Дифракция рентгеновского излучения в одномерно разупорядоченных плотноупакованных кристаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Пилянкевич, Евгений Александрович

• Пилянкевич, Евгений Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 1985

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пилянкевич, Евгений Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Методы описания структуры плотноупакованных кристаллов и расчета их дифракционных картин (обзор литературы).

1.1. Описание структуры плотноупакованного кристалла. . . .II

1.1.1. Идеальные плотноупакованные кристаллы .II

1.1.2. Одномерно разупорядоченные кристаллы.

1.2. Дифракция рентгеновского излучения в плотноупакованном кристалле

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Дифракция рентгеновского излучения в одномерно разупорядоченных плотноупакованных кристаллах»

Фазовые превращения в твердом состоянии являются одной из важнейших областей физики твердого тела. Именно они представляют собой физическую основу многих технологических процессов, направленных на получение материалов с заданными свойствами. Это обусловлено тем, что фазовые превращения приводят к изменению структуры материала, определяющей его свойства. Последнее обстоятельство и определяет важность структурного аспекта фазовых превращений /I/.

Одним из важнейших результатов исследований структуры материалов явилось обнаружение зависимости многих их свойств не только от симметрии и параметров кристаллической решетки, но и от характера отклонений структуры от совершенной кристаллической решетки - дефектов кристаллической структуры /1-9/. Необходимость исследования дефектных структур привела к созданию многих методик определения реальной структуры кристаллов.

Наиболее информативными методами структурного анализа являются дифракционные /7,8/. Это, однако, косвенные методы, и получаемая с их помощью информация обязательно нуждается в математической обработке, с помощью которой по дифракционной картине восстанавливается структура исследуемого кристалла. В результате развитие дифракционных методов исследования структуры идет по двум направлениям - совершенствование аппаратуры, что позволяет все более точно зарегистрировать дифракционную картину, и разработка методов ее расшифровки. При этом если первый, аппаратурный, аспект носит универсальный характер, то второй, теоретический, требует индивидуального анализа дифракционных эффектов, вызываемых каждым типом дефектов кристаллической структуры /7,8/.

Важную роль в механизме ряда мартенситных превращений играет одномерное разупорядочение кристаллической структуры. Оно влияет также на многие свойства металлов и сплавов, в том числе и такие, как сверхупругость и память формы /9/. Однако развитие методики исследования одномерно разупорядоченных структур не достигло еще такого уровня, на котором она удовлетворяла бы требованиям практического применения.

Особый интерес представляет исследование одномерного разу-порядочения в плотноупакованных кристаллах /4,5/, Такие кристаллы отличаются друг от друга лишь порядком чередования положений идентичных атомных слоев. Большое количество таких структур, предсказанных теоретически /2/, было обнаружено экспериментально /3-6/.

К структурному анализу одномерно разупорядоченных кристаллов можно подходить двояко. Первый подход заключается в решении задачи о дифракции рентгеновского излучения в кристаллах с дефектами упаковки в рамках априорно заданной модели структуры с последующим сравнением выявленных дифракционных эффектов с экспериментально зарегистрированными. При этом экспериментально можно регистрировать только те параметры дифракционной картины, которые чувствительны к описываемым моделью изменениям структуры. Второй подход заключается в общем решении дифракционной задачи, позволяющем на основании экспериментально полученной дифракционной картины описать и проанализировать структуру исследуемого кристалла. При этом в процессе эксперимента нужно регистрировать полное распределение интенсивности рассеянного монокристаллическим образцом рентгеновского излучения и проводить выделение структурного фактора рассеяния.

Эти два подхода можно рассматривать как два уровня структурного анализа - предварительное определение структуры и ее уточнение. В обоих случаях необходимо решить одну и ту же задачу о дифракции рентгеновского излучения в одномерно разупорядоченном кристалле наиболее общего вида. В первом случае это необходимо для того, чтобы иметь возможность выявить дифракционные признаки любой модели структуры, построенной на основании некоторой предварительной информации. Во втором случае общность решения дифракционной задачи обеспечивает возможность расшифровки дифрактограм-мы любого кристалла интересующего нас типа.

Второй подход сопряжен с большими экспериментальными трудностями, так что в каждом- конкретном случае вопрос о проведении такого исследования следует решать, сообразуясь со спецификой задачи. В противоположность этому выявление качественных дифракционных признаков различных типов одномерного разупорядочения имеет универсальный характер и является задачей, представляющий самостоятельный научный интерес. Однако ее решение требует, помимо собственно расчета дифракционной картины, предварительного анализа различных вариантов укладки слоев с целью определения качественно отличающихся друг от друга типов одномерного разупорядочения. Таким образом, для корректного решения задачи о выявлении дифракционных признаков различных типов одномерного разупорядочения необходимо описывать структуру всех плотноупакованных кристаллов и рассчитывать их дифракционные картины по единым формулам.

Для некоторых частных случаев одномерного разупорядочения дифракционные признаки уже установлены (например, /10,11/). Однако в общем виде эта задача еще не решена, а структурные предпосылки некоторых дифракционных эффектов, связанных с одномерным разупорядочением, еще не установлены. Эти обстоятельства и определяют актуальность развития методики дифракционного исследования одномерно разупорядоченных плотноупакованных кристаллов.

В соответствии с этим задачей настоящего исследования явилось выявление качественно отличающихся друг от друга типов одномерного разупорядочения плотноупакованных кристаллов и определение их дифракционных признаков. Анализ проводился в рамках представления кристалла с помощью модели идентичных жестких сфер, уложенных плотнейшим образом. Работа включает в себя: разработку общего метода описания плотноупакованного кристалла; решение задачи о дифракции рентгеновского излучения в описанном этим методом кристалле (путем применения формулы Ландау к виду, пригодному для количественных расчетов); разработку методики анализа структуры одномерно разупорядоченного кристалла и определения ближайшей идеальной решетки; описание программы для ЭВМ, позволяющей анализировать структуру одномерно разупорядоченного кристалла и рассчитывать его структурный фактор рассеяния; анализ различных типов одномерного разупорядочения и определение ближайшей идеальной решетки для каждого типа; определение дифракционных признаков каждого из типов одномерного разупорядочения; примеры применения выявленных закономерностей дифракции рентгеновского излучения в одномерно разупорядоченных кристаллах и методики анализа их структур для исследования мартенситных фаз в сплавах медь-кремний, медь-германий, медь-алгоминий-никель, кобальт-германий, кобальт-ниобий и кобальт-тантал.

Научная новизна работы заключается в том, что автором создана количественная методика анализа структуры одномерно разупорядоченного плотноупакованного кристалла и расчета соответствующей дифракционной картины без каких бы то ни было предварительных предположений о характере укладки слоев в кристалле. Эта методика использована для выявления качественно отличающихся друг от друга типов одномерного разупорядочения и определения их дифракционных признаков.

По проведенной работе можно сделать следующие выводы:

1. При хаотическом одномерном разупорядочении образующаяся структура наиболее близка к исходной идеальной решетке.

2. При однородном одномерном разупорядочении кристалла может осуществляться переход к новой идеальной решетке с меньшим, чем у исходной, периодом.

3. При неоднородном одномерном разупорядочении может осуществляться переход к новой идеальной решетке как с большим, так и с меньшим, чем у исходной, периодом.

4. Тип одномерного разупорядочения соответствует набору направлений смещения всех дифракционных максимумов ближайшей идеальной решетки на периоде повторяемости структурного фактора рассеяния.

5. Появление большего, чем у ближайшей идеальной решетки, количества дифракционных максимумов возможно только при неоднородном одномерном разупорядочении.

Практическая ценность работы состоит в том, что создана общая методика дифракционного анализа одномерно разупорядоченных плотноупакованных структур. С ее помощью можно описать структуру одномерно разупорядоченного кристалла, исходя из распределения интенсивности дифрагировавшего рентгеновского излучения, и затем проанализировать эту структуру, определив ближайшую идеальную решетку и параметры, характеризующие ее одномерное разупорядочение. Можно также проводить менее строгий количественный анализ путем подбора модели, описывающей одномерно разупорядоченную структуру кристалла. Подбор модели облегчается информацией о типе одномерного разупорядочения, получаемой с помощью установленных в настоящей работе дифракционных признаков. Любая модель анализируется с помощью единой программы для ЭВМ, применимой для всех случаев. Эффективность созданной методики проиллюстрирована расшифровкой ряда кристаллических структур мартенситных фаз некоторых сплавов на основе меди и кобальта.

На защиту выносятся следующие положения:

1. При хаотическом одномерном разупорядочении кристалла образующаяся структура наиболее близка к исходной идеальной решетке.

2. Неоднородное одномерное разунорядочение кристалла может привести к появлению большего числа дифракционных максимумов, чем у ближайшей идеальной решетки.

3. Тип одномерного разупорядочения плотноупакованного кристалла соответствует набору направлений смещения всех дифракционных максимумов ближайшей идеальной решетки.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Пилянкевич, Евгений Александрович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Разработана количественная методика анализа структуры одномерно разупорядоченного плотноупакованного кристалла, описанного в рамках предложенного формализма, и алгоритм расчета на ЭВМ его структурного фактора рассеяния рентгеновского излучения, представляющие собой единую систему.

2. Показано, что точное статистическое описание исследуемого одномерно разупорядоченного кристалла мокко получить только путем анализа непрерывного распределения интенсивности дифрагировавшего рентгеновского излучения вдоль узлового ряда обратной решетки, перпендикулярного плоскости плотнейте^ „паковки атомов.

3. Установлено, что общепринятая практика использования одиночных параметров дифракционной картины (положений и ширин дифракционных максимумов) позволяет описать структуру исследуемого одномерно разупорядоченного кристалла лишь в рамках априорно заданной модели.

4. С помощью разработанных методшс проведены вычислительные эксперименты по моделированию одномерно разупорядоченных кристаллов и расчету соответствующих дифракционных картин. Моделирование велось на ЭВМ по программе, в основу которой положены выведенные формулы. В результате показано следующее:

- хаотическое одномерное разупорядочение не может быть структурным механизмом превращения одной плотноупакованной модификации в другую;

- однородное одномерное разупорядочение может привести только к переходу к плотноупакованной модификации с меньшей, чем у исходной, слойностью, а неоднородное - к модификации как с меньшей, так и с большей слойностью;

- тип одномерного разупорядочения однозначно соответствует набору направлений смещений дифракционных максимумов ближайшей идеальной решетки;

- однородное одномерное разупорядочение не может привести к появлению дополнительных по сравнению с ближайшей идеальной решёткой дифракционных максимумов, а неоднородное может привести к расщеплению дифракционных максимумов ближайшей идеальной решетки, то есть к увеличению общего их количества.

5. Разработанная методика г выявленные дифракционные эффекты были использованы для расшфировки экспериментально полученных рентгенограмм. В результате показано следующее:

- при легировании кобальта германием происходит одномерное разупорядочение ГПУ структуры ^-мартенсита, характер которого с увеличением концентрации германия все более отличается от хаотического ;

- на промежуточной стадии ГЦК-*-ГПУ превращения, происходящего по мартенситному механизму при отжиге закаленного сплава медь-кремний, образуется одномерно разупорядоченная структура, наиболее близкая к 9#2 решетке;

- одномерно разупорядоченная структура сильно искаженных областей монокристалла сплава медь-германий, закаленного и подвергнутого пластической деформации, одинаково близка как к ГПУ, так и к 9#2 решеткам;

- дифракционные эффекты, наблюдаемые при деформации ^-мартенсита в сплаве медь-алюминий-никель, обусловлены одномерным разупорядочением 361?решетки с преобладанием ДСУ*;

- при легировании кобальта танталом или ниобием структура о^-мартенсита подвергается непрерывному одномерному разупорядо-чению, завершающемуся образованием несовершенной 15^ решетки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пилянкевич, Евгений Александрович, 1985 год

1. Кристиан Дк. Теория превращений в металлах и сплавах. Часть1. М.: Мир, 1978. - 806 с.

2. Белов Н.В. Структура ионных кристаллов и металлических фаз. -М.: Изд-во АН СССР, 1947. 237 с.

3. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. -М.: Мир, 1969. 273 с.

4. Лысак Л.И., Николин Б.И. Физические основы термической обработки стали.- Киев: Техн1ка, 1975. 304 с.

5. Устинов А.И. Структурные особенности формирования мартенсит-ных фаз в системах с низкой энергией дефектов упаковки. Автореферат дисс. . кандидата физ.-мат. наук. Киев, 1976. - 16 с.

6. Вишняков Я.Д. Дефекты упаковки в кристаллических структурах. М.: Металлургия, 1970. 215 с.

7. Кривоглаз М.А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Киев: Наукова думка, 1983. - 408 с.

8. Кривоглаз М.А. Диффузное рассеяния рентгеновских лучей и нейтронов на флуктуационных неоднородыостях в неидеальных кристаллах. Киев: Наукова думка, 1984. - 287 с.

9. Варлимонт X., Дилей Л. Мартенситные превращения в сплавах на основе меди, серебра и золота. М.: Наука, 1980. - 208 с.

10. Николин Б.И. Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах. Киев: Наукова думка, 1984. - 240 с

11. Вишняков Я.Д., Файнштейн Г.С. Превращения в металлах с различной энергией дефектов упаковки. М.: Металлургия, 1981. -136 с.

12. Ramsdell L.S. Studies on Silicon Carbide. American Mineralogist, 194,7, V.-32, No.l, p.64 - 82.

13. Jagodzinski Н., Laves Р. Eindimensional fehlgeordnete Kristallgitter. Schweiz.Min.Petr.Mitt., 1948, v.28, p.456 - 467.

14. Jagodzinski H. Eindimensionale Fehlordnung in Kristallen und1 ihr Einfluss auf die Bontgeninterferenzen. I. Berechnung des Fehlordnungsgradesaus den Rontgenintensitaten. Acta Oryst., 1949, v.2, No.l, p.201 - 207.

15. JJagodzinski H. Eindimensionale Fehlordnung in Kristallen und ihr Einfluss auf die Rontgeninterferenzen. II. Berechnung der fehlgeorgeten dichtesten Kugelpackungen mit Wechselwirkungen der Reichweite 3. Acta Cryst., 1949, v.2, No.l, p.208 - 214.

16. Jagodzinski H. Eindimensionale Fehlordnung in Kristallen und ihr Einfluss auf die Rontgeninterferenzen. III. Vergleich der Berechnungen mit experimentellen Ergebnissen. Acta Cryst., 1949, v.2, No.l, p.298 - 304.

17. Русаков A.A. Рентгенография металлов., M.: Атомиздат, 1977. -480 с.

18. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1978. - 278 с.

19. Феллер В. Введение в теорию вероятностей и ее приложения, т.1. М.: - Мир, 1984. - 527 с.

20. Holloway H. Diffraction by Faulted Close-Packed Lattices:.1 An Analytic Solution for Systems Without bong-Range Correlation of

21. С tacking Symbols. J.Appl.Phys., 1969, v.40, No.11, p.4313 - 4323L.

22. Holloway H., KZLamkin M.S. Diffraction by fee Crystals with Intrinsic and Extrinsic Faults. J.Appl.Phys., 1969, v.40, No.4, p.1681 - 1689.

23. Farkas-Jahnke M. A New Direct Method for Characterizing Structures with Stacking Faults, Built up from Translationally Equivalent Layers. I. Faults in Stacking of Three and Four Layers. -Acta Cryst., 1973, v.B29, No.3, P.407 413.

24. Farkas-Jahnke M. A New Direct Method for Characterizing Structures with Stacking Faults, Built up from Translationally Equivalent Layers. II. Faults in Five-Layer Structure Elements. Acta Cryst., 1973, v.B29, No.3, Р.413 - 420.

25. Lele S., Anantharaman T.R., Johnson Ch.A. X-Ray Diffraction by Hexagonal Close-Packed Crystals Containing Extrinsic Stacking Faults. Phys.Stat.Sol., 1967, v.20, No.l, p.59 - 68.

26. Lele S., Prasad В., Anantharaman T.R. X-ray Diffraction from Double Hexagonal Close-Packed Crystals with Deformational Stacking Faults. Acta Cryst., 1969, v.A25, No.4, p.471 - 475.

27. Lele S., Lagu A.V. X-ray Diffraction from Alpha Uranium Crystals with Stacking Faults. J.Nuclear.Mat., 1971, v.40, No.l,p.77 83.

28. Lele S. X-ray Diffraction from Close-Packed Structures with Stacking Faults. I. hcc Crystals. Acta Cryst., 1974» v.A30, No.n, p.509 - 513.

29. Lele S. X-ray Diffraction from Close-Packed Structures with

30. Stacking Faults. II. hhc Crystals. Acta Cryst., 1974, v.A30, No.5, p.689 - 693.

31. Lele S. X-ray Diffraction from Close-Packed Structures with Stacking Faults. III. hhcc Crystals. Acta Cryst., 1974, v.A30, No.5, P.693 - 698.

32. Lele S. X-ray Diffraction from Faulted Close-Packed Structures. Analytio Solution for Integrated Intensities. Acta Cryst., 1.980, v.A36, No.4, P.584 - 588.

33. Kakinoki J. Diffraction by a One-Dimensionally Disordered Crystal. II. Close-Packed Structures. -Acta Cryst., 1967, v.23, N0.6, p.875 885.

34. Kakinoki J., Komura Y. Diffraction by a One-Dimensionally Disordered Crystal. I. The Intensity Equation. Acta Cryst., 1965, v.19, No.l, p.137 - 147.

35. Hendricks S., Teller E. X-ray interference in partially ordered Layer Lattices. J.Chem.Phys., 1942, v.10, No.3, p.147 - 167.

36. Gevers R. X-ray Diffraction by Close-Packed Crystals with 'Growth Stacking Faults' Assuming 'n-Layer Influence'. Acta Cryst., 1954, v.7, No.3, P.492 - 494.

37. Gevers R. The Diffraction of X-rays by Close-Packed Crystals Containing Both 'Growth Stacking Faults' and 'Deformation, or Transformation Stacking Faults'. Acta Cryst., 1954, v.7, No.2, P.337 - 343.

38. Christian J.W. On the Deformation Stacking Faults in H.C.P. Lattices. Acta Cryst., 1954, v.7, No.3, p.415 - 416.

39. Anantharaman T.R., Christian J.W. The Measurment of Growth and Deformation Faulting in Hexagonal Cobalt. Acta Cryst., 1956, v.9, N0.6, p.479 - 486.

40. Sato R. A General Theory for the Diffraction Line Profiles of H.c.p. and F.c.c. Polycrystals Containing Stacking Faults.

41. Acta Cryst.,, 1969, v.A25, No.2, p.309 318.

42. Kajiwara S. Stacking Disorder in Martensites of Cobalt and Its Alloys. Jap.Journ.Appl.Phys., 1970, v.9, No.4, p.385- 390.

43. Kajiwara S., Fujita H. Shifts of Electron Diffraction Spots of Cu-Al Martensite Transformed in Thin Films. J.Phys.Soc.Japan, 1966, v.21, No.2, p.400.

44. Takama Т., Yokota N., Sato S. X-ray Diffraction Profiles from; Single Crystals of Cu-Ge Alloy Containing Heavily Faulted Regions.-J.Appl.Cryst.,, 1979, V.12, No.6, p.545 550.

45. Kajiwara S. Stacking Faults Probabilities in Copper-Aluminium Martensite Transformed in Thin Films. J.Phys.Soc.Japan, 1967, v.22, No.3, P.795 - 803.

46. Nishiyama Z., Kakinoki J., Kajiwara S. Stacking Faults in the Martensite of Cu-Al Alloy. J.Phys.Soc.Japan, 1965, v.20, No.7, p.1192 - 1211.

47. Лысак Л.И., Устинов А.И. Механизм образования мартенситных структур в сплаве медь-кремний. ФММ, 1977, т.44, вып.5,с.1050 1059.

48. Van der Perre G., Deruyttere A. Analysis of Stacking Order and Disorder by Continuous Fourier Transformation of Diffracted Intensities. Example: Cu-Al Martensite. J.Appl.Cryst., 1980, v.13, No.l, p.,65 - 73.

49. Mitra G.B., Haider N.C. Stacking fault probabilities in hexagonal cobalt. Acta Cryst., 1964, v.17, No.7, p.817 - 822.

50. Уоррэн Б.И. Рентгенографическое изучение деформированных металлов. -Успехи физики металлов, т.5. М.: Металлургиздат,1963.-с.172.

51. Haider S.K., De М., Sen Gupta S.P. An x-ray diffraction study on the microstructures of cold-worked fee: Cu-Ni-Zn alloys. -J.Appl.Phys., 1977, v.48, No.8, p.3560 3565.

52. Ghosh S.K., Sen Gupta S.P. An x-ray diffraction study on themiегоstructures of cold-worked face-centered cubic Cu-Sn-Zn alloys. II. Role of addition of 1 wt.% Sn. - J.Appl.Phys., 1983, v.54, No.11, p.6652 - 6657.

53. Chatterjee S.K., Haider S.K., Sen Gupta S.P. An x-ray diffraction study of lattice imperfections in cold-worked silver-gallium (a-phase) alloys. J.Appl.Phys., 1976, v.47, No.l, p.411 - 419.

54. Venkat Reddy S. and Suryanarayana S.V. An x-ray diffraction study on the microstructure of Ag-Cd-In (a-phase) alloys. -J.Appl.Phys., 1983, v.54, No.11, p.6317 6320.

55. Лысак Л.И., Николин Б.И. Мартенситная фаза с многослойной решеткой. Доклады АН СССР, 1963, т. 163, №4, с.812 - 815.

56. Николин Б.И., Шевченко Н.Н., Сизова Т.Л. Образование мартенсита с I5£ I26K- и 144/5 - решетками в сплавах Со-М и принципы их размещения на фазовой диаграмме. - Металлофизика, 1983, т.5, № 5, с.35 - 43.

57. Скородзиевский B.C., Рудь А.Д., Устинов А.И., Чуистов К.В., Жесткова Т.В. Концентрационные изменения структуры ^-мартенсита в сплавах Со-Та, Со-А#. 1984, т.58, вып.5, с.1029 - 1031.

58. Мартынов В.В., Хандрос Л.Г. Сверхупругая деформация, обусловленная рядом последовательных мартенситных переходов. ФММ, 1981, т.51, вып.З, с.603 - 608.

59. Мартынов В.В., Хандрос Л.Г. Образование IR (ГЦК) и 15/? (14.1) мартенситных фаз в монокристаллах сплавов Си -А2 -М" при деформации растяжением. Доклады АН СССР, 1977, т.237, № 6, с.1349-13517

60. Khandros L.G., Martynov V.V. Long period Martensite Phase in Cu-Al-Ni Alloy. Scripta Metallurgica, 1979, v.13, No.8, p.685 -688.

61. Николин Б.И., Шевченко Н.Н. Ноше мартенситные фазы в системе Со-А1 политипные структуры в металлических сплавах. - Доклады АН

62. СССР, 1979, т.249, № 4, с.856 859.

63. Ландау Л.Д. Рассеяние рентгеновых лучей кристаллами с переменной слоистой структурой. ЛЭИ, 1937, т.7, № II, с. 1227 -1231.

64. Мирзаев Д.А., Рущиц С.В. Дифракционные эффекты, обусловленные tf+z' превращениями. ФММ, 1974, т.37, вып.5, с.912 -920.

65. Johnson Oh.A. Diffraction by Face-Centered Cubic Crystals Containing Extrinsic Stacking Faults. Acta Cryst., 1963, v.16, No.3. P.490 - 497.

66. Мирзаев Д.А., Рущиц С.В. Дифракция рентгеновых лучей на кристаллах с дефектами упаковки. Кристаллография, 1976, т.21, вып.4, с.670 - 676.

67. Рущиц С.В., Мирзаев Д.А. Общее решение задачи о дифракции рентгеновых лучей на плотноупакованных кристаллах с хаотическими дефектами упаковки типа вычитания. Кристаллография, 1979, т.24, вып.6, с.1142 - 1149.

68. Votava Е. Electron microscopic investigation of the phase transformation of thin cobalt samples. Acta Metallurgica, I960, v.8, No.12, p.901 - 904.

69. Лысак Л.И., Гончаренко И.Б. Влияние дефектов упаковки на образование мартенситных фаз. Металлофизика, 1972, вып.41, с.12 -27.

70. Лысак Л.И., Гончаренко И.Б. Роль дефектов упаковки в формировании мартенситных фаз из ГЦК-структур. УФЖ, т.17, № 10,с.1652 1659.

71. Николин Б.И. Принципы образования многослойных (длиннопериодических) мартенситных структур в металлических сплавах. ФММ, 1978, т.45, вып.I, с.ПО - 117.

72. Богачев Й.Н., Еголаев В.Ф., Чумакова Л.Д., Шкляр Р.Ш. Рентгенографические исследования структурных несовершенств в кобальте. ®ЯМ, 1968, т.26, вып.5, с.863 - 869.

73. Кочур А.Г., Шуваев А.Т. Рентгеноспектральное исследование электронного строения металлических комплексов марганца на основе трикарбонилциклопентадиенлимарганца. ВИНИТИ, Деп. № 4222-81, 24.08.81.

74. Мартынов В.В., Хандрос Л.Г. Аномальная упругость, обусловленная 2H=£6R перестройкой решетки при деформации сплавов медь-алюминий-никель. Доклады АН СССР, 1977, т.233, № 2, с.345 - 348.

75. Shimizu К., Sakamoto Н., Otsuka К. Phase Diagram Associated with Stress-Induced Martensitic Transformation in Cu-Al-Ni Alloy. -Scripta Metallurgica, 1978, v.12, No.9, p.771 776.