Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Прудаев, Илья Анатольевич

• Прудаев, Илья Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Прудаев, Илья Анатольевич

Введение.

1. Диффузионные структуры на основе СаАв, легированного примесями Сг и Ге: получение и свойства.

1.1. Диффузия хрома и железа в ОаАэ.

1.1.2. Диффузия хрома в ОаАБ.

1.1.3. Диффузия железа в ОаАя.

1.2. Свойства электронно-дырочных переходов, полученных диффузией Сг, Ре в ОаАБ.

1.2.1. Вольт-амперные характеристики ж-у-п структур.

1.2.2. Влияние типа структуры на вольт-амперные характеристики Б-диодов.

1.2.3. Влияние геометрических размеров структуры на ВАХ Б-диодов

1.2.4. Влияние концентрации доноров на ВАХ 8-диодов.

1.3. Приборы на основе я-ОаАз легированного Ре, Сг в процессе диффузии.

1.3.1. Лавинные переключающие Б-диоды.

1.3.2. Фотоприемники широкого спектрального диапазона.

1.3.3. Детекторы высокоэнергетических частиц и ионизирующих излучений.

1.4. Выводы к первой главе и постановка задачи.

2. Экспериментальные методики и способы изготовления образцов структур и приборов.

2.1. Получение и исследование диффузионных структур.

2.1.1. Способы изготовления диффузионных структур на основе ваАэгРе, Сг.

2.1.2. Методы исследования диффузионных структур.

2.2. Изготовление и исследование приборов на основе диффузионных структур.

2.2.1. Методики изготовления образцов Б-диодов.

2.2.2. Методики измерения электрических характеристик Б-диодов.

3. Исследование диффузии хрома и железа в СаАв.

3.1. Диффузия хрома в ваАв в потоке аргона.

3.2. Диффузия железа в ваАБ в запаянных ампулах. . . . .91 Выводы к третьей главе.

4. Исследование электрических характеристик диффузионных структур на основе СаАв, легированного Ре и Сг.

4.1. Исследование влияния толщины тг-слоя на обратную

В АХ 7г-у-«-структур на основе ОаАв^е.

4.2. Исследование ВАХ яг-у-я-структур на основе

ОаАБ, легированного примесью Сг.

4.3. Исследование ВАХ 8-диодов на основе диффузионной пГс-жСг~уСг-п-о,труктуръ\.

Выводы к четвертой главе.

5. Применение структур на основе СаАв, легированного примесью железа, хрома.

5.1. Высокоомные диффузионные слои ОаАэ, легированные хромом, для детекторов ионизирующих излучений.

5.2. Высоковольтные 8-диоды и формирователи импульсов.

5.3. Диффузионные п+-ж-у-п-р (р+-п-ж-у-п) структуры на основе ОаАэ, легированного железом, для 8-транзисторов.

Выводы к пятой главе. . . . . . . . . .168 Заключение. . . . . . . . . . .169 Список литературы. . . . . . . . . .171 Приложение А.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr»

Актуальность работы

Вся современная элементная база микроэлектроники построена на основе полупроводников, легированных «мелкими» примесями. В последние 10-15 лет в Томском госуниверситете активно развивается элементная база функциональной электроники, в основе которой лежат технологии легирования примесями с глубокими уровнями и создание многослойных полупроводниковых структур. Многослойные структуры на основе арсенида галлия, легированного примесями хрома или железа (СаАз:Сг,Ре), успешно используются для изготовления целого ряда приборов. Среди них основными являются импульсные лавинные 8-диоды, фотоприемники ультрафиолетового диапазона, детекторы заряженных высокоэнергетических частиц, рентгеновского и гамма-излучений. По совокупности основных параметров данные приборы не уступают ближайшим аналогам [1,2].

Диффузия Сг и Бе в л-ОаАэ как способ изготовления компенсированных I структур используется более 30 лет. Она удобна технологической простотой и малыми финансовыми затратами по сравнению с эпитаксиальными методами. Однако, в диффузионной технологии компенсированных структур имеется ряд нерешенных проблем. Одной из таких проблем является сложность получения компенсированных слоев толщиной более 1 мм для чего необходимы высокие температуры и большие времена диффузии, при которых возможна термоконверсия материала [3]. Другой проблемой является относительно невысокий процент выхода диффузионных 8-диодов с требуемыми параметрами. Это связано с недостаточной изученностью влияния параметров диффузионных профилей на механизмы переключения и параметры 8-диодов. Ранее при анализе результатов предполагалось, что при диффузии примесей Сг или Ре в ОаАэ формируется не плавный, а резкий я^-переход. Такое упрощение позволило обосновать некоторые эмпирические зависимости и предложить технологические маршруты изготовления приборных структур [3

5], однако оно не является корректным, поскольку диффузионные.электронно-дырочные переходы следует рассматривать как плавные. Кроме того, отсутствие надежных сведений о диффузионных параметрах. электрически активных атомов Сг и Ре в ОаАэ не позволяло ранее описывать характеристики приборов с учетом точного распределения' данных примесей. В частности, представленные в литературе данные по коэффициентам диффузии хрома, в СаАэ отличаются при одних и тех же температурах более чем на 3 порядка, что, очевидно, связано с . различными условиями легирования. Данных о температурной зависимости растворимости электрически активных атомов Сг и Ре в ОаАБ в литературе не представлено.

Из вышеизложенного следует, что , управление электрическими? характеристиками приборных диффузионных: структур требует тщательного исследования диффузионных процессов, лежащих в основе технологии их получения. Помимо получения фундаментальных данных по диффузии, такое исследование позволяет предложить новые пути управления характеристиками изготовляемых приборов: •

Целью диссертационной работы является установление закономерностей, связывающих электрофизические характеристики диффузионных ОаАэ:Сг и ОаАБ:Ре структур с электрическими^ параметрами приборов, изготовленных на. их основе. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Исследовать температурные зависимости растворимости и коэффициента диффузии Сг и Ре в баАэ, лежащие в основе технологии многослойных структур с примесями с глубокими уровнями.

2. Изготовить полупроводниковые структуры и: приборные элементы с различными профилями распределения: примесей Сг и Ре в ОаАэ в процессе диффузии.

3. Исследовать закономерности протекания тока в приборных структурах с глубокими центрами-от типа и градиента распределения примеси, типа и параметров структур, задаваемых условиями диффузионного легирования.

Объектом исследования являлись многослойные структуры на основе ОяАб, легированного в процессе диффузии примесями хрома (ОаАэ:Сг) и железа (СаАвгРе), создающими глубокие энергетические уровни.

Экспериментальное определение профилей распределения, коэффициентов диффузии и растворимостей примесей осуществлялись методом р-я-перехода, методом двух образцов и аппроксимацией профилей функцией дополнения интеграла ошибок до единицы. Экспериментальные исследования статических и динамических вольт-амперных характеристик (ВАХ) проводились при помощи стандартных измерительных методик (статические характеристики измерялись в интервале температур от -10 до +75 °С, измерение обратной ВАХ после переключения проводили в импульсном режиме при комнатной температуре в схемах автогенератора и обострителя). Научная новизна

1. Впервые определены температурные зависимости коэффициента диффузии и растворимости Сг в ваАБ при диффузии в открытой системе (в потоке инертного газа).

2. Впервые определена температурная зависимость растворимости электрически активных атомов Ре в СаАэ при диффузии в запаянных ампулах при высоком давлении паров мышьяка (Р > 1 атм).

3. Получены новые экспериментальные данные о закономерностях протекания тока при обратном смещении лавинных 8-диодов в зависимости от толщины базы (тг-слоя) и влиянии инжекции неравновесных электронов с тылового контакта к тг-слою на статические характеристики лавинных Б-диодов.

4. Предложен новый тип многослойной полупроводниковой структуры и способ её изготовления в процессе двойной диффузии Сг и Ре в я-ОаАэ, позволяющие создать высоковольтные лавинные 8-диоды; исследованы температурные зависимости ВАХ высоковольтных структур.

Практическая значимость

Результаты исследования температурных зависимостей коэффициента диффузии и растворимости примеси Сг в ОаАэ в открытой системе используются в серийном производстве полупроводниковых структур для многоэлементных детекторов ионизирующего излучения с максимальной толщиной активной области (до 1 мм и более).

Результаты исследования температурных зависимостей коэффициента диффузии и растворимости примеси Бе в СаАэ в запаянных ампулах использованы при получении лабораторных образцов 8-диодов с улучшенными характеристиками и могут быть использованы при разработке технологии изготовления промышленных образцов импульсных лавинных 8-диодов.

Предложенные и исследованные в работе многослойные структуры жре-пСг-уСг-п-типа использовались для изготовления лабораторных образцов лавинных Б-диодов с повышенным значением напряжения переключения (до 650 В).

Практическая значимость работы подтверждается выполнением следующих научно-исследовательских программ, в рамках которых проводилась диссертационная работа: межотраслевая научно-техническая программа сотрудничества Министерства образования Российской Федерации и Министерства Российской Федерации по атомной энергии по направлению «Научно-инновационное сотрудничество» (2005 г.); ведомственная научная программа «Развитие научного потенциала высшей школы», подпрограмма 2: «Прикладные исследования и разработки по приоритетным направлениям науки и техники» (2005 г.); федеральная целевая научно-техническая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники на 2002-2006 годы» по приоритетному направлению «Развитие инфраструктуры» (2006 г.); программа «Участник молодежного научно-инновационного конкурса», проводимая Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере при поддержке Федерального агентства по науке и инновациям и Федерального агентства по образованию (2007, 2008 гг.).

Научные положения, выносимые на защиту

1. Диффузия хрома в GaAs для открытой системы протекает по диссоциативному механизму; образование повышенной концентрации вакансий мышьяка обуславливает более высокий коэффициент диффузии хрома в GaAs для открытой системы в сравнении с закрытой при одинаковых температурах диффузии.

2. Переключение лавинных S-диодов, полученных диффузией Fe и Сг в п-GaAs, в проводящее состояние осуществляется в условиях развитого лавинного пробоя 7г-у-перехода по микроплазмам и инициируется неравновесными электронами, инжектированными из прямосмещенного контакта к яг-слою; это обуславливает слабую зависимость напряжения переключения и существенное уменьшение силы тока переключения с уменьшением толщины базы.

3. Управляемое понижение сопротивления части лг-области вблизи контакта приводит к усилению лавинных процессов в области объемного заряда jt-v-перехода вследствие перераспределения напряжённости электрического поля в GaAs:Cr структуре; это обуславливает снижение инжекции с прямосмещенного контакта в высокоомную тг-область, что обеспечивает увеличение напряжения переключения S-диодов.

Апробация результатов

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на международной конференции «Современные проблемы физики и высокие технологии» (г. Томск, 2003), на 4-ой и 6-ой Школах-семинарах молодых ученых «Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития» (г. Томск, 2003, 2005 гг.), на 9-ой и 10-ой Российских научных студенческих конференциях «Физика твердого тела» (г. Томск 2004, 2006), на международных конференциях «SIBCON» (IEEE International Siberian conference on control and communication, Tomsk, 2005, 2007, 2009), на 9-ой Международной конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (г. Томск, 2006), на Международной научнопрактической конференции «Актуальные проблемы радиофизики» (г. Томск, 2008).

Публикации Основные результаты диссертации опубликованы в 16 печатных работах, 7 из которых - в изданиях, включенных в список ВАК.

Структура и объем диссертации

Текст диссертации состоит из введения, 5 глав, заключения, списка использованной литературы и приложения; содержит 87 рисунков, 9 таблиц, библиографический список из 121 наименования — всего 194 страницы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Прудаев, Илья Анатольевич

Выводы к пятой главе

Подводя итог изложенному в настоящей главе, можно сделать следующие выводы.

1. Экспериментально полученные в настоящей работе температурные зависимости коэффициента диффузии и растворимости хрома в ваЛв в потоке аргона применяются для оценки времени и температуры технологических отжигов при изготовлении резистивных структур большой толщины. Диффузия в проточной системе наиболее выгодна для изготовления детекторов ионизирующих излучений, так как позволяет создавать слои с удельным сопротивлением до 109 Ом •см толщиной более 1 мм и большим временем жизни носителей заряда.

2. Предложен новый способ изготовления Б-диодных структур пГе-кСг-уСг-п-типа. Он позволяет увеличить напряжение переключения 8-диодов до 650 В (или более), что в 3-5 раз выше максимальных напряжения переключения для традиционных /т-у-и-структур, полученных диффузией Ре. Данные диоды могут быть использованы в качестве ключевых элементов в высоковольтных формирователях наносекундных импульсов напряжения с амплитудой более 1000 В.

3. Предложен новый способ создания диффузионных структур р+-п-ж-у-п и и-7г~у-«-типов методом геттерирования глубокого акцептора Ре из исходной ваЛв-структуры л:-у-и-типа. Структуры могут применяться в качестве базовых для создания 8-транзисторов и 8-диодов. Предложенный способ позволит существенно упростить процесс изготовления 8-транзисторов и 8-диодов.

169

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Прудаев, Илья Анатольевич, 2009 год

1. Горелик, Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С. Горелик, М. Я. Дашевский. - М. : Металлургия, 1988. - 574 с.

2. Курносов, А. Н. Технология и оборудование производстваполупроводниковых приборов / А. Н. Курносов, В. В. Юдин. - Л. : Судостроение, 1971. — 264 с.

3. Болтакс, В. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / В. И.Болтакс - Л. : Наука, 1972.-384 с.

4. Атомная диффузия в полупроводниках / под ред. Д. Шоу ; пер. с англ.под ред. Г. Ф. Воронина, В. П. Зломанова. — М . : Мир, 1975. - 684 с.

5. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы итехнология изготовления / под ред. Д. В. Лоренцо, Д. Д. Канделуола ; пер. с англ. В. Г. Батура, В. Н. Данилин, А. И. Толстой. - М. : Радио и связь, 1988.-469 с.

6. Kasahara, J. Redistribution of Cr in capless-annealed GaAs under arsenicpressure / J. Kasahara, N. Watanabe // Jap. J. Appl. Phys. - 1980. - Vol. 19. P.L151-L154.

7. Cr profiles in semi-insulating GaAs after annealing with and without Si0 2encapsulants in a H2-As4 atmosphere / V. Eu and others. // Appl. Phys. Lett. - 1980. - Vol. 37, № 5. - P. 473-475.

9. Redistribution of Cr during annealing of 80Se-implanted GaAs / C. A. Evansand others. // Appl. Phys. Lett. - 1979. - Vol. 35, № 3. - P. 291-293.

10. Favennec, P.N. Implantation of shallow impurities in Cr doped semiinsulating GaAs / P. N. Favennec, H. L'Haridon //Appl. Phys. Lett. - 1979. Vol. 35, № 9 . - P . 699-701.

11. Chromium gettering in GaAs by oxygen implantation / P. N. Favennec andothers. //Appl. Phys. Lett. - 1981. - Vol. 38, № 4. - P. 271-274.

12. Vasudev, P.K. Cr redistribution during thermal annealing of semi-insulatingGaAs as a function of encapsulant and implant fluence / P. K. Vasudev, R. G. Wilson, С A. Evans // Appl. Phys. Lett. - 1980. - Vol. 36, № 10. - P. 837840.

13. Chomium concentrations, depth distributions, and diffusion coefficient in bulkand epitaxial GaAs and in Si / R. G. Wilson and others. // Appl. Phys. Lett. 1980. - Vol. 36, № 3. - P. 215-217.

14. Wilson, R. G. As-implanted and redistributed annealed depth distributions,rang-energy, and shape factors for Cr implanted into crystalline GaAs and Si / R. G. Wilson // J. Appl. Phys. - 1981. - Vol. 52, № 6. - P. 3954-3959.

16. Front surface control of Cr redistribution and formation of stable Cr depletionchannels in GaAs / T. J. Magee and others. // Appl. Phys. Lett. - 1981. - Vol. 38, № 7 . - P . 559-561.

17. Low-temperature redistribution of Cr in boron-implanted GaAs in the absensof encapsulant stress / T. J. Magee and others. // Appl. Phys. Lett. - 1980. Vol. 37, № 7 . - P . 635-638.

18. Yagita, H. Cr gettering by Ne ion implantation and the correlation with theelectrical activation of implanted Si in semi-insulating GaAs / H. Yagita, T. Onuma // J. Appl. Phys. - 1982. - Vol. 53, № 2. - P. 1218-1220.

19. Effect of oxygen on chromium-structural defects interaction in ion-implantedgallium arsenide / D. K. Sadana and others. // J. Appl. Phys. - 1982. - Vol. 53, № 9 . - P . 6413-6417.

20. Rohdin, H. A model of Cr in GaAs / H. Rohdin, M. W. Muller, M. Wolfe //J. Phys. and Chem. of Solids. - 1983. - Vol. 44. - P. 1049-1057.

21. Хлудков, С. Диффузия железа, хрома и кобальта в GaAs / Хлудков, Г. А. Приходько, Т. Н. Карелина // Изв. АН СССР. Серия «Неорг. Материалы» - 1972. - Т. 8, № 6. - 1044-1050.

22. Хлудков, С. Диффузия хрома в арсениде галлия / Хлудков, О. Б.Корецкая, А. В. Тяжев // ФТП. - 2004. - Т. 38, № 3. - 274-281.

23. Хлудков, С. Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паровмышьяка / Хлудков, О. Б. Корецкая, Г. Р. Бурнашова // ФТП. 2006. - Т. 40, № 9. - 1025-1027.

24. Tuck, В. Diffusion of chromium in gallium arsenide / B. Tuck, A.Adegboyega // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1979. - Vol. 12, № 11. - P. 18951909.

25. Deal, M.D. Diffusion of chromium in gallium arsenide / M. D. Deal, D. A.Stevenson // J. Appl. Phys. - 1986. - Vol. 59, № 7. - P. 2398-2407.

26. Deal, M.D. Ternary phase equilibria in the Ga-As-Cr system and its relevanceto diffusion and solubility studies / M. D. Deal, R. A. Gasser, D. A. Stevenson // J. Phys. Chem. Solids. - 1985. - Vol. 46, № 7. - P. 859-867.

27. Усков, В. А. Влияние комплексообразования на одновременнуюдиффузию компонентов в полупроводниках / В. А. Усков // Изв. АН СССР. Серия Неорг. Материалы. - 1973. - Т. 9, № 6. - 1049-1050.

28. Усков, В. А. Влияние комплексообразования на диффузию Со в GaAs /В. А. Усков, В. П. Сорвина, А. Б. Федотов // Изв. АН СССР. Серия Неорг. Материалы. - 1975. - Т. 11, № 6. - 1012-1015.

29. Усков, В. А. Влияние давления паров мышьяка на диффузию ирастворимость Fe в GaAs / В. А. Усков, В. П. Сорвина // Изв. АН СССР. Серия «Неорг. Материалы» - 1974. - Т. 10, № 6. - 1041-1045.

30. Усков, В. А. Многокомпонентная диффузия в моноатомных и бинарныхполупроводниках / В. А. Усков // В сб. : Свойства легированных полупроводников. - М. : Наука. - 1977. - 129-134.

31. Хлудков, Зависимость коэффициента диффузии железа в арсенидегаллия от давления паров мышьяка / Хлудков, А. В. Корецкий // Изв. АН СССР. Серия Неорг. Материалы. - 1983. - Т. 19, № П. - 1789-1792.

32. Хлудков, Температурная зависимость коэффициента диффузиижелеза в GaAs / Хлудков, А. В. Корецкий // Изв. АН СССР. Серия Неорг. Материалы. - 1985. - Т. 21, № 10. - 1628-1630.

33. Хлудков, О механизме диффузии железа в GaAs / Хлудков, Н.В. Чалдышева // Изв. вузов. Физика. - 1982. - Т. 5, № 5. - 115-117.

34. Мастеров, В. Ф. Электронная структура глубоких центров в арсенидегаллия / В. Ф. Мастеров // Изв. вузов. Физика. - 1983. - Т. 26, № 10. - 45-55.

35. Hall, R. Н. Diffusion and solubility of copper in extrinsic and intrinsic Ge, Siand GaAs / R. H. Hall, J. H. Raccete // J. Appl. Phys. 1964. - Vol. 35, № 2. P. 379-397.

36. Диффузия и растворимость Fe в GaAs / Болтакс Б. И. и др.. // Изв. АНСССР. Серия «Неорг. Материалы» - 1975. - Т. 11, № 2. - 348-350.

37. Болтакс, Б.И. Диффузия, растворимость и влияние меди "наэлектрические свойства арсенида галлия / Б.И. Болтакс, С И . Рембеза, М.К. Бахадырханов // ФТТ. - 1968. - Т. 10, № 2. - 550-555.

38. Приходько, Г. Л. Разработка и исследование быстродействующих Sдиодов на основе компенсированного GaAs : дис. ... канд. техн. наук : 0104.10 / Геннадий Лаврентьевич Приходько ; Томский гос. ун-т. Томск, 1979. - 226 л.

39. Гаман, В. И. Вольт-амперные характеристики диодных структур наоснове арсенида галлия, компенсированного марганцем или железом / В. И. Гаман // Изв. вузов. Физика. - 1983. - Т. 26, № 10. - 79-95. .

40. Гаман, В.И. Осцилляции напряжения на р-л-у-п-структурах на основеGaAs (Fe) при прямом смещении / В.И. Гаман, Г.М. Фукс // Изв. вузов. Физика. - 1982. - Т. 25, № 7. - 115-116.

41. Гаман, В.И. Фотопроводимость р-лг-у-гс-структурах на основе GaAs (Fe)при прямом смещении / В. И. Гаман, Г. М. Фукс // ФТП. - 1982. - Т. 16, № 6 . - С . 1133-1135.

42. Прямая ветвь вольтамперной характеристики /?-7г-у-и-структур на основеGaAs(Fe) / А. А. Виллисов и др.. // ФТП. - 1981. - Т. 15, № 2. - 414418.

43. Толбанов, О. П. Исследование и разработка арсенид-галлиевыхлавинных S-диодов : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Олег Петрович Толбанов ; Томский гос. ун-т. - Томск, 1986. — 211 л.

44. Толбанов, О. П. Арсенид галлия, компенсированный примесями сглубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применения) : дис. ... докт. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Олег Петрович Толбанов ; Томский гос. ун-т. — Томск, 1999. - 335 л.

45. Хлудков, Арсенид-галлиевые лавинные S-диоды / Хлудков //Изв. вузов. Физика. - 1983. - Т. 26, № 10. - 67-78.

46. Хлудков, С. Вольтамперные характеристики S-диодов на основе GaAsс примесью хрома с отрицательным сопротивлением при обратном смещении / Хлудков, О. П. Толбанов // ФТП. - 1980. - Т. 14, № 8. 1624-1627.

47. Толбанов, О. П. Вольтамперные характеристики арсенид-галлиевых ж-vи-структур, легированных Fe и Сг, в области сильных электрических полей / О. П. Толбанов, Хлудков // ФТП. - 1986. - Т. 20, № 11. - 2072-2077.

48. Хлудков, Механизм высокоскоростного переключения в арсенидгаллиевых структурах с глубокими центрами. / Хлудков, О. П. Толбанов // ФТП. - 1992. - Т. 26, № 2. - 386-389.

49. Белобородов, П. Ю. Влияние процессов перезарядки глубоких центровна задержку пробоя арсенид-галлиевых лг-у-и-структур, компенсированных железом / П. Ю. Белобородов, О. П. Толбанов, Хлудков // ФТП. - 1988. - Т. 22, № 4 - 755-757.

50. Хлудков, Арсенид-галлиевый лавинный S-диод на основе n+-K-v-nструктуры / Хлудков, О. П. Толбанов, А. В. Корецкий // Изв. вузов. Физика. - 1986. - Т. 29, №4. - 54-58.

51. Разработка GaAs диодов и их применение в импульсной технике / Д. Д.Каримбаев и др.. // Электронная промышленность. - 1993. - № 9. - 62-70.

52. Sah, Chih-Tang. Carrier Generation and Recombination in/?-w-junctionand /?-ra-junction characteristics / Chih-Tang Sah, Robert N. Noyce, William Shockley // . Proceedings of the IRE. P. - 1957. - № 9. - P. 12281239.

53. Logan, R. A. Avalanche breakdown in gallium arsenide p-n junction / R.A.1.gan, A. G. Chynoweth, B. G. Cohen. // Phys. rev. - 1962. - Vol. 128, № 6. - P . 2518-2523.

54. Goetzberger, A. Voltage dependence of microplasma density in p-n junctionsin silicon / A. Goetzberger, C. Stephens // J. Appl. Phys. - 1961. - Vol. 32, № 12.-P. 2646-2650

55. Haitz, R. H. Variation of junction breakdown voltage by charge trapping //Phys. Rev. - 1965. - Vol. 138, №1 A. - P. A260-A267.

58. Стафеев, В. И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на видвольтампернои характеристики диода / В. И. Стафеев // ЖТФ. — 1958. Т. 28, № 8 . - С . 1631-1641

59. Лейдерман, А. Ю. Влияние уровней прилипания на вольт-ампернуюхарактеристику полупроводникового диода / А. Ю. Лейдерман // Изв. АН УзССР. Сер. Физ.-мат. наук. - 1965. - № 2. - с. 29-39.

60. Зи, М. Физика полупроводниковых приборов / М. Зи ; пер. с англ.под ред. Р. А. Суриса. - М. : Мир, 1984. - 456 с.

61. Поляков, Н. Н. К выводу формулы сопротивления растекания дляплоского контакта круглой формы / Н. Н. Поляков, В. Л. Коньков // Изв. вузов. Физика. - 1970. - № 9. - 100-105.

62. Грехов, И. В. Микроплазменные явления в кремнии / И. В. Грехов, Н. Н.Крюкова, В. Е. Челноков // ФТТ. - 1966. - Т. 8, № 12. - 3474-3479.

63. Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды.Справочник. / Под ред. Б. А. Наливайко. - Томск : МГП «РАСКО», 1992. -223 с.

64. Пикосекундная импульсная техника. / Под ред. В. Н. Ильюшенко. — М. :Энергоатомиздат, 1993. - 368 с.

66. Будницкий, Д. Л. Время жизни носителей заряда в высокоомном GaAs,легированном диффузией хрома/ Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, И. А. Прудаев // Изв. вузов. Физика. — 2008. - Т. 51, № 5. - 84-88.

67. Структуры из арсенида галлия, чувствительные к ультрафиолетовомуизлучению / Д. Л. Будницкий и др.. // Изв. вузов. Физика. - 1995. - № 8. - С . 108-111.

68. Хлудков, Арсенидгаллиевые структуры с глубокими центрами идетекторы ионизирующих излучений на их основе / Хлудков, О. П. Толбанов, Д. Л. Будницкий // Изв. вузов. Физика. - 1998. - Т. 41, № 8. 39-43.

69. Координатные полосковые детекторы на основе арсенида галлия / Г. И.Айзенштат и др.. // Электронная промышленность. - 1998. - № 1-2. - 102-106.

70. GaAs radiation imaging detectors with an active layer thickness up to 1 mm /A. V. Tyazhev and others. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A. - 2003. - Vol. 509, № 1. - p. 34-39.

71. Арсенидогаллиевые детекторы ионизирующего излучения длясовременных диагностических систем / Г. И. Айзенштат и др.. // Электронная промышленность. - 1998. - № 1-2. - 98-101.

72. Буц, Э. В. Определение концентрации носителей тока и напряженияпробоя в л-GaAs по цвету анодной окисной плёнки / Э. В. Буц, Л. Н. Возмилова // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -1979.-№.9.-С. 86-90.

73. Импульсные элементы автоматики и вычислительной техники. Учебноепособие для вузов. / В. Д. Ефремов и др.. - Л. : Изд. «Энергия», 1977. — 248 с.

74. Прудаев, И. А. Диффузия и растворимость хрома в арсениде галлия /И.А. Прудаев, М. В. Ардышев // Изв. вузов. Физика. - 2005. - Т. 28, № 6 - С . 46-47.

75. Ардышев, М. В. Диффузия хрома в GaAs в открытой системе / М. В:Ардышев, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, Хлудков // Неорг. материалы. -2008. - Т. 44, № 9. - 1036-1040.

76. Прудаев, И. А. Диффузия и растворимость электрически активногожелеза в арсениде галлия / И. А. Прудаев, Хлудков // Изв. вуз. Физика. - 2008. - № 11 - 48-51.

77. Ардышев, М.В. Получение предельно высокоомного GaAs диффузиейхрома в формиг-газе / М.В. Ардышев, И.А. Прудаев // Современные проблемы физики и высоких технологий : Материалы международной конференции - Томск : Изд-во Том. ун-та, 2003. - 154-156.

78. Прудаев, И.А. Исследование диффузии хрома в арсенид галлия в потокеводорода / И.А. Прудаев, М.В. Ардышев // Физика твердого тела : Сборник материалов IX Российской научной студенческой конференции. - Томск : Изд-во Том. ун-та, 2004. - 91-92.

80. Rafaja, D. Simulation of the reactive diffusion processes in binary systemswith finite geometry/ D. Rafaja, W. Lengauer // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - № 1. - 81-85.

84. Пасынков, В. В. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов, 5-еизд. / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин - СПб. : Изд. «Лань», 2001. - 480 с.

85. Скакунов, М.С. Оптоэлектронный ключ с субнаносекунднымбыстродействием / М.С. Скакунов, И.А. Прудаев // Физика твердого тела : Сборник материалов X Российской научной студенческой конференции. - Томск : Изд-во Том. ун-та, 2006. - 250-252.