Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Николаенко, Андрей Евгеньевич

• Николаенко, Андрей Евгеньевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Николаенко, Андрей Евгеньевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в прямозонных полупроводниках типа GaAs.

§ 1.1. Основные процессы, контролирующие релаксацию возбуждения в GaAs.

§ 1.2. Эффект длительного затухания ФЛ зонаакцептор в GaAs при низких температурах

§ 1.3. Модель механизма рекомбинации, предложенная для объяснения длительного затухания ФЛ зона-акцептор в GaAs.

ГЛАВА 2. Методические вопросы исследования.

§ 2.1. Методики получения исследуемых образцов

§ 2.2. Методики регистрации стационарной и нестационарной фотолюминесценции.

§ 2.3. Методика приложения электрического поля

§ 2.4. Экспериментальная установка для исследования кинетики ФЛ при селективном фотовозбуждении мелких доноров

ГЛАВА 3. Механизмы рекомбинации, обуславливающие длительную кинетику ФЛ в GaAs. Исследование кинетики ФЛ твердых растворов InGaAs и AlGaAs. Исследование кинетики ФЛ GaAs при приложении электрического поля.

§ 3.1. Анализ механизмов рекомбинации, обуславливающих длительную кинетику ФЛ в GaAs при низких температурах.

§ 3.2. Исследование кинетики ФЛ твердых растворов InGaAs и AlGaAs.

§ 3.2.1. Кинетика ФЛ твердых растворов InxGaixAs

§ 3.2.2. Кинетика ФЛ прямозонных твердых растворов AlxGaixAs.

§ 3.3. Кинетика ФЛ GaAs под действием электрического поля.

ГЛАВА 4. Исследование кинетики ФЛ GaAs и твердых растворов InGaAs и AlGaAs при селективном фотовозбуждении мелких доноров.

§ 4.1. Метод селективного фотовозбуждения мелких доноров.

§ 4.2. Исследование кинетики ФЛ GaAs при селективном фотовозбуждении мелких доноров

§ 4.3. Исследование кинетики ФЛ твердых раство-■ ров InGaAs и AlGaAs при селективном фотовозбуждении мелких доноров

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе»

Изучению механизмов и кинетики рекомбинации неравновесных носителей заряда в арсениде галлия - материале, важном как в прикладном, так и в фундаментальном отношениях - было посвящено большое количество работ. Результаты многочисленных исследований в этой области, накопленные к концу 80-х годов прошлого столетия, давали основания полагать, что основные процессы, приводящие к восстановлению равновесия в системе носителей заряда GaAs после выключения межзонного возбуждения, являются хорошо изученными.

Недавно, однако, было показано, что имеющиеся сведения о механизмах, контролирующих кинетику рекомбинации свободных носителей заряда в данном прямозонном материале, не полны. Так, основываясь на существовавших моделях, можно было бы ожидать, что в чистом (содержащем только остаточные примеси или слаболегированном) GaAs кинетика переходов с участием свободных электронов и дырок описывается экспоненциальными зависимостями. Характерные времена при этом должны составлять единицы наносекунд для процессов образования и излучательной рекомбинации эксито-нов [ 1, 2 ], и лежать в микросекундном диапазоне для переходов зона-примесь [1, 3, 4] . Однако недавно было обнаружено, что, в противоположность ожиданиям, затухание нестационарной фотолюминесценции (ФЛ) зона проводимости-акцептор в этом материале при гелиевых температурах происходит по необычно длительному закону, близкому к степенному, и наблюдается в течение нескольких миллисекунд после выключения возбуждения [5] . Длительная кинетика ФЛ зона-акцептор наблюдалась в эпитаксиальных слоях GaAs п- и р-типов проводимости при концентрации мелких примесей до «Б'Ю15 см-3. Исследование температурной зависимости эффекта показало, что длительное затухание ФЛ исчезает при повышении температуры образца до 25-30 К. Обнаруженное явление, таким образом, противоречит традиционным представлениям о доминирующих механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в прямо-зонных полупроводниках типа GaAs при низких температурах и требует пересмотра некоторых из них.

В работе [5] была предложена модель механизма рекомбинации, объясняющая наблюдаемое в GaAs длительное затухание ФЛ зона-акцептор влиянием многократных захвата и эмиссии неравновесных электронов мелкими ловушками - процессов, не рассматривавшихся ранее в данном материале. Основываясь на температурной зависимости эффекта, было высказано предположение, что в роли ловушек выступают остаточные мелкие доноры. В пользу такого предположения свидетельствуют результаты численного моделирования кинетики примесной ФЛ GaAs с учетом многократных захвата и эмиссии электронов мелкими ловушками с глубиной залегания в несколько миллиэлектронвольт, которые дают для переходов зона-акцептор степенной закон затухания, близкий к наблюдаемому в эксперименте.

Однако экспериментальные данные, явным образом подтверждающие участие мелких доноров в качестве ловушек для электронов при рекомбинации неравновесных носителей заряда в GaAs, отсутствовали, что не позволяло исключить возможность доминирования иных механизмов - например, связанных с пространственным разделением неравновесных носителей заряда встроенными электрическими полями. В качестве ловушек, захватывающих неравновесные носители заряда и определяющих кинетику ФЛ зона-акцептор, могут также выступать иные точечные дефекты. Также отсутствовали данные по кинетике примесной низкотемпературной ФЛ прямозонных материалов, имеющих близкие к GaAs параметры мелких примесей, но при этом отличающийся спектр точечных дефектов.

Целью диссертационной работы являлось исследование механизмов, определяющих кинетику излучательной рекомбинации свободных электронов в чистом GaAs и прямозонных твёрдых растворах при низких температурах. Для достижения поставленной цели при выполнении работы ставились следующие задачи:

1. Исследовать кинетику примесной ФЛ прямозонных твердых растворов InxGai-xAs и AlxGaixAs различных составов.

2. Для экспериментальной проверки предложенной модели механизма рекомбинации исследовать кинетику ФЛ GaAs при приложении ионизирующего ловушки электрического поля.

3. Для выяснения роли мелких доноров в возникновении длительного затухания ФЛ зона-акцептор изучить кинетику ФЛ GaAs и твердых растворов при селективном возбуждении доноров.

4. Для решения задач пп.2 и 3 реализовать экспериментальные методики регистрации кинетики ФЛ при приложении к исследуемому образцу электрического поля и при селективном возбуждениии электронных переходов в мелких донорах излучением субмиллиметрового лазера в магнитном поле.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Николаенко, Андрей Евгеньевич

Основные результаты и выводы диссертационной работы состоят в следующем:

1. Обнаружено, что длительное неэкспоненциальное затухание нестационарной ФЛ зона-акцептор наблюдается при низких температурах в слоях твёрдых растворов AlxGa;ixAs с составами к до 3% и InxGaixAs во всём исследованном диапазоне составов х до 0,3%.

2. Показано, что поведение кинетики краевой ФЛ GaAs при приложении электрического поля находится в соответствии с моделью механизма рекомбинации, учитывающей влияние многократных захвата и эмиссии неравновесных электронов мелкими ловушками. Показано, что энергия ионизации этих ловушек не превышает 26 мэВ.

3. На основании результатов исследования кинетики ФЛ GaAs и твёрдых растворов InGaAs и AlGaAs при селективном возбуждении мелких доноров субмиллиметровым излучением в магнитном поле сделан вывод о том, что ловушками, обуславливающими эффект длительного затухания ФЛ зона-акцептор в этих материалах при низких температурах, являются остаточные мелкие доноры.

4. Показано, что детектирующая способность методики люминесцентной спектроскопии мелких акцепторов в GaAs и твердых растворах может быть улучшена при приложении к исследуемому образцу электрического поля или при использовании резонансного фотовозбуждения мелких доноров. Применение фотовозбуждения доноров позволило впервые наблюдать раздельно линии зона-акцептор и донор-акцептор в спектрах ФЛ AlxGaixAs малых составов (х=3%), а также наблюдать в спектрах ФЛ InGaAs переходы с участием акцепторов, присутствующих в следовых количествах на фоне доминирующих.

Диссертационная работа выполнена в Институте физики полупроводников Сибирского Отделения РАН. Личный вклад автора состоит в построении установки для исследования кинетики ФЛ при селективном фотовозбуждении мелких доноров, подготовке и проведении экспериментов, анализе полученных данных и подготовке публикаций.

Автор выражает искреннюю признательность научному руководителю за постоянное руководство и помощь при выполнении работы, Н.Т.Мошегову, А.И.Торопову и А.К.Бакарову за возможность исследования структур GaAs и AlGaAs, выращенных ими методом МЛЭ, Н.С.Рудой, Н.А.Якушевой и Ю.Б.Болховитянову за предоставление образца GaAs, выращенного методом ЖФЭ, Ю.В.Жиляеву, Л.М.Федорову и В.М.Ботнарюку за предоставление образцов GaAs и InGaAs, выращенных методом ГФЭ, А.В.Цареву за изготовление пластин ниобата лития и подготовку экспериментов с ПАВ, О.А.Шегаю за помощь в проведении экспериментов с использованием субмиллиметрового лазера, В.Я.Принцу за ценные замечания по диссертационной работе и коллегам по Сектору люминесцентных методов контроля параметров полупроводниковых структур ИФП СО РАН -К.С.Журавлеву и Т.С.Шамирзаеву - за повседневную помощь и поддержку .

- из

- Ill -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе было проведено исследование механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда в чистых GaAs и прямозонных твёрдых растворах InGaAs и AlGaAs при низких температурах. Изучена кинетика низкотемпературной примесной ФЛ слоев InxGaixAs и AlxGaixAs различных составов. Исследованы кинетика ФЛ GaAs при приложении электрического поля, сгенерированного ПАВ, и кинетика ФЛ GaAs и твердых растворов InGaAs и AlGaAs при селективном фотовозбуждении мелких доноров излучением субмиллиметрового лазера в условиях магнитного резонанса.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Николаенко, Андрей Евгеньевич, 2006 год

1. Bimberg D., Munzel H., Steckenborn A., Christen J. Kinetics i > of relaxation and recombination of nonequilibrium chargecarriers in GaAs: carrier capture by impurities. Phys. Rev. B, 1985, v.31, № 12, p.7788-7799.

2. Гарбузов Д.З., Халфин В.В., Трукан М.К., Агафонов В.Г., Аб-дулаев А. Температурная зависимость эффективности и времен жизни излучательных переходов в прямозонном полупроводникетипа GaAs. ФТП, 1978, т.12, № 7, с.1368-1379.

3. Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S. Millisecond phosphorescence of free electrons in pure GaAs. Appl. Phys. Lett., 2001, v.79, № 21 p.3455-3457.

4. Nickolaenko A.E., Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S., ^ Shegai O.A., Shamirzaev T.S., Bakarov A.K., Zhilyaev Yu.V.,

5. Журавлев К.С., Гилинский A.M., Царёв А.В., Николаенко А.Е. Кинетика фотолюминесценции GaAs под действием поверхностной акустической волны. ФТП, 2001, т.35, № 8, с.932-936.

6. Nickolaenko A.E., Gilinsky A.M., TsarevA.V., Zhurav-lev K.S. Photoluminescence characterization of shallow acceptors in л-GaAs using a surface acoustic wave technique. Physica B, 2003, v.340-342, p.333-336.

7. Nickolaenko А.Е., Gilinsky A.M., Shegai О.А., Shamirzaev T.S., Zhuravlev K.S. Optically detected magnetic resonance of shallow donors in GaAs observed in photoluminescence kinetics. Phys. Stat. Solidi (c), 2003, v.0, № 2, p.669-672.

8. Rappel W.J., Feiner L.F., Schuurmans M.F.H. Exciton-polariton picture of the free-exciton lifetime in GaAs. -Phys. Rev. B, 1988, v.38, № 11, p.7874-7876.

9. Lax M. Giant traps. J. Phys. Chem. Solids, 1959, v.8, № 1, p.66-73.

10. Lax M. Cascade capture of electrons in solids. Phys. Rev., 1960, v. 119, № 5, p.1502-1523.

11. Nelson R.J., Sobers R.G. Minority-carrier lifetime and internal quantum efficiency of surface-free GaAs. J. Appl. Phys., 1978, v.49, № 12, p.6103-6108.

12. Casey H.C., Stern F. Concentration-dependent absorption and spontaneous emission of heavily doped GaAs. J. Appl. Phys., 1976, v.47, № 2, p.631-643.

13. Chaudhuri S. Optical-transition cross sections involving impurities in semiconductors. Phys. Rev. B, 1982, v.26, № 12, p.6593-6602.

14. Williams F.E. Theory of the energy levels of donor-acceptor pairs. J. Phys. Chem. Solids, I960, v.12, p.265-275.

15. Thomas D.G., Hopfield J.J., Augustyniak W.M. Kinetics of radiative recombination at randomly distributed donors and acceptors. Phys. Rev., 1966, v.140, № 1A, p.A202-A220.

16. Dean P.J. Interimpurity recombination in semiconductors. -В кн.: Progress in Solid State Chemistry, v.8, p.1-126. Pergamon Press, New York, 1973.

17. Harris T.D., Trautman J.K., Colonell J.I. Dynamics of selectively excited donor acceptor pairs in GaAs. Mater. Sci. Forum, 1990, v.65-66, p.21-28.

18. Bludau W., Wagner E. Carrier lifetime controlled by capture into deep and shallow centers in GaAs. Appl. Phys. Lett., 1976, v.29, № 3, p.204-206.

19. Ulbrich R. Capture of hot electrons by ionized donors in GaAs. Phys. Rev. Lett., 1971, v.27, № 22, p.1512-1514.

20. Dingle R. Radiative lifetimes of donor-acceptor pairs in p-type gallium arsenide. Phys. Rev., 1969, v. 184, № 3, p.788-796.

21. Гилинский A.M. Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта-р-легированном арсениде галлия. Диссертация на соискание степени кандидата физ. -мат. наук. Новосибирск, 1991, 178 с.

22. Акимов А.В., Каплянский А.А., Криволапчук В.В., Москаленко Е.С. Проявление метастабильных локализованных состояний дырок в медленной кинетике краевой люминесценции л-GaAs. -Письма в ЖЭТФ, 1987, т.46, №1, стр.35-39.

23. Акимов А.В., Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Полетаев Н.К., Шофман• В. Г. Экспериментальное наблюдение дырок в л-GaAs, высвободившихся в результате Оже-распада локализованных состояний. ФТП, 1991, т.25, № 4, стр.713-717.

24. Gilinsky A.M., Zhuravlev К.S. Characterization of shallow acceptors in GaAs by microsecond-scale time-resolved pho-toluminescence. Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, № 3, p.373-375.

25. Ashen D.J., Dean P.A., Hurle D.T.J., Mullin J.В., White A.M., Green P.D. The incorporation and characterization of acceptors in epitaxial GaAs. J. Phys. Chem. Solids, 1975, v.36, N 10, p.1041-1053.

26. Yakusheva N.A., Zhuravlev K.S., Chikichev S.I., Shegaj O.A. Liquid phase epitaxial growth of undoped gallium arsenide from bismuth and gallium melts. Cryst. Res. Technol., 1989, v.24, № 2, p.235-246.

27. Szafranek I., Piano M.A., McCollum M.J., Stockman S.A., Jackson S.L., Cheng K.Y., Stillman G.E. Growth-induced shallow acceptor defect and related luminescence effects in molecular beam epitaxial GaAs. J. Appl. Phys., 1990, v.68, № 2, p.741-754.

28. Hsu J.K., Jones S.H., Lau K.M. A new analytical technique-----of—photoluminescence for — optimization of organometallicchemical vapor deposition. J. Appl. Phys., 1986, v. 60, № 10, p.3781-3784.

29. Адирович Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. Гос. Изд. Технико-теоретической литературы, М., 1956, 350 с.

30. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кри-сталлофосфоров. Наука, М., 1966, 324 с.

31. Martin G.M., Mittonneau A., Mircea A. Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. Electron Lett., 1977, v.13, № 7, p.191-193.

32. Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova R.I., Hairi E.H., Chikichev S.I., Yudaev V.I. A multipurpose graphite boat •for LPE growth of multilayer heterostructure. Gryst. Res. Technol., 1982, v.17, № 12, p.1491-1499.

33. Якушева H.A., Журавлев К.С., Шегай О.А. Об «очистке» арсе-нида галлия висмутом. ФТП, 1988, т.22, № 11, с.2083-2086.

34. Журавлев К.С., Калагин А.К., Мошегов Н.Т., Торопов А.И., Шамирзаев Т.С., Шегай О.А. Влияние температуры зоны крекинга твердотельного источника мышьяка на состав фоновых примесей в GaAs, полученном методом МЛЭ. ФТП, 1996, т.30, № 9, с.1704-1717.

35. Zhuravlev К.S., Toropov А. I., Shamirzaev Т.S., Bakarov А.К. Photoluminescence of high-quality AlGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 2000, v.76, № 9, p.1131-1133.

36. Журавлев К.С., Торопов А.И., Шамирзаев Т.С., Бакаров А.К., Раков Ю.Н., Мякишев Ю.Б. Применение высокочистых слоев

37. AlxGaixAs в эпитаксиальных структурах для мощных полевых СВЧ транзисторов. Письма в ЖГФ, 1999, т.25, № 15, с. 815.

38. Журавлев К.С. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном p-GaAs с примесными комплексами. Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат. наук. Новосибирск, 1991, 161 с.

39. Шамирзаев Т.С. Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксиальном GaAs. Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат. наук. -Новосибирск, 1998, 158 с.

40. Zhuravlev K.S., Petrov D.V. Bolkhovityanov Yu.B., Ru-daja N.S. Effect of surface acoustic waves on low-temperature photoluminescence of GaAs. Appl. Phys. Lett., 1997, v.70, № 25, p.3389-3391.

41. Rocke C., Zimmermann S., Wixforth A., Kotthaus J.P., Bohm G., Weimann G. Acoustically Driven Storage of Light in a Quantum Well. Phys. Rev. Lett., 1997, v.78, № 21, p.4099-4102.

42. Rocke C., Govorov A.O., Wixforth A., Bohm G. Weimann G. Exciton ionization in a quantum well studied by surface acoustic waves. Phys. Rev. B, 1998, v.57, № 12, p.R6850-R6853.

43. Дричко И.JI., Дьяконов A.M., Крещук A.M., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Смирнов И.Ю., Суслов А.В. Проявление эффекта локализации электронов в осцилляциях поглощения звука в режиме квантового эффекта Холла ФТП, 1997, т.31, №4, с. 451-458.

44. Wixforth A., Scriba J., Wassermeier M., Kotthaus J.P., Weimann G., Schlapp W. Surface acoustic waves on GaAs / AlxGaxxAs heterostructures. Phys. Rev. B, 1989, v.40, № 11, p.7874-7887.

45. Шегай О.А. Спектроскопия мелких примесей в Ge, GaAs и сверхрешетках (GaAs)n(InAs)m в магнитном поле. Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат. наук. Новосибирск, 1995, 145 с.

46. Shah J., Leite R.C.C. Radiative Recombination from Photo-excited Hot Carriers in GaAs. Phys. Rev. Lett., 1969, v.22, № 24, p.1304-1307.

47. Queisser H.J., Theodorou D.E. Hall-effect analysis of persistent photocurrents in л-GaAs layers. Phys. Rev. Lett., 1979, v.43, № 5, p.401-404.

48. Dohler G.H. Doping superlattices («п-i-p-i crystals»). -IEEE J. Quantum Electron., 1986, v.QE-22, № 9, p.1682-1695.

49. Альперович В.JI., Кравченко А.Ф., Паханов Н.А., Терехов А.С. Влияние осциллирующей ЭДС Дембера на спектры фо-тоЭДС арсенида галлия. ФТП, 1980, т.14, № 9, с.1768-1771.

50. Kim М.Н., Piano М.А., Haase М.А., Stillman G.E., Wang W.I. Photo-Hall studies of high-purity GaAs. J. Appl. Phys., 1991, v.70, № 12, p.7425-7433.

51. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М., 1979, 416 с.

52. Bhattacharya Р. К., Dhar S., Berger P., Juang F.Y. Low defect densities in molecular beam epitaxial GaAs achievedby isoelectronic In doping. Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, № 8, p.470-472.

53. Brehme S., Krispin P., Lubyshev D.I. Hole traps in indium-doped and indium-free GaAs grown by molecular beam epitaxy. Semicond. Sci. Technol., 1992, v.7, № 4, p.467-471.

54. Kim H.K., Schlesinger Т.Е., Milnes A.G. Study of isoelectronic In doping in molecular beam epitaxy grown GaAs thy-ristors. J. Vac. Sci. Tech. B, 1990, v.8, № 2, p.374-378.

55. Li A.Z., Kim H.K., Jeong J.C., Wong D., Schlesinger Т.Е., Milnes A.G. Trap suppression by isoelectronic In or Sb doping in Si-doped л-GaAs grown by molecular-beam epitaxy J. Appl. Phys., 1988, v.64, № 7, p.3497-3504.

56. Laurenti J.P., Roentgen P., Wolter K., Seibert K., Kurz H., Camassel J. Indium-doped GaAs: A very dilute alloy system. Phys. Rev. B, 1988, v.37, № 8, p.4155-4163.

57. Lee M.K., Chiu Т.Н., Dayem A., Agyekum E. Isoelectronic doping in GaAs epilayers grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1988, v.53, № 26, p.2653-2655.

58. Dhar S., Kanad Mallik, Nag B.R. Characteristics of indium-doped GaAs layers grown by liquid phase epitaxy with indium content in the range (0.3-7) xlO19 cm-3. J. Appl. Phys., 1991, v.69, № 6, p.3578-3582.

59. Adachi S. Material parameters of In^GaxAsyPi-y and related binaries. J. Appl. Phys., 1982, v.53, № 12, p.8775-8792.

60. Akimoto K., Kamada M., Taira K., Arai M., Watanabe N. Pho-toluminescence killer center in AlGaAs grown by molecularbeam epitaxy. J. Appl. Phys., 1986, v.59, № 8, p.2833-2836.

61. Peaker A.R., Saleemi F. Defect energy levels in AlGaAs. -В кн. Properties of aluminium gallium arsenide, p.269-277. INSPEC, London, 1993.

62. Qurashi U.S., Zafar Iqbal M., Andersson T.G. Effects of A1 doping on deep levels in molecular-beam-epitaxy GaAs. -J. Appl. Phys., 1995, v.78, № 8, p.5035-5041.

63. Qurashi U.S., Zafar Iqbal M., Andersson T.G. Photolumines-cence study of A1 doping in GaAs grown by molecular-beam epitaxy. J. Appl. Phys., 1996, v.80, № 10, p.5932-5940.

64. Pavesi L., Guzzi M. Photoluminescence of AlxGaixAs alloys. J. Appl. Phys., 1994, v.75, № 10, p.4779-4842.

65. Guzzi M., Grilli E., Oggioni S. Staehli J.L., Bosio C. Pavesi L. Indirect-energy-gap dependence on A1 concentration in AlxGa!xAs alloys. Phys. Rev. B, 1992, v.45, № 19, p.10951-10957.

66. Heilman R., Oelgart G. Ionization energy of the carbon acceptor in AlxGaixAs. Semicond. Sci. Technol., 1990, v.5, № 10, p. 1040-1045.

67. Mooney P.M. Donor-related levels in GaAs and AlxGaixAs. -Semicond. Sci. Technol., 1991, v.6, № 10B, p.Bl-B8.

68. Chand N., Henderson Т., Klem J., Masselink W.T, Fischer R., Chang Y., Morkoc H. Comprehensive analysis of Si-doped AlxGaixAs (x = 0 to 1): Theory and experiments. -Phys. Rev. B, 1984, v.30, № 8, p.4481-4492.

69. Журавлев К.С., Гилинский A.M. Подвижная линия акцепторной фотолкминесценции «чистого» GaAs. Письма в ЖЭТФ, 1997, т.65, № 1, с.81-85.

70. Eagles D.M. Optical absorption and recombination radiation in semiconductors due to transitions between hydrogen-like acceptor impurity levels and the conduction band.

71. J. Phys. Chem. Solids, I960, v.16, N 1-2, p.76-83.

72. Schubert E.F., Gobel E.O., Horikoshi Y., Ploog K., Quis-ser H.J. Alloy broadening in photoluminescence spectra of AlxGaixAs. Phys. Rev. B, 1984, v.30, № 2, p.813-820.

73. Langer J.M., Buczko R., Stoneham A.M. Alloy broadening of the near-gap luminescence and the natural band offset in semiconductor alloys. Semicond. Sci. Technol., 1992, v.7, № 4, p.547-551.

74. Stringfellow G.B., Linnebach R. Photoluminescence of shallow acceptors in epitaxial AlxGaixAs. J. Appl. Phys., 1980, v.51, № 4, p.2212-2217.

75. Емельяненко О.В., Наследов Д.Н., Недеогло Д.Д. Разогрев электронов в арсениде галлия и фосфиде индия при низких температурах. ФТТ, 1973, т.15, № 6, с.1712-1717.

76. Schairer W., Stath N. Impact ionization of donors in semiconductors as a tool for photoluminescence investigations.- J. Appl. Phys., 1972, v.43, № 2, p.447-450.

77. Попов В.В., Чаплик А.В. Ионизация мелких примесей ультразвуком. ФТП, 1976, т.10, № 9, с.1780-1781.

78. Colson W.B. Short wavelength free electron lasers in 2000.- Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2001, v.475, № 1-3, p.397-400.

79. Vinh N.Q., Phillips J., Gordon Davies, Gregorkiewicz T. Time-resolved free-electron laser spectroscopy of a copper isoelectronic center in silicon. Phys. Rev. B, 2005, v.71, № 8, p.085206 (5 pages).

80. Armistead C.J., Knowles P., Najda S.P., Stradling R.A. Far-infrared studies of central-cell structure of shallow donors in GaAs and InP. J. Phys. C: Solid State Phys., 1984, v.17, № 35, p.6415-6434.

81. Fetterman H.R., Larsen D.M., Stillman G.E., Tannen-wald P.E., Waldman J. Field-dependent central-cell corrections in GaAs by laser spectroscopy. Phys. Rev. Lett., 1971, v.26, № 16, p.975-978.

82. Makado P.C., McGill N.C. Energy levels of a neutral hydrogen-like system in a constant magnetic field of arbitrary strength. J. Phys. C: Solid State Phys., 1986, v. 19, № 6, p.873-885.

83. Korn D.M., Larsen D.M. Stark effect on donor transitions in high-purity GaAs. Solid State Commun., 1973, v. 13, № 7,p.807-810.

84. Larsen D.M. Inhomogeneous broadening of the Lyman-series absorption of simple hydrogenic donors. Phys. Rev. B, 1976, v.13, № 4, p.1681-1691.

85. Allan G.R., Black A., Pidgeon C.R., Gornik E., Seiden-busch W., Colter P. Impurity and Landau-level electron lifetimes in л-type GaAs. Phys. Rev. B, 1985, v.31, № 6, p.3560-3567.

86. Rossi J.A., Wolfe C.M., Dimmock J.O. Acceptor luminescence in high-purity л-type GaAs. Phys. Rev. Lett., 1970, v.25, № 23, p.1614-1617.

87. Рудая H.C., Болховитянов Ю.Б., Журавлев К.С., Шегай О.А., Якушева Н.А. Высокочистый GaAs, выращенный из раствора GaAs в Bi, легированного иттербием. Письма в ЖТФ, 1990, т.16, № 9, с.37-40.

88. Lu Z.H., Hanna М.С., Szmyd D.M., Oh E.G., Majerfeld A. Determination of donor and acceptor densities in high-purity GaAs from photoluminescence analysis. Appl. Phys. Lett., 1990, v.56, № 2, p.177-179.

89. Зверев B.H. Магнитопримесные осцилляции в арсениде галлия. Письма в ЖЭТФ, 1983, т.37, № 2, с.89-92.

90. Зверев В.Н., Шовкун Д.В. Экспериментальное исследование магнитопримесных осцилляций в арсениде галлия. ЖЭТФ, 1984, т.87, № 5, с.1745-1755.

91. Ruhle W., Gobel Е. New aspects of the magnetoluminescence of a band to acceptor transition in GaAs. Phys. Stat. Solidi B, 1976, v.78, № 1, p.311-317.