (гигантское спиновое расщепление (ГСР) зонных состояний, гигантское фарадеевское вращение и т.д.) и отвечает за формирование магнитных поляронов.

Взаимодействие свободного электрона со спином (или дырки со

спином с локализованными спинами 8И описывается гамильтонианом

Кондо

(1-ПХ

п

где константа обменного взаимодействия, г и координаты

электрона (дырки) и магнитного иона, соответственно. Для свободных носителей, которые в силу протяжённости своей волновой функции взаимодействуют сразу с большим числом ионов Мп2+, можно воспользоваться моделью среднего эффективного поля и заменить ^Г на (5г). Отметим, что

и

в силу (1.6) (¿>2) прямо связано с макроскопической намагниченностью

М(Т,В). Кроме того, воспользовавшись приближением виртуального кристалла, можно заменить на х7*р~е1 (г -И), где И- координаты

узлов катионной подрешётки, и перейти к суммированию по всем узлам. Введя обменный интеграл а = (и\]яр~а\и), вычисленный на блоховских электронных

функциях и, получим обменную энергию в зоне проводимости

Ес (1.12).

Рассмотрение, проведённое для четырёхкратно вырожденной валентной зоны Г8 [50], показывает, что р-с1 обменное взаимодействие расщепляет её на четыре компоненты с энергиями

Ду=1*лдЗ(5ж).Л У = (1.13),

где ¡5 = {Х\1яр~а\Х)~ обменный интеграл, вычисленный на блоховских функциях р электронных состояний, ъ 3 - эффективный спин дырки [214]. Обменные константы были определены экспериментально из сопоставления магнитометрических и магнитооптических данных и для С(11-хМпхТе составили И0а = 220 мэВ и Я0/3 = -880 мэВ [51].

Как следует из теоретического рассмотрения, Б-й взаимодействие (отвечающее за величину и знак а) определяется "прямым" обменом, связанным с кулоновским взаимодействием свободного и локализованного электронов [41]. Оно приводит к ферромагнитной взаимной ориентации 5 и й электронов. Вклад в р-й взаимодействие, вносимый р-с1 гибридизацией электронных состояний, намного превосходит прямой обмен, что и определяет знак /3, свидетельствующий об антиферромагнитной ориентации спинов дырок и локализованных магнитных моментов.

По мере отступления от центра зоны Бриллюэна, значения обменных параметров изменяются, как из-за Кейновского перемешивания состояний

валентной зоны и зоны проводимости, так и из-за изменения величины обменного интеграла [15,60]. Однако, для исследованных в данной диссертации структур эти изменения малы [112] и в большинстве случаев ими можно пренебречь.

В модели среднего эффективного поля хорошо описывается большое число экспериментально наблюдаемых явлений в п/м п/п [226]. Условия применимости этого приближения были сформулированы на основе точного решения квантово-статистической задачи [232]. Было показано, что для свободных носителей приближение эффективного поля выполняется вплоть до очень слабых магнитных полей. Для носителей локализованных потенциалом примеси в некотором объёме, применимость приближения обменного поля существенно сужается. Однако, если число магнитных ионов в объёме локализации много больше единицы, то широкий круг явлений описывает модель, основанная на представлении о "локальном обменном поле" [232]. В тех случаях, когда применимость приближения обменного поля не выполняется, необходимо учитывать магнитные флуктуации, которые могут проявляться весьма разнообразно.

В [229] приводится обзор явлений, связанных со спиновыми флуктуациями в подсистеме магнитных ионов. Теоретическое рассмотрение таких явлений требует более полного, чем в приближение среднего поля, учёта носитель-ионного обменного взаимодействия, включающего эффекты виртуального обменного рассеяния зонных носителей на локализованных спинах. Эти эффекты обусловлены недиагональными матричными элементами обменного гамильтониана, учитываемыми во втором порядке теории возмущений по параметру малости / ширина запрещённой зоны).

Расчёты и экспериментальные результаты показывают, что вклады этих

эффектов не велики. Тем не менее, они проявляются в уменьшении ширины запрещённой зоны (эффект нарастает для больших концентраций и низких температур [53]), в неэквидистантности ГСР спектра дырок и приводят к малой перенормировке ГСР (для Сс11-хМпхТе величина эффекта менее 0.5%).

Схема дипольно-разрешённых оптических переходов в Сё1.хМпхТе вблизи края запрещённой зоны во внешнем магнитном поле представлена

на рис. 1.4. Там же в таблице приведены поляризации, относительные интенсивности и энергии переходов. Все эти переходы наблюдаются в геометрии Фойхта (В_1_к, ще к волновой вектор анализирумого света) в двух взаимно перпендикулярных линейных поляризациях. В геометрии Фарадея (В||к) проявляются только циркулярно-поляризованные компоненты сг+ и а~

[225].

Обменное расщепление зонных состояний, будучи пропорционально макроскопической намагниченности п/м п/п, линейно возрастает с увеличением магнитного поля с выходом на насыщение в сильных полях. Его зависимость от внешнего магнитного поля и температуры определяется (1.9), а величина может достигать сотни мэВ (например в Cdo.9Mno.1Te при В=7 Т и ТЫ.6 К расщепление состояний тяжёлой дырки с / = ±3/2 равно 100 мэВ),

что во много раз превосходит спиновые расщепления, определяемые собственным g-фaктopoм электронных состояний (в CdTe ge = -1.644 [5 ЗА] и зеемановское расщепление дна зоны проводимости 0.1 мэВ/Т). Именно это обстоятельство и позволяет говорить об эффекте гигантского спинового расщепления (ГСР) зонных состояний в п/м п/п.

В широкозонных II-VI п/п процессы поглощения и излучения света вблизи края Еш определяются экситонными состояниями. Энергия связи

экситона в CdTe составляет 10 мэВ. В п/м п/п ГСР намного превосходит

Рис. 1.4 Дипольно разрешённые оптические переходы вблизи края запрещённой зоны Сс11_хМпхТе [50]. Отметим, что (5г) < 0.

Переход Поляризация Интенсивность (отн. ед.) Сдвиг от Е& в магнитном поле

Ос 3 (а-рЦМ0х{82)

"Ос л 4

а+ 1 {-а-\рЦк0х(32)

а~ 1 (а + ^НМй)

ж 4

а~ 3 (-а + рЦ^х^)

= +1/2 ^ = -1/2

/ = -3/2 / = -1/2 / = + 1/2 / = +3/2

величину электронно-дырочного обменного взаимодействия (0.6 мэВ в С(1Те [29]). В этом случае можно пользоваться концепцией спинового экситона, предложенной в [228], т.е. рассматривать независимо формирование экситонов между различными спиновыми компонентами электронов и дырок, расщеплённых во внешнем магнитном поле. В [233] было теоретически показано, что в объёмных п/м п/п энергии связи экситонов, построенных из различных спиновых состояний, различаются незначительно и, как правило, этими различиями можно пренебречь. При этом ГСР экситонных состояний с хорошей точностью отслеживает ГСР краёв запрещённой зоны.

1.1.3 Энергетическая и спиновая релаксация магнитных ионов и носителей в полумагнитных полупроводниках

Рассмотрим взаимодействие системы магнитных ионов с фононной системой. Релаксация намагниченности в парамагнитных системах включает два характерных времени: спин-решёточной релаксации т8ь и спин-спиновой

релаксации Т8Б [1]. Время Т8Ь можно сопоставить с временем продольной

релаксации Г}, которое отвечает за энергетическую релаксацию системы.

Время т88, определяемое процессами нескалярных спин-спиновых

взаимодействий, при которых угловой момент спиновой системы передаётся кристаллической решётке, сопоставляется с временем поперечной релаксации

Л ,

Т2. Магнитные оболочки ионов Мп заполнены электронами ровно на половину, а соотвествующее электронное облако имеет сферическую форму и слабо реагирует на связанные с тепловыми колебаниями искажения окружения. Поэтому непосредственное взаимодействие спинов магнитных ионов с фононами вносит очень малый вклад в процесс спиновой и энергетической релаксации. Это отражается в очень длинных временах спин-

л ,

решёточной релаксации изолированных ионов Мл (в Сс1о.998Мпо.оо2Те т8ь ~ 1

мс при 7=2 К [164]).

Резкое укорочение Т81 наблюдается с ростом концентрации магнитных

ионов, что свидетельствует о важной роли спиновых кластеров в релаксационных процессах [164]. Установлено, что спин-решёточная релаксация изолированных спинов осуществляется в два этапа. На первом этапе они передают свой момент и энергию спиновым кластерам. Быстрая релаксация на этом этапе определяется нескалярными взаимодействиями, ще лидирующую роль играет взаимодействие Дзялошинского-Мориа. На втором этапе кластеры, имеющие большое количество возбуждённых состояний внутри дисперсии акустических фононов, релаксируют с передачей энергии в решётку. Времена спин-решёточной релаксации в Сс11.хМпхТе измеренные различными методами [164,172,173], представлены на рис. 1.5. т81 лежат в интервале Ю^Ю"7 с. Они резко сокращаются при увеличении температуры решётки [167] и не сильно зависят от магнитного поля [173,174].

Характерные времена спин-спиновой релаксации в системе магнитных ионов, измеренные по ширине линии ЭПР [93,161], также приведены на рис. 1.5. т88 существенно зависит от концентрации магнитных ионов. Отметим, что времена поперечной релаксации на несколько порядков короче времён продольной релаксации. К примеру, для Cdo.9Mno.1Te т55= с, а 181 >1<Г

с. Малость отношения времён т88/т8ь позволяет вводить для спиновой системы магнитных ионов спиновую температуру ТМп, которая на временах короче т 8Ь может заметно отличаться от температуры кристаллической решётки Ть.

Рис. 1.5 Времена спин-спиновой и спин-решёточной релаксации в Сс11-хМпхТе при Т= 5 К. Стрелками показаны характерные времена формирования экситонных МП Ту. Рисунок взят из [42], времена измерены в работах:

(+) - [164]; (х) - [173]; (□) -[93]; (О) -[161].

о

К В Я" ев О

W

03

5

Он §

<D Оц

PQ

10-2 10-3 10-4 10-5 10-6 10-7 10-8 10-9 10-ю 10-11 10-12 У

lili

т—i—i i i i i

т—I—I I I I I

+

х

+

X

/

О □ спин-спиновое X + спин-решеточное

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Яковлев, Дмитрий Робертович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Важные результаты, полученные в настоящей работе, приведены в резюме, которое сопровождает каждую главу. Главный результат диссертации может быть сформулирован следующим образом:

Впервые обнаружен и исследован магнитный полярон в полумагнитных полупроводниковых гетероструктурах (квантовых ямах и сверхрешётках). Установлено, что формирование экситоннош магнитного полярона определяется в основном условием начальной (немагнитной) локализации экситонов и размерностью системы. Определена иерархия релаксационных процессов определяющих формирование и рекомбинацию экситонных магнитных поляронов.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить благодарность за дружескую помощь и поддержку всем сотрудникам отдела оптики твёрдого тела ФТИ им. А.Ф.Иоффе и кафедры экспериментальной физики (ЕР1П) университета г.Вюрцбурга, ще была выполнена эта работа.

Автор благодарен руководителям научных подразделений чл.-корр. РАН А.А.Каплянскому, акад. РАН Б.П.Захарчене и Prof. Dr. G.Landwehr за поддержку и внимание к работе, что позволило обеспечить её проведение в рамках тесного сотрудничества между ФТИ и университетом г.Вюрцбурга.

Автор глубоко признателен И.А.Меркулову, К.В.Кавокину и А.В.Кавокину, выполнившим работу по созданию теории магнитополяронных состояний, которая в значительной степени определяет современный уровень понимания этого явления.

С большой теплотой и признательностью автор вспоминает своего научного руководителя Игоря Николаевича Уральцева, продолжительная совместная работа с которым во многом определила стиль и методы научной работы автора. И.Н.Уральцев принимал непосредственное участие в первых исследованиях машитополяронных состояний в структурах с квантовыми ямами. Его светлой памяти посвящается настоящая диссертация.

Автор благодарен В.П.Кочерешко, G.Mackh, W.Ossau, U.Zehnder, A.Pohmann, R.Hellmann, E.O.Göbel, Г.Р.Позиной и А.Л.Чудновскому за плодотворное сотрудничество.

Высококачественные гетероструктуры, без которых данное исследование было невозможно, были выращены A.Waag (университет г.Вюрцбурга, Германия), T.Wojtowicz (институт физики Польской Академии Наук, Варшава) и H.Mariette (лаборатория П-VI п/п микроструктур, Гренобль, Франция).

Автор признателен Е.Л.Ивченко, Ал. Л.Эфросу, В.Ф.Агекяну, С.М.Рябченко, В.Д.Кулаковскому, В.Б.Тимофееву, М.Г.Тяжлову,

C.А.Пермогорову, А.Н.Резницкому, J.Gaj, T.Dietl, C.Benoit a la Guillaume,

D.Scalbert, Y.Merle d'Aubigne, Ю.Г.Кусраеву, А.В.Кудинову, Ю.Г.Семёнову за полезные обсуждения результатов.

Проведение исследований в университете г.Вюрцбурга (Германия) стало возможным благодаря поддержке Alexander-von-Humboldt Stiftung (Bonn), Deutsche Forschungsgemeinschaft (SFB 410) и Volkswagen Foundation.

Особую признательность выражает автор своим родителям Р.А.Яковлеву и Т.Н.Яковлевой всестороннюю помощь которых трудно переоценить. Автор искренне благодарен своей жене Любови и дочери Даше за их любовь, поддержку, понимание и терпение.

Публикации по теме диссертации

1А] D.R.Yakovlev, W.Ossau, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, A.Waag, and I.N.Uraltsev, First observation and experimental proof of free magnetic polaron formation in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells И Solid State Commun. 76, p.325-329 (1990) [2A] A.Waag, S.Schmeusser, R.N.Bicknell-Tassius, D.R.Yakovlev, W.Ossau, G.Landwehr, and I.N.Uraltsev, Molecular beam epitaxy growth of ultra thin CdTe-CdMnTe quantum wells and their characterization //Appl.Phys.Lett. 59, p.2995-2997 (1991) [ЗА] R.N.Bicknell-Tassius, Y.S.Wu, A.Waag, W.Ossau, and D.R.Yakovlev,

Photo-assisted molecular beam epitaxy of CdTe-CdMnTe heterostructures //Mater. Sci.Eng. В 9, p.179-183 (1991) [4A] D.R.Yakovlev, I.N.Uraltsev, W.Ossau, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, A.Waag, and S.Schmeusser, Two dimensional exciton magnetic polaron in semimagnetic quantum wells // Surface Science 263, p.485-490 (1992) [5A] D.R.Yakovlev, W.Ossau, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, A.Waag, S.Schmeusser, and I.N.Uraltsev, Two dimensional exciton magnetic polaron in CdTe/CdMnTe quantum well structures II Solid State Commun. 82, p.29-32 (1992) [6A] D.R.Yakovlev, W.Ossau, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, A.Waag, S.Schmeusser,

I.N.Uraltsev, A.Pohlmann, and E.O.Gobel, Dynamics of two dimensional exciton magnetic polaron in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells // J.Crystal Growth 117, p.854-858 (1992) [7A] D.R.Yakovlev, W.Ossau, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, A.Waag, and I.N.Uraltsev, Free and bound magnetic polarons in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells II in: High magnetic fields in semiconductor physics III: Quantum Hall effect and magneto-optics, ed. by G.Landwehr, 1992, Springer series on Solid State Sciences, p.528-532 [8A] D.R.Yakovlev, I.N.Uraltsev, W.Ossau, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, A.Waag, and S.Schmeusser, Two-dimensional exciton magnetic polaron in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells И Proc. Int. Meeting on the Optics of Excitons in Confined Systems, Italy 1991, ed.by A.D'Andrea, R.Del Sole, RGirlanda, A.Quattropani, Institute of Physics Conference Series No 123, p.317-320 (1992) [9A] D.R.Yakovlev, Two dimensional magnetic polarons in semimagnetic quantum well structures II Festkorperprobleme / Advances in Solid State Physics 32, ed. by U.Rossler (Vieweg, Braunschweig 1992) p.251-264 [10A] A.Pohlmann, R.Hellmann, E.O.Gobel, D.R.Yakovlev, W.Ossau, A.Waag, RN.Bicknell-Tassius, and G.Landwehr, Exciton lifetimes in CdTe/CdMnTe single quantum wells //Appl.Phys.Lett. 61, p.2929-2931 (1992) [11 A] D.R.Yakovlev, W.Ossau, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, A.Waag, K.V.Kavokin,

A. V.Kavokin, I.N.Uraltsev and A.Pohlmann, Two dimensional magnetic polaron formation in thin CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells II Proc. 21 Int. Conf. Physics of Semicond., Beijing, China 1992, (World Scientific 1992) p. 1136-1139 [12A] R.Hellmann, A.Pohlmann, D.R.Yakovlev, A,Waag, R.N.Bicknell-Tassius, and G.Landwehr, Time resolved photoluminescence studies of excitons recombination and perpendicular transport in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells and superlattices I I Proc. 21 Int. Conf. Physics of Semicond., Beijing, China 1992, (World Scientific 1992) p. 1008-1011

13А] G.Mackh, W.Ossau, D.R.Yakovlev, A.Waag, D.Hommel, and G.Landwehr, Magnetic polaronsformedfrom localizedexcitons in (Cd,Mn)Te II Proc. 21 Int. Conf. Physics of Semicond., Beijing, China 1992, (World Scientific 1992) p.1952-1955 [14A] K.V.Kavokin, A.V.Kavokin, I.N.Uraltsev, D.R.Yakovlev, G.Landwehr, and A.Pohlmann, Two dimensional exciton magnetic polaron dynamics in thin Cd Те/(Cd, hin) Те quantum wells И SPIE Proc. Vol.1675, Quantum Well and Superlattice Physics IV, ed. by G.H.Döhler and E.S.Koteles (Somerset, New Jersey, USA 1992), p.467-476 [15A] R.Hellmann, M.Koch, J.Feldmann, S.T.Cundiff, E.O.Göbel, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Homogeneous linewidth of the excitonic transition in a semimagnetic CdTe/CdMnTe multiple-quantum-well II Phys.Rev.B 48, p.2847-2850 (1993) [16A] G.Mackh, W.Ossau, D.R.Yakovlev, A.Waag, T.Litz, and G.Landwehr, Exciton magnetic polarons in semimagnetic quantum wells with nonmagnetic and semimagnetic barriers II Solid State Commun. 88, p.221-225 (1993) [17A] D.R.Yakovlev, Exciton magnetic polarons in semimagnetic quantum wells and superlattices

II J.de Physique IV- Colloque C5, Suppl. au Journal de Physique II, Vol.3, p.67-74 (1993) [18A] V.P.Kochereshko, I.AMerkulov, G.RPozina, I.N.Uraltsev, D.R.Yakovlev, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Light induced inversion of magnetic hysteresis in CdTe/(Cd,Mn)Те superlattices И Solid State Electronics 37, p. 1081-1085 (1994) [19A] R.Hellmann, M.Koch, J.Feldmann, S.T.Cundiff, E.O.Göbel, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Dephasing of excitons in CdTe/CdMnTe multiple quantum wells II J.Crystal Growth 138, p.791-795 (1994) [20A] G.Landwehr and D.R.Yakovlev, Exciton magnetic polarons in semimagnetic heterostructures II Известия АН (серия физическая) 58, с. 134-140 (1994) [21A] В.П.Кочерешко, ЕЛ.Ивченко, И.Н.Уральцев, Г.Р.Позина, А.В.Кавокин, Д.Р.Яковлев, Г.Ландвер, А.Вааг, Экситоны в полумагнитных квантовых ямах II Известия АН (серия физическая) 58, с.9-12 (1994) [22А] G.Mackh, W.Ossau, D.R.Yakovlev, А.Waag, G.Landwehr, R.Hellmann, and E.O.Göbel, Localized exciton magnetic polarons in (Cd,Mn)Te II Phys.Rev.B 49, p. 10248-10258 (1994) [23A] G.Mackh, M.Hilpert, D.R.Yakovlev, W.Ossau, H.Heinke, T.Litz, F.Fischer, A.Waag,

G.Landwehr, R.Hellmann, and E.O.Göbel, Exciton magnetic polarons in the semimagnetic alloys (CdMn,Mg)Te // Phys.Rev.B 50, p. 14069-14076 (1994) [24 A] D.R.Yakovlev, Magnetic polarons in semimagnetic quantum wells and superlattices

II in Proc. 1 Ith Int.Conf. on High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors, Boston USA 1994, ed. by D.Heiman (World Scientific 1995) p.646-653 [25A] D.R.Yakovlev, G.Mackh, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr, R.Hellmann, and E.O.Göbel, Exciton magnetic polarons in short-period CdTe/(Cd,Mn) Те superlattices //Proc. 22 Int. Conf. Physics of Semicond., Vancouver, Canada 1994, ed. by D.J.Lockwood (World Scientific 1995) p.2613-2616 [26A] G.Mackh, D.R.Yakovlev, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Effect of magnetic polaron formation on the exciton mobility edge in (Cd,Mn)Te II ActaPhysica Polonica 87, p.265-268 (1995)

27A] D.R. Yakovlev, G.Mackh, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Effect of exciton localization on magnetic polaron formation in Mn-based heterostructures and epilayers // Materials Science Forum, Vols.182-184, p.537-542 (1995), (Trans Tech Publication, Switzerland) [28A] G.Mackh, W.Ossau, D.R.Yakovlev, A.Waag, T.Litz, G.Landwehr, R.Hellmann, and

E.O.Gobel, Exciton magneticpolarons in semimagnetic quantum wells and superlattices with nonmagnetic barriers H Materials Science Forum, Vols.182-184, p.775-778 (1995), (Trans Tech Publication, Switzerland) [29A] E.O.Gobel, R.Hellmann, G.Mackh, D.R.Yakovlev, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Picosecond dynamics of magnetic polarons in semimagnetic quantum well structures H Materials Science Forum, Vols.182-184, p.519-524 (1995), (Trans Tech Publication, Switzerland)

30A] S.T.Cundiff, R.Hellmann, M.Koch, D.R.Yakovlev, A.Waag, E.O.Gobel, and G.Landwehr, Subpicosecond optical dephasing in dilute magnetic semiconductors II Materials Science Forum, Vols.182-184, p.735-738 (1995), (Trans Tech Publication, Switzerland) [31 A] R.Hellmann, S.T.Cundiff, B.Kuhn-Heinrich, M.Koch, D.R.Yakovlev, J.Feldmann, A.Waag, E.O.Gobel, and G.Landwehr, Dephasing of localized and delocalized excitons in disordered CdTe/(Cd,Mn)Te multiple quantum wells II Materials Science Forum, Vols.182-184, p. 199202 (1995), (Trans Tech Publication, Switzerland) [32A] В.П.Кочерешко, Г.Р.Позина, И.А.Меркулов, Д.Р.Яковлев, Г.Ландвер, В.Оссау,

А.Вааг, Эффект инверсии магнитного гистерезиса в полумагнитных сверхрешетках И Письма ЖЭТФ 61, с.390-393 (1995) [ЗЗА] D.R. Yakovlev, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr, and E.L.Ivchenko, Double 2s-ls resonance in LO-phonon-assisted secondary emission of quantum well structures // Phys.Rev.B 52, p.5773-5776 (1995) [34A] G.Mackh, W.Ossau, D.R.Yakovlev, G.Landwehr, R.Hellmann, E.O.Gobel, T.Wojtowicz,

G.Karczewski, and J.Kossut, Exciton magnetic polarons in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells with high manganese contents И Solid State Commun. 96, p.297-304 (1995) [35A] И.А.Меркулов, Д.Р.Яковлев, К.В.Кавокин, G.Mackh, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr, Иерархия релаксационных времен при формировании экситонного магнитного полярона в (Cd,Mn)Te И Письма ЖЭТФ 62, с.313-317 (1995) [36A] D.R.Yakovlev, G.Mackh, B.Kuhn-Heinrich, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr, R.Hellmann, and E.O.Gobel, Exciton magnetic polarons in short-period CdTe/(Cd,Mn)Te superlattices //Phys.Rev.B 52, p.12033-12038 (1995) [37A] V.P.Kochereshko, I.A.Merkulov, G.R.Pozina, I.N.Uraltsev, D.R.Yakovlev, W.Ossau,

A.Waag, and G.Landwehr, Photoinduced inversion of magnetic hysteresis in semimagnetic superlattices II Solid State Commun. 96, p.935-941 (1995) [38A] S.I.Gubarev, V.D.Kulakovskii, M.G.Tyazhlov, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Radiative recombination of free and bound excitons in CdMnTe/CdMgTe quantum wells II Annales de Physique, Colloque C2, suppl. au n° 3, vol.20, p.C2-137 - C2-142 (1995) [39A] G.Mackh, W.Ossau, D.R.Yakovlev, G.Landwehr, T.Wojtowicz, G.Karczewski and J.Kossut, Exciton magnetic polaron features in photoluminescence excitation spectra of CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells with highMn content И Acta Physica Polonica A 88, p. 849-852 (1995)

40A] G.Mackh, W.Ossau, D.R.Yakovlev, R.Hellmann, E.O.Göbel, T.Wojtowicz, G.Karczewski, J.Kossut, and G.Landwehr, Exciton magnetic polarons in strongly confined CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells

II Proc. Int.Conf. on Semiconductor Heteroepitaxy, Montpellier, France 1995, ed. by B.Gil and R.L.Aulombard (World Scientific 1995) p.210-213 [41A] G.Mackh, D.R.Yakovlev, W.Ossau, R.Hellmann, A.Euteneuer, E.O.Göbel, A.Waag,

F.Fischer, and G.Landwehr, Effect of dynamics and dimensionality on the stability of exciton magnetic polarons in (Cd,Mn) rfe/(Cd,Mn,Mg) Te heterostructures

Proc. Int.Conf. on Semiconductor Heteroepitaxy, Montpellier, France 1995, ed. by B.Gil and R.L.Aulombard (World Scientific 1995) p. 151-154 [42A] V.P.Kochereshko, I.A.Merkulov, K.V.Kavokin, D.R.Yakovlev, G.Mackh, W.Ossau, and

G.Landwehr, Optically induced spin orientation of magnetic polarons in semimagnetic super lattices II Proc. Int.Conf. on Semiconductor Heteroepitaxy, Montpellier, France 1995, ed. by B.Gil and R.L. Aulombard (World Scientific 1995) p.218-221

43A] V.D.Kulakovskii, M.G.Tyazhlov, S.I.Gubarev, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Magnetic field induced dissociation of bound excitons in semimagnetic semiconductor quantum wells II II Nuovo Cimento 17 D, p.1549-1553 (1995) [44A] D.R. Yakovlev, "Magneto-optical studies of semimagnetic superlattices

II Solid State Electronics 40, p.35-41 (1996) [45A] R.Hellmann, A.Euteneuer, E.O.Göbel, G.Mackh, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Dynamics of exciton magnetic polarons in (Cd,Mn)Te/(Cd,Mn,Mg)Te quantum wells II J. Crystal Growth 159, p.976-979 (1996) [46A] G.Mackh, W.Ossau, D.R.Yakovlev, M.Hilpert, A.Waag, and G.Landwehr, Exciton magnetic polarons in semimagnetic alloys and quantum wells based on (Cd,Mn,Mg)Te // J. Crystal Research and Technology 31, p.559-562 (1996) [47 A] D.R.Yakovlev and K.V.Kavokin, Exciton magnetic polarons in semimagnetic quantum wells and superlattices II Comments on Condensed Matter Physics 18, p. 51-81 (1996) [48A] D.R.Yakovlev, Magneticpolaronformation in semimagnetic semiconductor heterostructures II Acta Physica Polonica A 90, p.703-714 (1996) [49A] A.L.Chudnovskiy, B.Rosenow, R.Oppermann, D.R.Yakovlev, U.Zehnder, and W.Ossau, Effect of spin-glass phase formation on exciton magnetic polaron in (Cd,Mn)Te II Acta Physica Polonica A 90, p.755-758 (1996) [5OA] D.R.Yakovlev, V.P.Kochereshko, I.AMerkulov, G.Mackh, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Optical orientation of magnetic polarons in semimagnetic superlattices //Proc. 23 Int. Conf. Physics of Semicond., Berlin, Germany 1996, ed. by M.Scheffler and R.Zimmermann (World Scientific, Singapore 1996) p.397-400 [51 A] A.L.Chudnovskiy, B.Rosenow, R.Oppermann, D.R.Yakovlev, U.Zehnder, and W.Ossau, Interaction of exciton magnetic polaron with spin-glass phase in (Cd,Mn)Te II Proc. 23 Int. Conf. Physics of Semicond., Berlin, Germany 1996, ed. by M.Scheffler and R.Zimmermann (World Scientific, Singapore 1996) p.425-428 [52A] A.L.Chudnovskiy, R.Oppermann, B.Rosenov, D.R.Yakovlev, U.Zehnder, and W.Ossau, Effect of spin glass order on exciton magnetic polarons in semimagnetic semiconductors II Phys.Rev.B 55, p.10519-10527 (1997)

5ЗА] A.A.Sirenko, T.Ruf, M.Cardona, D.R.Yakovlev, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr,

Electron and hole g-factors measured by spin-flip Raman scattering in CdTe/(Cd,Mg)Te quantum wells II Phys.Rev.B 56, p.2114-2119 (1997) [54A] D.R.Yakovlev, K.V.Kavokin, I.A.Merkulov, G.Mackh, W.Ossau, R.Hellmann, E.O.Gobel, A.Waag, and G.Landwehr, Picosecond dynamics of magnetic polarons governed by energy transfer to the Zeeman reservoir H Phys.Rev.B 56, p.9782-9788 (1997) [55A] И.А.Меркулов, Д.РЛковлев, К.В.Кавокин, G.Mackh, B.Kuhn-Heinrich, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr, Поляризационные характеристики люминесценции и спонтанное понижение симметрии при формировании магнитных поляронов в квантовых ямах на основе полумагнитных полупроводников I/ ФТТ 39, с.2079-2084 (1997) [56А] U.Zehnder, D.R.Yakovlev, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr, T.Wojtowicz, G.Karczewski, and J.Kossut, Investigation of the spin-glass transition in semimagnetic quantum wells based on (Cd,Mn)Te by means of optical spectroscopy И Acta Physica Polonica A 92, p. 1075-1078 (1997)

Публикации не вошедшие в диссертацию

57А] П.С.Копьев, И.Н.Уральцев, Ал.Л.Эфрос, Д.Р.Яковлев, А.В.Винокурова, Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины, квантовой ямы И ФТП 22, с.422-432 (1988) [58A] G.P.Pozina, A.V.Kavokin, V.P.Kochereshko, I.N.Uraltsev, D.R.Yakovlev, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, and A. Waag, Oscillator strength study of the 2D-3D exciton transition in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells and superlattices II Solid State Commun. 81, p.639-642 (1992) [59A] I.N.Uraltsev, V.P.Kochereshko, A.V.Kavokin, G.R.Pozina, D.R.Yakovlev, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, and A.Waag, Resonant reflectivity study of exciton oscillator strength in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells and superlattices II J.Crystal Growth 117, p.877-880 (1992) [60A] A.V.Kavokin, V.P.Kochereshko, G.RPozina, I.N.Uraltsev, D.R.Yakovlev, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, and A. Waag, Effect of the electron Coulomb potential on hole confinement in II-VI quantum wells II Phys.Rev.B 46, p.9788-9791 (1992) [61 A] E.L.Ivchenko, A.V.Kavokin, V.P.Kochereshko, G.R.Pozina, I.N.Uraltsev, D.R.Yakovlev, R.N.Bicknell-Tassius, A.Waag, and G.Landwehr, Exciton oscillator strength in magnetic field induced spin superlattices CdTe/(Cd,Mn)Te И Phys.Rev.B 46, p.7713-7722 (1992) [62A] E.L.Ivchenko, A.V.Kavokin, V.P.Kochereshko, G.R.Pozina, I.N.Uraltsev, D.R.Yakovlev, A.Waag, R.N.Bicknell-Tassius, and G.Landwehr, Giant oscillator strength of excitons in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells II Proc. 21 Int. Conf. Physics of Semicond., Beijing, China 1992, (World Scientific 1992) p. 1140-1143 [63A] A.V.Kavokin, V.P.Kochereshko, G.RPozina, I.N.Uraltsev, D.R.Yakovlev, G.Landwehr, R.N.Bicknell-Tassius, and A.Waag, Effect of Coulomb potential well on exchange induced properties of CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells

II SPIE Proc. Vol.1675, Quantum Well and Superlattice Physics IV, ed. by G.H.Döhler and E.S.Koteles (Somerset, New Jersey, USA 1992) p.477-484 [64A] R.Hellmann, A.Pohlmann, E.O.Göbel, D.R.Yakovlev, A.Waag, R.N.Bicknell-Tassius, and G.Landwehr, Time-resolved photoluminescence studies of perpendicular transport in CdTe/CdMn Те short-period superlattices 11 J.Appl.Phys. 74, p. 5272-5274 (1993) [65A] M.Koch, R.Hellmann, S.T.Cundiff, J.Feldmann, E.O.Göbel, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Excitonic quantum beats in CdTe/CdMnTe quantum wells 11 Solid State Commun. 88, p.515-519 (1993) [66A] R.Hellmann, S.T.Cundiff, M.Koch, J.Feldmann, E.O.Göbel, В-Kuhn-Heinrich,

D.R. Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Exciton dynamics in disordered quantum wells: localized and delocalized regimes II Phys.Rev.B 50, p. 14651-14654 (1994) [67A] V.P.Kochereshko, G.R.Pozina, E.L.Ivchenko, D.R.Yakovlev, A.Waag, W.Ossau,

G.Landwehr, R.Hellmann, and E.O.Göbel, Giant exciton resonance reflectance in Bragg MQW structures И Superlattices & Micro structures 15, p.471-473 (1994)

68А] V.P.Kochereshko, G.R.Pozina, E.L.Ivchenko, D.R.Yakovlev, A.Waag, W.Ossau,

G.Landwehr, R.Hellmann, and E.O.Göbel, Exciton-polaritons in BraggMQWstructures II Proc. 22 Int. Conf. Physics of Semicond., Vancouver, Canada 1994, ed. by D.J.Lockwood (World Scientific 1995) p. 1372-1375 [69A] V.P.Kochereshko, G.R.Pozina, E.L.Ivchenko, D.R.Yakovlev, W.Ossau, A.Waag, and

G.Landwehr, Polariton effects in CdTe/(Cd,Mn)Te heterostructures // Materials Science Forum, Vols. 182-184, p.227-230 (1995), (Trans Tech Publication, Switzerland) [70A] M.Tyazhlov, M.V.Lebedev, V.D.Kulakovskii, A.Forchel, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Renormalization effects in dence neutral magnetoplasmaphotoexcited in CdTe/(Cd,Mn)Те quantum wells II Phys.Stat.Solidi (b) 188, p.565-570 (1995) [71 А] Д.Р.Яковлев, Г.Р.Позина, В.П.Кочерешко, А.Вааг, В.Оссау, Г.Ландвер, Экситонные поляритоны в структурах с квантовыми ямами в условиях брэгговского отражения света II Письма ЖЭТФ 61, с.613-616 (1995) [72А] R.Hellmann, A.Euteneuer, S.G.Hense, J.Feldmann, P.Thomas, E.O.Göbel, D.R.Yakovlev, A. Waag, and G.Landwehr, Low temperature anti-stokes luminescence mediated by disorder in semiconductor quantum well structures II Phys.Rev.B 51, p. 18053-18056 (1995) [73A] V.P.Kochereshko, G.R.Pozina, E.L.Ivchenko, D.RYakovlev, AV.Platonov, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Exciton reflectance in Bragg quantum well structures //Proc. Int. Conf. on Semiconductor Heteroepitaxy, Montpellier, France 1995, ed. by B.Gil and R.L.Aulombard (World Scientific 1995) p.421-424 [74A] D.R.Yakovlev, E.L.Ivchenko, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Double 2s-ls resonance in LO-phonon-assistedsecondary emission of excitons in CdTe/(Cd,Mn)Te MQW structures HII Nuovo Cimento 17 D, p. 1787-1790 (1995) [75A] V.D.Kulakovskii, M.G.Tyazhlov, AF.Dite, A.Forchel, D.R.Yakovlev, A.Waag, and

G.Landwehr, Interparticle interaction in spin-aligned and spin-degenerate exciton systems in II-VI quantum wells II II Nuovo Cimento 17 D, p.1543-1547 (1995) [76A] V.D.Kulakovskii, M.G.Tyazhlov, A.F.Dite, A.I.Filin, A.Forchel, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Interparticle interaction in spin-aligned and spin-degenerate exciton systems and magnetoplasmas in II-VI quantum wells II Phys.Rev.B 54, p.4981 -4987 (1996) [77A] V.D.Kulakovskii, M.G.Tyazhlov, A.I.Filin, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr,

Hierarchy of relaxation times in the system ofMn-ion spins in photoexcited semimagnetic quantum wells II Phys.Rev.B 54, p. R8333-R8336 (1996) [78A] D.R.Yakovlev, V.P.Kochereshko, R.A.Suris, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr,

P.С.M.Christianen, and J.C.Maan, Cooperative exciton-electron excitation in quantum wells with electron gas of low density

II Proc. 23 Int. Conf. Physics of Semicond., Berlin, Germany 1996, ed. by M.Scheffler and R.Zimmermann (World Scientific, Singapore 1996) p.2071-2075 [79A] V.P.Kochereshko, D.R.Yakovlev, A.V.Platonov, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr, and R.T.Cox, Exchange processes in exciton-electron scattering in quantum well structures with a low-density 2DEG

II Proc. 23 Int. Conf. Physics of Semicond., Berlin, Germany 1996, ed. by M.Scheffler and R.Zimmermann (World Scientific, Singapore 1996) p. 1943-1946

80А] V.D.Kulakovskii, M.G.Tyazhlov, A.I.Filin, A.V.Larionov, D.R.Yakovlev, A.Waag, and G.Landwehr, Mn spin density microdomains in highly photoexcited quantum wells with magnetic impurities II Proc. 23 Int. Conf. Physics of Semicond., Berlin, Germany 1996, ed. by M.Scheffler and R.Zimmermann (World Scientific, Singapore 1996) p. 1875-1878 [81 A] V.P.Kochereshko, D.R.Yakovlev, RA.Suris, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr,

P.C.M.Christianen, and J.C.Maan, Combined exciton-electron excitation in quantum wells with electron gas of low density II Superlattice and Microstructures 23, p.283-287 (1998) [82A] J.X.Shen, D.R.Yakovlev, V.P.Kochereshko, H.Schenk, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr, Effects of exciton-electron interaction in CdTe/CdMgTe quantum well structures II Proc. 12th Int. Conf. on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Würzburg, Germany 1996, ed. by G.Landwehr and W.Ossau, (World Scientific, Singapore 1997) p.741-744 [83А] А.В.Платонов, В.П.Кочерешко, Д.Р.Яковлев, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr,

F.Bassani, and R.T.Cox, Спектроскопия дифференциального магнитоотражения легированных и нелегированных полупроводниковых квантовых ям А2В6

II Письма ЖЭТФ 65, с.44-49 (1997) [84А] V.P.Kochereshko, R.A.Suris, D.R.Yakovlev, A.V.Platonov, W.Ossau, A.Waag,

G.Landwehr, F.Bassani, R.T.Cox, P.C.M.Christianen, and J.C.Maan, Combined exciton-electron transitions in a quantum well with low-dence two-dimensional electron gas

И Institute of Physics Conference Series 155, p.717-720 (1997) [85A] М.Г.Тяжлов, А.И.Филин, А.ВЛарионов, В.Д.Кулаковский, Д.Р.Яковлев, AWaag,

G.Landwehr, Спиновая релаксация ионов Мп в квантовых ямах (Cd,Mn)Te/(Cd,Mg)Te при пикосекундном оптическом возбуждении И ЖЭТФ 112, с. 1440-1463 (1997)

86А] С.В.Зайцев, В.Д.Кулаковский, А.А.Максимов, Д.А.Пронин, И.И.Тартаковский,

H.А.Гиппиус, Th.Litz, F.Fischer, A.Waag, D.R.Yakovlev, W.Ossau, and G.Landwehr, Гигантский фиолетовый сдвиг фотолюминесценции в сильно возбужденных сверхрешетках второго типа ZnSe/BeTe

И Письма ЖЭТФ 66, №.5 с.351-356 (1997) [87А] A.V.Akimov, A.V.Scherbakov, A.L.Zhmodikov, V.P.Kochereshko, D.R.Yakovlev, W.Ossau, G.Landwehr, T.Wojtowicz, and J.Kossut, Luminescence detection of nonequilibriumphonons in CdTe/(Cd,Mn)Te semimagnetic quantum wells II Phys.Rev.B 56, p. 12100-12103 (1997) [88A] D.R.Yakovlev, V.P.Kochereshko, RA.Suris, H.Schenk, W.Ossau, A.Waag, G.Landwehr, P.C.M.Christianen, and J.C.Maan, Combined exciton-cyclotron resonance in quantum well structures II Phys.Rev.Lett. 79, p.3974-3977 (1997) [89A] V.P.Kochereshko, D.R.Yakovlev, RA.Suris, W.Ossau, G.Landwehr, T.Wojtowicz, M.Kutrowski, G.Karczewski, and J.Kossut, Combined exciton-electron processes in modulation doped QWstructures II Phys.Stat.Solidi (a) 164, p.213-216 (1997) [90A] Е.Л.Ивченко, В.П.Кочерешко, А.В.Платонов, Д.Р.Яковлев, A.Waag, W.Ossau

G.Landwehr, Резонансная оптическая спектроскопия длиннопериодных структур с квантовыми ямами II ФТТ 39, с.2072-2078 (1997)

91А] M.Kutrowski, G.Karczewski, G.Cywinski, M.Surma, K.Grasza, E.Lusakowska, J.Kossut, T.Wojtowicz, R.Fiederling, D.R.Yakovlev, G.Mackh, U.Zehnder, and W.Ossau, Growth by molecular beam epitaxy and magnetooptical studies of (100) and (120) oriented digital magnetic quantum well structures II Thin Solid Films 306, p.283-290 (1997) [92A] T.Wojtowicz, M.Kutrowski, G.Karczewski, G.Cywinski, M.Surma, J.Kossut,

D.R.Yakovlev, W. Ossau, G.Landwehr, and V.Kochereshko, Novel CdTe/CdMgTe graded quantum well structures II Acta Physica Polonica A 92, p. 1063-1066 (1997) [93A] A.V.Platonov, D.R.Yakovlev, U.Zehnder, V.P.Kochereshko, W.Ossau, F.Fischer, Th.Litz, A.Waag, and G.Landwehr, Exciton states in a type-II ZnSe/BeTe quantum wells II Acta Physica Polonica A 92, p.953-957 (1997) [94A] U.Zehnder, D.R.Yakovlev, W.Ossau, T.Gerhard, F.Fischer, H.J.Lugauer, M.Keim,

G.Reuscher, T.Litz, A.Waag, K.Herz, G.Bacher, A.Forchel, and G.Landwehr, Optical properties of laser diodes and heterostructures based on beryllium chalcogenides II J.Crystal Growth 184-185, p. (1998)

95A] A.V.Platonov, D.R.Yakovlev, U.Zehnder, V.P.Kochereshko, W.Ossau, F.Fischer, T.Litz, A.Waag, and G.Landwehr, Homogeneous linewidth of direct excitons in a type-II ZnSe/BeTe quantum well II J.Crystal Growth 184-185, p. (1998)

96A] D.R.Yakovlev, V.P.Kochereshko, W.Ossau, J.X.Shen, A.Waag, G.Landwehr,

P.C.M.Christianen, and J.C.Maan, Bound and unbound exciton-electron states in II-VI quantum well structures with 2DEG U J.Crystal Growth 184-185, p. (1998)

97A] V.P.Kochereshko, D.R.Yakovlev, W.Ossau, G.Landwehr, T.Wojtowicz, G.Karczewski, and J.Kossut, Exciton-electron interactions in CdTe/CdMgTe modulation-doped QW structures II J.Crystal Growth 184-185, p. (1998)

98A] A.A.Kiselev, E.L.Ivchenko, A.A.Sirenko, T.Ruf, M.Cardona, D.R.Yakovlev, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Electron and hole g factor anisotropy in CdTe/CdMgTe quantum wells И J.Crystal Growth 184-185, p. (1998)

99A] E.L.Ivchenko, V.P.Kochereshko, D.R.Yakovlev, A.V.Platonov, A.Waag, W.Ossau, and G.Landwehr, Optical reflection from long-period multiple quantum wells: Effects of dielectric constant mismatch II J.Crystal Growth 184-185, p. (1998)

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Яковлев, Дмитрий Робертович, 1998 год

Цитируемая литература

[1] A.Abragam and B.Bleany, Electron paramagnetic resonans of transition ions II Clarendon Press, Oxford 1970, p. 1-912

[2] V.F.Aguekian, L.K.Gridneva, and A.Yu.Serov, The magneticpolaron effect in diluted magnetic semiconductor (Cd,Mn)Te with high concentration of manganese

II Solid State Commun. 85, p.859-862 (1993)

[3] V.F.Aguekian, S.Takeyama, S.Adachi, Y.Takagi, and N.Miura, Exciton localization in (Cd,Mn)Te and its dependence on the strong magnetic field

II Solid State Commun. 86, p.205-208 (1993)

[4] R.Andre, C.Deshayes, J.Cibert, Le Si Dang, S.Tatarenko, and K.Saminadayar, Optical studies of the piezoelectric effect in (11 l)-oriented CdTe/(Cd,Zn)Te strained quantum wells II Phys.Rev.B 42, p. 11392-11395 (1990)

[5] D.D.Awschalom, J.M.Halbout, S. von Molnar, T.Siegrist, and F.Holtzberg, Dynamic spin organization in diluted magnetic systems II Phys.Rev.Lett. 55, p. 1128-1131 (1985)

[6] D.D.Awschalom, J.M.Hong, L.L.Chang, and G.Grinstein, Dimensional-crossover studies of magnetic susceptibility in diluted-magnetic-semiconductor superlattices //Phys.Rev.Lett. 59, p. 1733-1736 (1987)

[7] D.D.Awschalom, J.Warnock, and S. von Molnar, Low-temperature magnetic spectroscopy of a dilute magnetic semiconductor I I Phys.Rev.Lett. 58, p. 812-815 (1987)

[8] D.D.Awschalom, J.Warnock, J.M.Hong, L.L.Chang, M.B.Ketchen, and W.J.Gallagher, Magnetic manifestations of carrier confinement in quantum wells //Phys.Rev.Lett. 62, p. 199-202 (1989)

[9] D.D.Awschalom and J.Warnock, Picosecond magnetic spectroscopy of two- and three-dimensional diluted magnetic semiconductors

11 IEEE J. Quantum Electronics 25, p.2570-2579 (1989)

[10] D.D.Awschalom, M.R.Freeman, N.Samarth, H.Luo, and J.K.Furdyna, Observation of polaron dynamics in magnetic quantum wells II Phys.Rev.Lett. 66, p. 1212-1215 (1991)

[11] M. Ayadi, J.Ferre, A.Mauger, and R.Triboulet, Spin-freezing process in a spin-glass: Cd0.Mn0.4Te I I Phys.Rev.Lett. 57, p. 1165-1168 (1986)

[12] G.Bacher, F.Daiminger, A.Forchel, A.Waag, T.Litz, and G.Landwehr, Many body effects in transient luminescence spectra of a homogeneous electron-hole plasma in CdTe/CdMnTe quantum wells II J.Crystal Growth 138, p.856-860 (1994)

[13] C.Benoit a la Guillaume, Free magneticpolarons in three, quasi-two, and quasi-one dimensions I I Vhys. Stat. Sol. (b) 175, p.369-380 (1993)

[14] C.Benoit a la Guillaume, Yu.G.Semenov, M.Combescot, Free magnetic polaron: A nonlinear Hamiltonian approach II Phys.Rev.B 51, p. 14124-14133 (1995)

[15] A.K.Bhattacharjee, Magneto-optics near the L point of the Brillouin zone in semimagnetic semiconductors II Phys.Rev.B 41, p.5696-5700 (1990)

[16] A.K.Bhattacharjee, Nanocrystals of diluted magnetic semiconductors: Model for magnetic polaron II Phys.Rev.B 51, p.9912-9916 (1995)

[17] A.K.Bhattacharjee and C.Benoit a la Guillaume, Exciton magnetic polaron in semimagnetic semiconductor nanocrystal II Phys.Rev.B 55, p. 10613-10620 (1997)

[18] R.N.Bicknell, R.W.Yanka, N.C.Giles-Taylor, D.K.Blanks, E.L.Buckland, and J.F.Schetzina, (Cd,Mn) Te-CdTe multilayers grown by molecular beam epitaxy II Appl.Phys.Lett. 45, p.92-94 (1984)

[19] K.Binder and A.P.Young, Spin glasses: experimental facts, theoretical concepts, and open questions II Rev.Mod.Phys. 58, p.801-976 (1986)

[20] N.B.Brandt and V.V.Moshchalkov, Semimagnetic semiconductors II Advances in Physics 33, p. 193-256 (1984)

[21] P.Boudinet and G.Bastard, Acceptor-bound magnetic polaron in CdTe/(Cd,Mn) Te quantum wells II Europhys.Lett. 20, p. 149-153 (1992)

[22] J.A.Brum, G.Bastard, and M.Voos, Magnetic field dependence of the energy levels in CdTe/CdMnTe double quantum well structures

II Solid State Commun. 59, p.561-564 (1986)

[23] M.Bugajski, P.Becla, P.A.Wolff, D.Heiman, and L.R.Ram-Mohan, Acceptor-bound magneticpolarons in (Cd,Mn)Te II Phys.Rev.B 38, p. 10512-10516 (1988)

[24] M.A.Butler, S.J.Martin, and R. J.Baughman, Frequency-dependent Faraday rotation in CdMnTe // Appl.Phys.Lett 49, p. 1053-1055 (1986)

[25] S.K.Chang, A.V.Nurmikko, L.AKolodziejski, and R.L.Gunshor, Differences in optical properties of (111) and (100) CdTe/(Cd,Mn)Te superlatiices

//Phys.Rev.B 33, p.2589-2593 (1986)

[26] S.K.Chang, A.V.Nurmikko, J.W.Wu, L.A.Kolodziejski, and R.L.Gunshor, Band offsets and excitons in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells II Phys.Rev.B 37, p. 1191-1198 (1988)

[27] H.H.Cheng, R.J.Nicholas, M.J.Lawless, D.E.Ashenford, and B.Lunn, Magneto-optical studies of the type-I/type-II crossover and band offset in ZnTe/(Zn,Mn)Te superlatiices in magnetic fields up to 45 Til Phys.Rev.B 52, p. 5269-5274 (1995)

[28] H.H.Cheng, R.J.Nicholas, D.E.Ashenford, and B.Lunn, Formation of type-II excitons in CdTe/(Cd,Mn)Te superlatiices at high magnetic fields

//Phys.Rev.B 56, p. 10453-10458 (1997)

[29] K.Cho, W.Dreybrodt, P.Hiesinger, S.Suga, and F.Willmann, Magneto-optics of free and bound excitons in CdTe//Proc. 12 Int. Conf. Physics of Semicond., Stuttgart, Germany 1974, ed. by M.H.Pilkuhn (Teubner, Germany 1974) p.945-952

[30] W.C.Chou, A.Petrou, J.Warnock, and B.T.Jonker, Spin superlattice behavior in ZnSe/(Zn,Fe)Se quantum wells II Phys.Rev.Lett. 67, p.3820-3823 (1991)

[31] E.Cohen and M.D.Sturge, Fluorescence line narrowing, localized exciton states, and spectral diffusion in the mixed semiconductor Cd(S,Se)

//Phys.Rev.B 25, p.3828-3840 (1982)

[32] S.A.Crooker, J.J.Baumberg, F.Flack, N.Samarth, and D.D.Awschalom, Terahertz spin precession and coherent transfer of angular momenta in magnetic quantum wells //Phys.Rev.Lett. 77, p.2814-2817 (1996)

[33] S.T.Cundiff, R.Hellmann, M.Koch, G.Mackh, A.Waag, G.Landwehr, W.H.Knox, and E.O.Gobel, Excitonic dephasing in semimagnetic semiconductors

//J.Opt.Soc.Am. B 13, p.1263-1267 (1996)

[34] M.Cyrot, Clusters and the spin-glasses transitions II Solid State Commun. 39, pp.1009-1012 (1981)

[35] M.Dahl, S.Gehrsitz, T.Litz, and A.Waag, Optical investigation of the magnetic susceptibility of (Cd,Mn)Te/(Cd,Mg)Te quantum wells

//Proc. 22nd Int. Conf. Physics of Semicond., Vancouver, Canada 1994, ed.by D.J.Lockwood (World Scientific, Singapore 1994), p.2593-2596

[36] M.Dahl, W.Gebauer, R.Prediger, and A.Waag, Time-resolvedphotoluminescence from diluted magnetic semiconductor quantum wells in magnetic fields

//Proc. 22nd Int. Conf. Physics of Semicond., Vancouver, Canada 1994, ed.by D.J.Lockwood (World Scientific, Singapore 1994), p.670-673

[37] M.Dahl, A.Mergler, M.Sawicki, T.Litz, A.Waag, T.Gerhard, G.Karczewski, T.Wojtowicz, and J.Kossut, Optically detected spin-glass transition in superlattices and quantum wells of diluted magnetic semiconductors I! J.Crystal Growth 159, p.1009-1013 (1996)

[38] N.Dai, H.Luo, F.C.Zhang, N.Samarth, M.Dobrowolska, and J.K.Furdyna, Spin superlattice formation in ZnSe/(Zn,Mn)Se multilayers II Phys.Rev.Lett. 67, p.3824-3827 (1991)

[39] E.Deleporte, J.M.Berroir, G.Bastard, C.Delalande, J.M.Hong, and L.L.Chang, Magnetic-field-induced type-I - type-II transition in a semimagnetic CdTeZCdo.93Mno.07Te superlattice II Phys.Rev.B 42, p.5891-5894 (1990)

[40] T.Dietl and J. Spalek, Effect of thermodynamic fluctuations of magnetization on the bound magneticpolaron in dilute magnetic semiconductors II Phys.Rev.B 28, p. 1548-1563 (1983)

[41] T.Dietl, Diluted magnetic semiconductors II in: Handbook of semiconductors, Vol.3b, ed. by S.Mahajan (North-Holland, Amsterdam 1994) p. 1252-1342

[42] T.Dietl, P.Peyla, W.Grieshaber, and Y.Merle d'Aubigne, Dynamics of spin organization in diluted magnetic semiconductors I I Phys.Rev.Lett. 74, p.474-477 (1995)

[43] Diluted magnetic semiconductors ed. by J.K.Furdyna and J.Kossut, Vol.25 in serie Semiconductors andSemimetals, (Academic Press, London 1988) p. 1-460

[44] Diluted magnetic semiconductors ed. by M.Jain (World Scientific, Singapore 1991) p. 1-380

[45] A.Elangovan, D.Shyamala, and K.Navaneethakrishnan, Bound magnetic polaron in a quantum well II Solid State Commun. 89, p.869-873 (1994)

[46] W.Farah, D.Scalbert, and M.Nawrocki, Magnetic relaxation studied by transient reflectivity in (Cd,Mn)Te //Phys.Rev.B 53, p.R10461-R10464 (1996)

[47] D. A.Fisher and D.Huse, Static and dynamic behavior of spin-glass films //Phys.Rev.B 36, p.8937-8940(1987)

[48] J.K.Furdyna, Diluted magnetic semiconductors II J.Appl.Phys. 64, p.R29-R64 (1988)

[49] J.K.Furdyna, Zeeman tuning ofll-VI based diluted magnetic semiconductor superlattices II Solid State Electronics 37, p.1065-1071 (1994)

[50] J. A.Gaj, J.Ginter, and R.R.Galazka, Exchange interaction of Manganese 3d$ states with band electrons in (Cd,Mn)Te II Phys.Stat.Sol. (b) 89, p.655-662 (1978)

[51] J. A.Gaj, R.Planel, and G.Fishman, Relation of magneto-optical properties offree excitons to spin alignment ofMn ions in (Cd,Mn)Te II Solid State Commun. 29, p.435-438 (1979)

[52] J.A.Gaj, Optical pumping in (Cd,Mn)Te

//Proc. 17 Int. Conf. Physics of Semicond., San Francisco, USA 1984, (Springer, Berlin 1985), eds. J.D.Chadi and W. A Harrison, p. 1423-1426

[53] J.A.Gaj, and A.Golnik, Influence of magnetic fluctuations on energy gap in CdMnTe // Acta Physica Polonica A 71, p. 197-203 (1987)

[54] J. A. Gaj, Magnetooptical properties of large-gap diluted magnetic semiconductors

// in: Semiconductors and Semimetals Vol. 25, ed. by J.K.Furdyna and J.Kossut, p.275-309, (Academic Press, London 1988)

[55] J.A.Gaj, W.Grieshaber, C.Bodin-Deshayes, J.Cibert, G.Feuillet, Y.Merle d'Aubigne, and A.Wasiela, Magneto-optical study of interface mixing in the CdTe/(Cd,Mn)Te system

II Phys.Rev.B 50, p.5512-5527 (1994)

[56] R.R.Galazka, S.Nagata, and P.H.Keesom, Paramagnetic - spin-glass antiferromagnetic phase transition in (Cd,Mn)Te from specific heat and magnetic susceptibility measurements II Phys.Rev.B 22, p.3344-3357 (1980)

[57] Z.Gan, Two-dimensional magnetic polar on in the quantum well of dilute magnetic semiconductors II Phys.Rev.B 34, p.7391-7393 (1986)

[58] P.G.De Gennes, Effects of double exchange in magnetic crystals II Phys.Rev. 118, p. 141-154 (1960)

[59] S.Geschwind, D.A.Huse and G.E.Devlin, Reexamination of critical dynamic scaling in spin glasses II J.Appl.Phys. 67, p.5249-5251 (1990)

[60] J.Ginter, J.A.Gaj, and Le Si Dang, Exchange splittings of reflectivity maximy El and El+Al in (Cd,Mn)Te II Solid State Commun. 48, p.849-852 (1983)

[61] A.Golnik, J.Gaj, M.Nawrocki, R.Planel, and C.Benoit a la Guillaume, Optical observation of a magnetic molecule in (Cd,Mn)Te //J.Phys. Soc. Japan, Suppl. A49, p. 819-822 (1980)

[62] A.Golnik, J.Ginter, and J.A.Gaj, Magneticpolarons in exciton luminescence of (Cd,Mn)Te II J.Phys.C 16, p.6073-6084 (1983)

[63] C.E.T.Goncalves da Silva, Bound magnetic polarons in semimagnetic quantum wells II Phys.Rev.B 32, p.6962-6964 (1985)

[64] C.E.T.Goncalves da Silva, Magnetic polaron effects for excitons in narrow CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells II Phys.Rev.B 33, p.2923-2925 (1986)

[65] C.E.T.Goncalves da Silva, Heavy and light hole subbands exchange induced mixing in CdTe/(Cd,Mn)Te magnetic superlattices II Solid State Commun. 58, p.247-249 (1986)

[66] S. V.Goupalov and A.V.Kavokin, Critical conditions for charged and neutral magnetic bipolaron formation in ID, 2D and 3D systems

II Solid State Commun. 97, p.77- 82 (1996)

[67] W.Grieshaber, M.Halsall, A.Wasiela, Y.Merle d'Aubigne, C.Bodin.Deshayes, J.Cibert, and G.Feuillet, Two dimensional excitonic magnetic polarons in (Cd,Mn)Te/(Cd,Mn)Te quantum wells II J. de Physique IV, Colloque C5, 3, p.75-78 (1993)

[68] W.Grieshaber, A.Haury, J.Cibert, Y.Merle d'Aubigne, A.Wasiela, and J.A.Gaj, Magneto-optic study of the interface in semimagnetic semiconductor heterostructures: Intrinsic effect and interface profile in CdTe/(Cd,Mn)Te //Phys.Rev.B 53, p.4891-4904 (1996)

[69] J.H.Harris and A.V.Nurmikko, Formation of the bound magnetic polaron in (Cd,Mn)Se //Phys.Rev.Lett. 51, p.1472-1475 (1983)

[70] D.Heiman, P. A. Wolf, and J.Warnock, Spin-flip Raman scattering, bound magnetic polaron, andfluctuations in (Cd,Mn)Se II Phys.Rev.B 27, p.4848-4860 (1983)

[71] D.Heiman, J.Warnock, P.A.Wolf, R.Kershaw, D.Ridgley, K.Dwight, and A.Wold, Polarizedphotoluminescence from bound magnetic polarons in (Cd, MnJSe

II Solid State Commun. 52, p.909-912 (1984)

[72] D.Heiman, P.Becla, R.Kershaw, D.Ridgley, K.Dwight, A.Wold, and R.R.Galazka, Field-induced exchange effects in (Cd,Mn)Te and (Cd,Mn)Se fromphotoluminescence measurements // Phys.Rev.B 34, p.3961-3969 (1986)

[73] D.Heiman, E.D.Isaacs, P.Becla, and S.Foner, High-field magnetization of (Cd,Mn)Te //Phys.Rev.B 35, p.3307-3310 (1987)

[74] J.M.Hong, D.D.Awschalom, L.L.Chang, and A.Segmuller, Diluted magnetic semiconductor superlattices for magnetic studies of dimensional crossover //J.Appl.Phys. 63, p.3285-320 (1988)

[75] C.A.Huber, A. V.Nurmikko, M.Gal, and A.Wold, Magneticpolaron contribution to donor bound exciton in (Cd,Mn)Se II Solid State Commun. 46, p.41-43 (1983)

[76] E.D.Isaacs, D.Heiman, MJ.Graf, B.B.Goldberg, R.Kershaw, D.Ridgley, K.Dwight, A. Wold, J.Furdyna, and J.S.Brooks, Bound magnetic polarons below T=1K //Phys.Rev.B 37, p.7108-7111 (1988)

[77] T.Itoh and E.Komatsu, Magnetic polaron formation of localized excitons in semimagnetic semiconductor alloys of Cd0.sMn0.2Te H J.Luminescence 38, p.266-268 (1987)

[78] S.A.Jackson, Spin fluctuations and magnetic polaron formation in diluted magnetic semiconductor quantum well structures II Surface Science 196, p.654-658 (1988)

[79] S.R.Jackson, J.E.Nicholls, W.E.Hagston, P.Harrison, T.Stirner, J.H.C.Hogg, B.Lunn, and D.E. Ashenford, Magneto-optical study of excitonic binding energies, band offsets, and the role of interface potentials in CdTe/(Cd,Mn)Te multiple quantum wells //Phys.Rev.B 50, p.5392-5403 (1994)

[80] P .Janiszewski, Acceptor-bound magnetic polaron in (Cd,Mn)Te

//Proc. 20th Int. Conf. Physics ofSemicond., Thessaloniki 1990, ed.by E.M. Anastassakis and J.D.Joannopoulos (World Scientific, Singapore 1990), p.771-774

[81] T.Z.Kachishvili, On some magnetic field induced effects in 2D (Cd,Mri)Te //Solid State Commun. 80, p.283-287 (1991)

[82] T.Kasuya, and A. Yanase, Anomalous transport phenomena in Eu-chalcogenide alloys //Rev.Mod.Phys. 40, p.684-696 (1968)

[83] T.Kasuya, A. Yanase, and T.Takeda, Stability condition for the paramagnetic polaron in a magnetic semiconductor I I Solid State Commun. 8, p. 1543-1546 (1970)

[84] A.V.Kavokin and K.V.Kavokin, Theory of two-dimensional magnetic polarons in an external magnetic field II Semicond. Sci. Technol. 8, p. 191-196 (1993)

[85] A. V.Kavokin, The lifetime of quasi-free exciton magnetic polaron in a quantum well with semimagnetic barriers II J. de Physique IV, Colloque C5, 3, p.79-82 (1993)

[86] A. V.Kavokin, Formation of magnetic polarons bound to interfaces in quantum wells with semimagnetic barriers II Superlattices and Microstructures 16, p.83-86 (1994)

[87] A. V.Kavokin, Stability of magnetic polaron states in two-dimensional semimagnetic heterostructures II Phys.Rev.B 51, p.7613-7620 (1995)

[88] A.V.Kavokin and K.V.Kavokin, Magnetic field effect on exciton magnetic polarons in quantum wells with semimagnetic barriers II Materials Science Forum 182-184, p.531-536 (1995), Trans Tech Publication (Switzerland)

[89] K.V.Kavokin and A.V.Kavokin, Theoretical investigation of observed magnetic-polaron energies in quantum wells II Phys.Rev.B 53, p.2141-2142 (1996)

[90] K. V.Kavokin and I.A.Merkulov, Multi-spin Raman paramagnetic resonance: Quantum dynamics of classically large angular momenta II Phys.Rev.B 55, p.R7371-R7374 (1997)

[91] L.A.Kolodziejski, T.C.Bonsett, R.L.Gunshor, S.Datta, R.B.Bylsma, W.M.Becker, and N.Otsuka, Molecular beam epitaxy of diluted magnetic semiconductor (Cd,Mn)Te superlattices II Appl.Phys.Lett. 45, p.440-442 (1984)

[92] P.Kossacki, N.T.Khoi, J.A.Gaj, G.Karczewski, T.Wojtowicz, E.Janik, A.Zakrzewski, M.Kutrowski, and J.Kossut, Rapid thermal processing of semimagnetic superstructures studied by magnetoreflectivity II Superlattices and Microstructures 16, p.63-66 (1994)

[93] R.E.Kremer and J.K.Furdyna, Investigation ofEPR in (Cd,Mn)Te by microwave Faraday effect II Phys.Rev.B 32, p.5591-5599 (1985)

[94] H.Krenn, W.Zawadzki, and G.Bauer, Optically induced magnetization in a dilute magnetic semiconductor (HgMnJTe II Phys.Rev.Lett. 55, p. 1510-1513 (1985)

[95] H.Krenn, K.Kaltenegger, T.Dietl, J.Spalek, and G.Bauer, Photoinduced magnetization in dilute magnetic (semimagnetic) semiconductors 11 Phys.Rev.B 39, p.10918-10934 (1989)

[96] B.Kuhn-Heinrich, M.Popp, W.Ossau, E.Bangert, A.Waag, and G.Landwehr, Magneto-optical study of heavy- and light-hole excitons in CdTe/(Cd,Mn)Te single quantum wells II Semicond.Sci.Technol. 8, p. 1239-1246 (1993)

[97] B.Kuhn-Heinrich, W.Ossau, H.Heinke, F.Fischer, T.Litz, A.Waag, and G.Landwehr, Optical investigation of confinement and strain effects in CdTe/(Cd,Mg)Te quantum wells //Appl.Phys.Lett. 63, p.2932-2934 (1993)

[98] B.Kuhn-Heinrich, W.Ossau, T.Litz, A.Waag, and G.Landwehr, Determination of the band offset in semimagnetic CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells: A comparison of two methods

//J. Appl.Phys. 75, p.8046-8052 (1994)

[99] B.Kuhn-Heinrich, W.Ossau, E.Bangert, A.Waag, and G.Landwehr, Zeemanpattern of semimagnetic (Cd,Mn) Te/(Cd,Mg) Te quantum wells in inplane magnetic fields

II Solid State Commun. 91, p.413-418 (1994)

[100] B.Kuhn-Heinrich, Magneto-optische Untersuchungen semimagnetischer Schichtstrukturen auf der Basis von (Cd,Mn)Te II Ph.D. Thesis, Universität Würzburg 1995

[101] Yu.G.Kusraev, and B.P.Zakharchenya, Optical registration of internal fields in spin-glass phase of CdMnTe

//Proc. 20 Int.Conf. Physics of Semicon., Thessaloniki, Greece 1990, ed. by E.M.Anastassakis and J.D.Joannopoulos(World Scientific, Singapore 1990), p.738-741

[102] Yu.G.Kusraev, A.V.Kudinov and B.P.Zakharchenya, Optical orientation of excitons in CdTe/CdMnTe quantum wells II Proc. 22nd Int. Conf. Physics of Semicond., Vancouver 1994, ed.by D.J.Lockwood (World Scientific, Singapore 1994), p.2501-2504

[103] Yu.G.Kusraev, A.V.Kudinov and B.P.Zakharchenya, W.E.Hagston, D.E.Ashenford, and B.Lunn, Optical orientation of excitons in quantum wells with semimagnetic barriers

II Solid State Commun. 95, p. 149-151 (1995)

[104] Yu.G.Kusraev and A.V.Kudinov, Magnetic field induced polarization of luminescence in paramagnetic and spin-glass phases of (Cd,Mn)Te

//Phys. Stat.Sol. (b) 190, p.315-320 (1995)

[105] B.E.Larson, K.C.Hass, H.Ehrenreich, and A.E.Carlsson, Exchange mechanisms in diluted magnetic semiconductors II Solid State Commun. 56, p.347-350 (1985)

106] B.E.Larson, K.C.Hass, and R.L.Aggarwal, Effects of internal exchange fields on magnetization steps in diluted magnetic semiconductors II Phys.Rev.B 33, p. 1789-1796 (1986)

107] B.E.Larson, K.C.Hass, H.Ehrenreich, and A.E.Carlsson, Theory of exchange interactions and chemical trends in diluted magnetic semiconductors II Phys.Rev.B. 37, p.4137-4158 (1988)

108] B.E.Larson, and H.Ehrenreich, Anisotropic superexchange and spin-resonance linewidth in diluted magnetic semiconductors I I Phys.Rev.B. 39, p. 1747-1759 (1989)

109] T.Lebihen, E.Deleporte, and C.Delalande, Band-offset determination of the CdTe/(Cd,Mn)Te interface //Phys.Rev.B 55, p. 1724-1729 (1997)

110] B.Leclercq, C.Rigaux, A.Mycielski, and M.Menant, Critical dynamics in (Cd,Mn)Te spin glasses II Phys.Rev.B 47, p.6169-6172 (1993)

111] A.H.MacDonald and D.S.Ritchie, Hydrogenic energy levels in two dimensions at arbitrary magnetic fields II Phys.Rev.B 33, p.8336-8344 (1986)

112] G.Mackh, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Effect of the reduction of dimensionality on the exchange parameters in semimagnetic semiconductors //Phys.Rev.B 54, p.R5227-R5230 (1996)

113] G.E.Marques, V. A.Chitta, M.H.Degani, and O.Hipolito, Impurity-shiftedpolaron energy in semimagnetic (Cd,Mn)Te/CdTe quantum wells II Phys.Rev.B 36, p.5066-5069 (1987)

114] H.Mariette, F.Dalbo, N.Magnea, G.Lentz, and H.Tuffigo, Optical investigation of confinement and strain effects in CdTe/(Cd,Zn)Te single quantum wells //Phys.Rev.B 38, p. 12443-12448 (1988)

115] A.Mauger, Magnetic polaron: Theory and experiment //Phys.Rev.B 27, p.2308-2324 (1983)

116] A.Mauger and D.L.Mills, Bound magnetic polarons in antiferromagtenic semiconductors //Phys.Rev.Lett. 53, p.1594-1597 (1984)

117] A.Mauger and D.L.Mills, Role of conduction-electron - local-moment exchange in antiferromagnetic semiconductors: Ferrons and bound magnetic polarons //Phys.Rev.B 31, p.8024-8033 (1985)

118] A.Mauger, N.S.Almeida, and D.L.Mills, Magnetic polarons and electronic structure in semimagnetic super lattices: Application to CdTe/(Cd,Mn)Te //Phys.Rev.B 38, p. 1296-1310 (1988)

119] A.Mauger, J.Villain, Y.Zhou, C.Rigaux, N.Bontemps, and J.Ferre, Spin-glass ordering in three-dimensionalHeisenbergsystems II Phys.Rev.B 41, p.4587-4592 (1990)

120] I.A.Merkulov and K. V.Kavokin, Two-dimensional magnetic polarons: Anisotropic spin structure of the ground state and magneto-optical properties //Phys.Rev.B 52, p. 1751-1758 (1995)

121] Y.Merle d'Aubigne, A.Wasiela, H.Mariette, and A.Shen, Coherence effects in large period multiple quantum wells: Giant exciton oscillator strength at Bragg reflection //Proc. 22 Int.Conf. Physics of Semicond., Vancouver, Canada 1994, ed.by D.J.Lockwood (World Scientific, 1995) p.1201-1204.

122]

123]

124]

125]

126]

127]

128]

129]

130]

131]

132]

133]

134]

135]

136]

137]

138]

I.A.Merkulov, G.R.Pozina, D.Coquillat, N.Paganotto, J.Siviniant, J.P.Lascaray, and J.Cibert, Parameters of the magnetic polaron state in diluted magnetic semiconductors (Cd,Mn)Te with low manganese concentrations II Phys.Rev.B 54, p.5727-5731 (1996) J.A.Mydosh, Spin Glasses - an Experimental Introduction II (Taylor and Francis, London, 1993), p. 130

E.L.Nagaev, Self-trapped states of charge carriers in magnetic semiconductors II J.Magn.Magn.Mat. 110, p.39-60 (1992)

S.Nakashima, T.Fukumoto, A.Mitsuishi, and K.Itoh, Lattice vibrations of (Cd,Mg)Te mixed crystals II J.Phys.Soc. Japan. 35, p. 1437-1441 (1973)

M.Nawrocki, R.Planel, G.Fishman, and R.Galazka, Exchange-induced spin-flip Raman scattering in a semimagnetic semiconductor II Phys.Rev.Lett. 46, p.735-738 (1981) Tran Hong Nhung, R.Planel, C.Benoit a la Guillaume, and A.K.Bhattacharjee, Acceptor-bound magnetic polaron in (Cd,Mn)Te semimagnetic semiconductors //Phys.Rev.B 31, p.2388-2395 (1985)

R.J.Nicholas, M.J.Lawless, H.H.Cheng, D.E.Ashenford, and B.Lunn, A modified phenomenological description of the exchange interactions in dilute magnetic semiconductors I I Semicond. Sci. Technol. 10, p.791-796 (1995) M.A.Novak, O.G.Symko, D.J.Zheng, and S.Oseroff, Spin freezing below the nearest-neighbor percolation concentration in (Cd,Mn)Te and (Cd,MnJSe //Phys.Rev.B 33, p.6391-6394 (1986)

A.V.Nurmikko, X.C.Zhang, S.K.Chang, L.A.Kolodziejski, R.L.Gunshor, and S.Datta, Excitons in CdTe/(Cd,Mn)Te multiquantum wells II J.Luminescemce 34, p.89-97 (1985) A.V.Nurmikko, X.C.Zhang, S.K.Chang, L.A.Kolodziejski, R.L.Gunshor, and S.Datta, Quasi-two-dimensional exciton-polaron in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells II Surface Science 170, p.665-670 (1986)

A.V.Nurmikko, R.L.Gunshor, and L.A.Kolodziejski, Optical properties of

CdTe/(Cd,Mn)Te multiple quantum wells

II IEEE J.Quantum Electronics 22, p. 1785-1792 (1986)

Y.Oka, K.Ishikawa, I.Souma, and M.Nakamura, Dynamics of excitonic magneticpolarons in (Cd,Mn)Te and (Cd,Mn)Se studied by picosecond time resolved spectroscopy II Proc. 20th Int. Conf. Physics of Semicond., Thessaloniki, Greece 1990, (World Scientific, 1990) p. 1939-1942

Optical Orientation, ed. by F.Meier and B.P.Zakharchenya, (North-Holland, Amsterdam 1984) p. 1-523

M. von Ortenberg, Spin superlattice with tunable minigap //Phys.Rev.Lett. 49, p.1041-1043 (1982)

S.B.Oseroff, R.Calvo, W.Giriat, and Z.Fisk, Magnetic properties of (Cd,Mn)Te II Solid State Comrnun. 35, p.539-542 (1980)

S.B.Oseroff, Magnetic susceptibility andEPR measurements in concentrated spin glasses: (Cd,Mn)Te and(Cd,Mn)Se //Phys.Rev.B 25, p.6584-6594 (1982) S.Oseroff and P.H.Keesom, Magnetic properties: Macroscopic studies //in: Semiconductors andSemimetals Vol.25, ed. by J.K.Furdyna and J.Kossut, (Academic Press, London 1988) p.73-123

139] W.J.Ossau and B.Kuhn-Heinrich, Dimensional dependence of antiferromagnetism in diluted magnetic semiconductor heterostructures // Physica B 184, p.442-431 (1993)

140] W.Ossau, U.Zehnder, B.Kuhn-Heinrich, A.Waag, T.Litz, G.Landwehr, R.Hellmann, and E.O.Gobel, (Cd,Mg)Te: A newpromissing barrier material to CdTe basedheterostructures H Superlattices and Microstructures 16, p.5-10 (1994)

141] W.Ossau, B.Kuhn-Heinrich, G.Mackh, A.Waag, and G.Landwehr, Spin dependent confinement effects in Cdo.9Mno.1Te/Cdo_9MgojTe spin superlattices II J.Crystal Growth 159, p. 1052-1056 (1996)

142] W.Ossau, B.Kuhn-Heinrich, A.Waag, and G.Landwehr, Enhanced paramagnetism in ultrathin (Cd,Mn)Te layers H J.Crystal Growth 159, p. 1046-1051 (1996)

143] A.W.Overhauser, Polarization of nuclei in metals II Phys.Rev. 92, p.411-415 (1953)

144] S.Permogorov, Hot excitons in semiconductors II Phys.Stat.Sol. (b) 68, p.9-42 (1975)

145] S.Permogorov and A.Reznitsky, Effect of disorder on the optical spectra of wide-gap II-VI semiconductor solid solutions I I J. Luminescence 52, p.201-223 (1992).

146] N.T.Pelekanos, H.Haas, N.Magnea, H.Mariette, and A.Wasiela, Room-temperature exciton absorption engineering in I I-VI quantum wells II Appl.Phys.Lett. 61, p.3154-3156 (1992)

147] M.Pessa and O.Jylha, Growth of (Cd,Mn)Te films woth 0<x<0.9 by atomic layer epitaxy H Appl.Phys.Lett 45, p.646-648 (1984)

148] G.Peter, E.Deleporte, G.Bastard, J.M.Berrior, C.Delalande, B.Gil, J.M.Hong, and L.L.Chang, Studies of exchange-induced properties of CdTe/(Cd,Mn)Te superlattices 11 J.Luminescence 52, pp. 147-164 (1992)

149] P.Peyla, A.Wasiela, Y.Merle d'Aubigne, D.E.Ashenford, and B.Lunn, Anisotropy of the Zeeman effect in CdTe/CdMnTe multiple quantum wells II Phys.Rev.B 47, pp.3783-3789 (1993)

150] J.Pietruczanis, W.Mac, A.Twardowski, G.Karczewski, A.Zakrzewski, E.Janik, T.Wojtowicz, and J.Kossut, Magnetic phase diagram of highly concentrated (Cd,Mn)Te (0.4<x<1.0) //Material Science Forum 182-184, pp.687-690, (Trans Tech Publication, Switzerland 1995)

151] C.D.Poweleit, L.M.Smith, and B.T.Jonker, Observation of long-lived exciton magnetic polarons in (Zn,Mn)Se/ZnSe multiple quantum wells II Phys.Rev.B 50, p. 18662-18665 (1994)

152] M.Prakash, M.Chandrasekhar, H.R.Chandrasekhar, I.Miotkowski, A.K.Ramdas, and L.R.Ram-Mohan, The bound magnetic polaron in (Cd,MnTe) under pressure //Proc. 20th Int. Conf. Physics of Semicond., Thessaloniki, Greece 1990, ed. by E.M.Anastassakis and J.D.Joannopoulos (World Scientific, 1990), p.747-750

153] L.R.Ram.Mohan and P. A. Wolff, Energetics of acceptor-bound magnetic polarons in diluted magnetic semiconductors II Phys.Rev.B 38, p. 1330-1339 (1988)

154] A.K.Ramdas and S.Rodriguez, Raman scattering in diluted magnetic semiconductors //in: Semiconductors andSemimetals Vol.25, ed. by J.K.Furdyna and J.Kossut, (Academic Press, London 1988) p.345-412

155] E.I.Rashba, Self-trapping of excitons//m.Excitons, ed.by E.I.Rashba and M.D.Sturge, (North-Holland, Amsterdam, 1982) p.543-602

[156] A.Ribayrol, D.Coquillat, J.P.Lascaray, A.V.Kavokin, and D.E.Ashenford,

Increase of the el-hh3 exciton oscillator strength in quantum-well structures under the type-I - type-II transition II Phys.Rev.B 51, p.7882-7885 (1995)

[157] V.V.Rossin, J.Puls, and F.Heneberger, Interface exciton magnetic polaron in ZnSe/(Zn,Mn)Se quantum well structures II Phys.Rev.B 51, p. 11209-11212 (1995)

[158] V.V.Rossin, F.Heneberger, and J.Puls, Magnetic-field-induced formation of exciton magnetic polarons in ZnSe/(Zn,Mn)Se quantum-well structures

II Phys.Rev.B 53, p. 16444-16452 (1996)

[159] V.V.Rossin, F.Heneberger, and J.Puls, Dynamics of the magnetic polaron formation in ZnSe/ZnMnSe quantum well structures II J.Crystal Growth 159, p.985-988 (1996)

[160] M.Saint-Paul, J.L.Tholence, and W.Giriat, Critical dynamics in (Cd,Mn)Te II Solid State Commun. 60, p.621-624 (1986)

[161] H.A.Sayad and S.M.Bhagat, Dynamic random fields in diluted magnetic semiconductors: (Cd,Mn)Te //Phys.Rev.B 31, p.591-593 (1985)

[162] M.Sawicki, M.A.Brummell, P.A.J.de Groot, G.J.Tomka, D.E.Ashenford, and B.Lunn, Magnetic properties of (Cd,Mn)Te growm by molecular beam epitaxy

// J.Crystal Growth 138, p.900-904 (1994)

[163] M.Sawicki, T.Dietl, T.Skoskiewicz, G.Karczewski, T.Wojtowicz, and J.Kossut, Search for dimensional effects in spin-glass transition in thin (Cd,Mn)Te multilayers II Acta Physica Polonica A 88, p. 1038-1042 (1995)

[164] D.Scalbert, J.Chernogora, and C.Benoit a la Guillaume, Spin-lattice relaxation in paramagnetic CdMnTe // Solid State Commun. 66, p.571-574 (1988)

[165] D.Scalbert, J.Chernogora, C.Benoit a la Guillaume, and M.Nawrocki, Bistability of magnetic polarons bound to acceptors in a wurtzite semimagnetic semiconductors II Phys.Rev.B 38, p. 13246-13256 (1988)

[ 166] D. Scalbert, Spin-lattice relaxation in diluted magnetic semiconductors II Phys. Status Solidi (b) 193, p. 189-204 (1996)

[167] H.Schenk, M.Wolf, G.Mackh, U.Zehnder, W.Ossau, A.Waag, and G.Landwehr, Influence of the negative thermal-expansion coefficient on the luminescence properties of (Cd,Mn,Mg)Te II J.Appl.Phys. 79, p.8704-8711 (1996)

[168] U.Siegner, D.Weber, E.O.Gobel, D.Bennhardt, V.Heuckeroth, R.Saleh, S.D.Baranovskii, P.Thomas, H.Schwab, C.Klingshirn, J.M.Hvam, and V.G.Lyssenko, Opticaldephasingin semiconductor mixed crystals I/ Phys.Rev.B 46, p.4564-4581 (1992).

[169] M.Smith, A.Dissanayake, and H.X.Jiang, Relaxation of spin-glass magnetization in CdMnTe diluted magnetic semiconductors // Phys.Rev.B 49, p.4514-4524 (1994)

[170] J.Spalek, A.Lewicki, Z.Tarnawski, J.K.Furdyna, R.R.Galazka, and Z.Obuszko, Magnetic susceptibility of semimagnetic semiconductors: The high temperature regime and the role of superexchange II Phys.Rev.B 33, p.3407-3418 (1986)

[171] R. Spiegel, G.Bacher, K.Herz, A.Forchel, T.Litz, A.Waag, and G.Landwehr, Recombination and thermal emission of excitons in shallow CdTe/(Cd,Mg)Te quantum wells

II Phys.Rev.B 53, p.4544-4548 (1996)

[172] T.Strutz, High magnetic field electron spin-lattice relaxation in a diluted magnetic semiconductor: CdMnTe //Ph.D. Thesis (Hartung-Gorre Verlag, Konstanz 1991) p. 1-130

173]

174]

175]

176]

177]

178]

179]

180]

181]

182]

183]

184]

185]

186]

187]

188]

T.Strutz, A.M.Witowski, and P.Wyder, Spin-lattice relaxation at high magnetic fields II Phys.Rev.Lett. 68, p.3912-3915 (1992)

T.Strutz, A.M.Witowski, and P.Wyder, Principles and performance of a high-field time domain magnetic spectrometer II Rev.Sci.Instrum. 64, p. 1853-1861 (1993) J.Stiihler, G.Schaack, M.Dahl, A.Waag, G.Landwehr, K.V.Kavokin, and I.A.Merkulov, Multiple Mn^+-spin-flip Raman scattering at high fields via magnetic polaron states in semimagnetic quantum wells II Phys.Rev.Lett. 74, p.2567-2570 (1995) L.Swierkowski and T.Dietl, Stability of self-traped magneticpolarons II Acta Physica Polonica A 73, p.431-434 (1988)

S.Takeyama, S.Adachi, Y.Takagi, and A.F.Aguekian, Exciton localization by magnetic polarons and alloy fluctuations in the diluted magnetic semiconductor (Cd,Mn)Te II Phys.Rev.B 51, p.4858-4864 (1995)

S.Takeyama, S.Adachi, Y.Takagi, and A.F.Aguekian, Exciton magnetophotoluminescence affected by magnetic polarons and alloy fluctuations in (Cd,Mn)Te //Phys.Rev.B 52, p. 1444-1447 (1995)

N.Takaya and T.Sato, The photo-induced magnetization in (Cd,Mn)Te (x=0.46) diluted magnetic semiconductor II J.Crystal Research and Technology 31, p.693-696 (1996) H.Tuffigo, N.Magnea, H.Mariette, A.Wasiela, and Y.Merle d'Aubigne, Optical investigation of a strain-induced mixed type-I - type-II superlattice system CdTe/(Cd,Zn)Te //Phys.Rev.B 43, p.14629-14637 (1991)

A.Twardowski, H.J.M.Swagten, W.J.M. de Jonge, and M.Demianiuk, Magnetic behavior of the diluted magnetic semiconductor (ZnMn)Se II Phys.Rev.B 36, p.7013-7023 (1987) A.Waag, T.Behr, T.Litz, B.Kuhn-Heinrich, D.Hommel, and G.Landwehr, RHEED studies ofMBEgrowth mechanisms of CdTe and (CdMn)Te II Materials Science and Engineering B 16, p. 103-107 (1993)

J.Warnock, R.N.Kershaw, D.Ridgely, K.Dwight, A.Wold, and R.R.Galazka, Localized excitons and magnetic polaron formation in (Cd,Mn)Se and (Cd,Mn)Te II J.Luminescence 34, p.25-35 (1985)

J.Warnock, R.N.Kershaw, D.Ridgely, K.Dwight, A.Wold, and R.R.Galazka, Optical orientation of excitons in (Cd,Mn)Se and (Cd,Mn)Te II Solid State Commun. 54, p.215-219 (1985)

J.Warnock and P. A. Wolff, Spherical model of acceptor-associated bound magnetic polarons II Phys.Rev.B 31, p.6579-6587 (1985)

J.Warnock, B.T.Jonker, A.Petrou, W.C.Chou, and X.Liu, Exciton energies in shallow quantum wells and spin superlattices II Phys.Rev.B 48, p. 17321-17330 (1993) A.Wasiela, Y.Merle d'Aubigne, J.E.Nicholls, D.E.Ashenford, and B.Lunn, Magnetic tuning of the exciton binding energy and band-offsets determination in a CdTe/(Cd,Mn)Te superlattice II Solid State Commun. 76, p.263-268 (1990) A.Wasiela, P.Peyla, Y.Merle d'Aubigne, J.E.Nicholls, D.E.Ashenford, and B.Lunn, Magneto-optical study of CdTe/(Cd,Mn)Te multiple quantum wells with low potential barriers II Semicond.Sci.Technol. 7, p.571-577 (1992)

[189] T.Wojtowicz, S.Kolesnik, I.Miotkowski, and J.K.Furdyna, Magnetization of bound magnetic polarons: Direct determination via photomemory effect

//Phys.Rev.Lett. 70, p.2317-2320 (1993)

[190] P. A. Wolff, Theory of bound magnetic polarons in semimagnetic semiconductors

// in: Semiconductors and Semimetals Vol.25, ed. by J.K.Furdyna and J.Kossut, (Academic Press, London 1988) p.413-454

[191] K.S.Wong, W.Hayes, J.F.Ryan, and A.K.Ramdas, Time-resolvedphotoluminescence study ofexciton localization in (Cd,Mn)Te II J.Phys.C: Solid State Phys. 19, p.L829-L834 (1986)

[192] K.S.Wong, W.Hayes, J.F.Ryan, and A.K.Ramdas, Picosecond time-resolved study of the luminescence of (Cd,Mn)Te in magnetic fields

// J.Phys.C: Solid State Phys. 20, p.L755-L760 (1987)

[193] J.W.Wu, A. V.Nurmikko, and J.J.Quinn, Magneticpolaron effects in CdTe/(Cd,Mn)Те quantum well system II Solid State Commua 57, p.853-856 (1986)

[194] J.W.Wu, A.V.Nurmikko, and J.J.Quinn, Excitons in semimagnetic semiconductor quantumwell system: Magnetic polaron effects II Phys.Rev.B 34, p. 1080-1084 (1986)

[195] J.W.Wu and A. V.Nurmikko, Wannier excitons in semiconductor quantum wells with small valence-band offsets: A generalized variational approach

//Phys.Rev.B 38, p.1504-1507 (1988)

[196] W.Y.Yu, A.Twardowski, L.P.Fu, A.Petrou, and B.T.Jonker, Magnetoanisotropy in (Zn,Mn)Se strained epilayers II Phys.Rev.B 51, p.9722-9727 (1995)

[197] J.J.Zayhowski, C.Jagannath, R.N.Kershaw, D.Ridgley, K.Dwight, and A.Wold, Picosecond time-resolved photoluminescence studies of exciton-magnetic polaron complexes in (Cd,Mn)Te II Solid State Commun. 55, p.941-945 (1985)

[198] J.J.Zayhowski, R.N.Kershaw, D.Ridgley, K.Dwight, A.Wold, R.R.Galazka, and W.Giriat, Dynamics of magnetic-polaronformation in (Cd,Mn)Se and (Cd,Mn)Te //Phys.Rev.B 35, p.6950-6955 (1987)

[199] X.C.Zhang, S.K.Chang, A.V.Nurmikko, L.A.Kolodziejski, R.L.Gunshor, and S.Datta, Interface localization of excitons in CdTe/(Cd,Mn)Te multiple quantum wells //Phys.Rev.B 31, p.4056-4059 (1985)

[200] В.Ф.Агекян, Фан Зунг, С.В.Погарев, Магнитолюминесценция твердых растворов (Cd,Mn)Te при 0<х<0.7//ФТТ 29, с.3312-3314 (1987)

[201] В.Ф.Агекян, Фан Зунг, Селективно возбужденная магнетолюминесценция в полумагнитных твердых растворах (Cd,Mn)Te //ФТТ 30, с.3444-3447 (1988)

[202] В.Ф.Агекян, А.Ю.Серов, Магнитополяронный эффект в (Cd,Mn)Te //ФТТ 32, с.3373-3378 (1990)

[203] Д.Г.Алов, С.И.Губарев, В.Б.Тимофеев, Б.Н.Шепель, Комбинационное рассеяние с переворотом спина электрона в магнитопримесном полупроводнике CdS:Mn

// Письма ЖЭТФ 34, с.76-80 (1981)

[204] Ю.Ф.Берковская, Е.М.Вахабова, Б.Л.Гельмонт, И.А.Меркулов, Магнитополяронный эффект на связанном состоянии акцептора в полумагнитных полупроводниках

И ЖЭТФ 94, с. 183-195 (1988)

[206 [207 [208 [209 [210 [211 [212 [213 [214

[215

[216

[217

[218

[219 [220

[221

Б.П.Захарченя, Ю.Г.Кусраев, Оптическое проявление спин-стекольных свойств полумагнитных полупроводников // Письма ЖЭТФ 50, с. 199-201 (1989)

Б.П.Захарченя, А.В.Кудинов, Ю.Г.Кусраев, Эффект Ханле в ассиметричной CdTe/(Cd,Mn)Te двойной квантовой яме // Письма ЖЭТФ 63, с.241-245 (1996) Б.П.Захарченя, А.В.Кудинов, Ю.Г.Кусраев, Скрытая магнитная анизотропия в спиновых стеклах (Cd,Mn)Te //ЖЭТФ 110, с.177-193 (1996) Е.Л.Ивченко, А.И.Несвижский, С.Иорда, Брэгговское отражение света от структур с квантовыми ямами // ФТТ 36, с.2118-2129 (1994) А.В.Кавокин, К.В.Кавокин, Автолокализация экситона в квантовой яме с полумагнитным барьером // ФТП 25, с.1751-1757 (1991) К.В.Кавокин, Кинетика двумерных магнитных поляронов // ФТТ 35, с. 1624-1640 (1993)

К.В.Кавокин, Теория свободного магнитного полярона в квантовой яме с полумагнитными барьерами II канд. дис., ФТИ им.Иоффе РАН, С.Петербург (1993) с. 1-99 К.В.Кавокин, И.А.Меркулов, Релаксация носителей заряда на парах магнитных ионов в полумагнитных квантовых ямах // ФТТ 36, с.2712-2719 (1994) А.А.Кисслёв, Л.В.Моисеев, Зеемановское расщепление состояний тяжёлых дырок в III-V и II-VI гетероструктурах II ФТТ 38, с. 1574-1585 (1996) А.В.Комаров, С.М.Рябченко, И.И.Жеру, Р.Д.Иванчук, О.В.Терлецкий, Магнитооптические исследования и двойной оптико-магнитный резонанс экситонной полосы в CdTeiMn // ЖЭТФ 73, с.608-618 (1977) А.В.Комаров, С.М.Рябченко, О.В.Терлецкий, А.В.Савицкий, Р.Д.Иванчук, Влияние магнитного поля на люминесценцию и оптико-магнитный резонанс в кристалле CdTeiMn // ФТП 14, с. 17-25 (1980)

М.А.Кривоглаз, А.А.Трущенко, Флуктуоны в полупроводниках И ФТТ 11, с.3119-3131 (1969)

А.В.Кудинов, Ю.Г.Кусраев, В.Н.Якимович, Поляризованная люминесценция (Cd,Mn)Te во внешнем магнитном поле // ФТТ 37, с.660-666 (1995) Ю.Г.Кусраев, А.В.Кудинов, Оптические исследования локализованных магнитных поляронов в спиновых стеклах (Cd,Mn)Te //ФТТ 36, с.2088-2098 (1994) М.А.Кривоглаз, Флуктуонные состояния электронов II УФН 111, с.б 17-654 (1973) И.БЛевинсон, Э.И.Рашба, Пороговые явления и связанные состояния в поляронной проблеме //УФН 111, с.683-718 (1973)

ТЛЛинник, Ю.Г.Рубо, В.И.Шека, Анизотропия дырочного магнитного полярона в полумагнитном полупроводнике //Письма ЖЭТФ 63, с.209-213 (1996) С.И.Пекар, Локальные квантовые состояния электронов в идеальном тонном кристалле II ЖЭТФ 16, с.341 (1946)

[223] С.М.Рябченко, О.В.Терлецкий, И.Б.Мизецкая, Г.С.Олейник, Гигантское спиновое расщепление спектров люминесценции связанных экситонов в (Сс1,Мп)Те (х=0.05) //ФТП 15, с.2314-2321 (1981)

[224] С.М.Рябченко, Ю.Г.Семёнов, О.В.Терлецкий, Спиновая поляризация локализованных магнитных моментов в СёМпТе при обменном рассеянии фотовозбуждённых носителей II ЖЭТФ 82, с.951-958 (1982)

[225] С.М.Рябченко, Гигантское спиновое расщепление экситонных состояний и оптическое детектирование магнитного резонанса в кристаллах А2В6 с магнитными примесями II Изв. АН СССР (сер. физ.) 46, с.440-445 (1982)

[226] С.М.Рябченко, Ю.Г.Семёнов, Эффекты спиновой корреляции электронного центра большого радиуса в магнитосмешанном полупроводнике

II ЖЭТФ 84, с.1419-1431 (1983)

[227] С.М.Рябченко, Ю.Г.Семёнов, Локализованные состоянияэлектрона, определяемые спиновыми корреляциями в парамагнитном полупроводнике

И ФТТ 26, с.3347-3354 (1984)

[228] С.М.Рябченко, Ю.Г.Семёнов, О.В.Терлецкий, Уширение экситонных линий в магнитосмешанном полупроводнике (Сс1,Мп)Те флуктуациями состава

II ФТТ 10, с.2901-2908 (1985)

[229] С.М.Рябченко, Ю.Г.Семёнов, О.В.Терлецкий, Влияние обменного рассеяния на зонные энергии в магнитосмешанных полупроводниках

II Изв. АН СССР (сер. физ.) 52, с.514-517 (1988)

[230] Ю.Г.Семенов, Влияние гигантского спинового расщепления зон на оптическую поляризацию и релаксацию локализованных моментов в полупроводниках

II ЖЭТФ 81, с. 1498-1507 (1981)

[231] Ю.Г.Семёнов, Диамагнитный спиновый полярон в парамагнитном полупроводнике II ФТТ 27, с. 1841-1845 (1985)

[232] Ю.Г.Семёнов, Модели магнитосмешанных полупроводников II Изв. АН СССР (сер. физ.) 52, с.507-510 (1988)

[233] Ю.Г.Семёнов, В.А.Стефанович, Энергия связи экситона в разведенном магнитном полупроводнике в магнитном II ФТП 26, с.324-328 (1992)

[234] В.А.Тягай, О.В.Снитко, В.А.Бондаренко, Н.И.Витриковский, В.Б.Попов, А.Н.Красико, Спектры электроотражения в кристаллах (Сс1,2п)Те

И ФТТ 16, с.1373-1382 (1974)

[235] Ал.Л.Эфрос, Экситоны в структурах с квантовыми ямами II ФТП 20, с.1281-1287 (1986)