Эффекты гибридизации электронных состояний примесей переходных металлов в низкотемпературных свойствах селенида ртути тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Говоркова, Татьяна Евгеньевна

• Говоркова, Татьяна Евгеньевна
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Говоркова, Татьяна Евгеньевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Низкотемпературные электронные свойства селенида ртути с примесями переходных металлов и теоретическое описание их особенностей (литературный обзор).

1.1. Резонансные электронные состояния в кристаллах селенида ртути с примесями переходных металлов.

1.2. Низкотемпературные электронные свойства

§8е с примесями железа и их описание в рамках моделей без учета гибридизации.

1.3. Описание особенностей кинетических эффектов в селениде ртути с примесями железа на основе теории резонансного рассеяния с учетом гибридизации.

1.3.1. Эффекты резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях переходных металлов в бесщелевых кристаллах.

1.3.2. Электронная концентрация и энергия Ферми.

1.3.3. Электронная подвижность.

1.3.4. Магнитная восприимчивость.

ГЛАВА 2. Методика эксперимента.

2.1. Описание и схемы установок для измерения электрических, гальваномагнитных и магнитных свойств проводников.

2.1.1 .Установка для измерения гальваномагнитных эффектов в стационарных магнитных полях УГМЭ - 350.

2.1.2. Многофункциональная установка РРМ8 — 9 для исследования электрических и гальваномагнитных свойств.

2.1.3. Высокочувствительный магнитометр МРМ8 - ХЬ для исследования магнитных свойств.

2.2. Образцы для исследования.

2.2.1. Методика выращивания кристаллов Б£]хРех8е, контроль состава и качества исследуемых материалов.'.

2.2.2. Приготовление образцов для электрических, гальваномагнитных и магнитных измерений.

ГЛАВА 3. Эффекты гибридизации электронных состояний примесей железа и хрома в концентрационных и температурных зависимостях электронной концентрации и подвижности в селениде ртути.

3.1. Исследования на кристаллах селенида ртути с примесями железа.

3.1.1. Экспериментальные данные по эффекту Холла и удельному электросопротивлению.

3.1.2. Стабилизация электронной концентрации и энергии Ферми.

3.1.3. Концентрационный максимум электронной подвижности.

3.1.4. Температурные зависимости подвижности электронов.

3.2. Температурные и концентрационные зависимости электронной подвижности кристаллов селенида ртути с примесями хрома.

3.3. Выводы.

ГЛАВА 4. Влияние резонансного рассеяния электронов на осцилляции

Шубникова-де Гааза и параметры гибридизированных электронных состояний примесей Бе в Б^е.

4.1. Эффект Шубникова — де Гааза в селениде ртути с примесями железа. Экспериментальные данные и их анализ.

4.2. Концентрационный минимум температуры Дингла.

4.3. Особенности концентрационной зависимости

§-фактора.

4.4. Параметры гибридизированных электронных состояний примесей Бе в кристалле Н£8е.

4.5. Выводы.

ГЛАВА 5. Магнитная восприимчивость резонансных состояний и определение спина донорных с! - примесей в селениде ртути.

5.1. Концентрационная зависимость константы Кюри в магнитной восприимчивости селенида ртути с примесями железа.

5.2. Донорный характер и спин кобальта в селениде ртути.

5.3. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эффекты гибридизации электронных состояний примесей переходных металлов в низкотемпературных свойствах селенида ртути»

Исследование рассеяния носителей заряда на заряженных и нейтральных примесных центрах в металлах и полупроводниках является одной из фундаментальных проблем физики твердого тела. Несмотря на многочисленные работы в данной области, остается ряд нерешенных вопросов, связанных с влиянием резонансных примесных состояний на явления переноса в объемных кристаллах.

Соединения типа П-1У, легированные Зс1-переходными металлами (Бе, Со, Сг и др.), являются перспективными объектами для решения таких задач. Отличительной особенностью этих систем является то, что примеси переходных 3с1 - металлов могут образовывать резонансные донорные уровни в полосе проводимости кристалла-матрицы. С ростом содержания примесей энергия Ферми электронов проводимости стабилизируется на резонансном с1-уровне, и наблюдается известный эффект «зацепления» энергии Ферми. Это приводит к резонансному рассеянию электронов проводимости на примесях и формированию системы промежуточной валентности. Происходит гибридизация делокализованных (зонных) и локализованных на примесных центрах электронных состояний. Этот эффект приводит к существенному изменению характера рассеяния электронов проводимости на примесях и проявляется в необычных концентрационных и температурных зависимостях кинетических коэффициентов исследуемых кристаллов. Поэтому комплексные исследования эффектов гибридизации имеют большое значение для развития представлений о влиянии резонансных донорных состояний переходных <1-металлов на физические свойства широкого класса легированных систем.

Детальные исследования гибридизированных электронных состояний, проводились ранее для валентной полосы энергий в широкозонных кристаллах [1]. Что касается явлений гибридизации в полосе проводимости, которые характерны для узкощелевых и бесщелевых кристаллов, то до недавнего времени их роль недооценивалась. Экспериментальные данные, полученные на этих системах, описывались на основе теоретических моделей, не учитывающих гибридизацию [2-6]. Однако недавно в работах [7,8] было показано, что именно проявлениями резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях объясняются аномалии в низкотемпературных электронных свойствах данных соединений.

Таким образом, для обозначенного выше класса систем стало актуальным детальное исследование эффектов гибридизации состояний и резонансного рассеяния электронов. Связанные с влиянием донорных примесей аномальные закономерности наблюдались при низких температурах в проводимости, гальваномагнитных, магнитных и других эффектах. Основным объектом для их изучения стал кристалл с примесями Зс1-переходных металлов, в котором такие закономерности проявляются особенно ярко.

Цель диссертационной работы - комплексное экспериментальное исследование электронных свойств и количественное описание низкотемпературных аномалий, связанных с проявлениями примесей переходных металлов (Ре, Сг, Со) в полосе проводимости Н^е, в рамках теории резонансного рассеяния.

Для достижения цели были поставлены и решены следующие задачи: 1. Исследовать кинетические и магнитные свойства кристалла Е^8е:Ре в

152 01 о диапазоне составов (2-10 1-10 ) см" . Провести количественный анализ концентрационных и температурных зависимостей проводимости и магнитном восприимчивости в. рамках теории резонансного рассеяния и определить набор значений физических параметров, который описывает электронную структуру донорного уровня Бе.

2. Изучить влияние гибридизированных электронных состояний примесей Бе на параметры квантовых осцилляций Шубникова — де Гааза в кристалле Н£8е:Ре. С этой целью исследовать поперечное магнитосопротивление данного соединения с различной концентрацией примесеи см" . Проанализировать концентрационные зависимости температуры Дингла и £-фактора электронов проводимости на основе развитой теории и определить параметры модели.

3. Исследовать роль гибридизации электронных состояний на примесях Сг в низкотемпературных кинетических свойствах Н^е. Для этого провести измерения температурных зависимостей удельного электросопротивления р{Т) и коэффициента Холла 7?н(7) кристалла Н^БегСг с различной

1В 20 3 концентрацией примесей (3*10 < ТУсг <6-10 ) см" . Провести количественное описание концентрационных и температурных зависимостей кинетических коэффициентов исследуемых систем и определить основные параметры гибридизированных состояний на примесях Сг.

4. Оценить вклад, который вносит магнетизм гибридизированных электронных состояний примесей Со в магнитную восприимчивость ^8е. С этой целью провести исследование температурных зависимостей магнитной восприимчивости хСО соединения Щ8е:Со в интервале концентраций (1-1018<#со <6-Ю20) см" . Определить из экспериментальных данных эффективный спин примеси кобальта и резонансную концентрацию донорных электронов

Научная новизна. В работе проведено комплексное исследование кинетических и магнитных явлений в кристалле HgSe с примесями переходных металлов (Со, Сг, Бе) в широком диапазоне концентраций примесей, температур, магнитных полей и выполнено количественное описание низкотемпературных; эффектов с целью определения параметров гибридизированных; электронных состояний примесей. .

1. В итоге детального экспериментального" исследования и количественного описания низкотемпературных аномалий? электронных, свойств кристалла Г^БегЕе (стабилизации^ электронной концентрации, максимума подвижности' и особенностей в температурных зависимостях подвижности) определены параметры гибридизации электронных состояний на примесях Бе {п0с1 — резонансная концентрация донорных электронов, ц0 — резонансная подвижность электронов, Г — полуширина резонансного интервала, ег — энергия резонансного уровня) и получен набор значений физических параметров, который описывает реальную электронную структуру исследуемого донорного уровня Бе.

2. В результате исследования осцилляций Шубникова — де Гааза на двух сериях образцов Н£;8е:Ге с различной концентрацией примесей Бе (2-1018 < Л'ре < 1-1021) см"3 определена величина фактора спектроскопического расщепления уровней Ландау. Обнаружено, что g-фaктop электронов проводимости немонотонно изменяется с увеличением концентрации примесей Ре. В интервале (1-1019 < Л^е < 2-1019) см"3 наблюдается минимум g-фактора, который связан с резонансной аномалией магнитной восприимчивости локализованной части электронной плотности и объясняется обменным взаимодействием электронов в гибридизированных состояниях.

3. В экспериментах по исследованию температурных зависимостей электросопротивления и коэффициента Холла в кристалле Е^;8е:Сг в

1Й ЛЛ о интервале концентраций — (3-10 6-10 ) см" и температур (2 -^- 300) К наблюдались, особенности в« поведении электронной подвижности: в зависимости от температуры и- концентрации примесей. Показано, что данные аномалии электронных свойств £^8е:Сг связаны с влиянием примесных электронных состояний и описываются теорией резонансного рассеяния. Определены параметры резонансного уровня* Сг в Б^е: полуширина, пика в плотности состояний А, относительная доля» нерезонансных фаз рассеяния а, сдвиг резонансной фазы ср, Г и

4. При экспериментальном исследовании магнитной восприимчивости системы !^8е:Со в концентрационном интервале примесей

1 о ОЛ "5

Л^со = (МО -6-10 )см" и диапазоне температур (2 ^ 300) К установлено, что в области низких температур (2-^-30) К магнитная восприимчивость локализованных моментов на примесях Со описывается законом Кюри-Вейса, а константа Кюри линейно растет с концентрацией примесей. Показано, что экспериментально определенная концентрационная зависимость константы Кюри свидетельствует о существовании в полосе проводимости ЩЭе резонансного уровня Со. Рассчитаны параметры, описывающие электронные состояния примеси Со: эффективный спин Б, и резонансная концентрация донорных электронов

На защиту выносятся:

1. Результаты исследований концентрационных и температурных зависимостей кинетических и магнитных параметров соединений Н§8е:Ре, Н§8е:Сг, Н§8е:Со, которые свидетельствуют об общих закономерностях в электронных свойствах, связанных с наличием гибридизированных состояний примесей в полосе проводимости Н§8е. Экспериментальные зависимости описываются в рамках модели резонансного рассеяния: концентрационные зависимости электронной концентрации (ТН^Бе с примесями Бе, Со); концентрационные зависимости электронной подвижности (Б^е с примесями Бе, Сг); температурные зависимости электронной подвижности (ЩБе с примесями Бе, Сг); концентрационные зависимости константы Кюри (Н^е с примесями Бе, Со).

2. Определение набора физических параметров гибридизированных состояний примеси Бе, который описывает реальную электронную структуру резонансного донорного энергетического уровня в полосе проводимости-кристалла-матрицы Н^Бе.

3. Обнаружение минимума в концентрационной зависимости g-фaктopa электронов проводимости в системе Н§8е:Ре, который обусловлен обменным взаимодействием зонных электронов с 3с1-электронами ионов Ре.

4. Анализ температурных зависимостей электронной подвижности кристалла Н§8е:Сг в рамках модели резонансного рассеяния электронов проводимости на примесях. Получены численные оценки параметров гибридизации электронных состояний на примесях Сг: полуширины пика в плотности состояний, относительной доли нерезонансных фаз рассеяния, резонансной подвижности, полуширины резонансного интервала,

5. Количественное описание концентрационной зависимости константы Кюри в примесной магнитной восприимчивости кристалла Н^;8е:Со в рамках модели гибридизации электронных состояний на примесях, которая линейно зависит от концентрации примесей Со. Определены параметры = 1.52

1 о "5 эффективный спин) и 0.5-10 см" (резонансная концентрация донорных электронов Со).

Научная и практическая ценность работы. Диссертационная работа выполнена по плану РАН (тема № г.р. 01.2.006 13395), а таюке в рамках инициативных проектов РФФИ (грант № 03-02-16246, грант № 06-02-16919, грант № 09-02-01389). Экспериментальные результаты, полученные в работе, и их интерпретация развивают представления о гибридизации примесных электронных состояний в полосе проводимости объемного кристалла и ее влиянии на низкотемпературные электронные свойства. Научная и практическая ценность работы состоит: в получении комплекса экспериментальных данных по электрическим, гальваномагнитным и магнитным свойствам кристаллов ^Бе:Ме

Ме = Ре, Со, Сг), которые подтверждают существование гибридизированных состояний примесей в полосе проводимости кристалла-матрицы;

• в определении физических параметров гибридизированных состояний примесей переходных металлов, которые содержат информацию об электронной структуре исследуемых донорных уровней.

Личный вклад автора. Комплекс работ, выполненных автором, включал в себя: проведение экспериментов по измерению температурных зависимостей электросопротивления, коэффициента Холла, эффекта Шубникова - де Гааза кристалла HgSe:Fe совместно с к.ф.-м.н., с.н.с. Сабирзяновой Л.Д., обработку экспериментальных данных. С использованием стандартного программного пакета MathCAD - 13.0 автором проведено количественное описание всех концентрационных и температурных зависимостей кинетических и термодинамических коэффициентов кристаллов HgSe:Fe, HgSe:Co, HgSe:Cr в рамках теории резонансного рассеяния, разработанной Окуловым В.И., и определены параметры модели.

В работе использовались данные по магнитным измерениям для кристаллов HgSe:Fe и HgSe:Co и по температурным зависимостям электросопротивления и коэффициента Холла для кристалла HgSe:Cr, полученные соавтором публикаций к.ф.-м.н. Королевым A.B. в центре магнитометрии Института физики металлов УрО РАН.

Постановка задачи, планирование экспериментов, обсуждение результатов, написание статей и тезисов докладов проводились совместно с научным' руководителем.

Степень достоверности результатов, приведенных в диссертации, обеспечивается использованием аттестованных монокристаллических образцов, применением современных апробированных методик измерений на аттестованных приборах, воспроизводимостью результатов измерений, использованием лицензионных программных пакетов для обработки экспериментальных данных (0rigin-8.0, MathCAD-13.0) и обсуждением, результатов исследования на основе общепринятых представлений физики твердого тела.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы были представлены на следующих конференциях: VII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники — 2005», Москва (2005); XXXIV Совещание по физике низких температур, Ростов-на-Дону — п. Лоо (2006); XX Международная школа-семинар «Новые магнитные материалы микроэлектроники», Москва (2006); XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Кыштым (2006); VIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2007», Екатеринбург (2007); XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск (2008); а также на семинарах кафедры низких температур Физического факультета МГУ, Москва (2008), кафедры компьютерной физики Физического факультета УрГУ, Екатеринбург (2009), на семинарах лаборатории полупроводников и полуметаллов ИФМ УрО РАН (2007, 2008, 2010) и на научной сессии Института физики металлов УрО РАН по итогам 2007 года.

Публикации. Всего по теме диссертации опубликовано 10 научных работ, из них статьи в ведущих рецензируемых научных журналах, определенных Высшей аттестационной комиссией — 4, статей в сборниках и трудах конференций и тезисов докладов — 6:

1. Окулов В.И., Гергерт A.B., Говоркова Т.Е., Королев A.B., Лончаков А.Т.,

Сабирзянова Л.Д., Паранчич С.Ю., Андрийчук М.Д., Романюк В.Р.

Экспериментальное исследование проявлений резонансного рассеяния электронов проводимости на примесях переходных элементов в селениде ртути // ФНТ. 2005. Т. 31. N 10. С. 1143 - 1152.

2. Окулов В.И., Говоркова Т.Е., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Королев A.B., Лончаков А.Т., Окулова К.А., Памятных Е.А., Паранчич С.Ю. Низкотемпературные эффекты резонансных электронных состояний на примесях переходных элементов в кинетических, магнитных и акустических свойствах полупроводников//ФНТ. 2007. Т. 33. N 2/3. С. 282-290.

3. Альшанский Г.А., Говоркова Т.Е., Окулов В.И., Королев A.B., Паранчич С.Ю. Влияние гибридизации примесных электронных состояний на квантовые магнитоосцилляционные явления в селениде ртути с примесями железа // ФНТ. 2008. Т. 34. N 6. С. 613-616.

4. Окулов В.И., Альшанский Г.А., Говоркова Т.Е., Константинов В.Л., Королев A.B., Памятных Е.А., Паранчич С.Ю. Определение эффективных магнитных моментов гибридизированных электронных состояний примесей по концентрационной зависимости константы Кюри //ФММ. 2009. Т. 108. №2. С. 124-128.

5. Окулов В.И., Говоркова Т.Е., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Лончаков А.Т., Паранчич С.Ю. Низкотемпературные резонансные эффекты гибридизированных электронных состояний примесей железа в селениде ртути // Труды XXXIV Совещания по физике низких температур, Ростов-на-Дону - 2006. Т. 2. С. 100-102.

6. Окулов В.И., Королёв A.B., Памятных Е.А., Гергерт A.B., Говоркова Т.Е., Паранчич С.Ю. Магнетизм гибридизированных состояний примесей кобальта в селениде ртути // Новые магнитные материалы микроэлектроники. Сб. трудов XX международной школы-семинара, Москва-2006. С. 895.

7- Окулов В.И., Гергерт A.B., Говоркова Т.Е., Королёв A.B., Курмаев Э.З., Лончаков А.Т., Памятных Е.А., Паранчич С.Ю. Обнаружение и исследование- проявлений- резонансных донорных энергетических уровней примесей переходных элементов в селениде ртути // Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, Москва-2005. С. 59.

8. Говоркова Т.Е., Алынанский Г.А., Королев A.B., Лончаков А.Т., Окулов В.И., Паранчич С.Ю. Проявление резонансного рассеяния и гибридизации состояний электронов на примесях переходных элементов в магнитоосцилляционных эффектах в селениде ртути // Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2007», Екатеринбург - 2007. С. 374.

9. Алынанский Г.А., Говоркова Т.Е., Королев A.B., Окулов В.И., Памятных Е.А., Паранчич С.Ю. Проявление концентрационной зависимости g-фактора электронов в квантовых осцилляционных явлениях в селениде ртути с примесями железа // Тезисы докладов XVII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, издание УрО РАН, Екатеринбург - 2008. С. 137.

10. Окулов В.И., Алынанский Г.А., Говоркова Т.Е., Лончаков-А.Т., Окулова К.А., Подгорных С.М., Паранчич* С.Ю. К экспериментальному обоснованию гибридизации электронных состояний на примесях переходных элементов в полупроводнике // Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск — Томск-2009. С. 214.

Диссертация состоит из введения- пяти глав,*; заключения? и списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Говоркова, Татьяна Евгеньевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В итоге исследований кинетических и магнитных свойств кристалла HgSe с примесями переходных металлов (Со, Cr, Fe) в широком диапазоне составов (1*1018см"3 <iYCo < 6*Ю20см"3; 3-1018см"3 <NCl < 6-Ю20см; 2-10^см"

3 21 3 iVpe < 1Т0 см" ) установлено, что наблюдаемые низкотемпературные эффекты подтверждают наличие гибридизированных состояний примесных d-электронов в полосе проводимости матрицы.

1. На основе теории резонансного рассеяния проведен количественный анализ концентрационных и температурных зависимостей проводимости и магнитной восприимчивости, который позволил определить основные параметры гибридизированных состояний примесей Со и Сг в HgSe. В результате количественного описания новых экспериментальных данных по низкотемпературным эффектам в HgSe:Fe получены параметры гибридизации на примеси Fe (nod= 2,6-1018см"3, Цо = 2,5-104 см2/(В-с), Г= 60 К, £г = 215 мэВ) и составлен набор значений физических параметров, который описывает реальную электронную структуру исследуемого донорного уровня Fe.

2. В экспериментах по исследованию эффекта Шубникова - де Гааза в кристалле HgSe:Fe обнаружен концентрационный минимум g-фактора электронов проводимости в резонансном интервале концентраций примесей 10 i

Nys= (1-К2)10 см". Показано, что немонотонная концентрационная зависимость g-фактора объясняется межэлектронным взаимодействием электронов в локализованных и делокализованных состояниях' и связана с резонансной аномалией магнитной восприимчивости локализованной4 части электронной плотности.

3. В кристаллах HgSe:Cr исследованы температурные зависимости электросопротивления и коэффициента Холла в широком интервале

18 20 3 концентраций примесей хрома (3-10 <NCt <6-10 ) см" и температур (2 +

300) К. Показано, что наблюдаемые особенности электронных свойств данных систем (аномальные температурные зависимости электронной подвижности и концентрационный максимум подвижности) предсказываются теорией резонансного рассеяния с учетом гибридизации электронных состояний на примесях.

В результате количественного описания резонансных эффектов в рамках предложенной модели определены значения параметров, характеризующих гибридизированные состояния электронов на примеси Сг в HgSe (А = 90 К, Г= 200 К, а = 0.001, juQ = 7200 см2/(В с), д> = 0.1).

4. В экспериментах по исследованию температурных зависимостей магнитной восприимчивости системы HgSe:Co в концентрационном

1 б ЛЛ о интервале (1-10 <NCo <6-10 ) см" и диапазоне температур (2-300) К установлено, что в низкотемпературной области (2-30) К магнитная восприимчивость локализованных моментов на примесях Со подчиняется закону Кюри-Вейса и постоянная Кюри С линейно зависит от концентрации примесей.

В итоге анализа концентрационной зависимости константы Кюри в примесной магнитной восприимчивости кристалла HgSe:Co установлено, что в полосе проводимости матрицы HgSe существуют резонансные донорные уровни Со. Определены значения параметров гибридизации электронных состояний на примесях Со: эффективный спин (iS, = 1.52), резонансная

1 О п концентрация донорных электронов (nod =0.5-10 см" ).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Говоркова, Татьяна Евгеньевна, 2010 год

1. Кикоин К.А. Электронные свойства примесей переходных металлов в. полупроводниках. — Москва: Энергоатомиздат,1991. 303 с.

2. Mycielski J. Formation of a superlattice of ionized resonant donors or acceptors in semiconductors // Solid State Commun. 1986. V. 60. N 2. P. 165- 168.

3. Wilamowski Z., Swiatek K., Dietl Т., Kossut J. Resonant states in gapless semiconductors: a quantitative study of HgSe:Fe // Solid State Commun. 1990. V. 74. P. 833 836.

4. Wilamowski Z. HgSe:Fe a system with mixed valence // Acta Phys. Polonica. 1990. V.A77. P. 133- 145.

5. Цидильковский И.М., Кулеев И.Г., Ляпилин И.И. «Аномалия» рассеяния электронов на коррелированной системе заряженных доноров //ЖЭТФ. 1992. Т. 102. №1(7). С. 326 337.

6. Кулеев И.Г., Ляпилин И.И., Цидильковский И.М. Проблема концентрационной аномалии подвижности электронов в HgSe:Fe. Модель сильно коррелированной жидкости // ЖЭТФ. 1992. Т. 102. № 5 (11). С. 1652- 1662.

7. Окулов В.И. Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках // ФНТ. 2004. Т. 30. № 11. С. 1194 -1202.

8. Абрикосов А.А., Бенеславский.С.Д. О возможножности существования веществ, промежуточных между металлами и диэлектриками // ЖЭТФ.1970. Т. 59. С. 1280 1298.

9. Цидильковский И.М. Эффект Нернста-Эттингсгаузена в сильных магнитных полях // Программа VIII Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Л., 1955. С. 6 - 7.

10. Цидильковский И.М. Эффект Нернста-Эттингсгаузена в сильных магнитных полях // Программа VIII Всесоюзной конференции по физике полупроводников. JL, 1955. С. 6-1.

11. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. — Москва: Наука, 1978. 328 с.

12. Groves S., Paul W. Band Structure of Gray Tin // Phys. Rev. Lett. 1963. V. 11. P. 194- 196.

13. Цидильковский И.М. и др. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках / И.М. Цидильковский, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина. — Свердловск: издательство УНЦ АН СССР, 1987. 151 с.

14. Фурдына Я., Косут Я. Полумагнитные полупроводники: Пер. с англ. под редакцией Цидильковского И.М. — Москва: Мир, 1992. 496 с.

15. Pool F., Kossut J., Debska U., Reifenberger R. Reduction of the charge-center scattering rate in Hgj.xFexSe // Phys. Rev. B. 1987. V. 35. P. 3900-3908.

16. Паранчич С.Ю., Паранчич JI.Д., Макогоненко В.Н., Лотоцкий В.Б. Структурные, электрические и тепловые свойства FexHgixSe // Известия АН СССР. Сер. неорганические материалы. 1989. Т. 25. № 2. С. 233-236

17. Глузман H.F., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М., Паранчич Л.Д, Паранчич С.Ю. Особенности биений' амплитуд шубниковских осцилляций в кристаллах Hg,.xFexSe // ФТП. 1986. Т. 20. С. 94 98.

18. Глузман Н.Г., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М., Паранчич Л.Д, Паранчич С.Ю. Особенности биений амплитуд шубниковских осцилляций в кристаллах HgixFexSe//ФТП. 1986. Т. 20. С. 94 98.

19. Займан Дж. Модели беспорядка. Москва: Наука, 1982. 592 с.

20. Кулеев И.Г. Пространственное упорядочение и кулоновская энергия взаимодействия ¿/-дырок в системе ионов железа со смешанной валентностью в кристаллах HgSe:Fe//ФТТ. 1997. Т. 39. № 2. С. 250 -255.

21. Кулеев И.Г., Ляпилин И.И., Лончаков А.Т., Цидильковский И.М. Термомагнитные эффекты в селениде ртути, легированном железом // ЖЭТФ. 1993. Т. 103. С. 1447- 1458.

22. Цидильковский И.М. Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния // УФН. 1992. Т. 162. № 2. С. 63 105.

23. Ляпилин И.И., Цидильковский И.М. Узкощелевые полумагнитные полупроводники//УФН. 1985. Т. 146. №5. С. 35-72.

24. Tsidilkovski I.M., Kuleev I.G. Spatial Correlations of Impurity Charges in Gapless Semicondactors // Semicond. Sei. Technol. 1996. V. 11. № 5. P. 625-640.

25. Окулов В .И. К теории . резонансного рассеяния электронов проводимости,на донорных примесях // ФММ. 2005. Т. 100. № 2. С. 23 29.

26. Friedet J. Metallic alloys // Nuovo Cimento Suppl. 1958. V. 2. P. 287 -311.

27. Окулов В.И., Памятных E.A., Гергерт A.B. К теории магнитной восприимчивости локализованных на примесях резонансных состояний электронов//ФММ. 2006. Т. 101. № 1. С. 11 15.

28. Раренко И.М., Гавалешко Н.П. Выращивание монокристаллов соединений АгВб с узкой запрещенной зоной. — В кн.: Рост кристаллов. -Москва: Наука, 1965. № 6. С. 267-270.

29. Глузман Н.Г., Леринман Н.К., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М., Паранчич С.Ю., Паранчич Ю.С. Резонансный донорный уровень хрома в селениде ртути // ФТП. 1991. Т. 25. № 1. С. 121 123.

30. Прозоровский В.Д., Решидова И.Ю., Паранчич С.Ю., Паранчич Ю.С. Исследование твердых растворов Hgi.xCrxSe//ФТТ. 1992. Т. 34. № 3. С. 882-888.

31. Прозоровский В.Д., Решидова И.Ю., Пузыня А.И., Паранчич Ю.С. Влияние дефектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg].xCrxSe и HgixCoxSe // ФНТ. 1996. Т. 22. № 12. С. 1396 1405.

32. Dietl Т., Szymanska W. Electron scattering and transport phenomena in smal-gap zinc-blend semiconductors // J. Phys. And Chem. Solids. 1979. V. 39. № 10. P. 1025-1040.

33. Шенберг Д. Магнитные осцилляции в металлах: Пер. с англ. Москва: Мир, 1986. 680с.

34. Глузман Н.Г., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М., Паранчич Ю.С., Паранчич С.Ю. Особенности биений амплитуд шубниковских осцилляций в кристаллах Hgi.xFexSe // ФТП. 1986. Т. 20. № 1. С. 94 -98.

35. Нейфельд Э.А., Демчук К.М., Харус Г.И., Бубнова А.Э., Доманская Л.И., Штрапенин Г.Л., Паранчич С.Ю. Осцилляции Шубникова де Taa3aBHgFeSe в условиях всестороннего сжатия//ФТП. 1997. Т. 31. № 3. С. 318-323.

36. Miller М.М., Reifenberger R. Effect of Fe on the conduction band of HgSe // Phys. Rev. B. 1988. V. 38. № 6. P. 4120-4126.

37. Mycielski Andrzej Fe — based semimagnetic semiconductors (invited) // Journal of Applied Physics. 1988. V. 63. №8 (Part II A). P. 3279-3284.

38. Vaziri M., Reifenberger Rt Spin dependent scattering of conduction electrons in diluted magnetic semiconductors: HgixFexSe // Phys. Rev. B. 1985. V. 32. № 6. P. 3921-3929.

39. Vaziri M., Schwarzkopf D.Ä., ReifenbergerR: Temperature dependence of the Shubnikov de Haas effect in Hg,.xFexSe // Phys. Rev. B. 1985. V. 311 №6. P. 3811 -3816.

40. Окулов В.И., Памятных Е.А. Орбитальная магнитная. восприимчивость электронной жидкости металла и аномалии: её температурной« зависимости//ФММ. 1990. №8. С. 5-13.

41. Алыпанский Г.А., Говоркова Т.Е., Окулов В.И., Королев A.B., Паранчич С.Ю. Влияние гибридизации примесных электронных состояний на квантовые магнитоосцилляционные явления в селениде ртути с примесями железа//ФНТ. 2008. Т. 34. № 6. С. 613-616.

42. Окулов В.И., Гудков В.В., Лончаков А.Т., Жевстовских И.В., Говоркова Т.Е., Паранчич С.Ю. Взаимодействие ультразвука с электронами вггибридизированных состояниях на примесях железа в кристалле селенидартути//Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. №19. С. 32-39.

43. Вонсовский C.B. Магнетизм. Москва: Наука, 1971. 1032 с.