Динамика поверхностного слоя монокристаллических подложек при газоразрядном напылении пленок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Пономаренко, Валерий Олегович

• Пономаренко, Валерий Олегович
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пономаренко, Валерий Олегович

ВВЕДЕНИЕ.

1 Проблема характеризации модификации поверхности при взаимодействии с ионами (литературный обзор).

1.1 Методы ионной модификации поверхностей.

1.2 Получение тонких металлических пленок при ионном распылении.

1.3 Влияние процесса ионного распыления на статистические характеристики поверхности.

1.4 Зависимость структурного совершенства и морфологии поверхности гетероэпитаксиальных пленок от плазменных процессов.

2 Метод рентгеновской энергодисперсионной дифракции (РЭД) для структурных исследований.

2.1 Теория метода РЭД.

2.2 Формула интегральной интенсивности для поликристаллических материалов.

2.3 Поправки к формуле интегральной интенсивности.

2.4 Полупроводниковые детекторы.

2.5 Точность метода РЭД.

2.6 Применение метода РЭД.

2.6.1 Исследования текстуры.

2.6.2 Структурные исследования при высоком давлении.

2.6.3 Структурные исследования неупорядоченных материалов.

2.6.4 Кристаллизация металлических стекол.

2.7 Выводы второй главы.

3 Исследование монокристальных подложек методом рентгеновской энергодисперсионной дифракции.

3.1 Подложки ЬаАЮ3 на спектрометре DX - 95 (EDАХ).

3.2 Подложки MgO на спектрометре DX - 95 (EDАХ).

3.3 Подложки LaA103 на дифрактометре УРД HZG 4/В.

3.4 Подложки MgO на дифрактометре Rigaku Ultima IV.

3.5 Расчет среднеквадратичных отклонений атомов от узлов решетки

3.6 Исследование профиля концентрации атомов пленки Вао^Го^ТЮз в поверхностном слое монокристаллической подложки ЬаАЮз.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Динамика поверхностного слоя монокристаллических подложек при газоразрядном напылении пленок»

Актуальность темы

Получение тонких пленок конденсированных сред является важной задачей физики конденсированного состояния. Изучение процесса получения тонких пленок и их фундаментальных свойств позволяет наблюдать новые физические явления, происходящие при разных условиях, как в самих пленках, так и в их подложках, что связано с технологией их получения. Эффективное управление процессом получения пленок требует развития методов высокоэффективного, неразрушающего, экспрессного, достаточно дешевого контроля, а таюке соответствующей аппаратуры.

В работах [1, 2] обнаружен характерный размер 62 нм в магнитной подсистеме — период так называемой циклоиды в основном состоянии объемных мультиферроиков, которая экранирует магнитоэлектрический коэффициент в них и период которой не соразмерен с периодом кристаллической структуры. В пленочных образцах [3] эта проблема отсутствует. Не так давно разгорелась дискуссия [4], основной результат которой заключается в установлении низкого уровня как современного развития технических средств для определения состава, атомной и тем более магнитной структуры тонких пленок, так и способов их получения.

Перспективным методом напыления пленок считается метод высокочастотного (ВЧ) газоразрядного напыления при повышенных давлениях газа р ~ 1 торр [5,6]. Преимущество этого метода состоит в том, что при этих условиях появляется механизм подавления генерации точечных дефектов в пленках. В результате в рамках данного метода [7] имеется, с одной стороны, возможность получения кристаллических плёнок с заданными параметрами без последующего отжига, а с другой -существенно упрощается текущий контроль in situ самой технологии получения пленки. Таким образом, возможно фундаментальное исследование динамики формирования гетероэпитаксии на поверхности монокристаллической подложки.

При исследовании влияния длительности процесса напыления обычно используются серии пленок, полученных при одинаковых технологических условиях, но с разным временем напыления. Пленка на каждом этапе напыления, с соответствующим временем напыления, может рассматриваться как его своеобразный срез, что позволяет наблюдать изменения элементного состава и структуры пленок от времени напыления, а также структуры поверхностного слоя подложки, который подвергается ионной модификации под воздействием напыляемых ионов. Для развития технологии напыления многокомпонентных эпитаксиальных оксидных плёнок, наряду со структурными данными, необходимы сведения об изменении в ходе напыления элементного состава и качества их поверхностей.

Сверхтонкие пленки на кристаллических подложках представляют собой важный начальный этап зарождения «слоевого эпитаксиального роста пленки» в рабочей камере газового разряда. Знание его механизма на монокристалле [7] позволит более обоснованно развивать технические средства текущего контроля технологии приготовления пленок или многослойных структур. Определяющим для качества гетероэпитаксиальных пленок является начальный этап их напыления, который оценивается временем напыления около пяти минут. Поскольку средняя скорость напыления гетероэпитаксиальных оксидных пленок 5-10 нм/мин, то при характеризации того, что образовалось на поверхности кристаллической подложки за это время, приходится иметь дело с тонкими пленками (до 30-50 нм).

Традиционные рентгеновские методики исследования тонких пленок требуют либо мощных источников синхротронного излучения [8], либо перенесения технологического процесса получения пленок непосредственно в зону синхротронного излучения [9]. Развитие метода рентгеновской энергодисперсионной дифракции (РЭД) позволяет в более доступных условиях, в одном эксперименте, на одном приборе экспрессно качественно изучать изменение элементного состава и структуры пленки, а также структуры поверхностного слоя монокристаллической подложки.

Таким образом, тема диссертации, посвященная исследованию динамики поверхностного слоя монокристаллических подложек при газоразрядном напылении на них серий оксидных и металлических пленок, полученных в одинаковых технологических условиях, но при различном времени напыления, а также развитию рентгеновского метода контроля процесса напыления, является актуальной.

Цель работы: выявить закономерности качественного изменения структуры и элементного состава монокристаллических подложек в процессе напыления на них пленок в высокочастотном газовом разряде, разработав необходимые новые методики исследования.

Для достижения поставленной цели предстояло решить следующие основные задачи:

• Модернизировать рентгенооптическую схему спектрометра БХ-95 (фирмы ЕБАХ) и разработать методику регистрации комбинированных спектров (РЭД и РФА) серии монокристаллических подложек с увеличивающимся временем напыления на них пленок.

• Модернизировать рентгенооптическую схему универсального рентгеновского дифрактометра для исследования методом РЭД серии монокристаллических подложек с увеличивающимся временем напыления.

• Выявить и исследовать качественное изменение структуры поверхностного слоя монокристаллических подложек при напылении на них в течение различного времени серий оксидных и металлических пленок.

• Модернизировать рентгенооптическую схему универсального рентгеновского дифрактометра (УРД) для регистрации РЭД и проведения качественного РФА серии монокристаллических подложек при скользящих углах падения первичного рентгеновского излучения.

• Выявить и исследовать качественные изменения элементного состава поверхностного слоя серии монокристаллических подложек с разными временами напыления пленок.

Объекты исследования:

• В8Т//ЬаАЮ3 - серия плёнок с разным временем напыления в одинаковых технологических условиях, полученных при распылении поликристаллической мишени твердого раствора состава Вао^ГагТЮз с перовскитовой структурой на монокристаллическую подложку ЬаАЮз;

W//M.gO - серия пленок с разным временем напыления в одинаковых технологических условиях, полученных при распылении мишени металлического вольфрама на монокристаллическую подложку

Научная новизна и значимость работы:

Впервые экспериментально:

• комбинированным структурно - спектральным методом качественно исследованы серии монокристаллов, на которые в течение разного времени напылялись пленки;

• обнаружено изменение структуры поверхностного слоя монокристаллов на начальном этапе напыления на них пленок;

• разработана методика качественного структурно - элементного анализа поверхности монокристаллов, основанная на одновременной регистрации дифракционных рефлексов и флуоресцентных линий.

• установлено уменьшение шероховатости поверхности монокристаллов на начальном этапе напыления пленок по данным РФА при скользящих углах падения первичного рентгеновского излучения.

Практическая значимость работы

Предложенный комбинированный структурно - спектральный метод может применяться для выявления закономерностей качественного изменения структуры и элементного состава монокристаллических подложек в процессе напыления на них тонких пленок. Этот метод позволяет в одном измерении одновременно регистрировать флуоресцентные линии и брэгговские рефлексы от исследуемого монокристалла, что существенно повышает достоверность результатов и позволяет более обоснованно контролировать и развивать технологию получения пленок на монокристаллических подложках.

Основные научные положения, выносимые на защиту

1) При газоразрядном напылении на грань (001) ЬаАЮз пленки состава Вао^Бго.гТЮз и - на грань (001) М^О существует зависимость интенсивностей брэгговских рефлексов монокристаллической подложки от времени напыления пленки. Основной вклад в эту зависимость вносят среднеквадратичные отклонения атомов подложки от их центров тяжести.

2) Предложенный рентгеновский комбинированный метод качественного исследования структуры и состава поверхностного слоя кристаллической подложки для исследования процесса формирования на этой поверхности пленки позволяет в одном измерении получать информацию о структуре и элементном составе локального участка подложки с пленкой.

Апробация результатов работы

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях, семинарах и симпозиумах: всероссийских/VI Всероссийская, конф. по рентгеноспектральному анализу с международным участием (к 100-летию со дня рождения М.А.Блохина) Краснодар 2008.; VII Национальная конф. «Рентгеновское, синхротронное излучения, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-био-инфо-когнитивные технологии», Москва, 2009; VI Всероссийская конф. по анализу объектов окружающей среды, Йошкар-Ола, 2009; III Всероссийская, конф. (к 175-летию со дня рождения Д.И. Менделеева), Краснодар, 2009, и международных/II Международная, конф. по рентгеновскому анализу, Монголия, Улан-Батор, 2009; Международный междисциплинарный симп. «Среды со структурным и магнитным упорядочением» (Multiferroics -II), г. Ростов-на-Дону - Лоо, 2009.

Личный вклад автора в разработку проблемы

Автор, совместно с научным руководителем Дуймакаевым Ш.И. и научным консультантом Ковтуном А.П., поставил цели и задачи исследования, выявил особенности динамики морфологии поверхности монокристаллических подложек при увеличении времени напыления пленок, сформулировал основные результаты и выводы, а также основные научные положения, выносимые на защиту, проводил измерения и расшифровку рентгеновских спектров всех исследованных подложек.

Образцы исследуемых плёнок были приготовлены Толмачёвым Г.Н., Зинченко С.П. и Мухортовым В.М., для напыления которых керамические мишени были предоставлены Резниченко Л.А. и Разумовской О.Н.

Получение рентгеновских дифракционных данных о монокристаллических подложках выполнено при участии Буниной O.A.

Соавторы совместных публикаций, а также Сахненко В.П., Свиридов Е.В., Абдулвахидов К. Г. и Захарченко И.Н. принимали участие в обсуждении полученных результатов. Полупроводниковая система регистрации рентгеновского излучения предоставлена Сарычевым Д.А.

Публикации по теме диссертации. Всего опубликовано 22 статьи и тезисов докладов, в том числе 2 статьи - в российских рецензируемых журналах из Перечня ВАК РФ, и подана 1 заявка на патент на изобретение.

Объём и структура работы

Работа состоит из введения, 3 глав и заключения, список цитируемой литературы состоит из 52 наименований.

В первой главе приводится литературный обзор методов ионной модификации поверхностей, так как при начальном этапе напыления поверхность исследуемых монокристаллических подложек подвергается ионной бомбардировке.

Вторая глава — методическая, в ней описывается метод рентгеновской энергодисперсионной дифракции. Приводится краткая теория метода, рассматривается его точность и основные области применения. Обсуждается полупроводниковая система регистрации рентгеновского излучения.

В третьей главе описаны модернизированные рентгенооптические схемы спектрометра и универсального рентгеновского дифрактометра, а так- же обнаруженные зависимости от времени напыления интенсивностей дифракционных рефлексов от монокристальных подложек ЬаАЮ3 и MgO, кроме того исследована зависимость блочной структуры монокристаллов MgO от времени напыления W на дифрактометре Rigaku Ultima IV.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Пономаренко, Валерий Олегович

Основные результаты исследования и выводы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Результаты измерений серии подложек ЬаАЮ3 (001), проведенных на спектрометре БХ — 95, показали, что интенсивность брэгговских рефлексов подложки сильно зависит от времени напыления пленки, в то время как интенсивность аналитических линий Ва, Ьа, и Т1 остается постоянной.

2. Результаты измерений серии подложек М^;0 (001), проведенных на спектрометре БХ - 95, показали, что интенсивность брэгговских рефлексов подложки сильно зависит от времени напыления пленки, в то время как интенсивность аналитической линии М^ остается постоянной.

3. Исследование пленки Вао^го^ТЮз на подложке ЬаАЮ3 (001), с временем напыления 1 час, доказало, что метод рентгеновской энергодисперсионной дифракции позволяет в едином эксперименте получить информацию не только о составе и структуре монокристальной подложки, но и о структуре пленки.

4. Отсутствие зависимости интенсивности аналитических линий подложки ЬаАЮ3 (001) от времени напыления пленки является доказательством того, что в интервале времен напыления £„ = 15.300 с напыления в поверхностном слое подложки происходят изменения, структурного характера, а не элементного.

5. Измерения на спектрометре БХ - 95 серии подложек М§0 (001), показали, что элементный состав на поверхности монокристальной подложки не меняется.

6. Результаты дополнительных измерений серии подложек ЬаАЮз (001), проведенных на УРД ЛZG 4/В, показали, что обнаруженная динамика интенсивностей брэгговских рефлексов от монокристальных подложек является экспериментально доказанным физическим явлением.

7. Результаты измерений тыльных сторон серии подложек ЬаАЮ3 (001), проведенных на УРД БЕО 4/В, показали, что их дифракционные картины полностью идентичны и от времени напыления зависимость интенсивностей брэгговских пиков отсутствует, это является прямым экспериментальным доказательством того, что причиной динамики интенсивности брэгговских рефлексов монокристальной подложки является воздействие газового разряда.

8. Основной вклад в зависимость интенсивностей брэгговских рефлексов монокристаллических подложек от времени напыления пленок вносят среднеквадратичные отклонения атомов подложки от их центров тяжести.

Таким образом, экспериментально использована возможность одновременной регистрации дифракционных рефлексов и флуоресцентных линий монокристальных подложек в едином эксперименте, чтобы показать принципиальную возможность проведения качественного рентгеновского комбинированного структурно — элементного анализа подложки на каждом этапе напыления. Такая методика потребует в дальнейшем разработки оригинального программного обеспечения, так как при расшифровке экспериментальных спектров необходимо учитывать, что в них присутствуют «линии», физическая природа возникновения которых принципиально различна.

Количественный рентгенофлуоресцентный анализ в большинстве случаев требует наличия стандартных образцов, по которым строят градуировочные кривые и затем по ним рассчитывают концентрации исследуемых образцов. Применительно к тонким пленкам такой подход можно развить теоретически, однако реализовать его на практике не представляется возможным.

Дело в том, что в традиционном рентгенофлуоресцентном анализе используют большие углы (порядка 45°) падения первичного рентгеновского излучения. При соответствующей коллимации это является причиной того, что площадь засветки пленки становится чрезвычайно малой. Если учесть еще тот факт, что тонкие пленки обладают малыми толщинами (от нескольких единиц нм до нескольких сотен нм), то станет совершенно ясно, что рабочий объем в этом случае становится довольно малым, по сравнению с тем, который обычно фигурирует в традиционном рентгенофлуоресцентном анализе. Поэтому зарегистрировать флуоресценцию от пленки в данном случае не представляется возможным, так как это выходит далеко за рамки пределов обнаружения традиционных методик рентгенофлуоресцентного анализа. Это является главной причиной того, что при элементном анализе тонких пленок применять традиционные методики чрезвычайно трудно.

Альтернативой традиционным методикам может быть метод рентгенофлуоресцентного анализа на основе полного внешнего отражения рентгеновского излучения. Полное внешнее отражение рентгеновского излучения возможно при выполнении комплекса условий, в частности, угол падения излучения на пробу должен быть порядка нескольких десятых долей градуса. Величина угла падения зависит, прежде всего, от величины энергии падающего излучения, а также от элементного состава поверхности, на которую падает рентгеновское излучение. При этих условиях можно обеспечить большую площадь (вплоть до см") засветки образца, а крайне малая глубина проникновения излучения в пробу обеспечит низкий уровень фона в регистрируемом спектре флуоресценции.

Выше описанное обстоятельство позволяет существенно снизить величину предела обнаружения (вплоть до

10"9.ЛО-10 г), тем самым обеспечивает принципиальную возможность проведения рентгенофлуоресцентного анализа, т.е. регистрацию флуоресцентных линий химических элементов. Однако применять данный метод для проведения количественного элементного анализа удается далеко не всегда. Метод специфичен, прежде всего, тем, что налагает жесткие требования к качеству анализируемых поверхностей. Проблема учета шероховатости поверхности исследуемого образца, неоднородности распределения концентрации элементов не только по глубине, но и по поверхности - все эти и многие другие факторы существенно усложняют проведение количественного элементного анализа.

Отдельно можно выделить проблему расшифровки экспериментальных спектров, полученных в рамках этого метода. Дело в том, что при полном внешнем отражении рентгеновского излучения существенное влияние на интенсивность флуоресценции оказывают интерференционные процессы падающего и отраженного пучков. Это требует разработки оригинального программного обеспечения. Очевидно, что при таких требованиях к проведению количественного анализа не только использование, но и само приготовление стандартных образцов является чрезвычайно сложной задачей.

Обобщая все вышесказанное, можно сделать вывод о том, что для элементного анализа тонких пленок необходимо разработать безэталонный метод. Одним из дальнейших направлений развития данной работы может послужить как раз разработка такого метода. Идея его заключается в следующем. В рамках метода рентгеновской энергодисперсионной дифракции в случае с монокристаллами одновременно регистрируется набор дифракционных отражений, каждое из которого является монохроматическим излучением определенной энергии.

В случае монокристаллической подложки с напыленной на нее пленкой нужно понимать, что весь набор отражений от подложки проходит через материал пленки, в результате чего интенсивность каждого из них будет ослабевать по известному закону Бугера-Ламберта-Бера. Причем величина ослабления каждого отражения будет зависеть от его энергии, элементного состава и толщины слоя, через который оно прошло.

В данной работе экспериментально показана возможность регистрации 8 порядков отражения и это не является пределом. Тем не менее, уже этого более чем достаточно, так как чаще всего приходится иметь дело с 3-х или 4-х компонентными пленками. В результате, подставляя в закон Бугера-Ламберта-Бера данные об ослаблении 8 монохроматических линий в 4-х компонентной пробе, мы получим переопределенную систему уравнений, состоящую из 8 уравнений для 5-ти неизвестных (четыре неизвестных обусловлены тем, что мы не знаем концентрацию каждого элемента в пробе и пятая - это ее толщина). Таким образом, при отсутствии эталонных образцов можно будет проводить расчет толщин и концентраций исследуемых пленок.

Другим не менее интересным и важным путем развития данной работы может стать рентгеновский in situ контроль процесса напыления пленок в газовом разряде. В данной работе показано, что метод рентгеновской энергодисперсионной дифракции чувствителен к структурным изменениям в поверхностном слое подложки. С помощью метода РЭД можно в режиме in situ исследовать изменения структуры при изменяющемся давлении. Поэтому при современном уровне развития приборов и техники вопрос реализации рентгеновского контроля в режиме in situ зависит только от финансовых возможностей исследователя.

Современное развитие средств и способов фокусировки рентгеновского излучения позволяет формировать необходимые параметры падающего на пробу пучка. В данном случае в качестве источника рентгеновского излучения предполагается использовать рентгеновскую трубку с встроенной полулинзой. Такая трубка позволит получать параллельные пучки рентгеновского излучения. Это позволит корректно вводить рентгеновское излучение в камеру газового разряда в процессе напыления пленки. Полупроводниковый энергодисперсионный детектор, исследуемая подложка и рентгеновская трубка должны быть закреплены пространственно друг относительно друга точно так же, как и на дифрактометре. Параметры соответствующей конструкции необходимо рассчитать, что является задачей вполне выполнимой.

Конечно, используя рентгеновскую трубку, мощность пучка не достигнет тех параметров, которые достигаются на ускорителях, тем не менее, в работе экспериментально доказана возможность регистрации набора дифракционных отражений с использованием рентгеновской трубки в воздушной атмосфере. Поэтому исследование процесса структурной модификации с периодом в 1 с можно добиться другим путем.

Дело в том, что энергия, регистрируемая полупроводниковым детектором, в этом случае обусловлена упругим отражением от монокристалла набора энергий из сплошного тормозного спектра рентгеновской трубки. В процессе набора спектра есть возможность ежесекундно контролировать загрузку детектора. Так вот изменение загрузки детектора и будет связано, прежде всего, со структурным изменением в поверхностном слое подложки, а контролировать загрузку детектора можно с точностью до 1 с.

Таким образом, в рамках данной методики появится возможность выявления закономерностей изменения структуры поверхностного слоя подложки и напыляемой пленки от технологических условий процесса напыления. Это позволит экспрессно и обоснованно контролировать и развивать технологию получения пленок.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пономаренко, Валерий Олегович, 2010 год

1. Okuyama, М. Epitaxial Growth of Ferroelectric PLZT Thin Film and Their Optical Properties/ M. Okuyama, T. Usuki and Y. Hamakawa. //Appl. Phys. -1980. -V.21.-P. 339-343.

2. Мухортов, B.M. Гетероэпитаксиальный рост плёнок сложного оксида из самоорганизованной системы, образующейся в плазме газового разряда/ В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, Г.Н. Толмачёв, А.И. Мащенко //ЖТФ. -2000. -Т. 65. -С. 1235-1247.

3. Triscone, J.M. Two-dimensional and three-dimensional vortex lattice dynamics in DyBa2Cu307*(Y1.xPrx)Ba2Cu307 coupled heterostructures /J.M. Triscone, P. Fivat, M. Andersson, M. Decroux and O. Fischer // Phys.Rev. -1994.-B50. -V.3. -P.1229-1235

4. Greene, J.E. The role of ion/surface interactions and photo-induced reactions during film growth from the vapor phase/ J.E. Greene, T. Motooka, J.E. Sundgren, D. Lubben, S.Gorbatkin, S.A. Barnett // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res.-1987.-B 27.-P.226-242.

5. Cuomo, J.J. Handbook of Ion Beam Processing Technology: Principles Deposition Film Modification and Synthesis/ Cuomo J.J., S.M. Rossnagel, H.R. Kaufman // Park Ridge.-1989.

6. Kasi, S.R. Inelastic processes in ion-surface collisions/ S.R. Kasi, , H. Kang, C.S. Sass, J.W. Rabalais // Surf. Sci. Rep.-1989.-V10.-P. 1-105.

7. Taglauer, E. Surface cleaning using sputtering/ E. Taglauer // Appl. Phys. -1990.-A 51.-P.238-251.

8. Rabalais, J.W. Low Energy Ion-Surface Interactions/ J.W. Rabalais //Chichester.-1994.

9. Nastasi, M. Ion-Solid Interactions: Fundamentals and Applications/ M. Nastasi, J.W. Mayer, J.K. Hirvonen// Cambridge University Press, Cambridge.-1996.

10. Smentkowski, V.S. Trends in sputtering/ V.S. Smentkowski //Prog. Surf. Sc.-2000.-V.64.-P. 1-58.

11. Jacob, W. Surface reactions during growth and erosion of hydrocarbon films/ W. Jacob// Thin Solid Films.-1998.-V.326.-P.1^2.

12. Benninghoven, A. Secondary Ion Mass Spectrometry: Basic Concepts, Instrumental Aspects, Applications and Trends/ A. Benninghoven, F.G. Rudenauer, H.W. Werner // Wiley. New York.-1987.

13. Hanley, L. Surface mass spectrometry of molecular species/ L. Hanley, O. Kornienko, E.T. Ada, E. Fuoco, J.L Trevor// J. Mass Spectrom.-1999.-V.34. -P.705-723.

14. Sproul, W.D. Multi-cathode unbalanced magnetron sputtering systems/ W.D. Sproul // Surf. Coat. Technol.-1991 .-V.49.-P.284-289.

15. Ensinger, W. Plasma immersion ion implantation for metallurgical and semiconductor research and development/ W. Ensinger //Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res.-1996.-B120.-P.270-281.

16. Rej, D.J. Materials processing with intense pulsed ion beams/ D.J. Rej, H.A. Davis, J.C. Olson, G.E. Remnev, A.N. Zakoutaev, V.A. Ryzhkov, V.K. Struts, I.F. Isakov, V.A. Shulov, N.A. Nochevnaya // J. Vac. Sci. Technol. -1997.-A 15.-P.1089-1097.

17. Zhou, X.W. Atomistic simulations of the vapor deposition of Ni/Cu/Ni multilayers: the effects of adatom incident energy/ X.W. Zhou, H.N.G. Wadley//J. Appl. Phys.-1998.-V.84.-P.2301.

18. Jacobsen, J. Simulations of energetic beam deposition: from picoseconds to seconds/ J. Jacobsen, B.H. Cooper, J.P. Sethna // Phys. Rev.-1998.-B 58. -P.15847.

19. Johan, B. Critical Reviews in Solid State and Material Science/ B. Johan // -1994.-V.24(3).-P. 141-146.

20. Auciello, O. Ion Bombardment Modification of Surfaces. Fundamentals and Applications/ O. Auciello, R. Kelly // Elsevier.-1984.

21. Yoshukazu H. Surface Microtopography and Compositional Change of Cesium-Ion-Bombarded Semiconductor Surfaces /H. Yoshukazu, O. Hamao, I. Yoshukazu //Jap. J. Appl. Phys.-1985.-V.24(8).-P.934^-939.

22. Demanet, C.M Atomic force microscopy investigation of noble gas ion-bombardment on InP: Effect of ion energy/ C.M. Demanet, K. Sankar, J.B. Malherbe, N.G. van der Berg , R.Q. Odendaal // Surf. Interface Anal. -1996.-V.24.-P.497 502.

23. Demanet, C.M. Atomic force microscopy investigation of ion-bombarded InP: Effect of angle of ion bombardment/ C.M. Demanet, K. Sankar, J.B. Malherbe // Surf. Interface Anal.-1996.-V.24.-P.503 510.

24. Demanet, C.M. Atomic Force Microscopy Investigation of Noble Gas Ion Bombardment on InP: Effect of Ion Energy/ C.M. Demanet, K. Sankar, J.B. Mahnerbe, N.G. Van der Berg// Surface and Interface Analysis.-1995. -V.23.-P.433-439.

25. Меркулов, A.B. Влияние процесса ионного распыления на статистические характеристики поверхности/ А.В. Меркулов, О.А.Меркулова // ЖТФ.-1999.-Т.69, №2. С. 107 111.

26. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. JL: Наука.-1975.

27. Visinoiu, A. Morphology dependence of the dielectric properties of epitaxial ВаТЮЗ films and epitaxial BaTi03/SrTi03 multilayers / A. Visinoiu, R. Scholz, M. Alexe, D. Hesse // Applied Physics A, Materials Science and Processing.-2005.-V.80.-P.229-235.

28. Кан, Х.И. Рост и структура монокристаллических пленок. В кн.: Технология тонких пленок.-1977.-Т. 2.-С.97 175.

29. Ван-дер-Мерве Дж .X. В кн.: Монокристаллические пленки. М.: Мир. -1996.-С.172-201

30. Buras, B. Fixed Angle Scattering (FAS) Method for X-ray Crystal Structure Analysis / B. Buras, J. Chwaszczewska, S. Szarras, Z. Szmid // Inst. Nucl. Res.-1968.-V.894.-P. 10

31. Giessen, C. B. X-ray Diffraction: New High-Speed Technique Based on X-ray Spectrography/ C.B. Giessen, G. E. Gordon // Science.-1968. -V.159. -P.973.

32. Slivinsky, V. W. Polarization of Bremsstrahlung from X-ray Tubes/ V. W. Slivinsky // Amer. Phys. Soc. Bull. -1971.-V.16.-P.546.

33. Staun, O. Influence of Polarization of the Incident Beam on Integrated Intensities in X-ray Energy-Dispersive Diffractometry/ O. Staun, B. Buras, T. Jensen, O. Alstrup, L. Gervard and B. Selsmark //Acta Cryst. -1978.-A34.-P.84.

34. Buras, B. Relations between integrated intensities in crystal diffraction methods for x-rays and neutrons/ B. Buras, L. Gerward //Acta Cryst.-1975. -A31.-P.372-374.

35. Buras, B. Optimum resolution in x-ray energy dispersive diffractometry/ B. Buras, N. Niimura, J. Staun // J. Appl. Cryst.-1978.-V.l 1.-P.137-140.

36. Hariuchi, T. New evaluation method of evaporated organic thin films by energy dispersive x-ray diffractometer/ T. Hariuchi, K. Fukao, K. Matsushige //Jpn. J. Appl. Phys.-1987.-V.26.-P.1839.

37. Hart, M. Studies of texture in thin films using synchrotron radiation and energy dispersive diffraction/ M. Hart, W. Parish, N. Masciocchi // App. Phys. Lett.-1987.-V.50.-P.897.

38. Tranguda, J.M. X-ray diffraction study of anharmonicity in V3Si/ J.M. Tranguda, C. Trautman, S.M. Heald//. Phys. Rev.-1987.-B35.-P.4193.

39. Metzger, T.H. An energy-dispersive x-ray diffraction study of mean-square atom displacements in highly oriented pyrolytic graphite/ T.H. Metzger // J. Appl. Cryst.-l986.-V. 19.-P.200.

40. Skelton, E.F. High pressure research with synchrotron radiation/ E.F. Skelton // Physics Today.-1984.-P.44-52.

41. Olsen, J.S. A new high-pressure phase and the equation of state of УЪН2/ J.S. Olsen, В. Buras, L. Gerward, B. Johansson, B. Lebech, H. Skriver, S. Steenstrup //Physica Scripta.-1984.-V.29.-P.503-507.

42. Minomura, S. Solid State Physics under Pressure. Recent Advance with Anvil Devices./ S. Minomura//Reidel Publishing Company, Dotrecht.-1985.

43. Prober, J.M. Liquid Structure Analysis by Energy-Scanning X-Ray Diffraction: Merkury / J. Prober, M. Prober, J.M. Schultz // J. Appl. Cryst. -1975.-V.8.-P.405

44. Ozawa, H. Structural Study of Amorphous Lead Titanate by Energy-Dispersive X-Ray Diffraction Method/ H. Ozawa, R. Uno // J. Appl. Cryst. -1986.-V.19.-P.395-399.

45. Hafner, J. The Structure of Calcium-Aluminium Glasses: X-ray Diffraction and Computer Simulation Studies/ J. Hafner, T. Egami, S.Aur, B.C Giessen. // J. Phys. F: Met Phys.-1987.-V.17.-P.1807-1815.

46. Minor, W Crystallization of Fe-Si-B metallic glasses studies by X-ray synchrotron radiation/W. Minor, B. Schonfeld, В. Lebech, В. Buras, W. Dmowski // J. Mater. Sci.-1987.-V.22.-P.4144.

47. Иверонова, В.И. Теория рассеяния рентгеновских лучей/В.И. Иверонова, Г.П. Ревкевич.// Изд-во МГУ.-1972.-С.245.

48. М.А. Порай Кошиц. Практический курс рентгеноструктурногоанализа/М.А. Порай Кошиц.// М.: Изд-во МГУ.-1960.-Т.2.-С.632.

49. Основные результаты и выводы опубликованы в следующих работах:

50. А 1. Ковтун, А.П. Особенности синтеза тонких плёнок Bi-Fe-Nd-0 на подложке (0001) при газоразрядном распылении мишени Bi0.95Nd0.05FeO3/

51. A.П. Ковтун, С.П. Зинченко, Г.Н. Толмачёв, В.М. Разномазов, В.О. Пономаренко, Д.А. Сарычев, JI.A. Резниченко, О.М. Разумовская, Г.М. Константинов, С.А. Симоненко // Конструкции из композиционных материалов. 2009. - № 4. - С. 44-55.

52. А 2. Ковтун А.П.Особенности поведения кристаллических подложек при газоразрядном напылении пленок/ А.П. Ковтун, Г.Н. Толмачев, В.О. Пономаренко, Г.М. Константинов //Заводская лаборатория.-2009.-Т.75,11.-С.34-38.

53. А 4. Разномазов В.М. Рентгеновский спектрометр третичных спектров с полным внешним отражением вторичного излучения/ В.М. Разномазов,

54. B.О. Пономаренко, Н.М. Новиковский, В.П. Краснолуцкий, Д.А. Сарычев //Приборы и техника эксперимента.-2010.-№4,-С.167 168.

55. А 5. Разномазов В.М. Рентгенофлуоресцентный элементный анализподземных вод с помощью спектрометра с полным внешним отражением /

56. В.М. Разномазов, A.B. Латышев, Н.М. Новиковский, В.О. Пономаренко,

57. A.B. Блажевич, Ю.И. Величко, O.A. Бессонов // Экология промышленногопроизводства.-2009.-№4.-С.З-7

58. А 6. Разномазов В.М. Особенности в развитии программных средств

59. РФА ПВО Для исследования элементного состава металл-диэлектрик-металлслоистых структур/ В.М. Разномазов, А.П. Ковтун, В.О. Пономаренко //105

60. Труды VI Всероссийской конференции по рентгеноспектральному анализу. -2008.-С.64

61. А 21. Пономаренко, В.О. Новый рентгеновский метод исследования поверхностей монокристаллов/ В.О. Пономаренко //Тезисы докладов VIежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр ЮНЦ РАН.-2010.-С.284-285.

62. Выражаю благодарность научному руководителю Дуймакаеву Шамилю Исхаковичу за руководство, помощь и содействие в написании диссертационной работы.

63. Выражаю благодарность научному консультанту Ковтуну Анатолию Павловичу за огромный решающий вклад в выполнение работы, чуткое руководство на всех этапах ее выполнения.

64. Выражаю благодарность Сарычеву Дмитрию Алексеевичу за внимательное отношение к моей работе, помощь в проведении эксперимента, предоставление полупроводниковой системы регистрации рентгеновского излучения.

65. Выражаю благодарность Абдулвахидову Камалу Гаджиевичу за внимательное отношение к моей работе и помощь в проведении эксперимента.

66. Выражаю благодарность Константинову Георгию Михайловичу за помощь в проведении эксперимента.

67. Выражаю благодарность Буниной Ольге Алексеевне и Захарченко Ирине Николаевне за помощь в проведении эксперимента и ценные замечания.

68. Выражаю благодарность Сахненко Владимиру Павловичу, Ведринскому Ростиславу Викторовичу, Куприянову Михаилу Федотовичу, Свиридову Евгению Викторовичу за полезные дискуссии и внимательное отношение к работе.

69. Выражаю благодарность всему коллективу отдела аналитического приборостроения НИИФ ЮФУ и коллективу отдела проблем физики и астрономии ЮНЦ РАН за помощь и поддержку при выполнении работы.