Диэлектрические и плазмонные резонансные наноантенны для управления характеристиками оптических генераторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Пидгайко Дмитрий Анатольевич

• Пидгайко Дмитрий Анатольевич
• кандидат наук
• 2022

Оглавление диссертации кандидат наук Пидгайко Дмитрий Анатольевич

Оглавление

Стр.

Реферат

Synopsis

Введение

Глава 1. Теоретические основы. Методы исследований

1.1 Теоретические основы

1.1.1 Рассеяние света сферическими наноантеннами

1.1.2 Генерация второй гармоники при помощи резонансных наноантенн

1.1.3 Моды шепчущей галереи в микродисковых резонаторах

1.2 Методы исследований

1.2.1 Численные методы

1.2.2 Экспериментальные методы

1.2.3 Технологические методы и предварительная характеризация

1.2.4 Научные сотрудничества

Глава 2. Управление резонансными свойствами

диэлектрической сферической наноантенны, расположенной на двухслойной подложке

2.1 Случай нормального падение света

2.2 Случай наклонного падения света

2.3 Направленность рассеяния в однодипольных режимах

2.4 Кремниевый подслой. Плазмонные частицы

2.5 Выводы

Глава 3. Вывод излучения из микродисковых лазеров при

помощи плазмонных и диэлектрических резонансных наноантенн

Стр.

3.1 Характеризация микродисковых лазеров

3.2 Дипольная модель вывода излучения из микродискового лазера

3.3 Эффективная модель прямоугольного волновода

3.4 Сравнение свойств микродисков до и после переноса наноантенн

3.5 Измерение диаграммы направленности излучения микродисковых лазеров

3.6 Выводы

Глава 4. Генерация второй гармоники в гибридных

GaP/Au-наноантеннах

4.1 Спектры рассеяния СаР- и СаР/Ли-наноантенн в линейном режиме

4.2 Спектры рассеяния и генерации второй гармоники гибридных СаР/Ли-наноантенн

4.3 Спектры генерации второй гармоники гибридных СаР/Ли-наноантенн при различных направлениях поляризации накачки

4.4 Выводы

Заключение

Список сокращений и условных обозначений

Список иллюстративного материала

Список литературы

Благодарности

Приложение А. Основные публикации автора по теме

диссертации

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диэлектрические и плазмонные резонансные наноантенны для управления характеристиками оптических генераторов»

Реферат

Актуальность. Новейшие достижения в современной нанофотонике не только имеют научную и фундаментальную значимость, но и способствуют прогрессу во множестве областей: от биологии и медицины до телекоммуникации [1; 2]. Дальнейшее развитие нанофотоники требует разработки высокоэффективных оптических источников и генераторов микро- и наноразмеров и улучшений свойств уже существующих. Примерами таких источников могут являться, например, микродисковые лазеры с оптической накачкой [3—7], наноразмерные структуры для генерации оптических гармоник [8—12], генераторы света с угловым моментом [13—15], нанолазеры на основе перовскитов [16; 17] и т. д. Предметом исследования в диссертации являются первые два типа оптических генераторов.

Микродисковые лазеры с оптической накачкой демонстрируют исключительные характеристики, такие как низкие пороги генерации при комнатной температуре, сверхвысокие добротности, компактные размеры и высокую температурную стабильность [6; 7]. Одной из фундаментальных проблем микродисковых лазеров является крайне низкая эффективность вывода излучения. Другой проблемой, сужающей области их применения, является то, что в силу аксиальной симметрии излучение распространяется преимущественно в плоскости микродиска и является изотропным. Стандартным решением первой проблемы является нарушение аксиальной симметрии путем нанесения точечных или линейных дефектов [18—22]. Однако это приводит к сильному ухудшению добротности лазеров и, как следствие, значительному увеличению их порогов генерации и уменьшению добротности. Решение второй проблемы необходимо в таких областях, как оптические системы связи, оптические нейронные сети, системы обработки и передачи информации, в которых требуются вертикально излучающие источники когерентного излучения [23—26]. Одним из возможных путей решения второй проблемы является разработка микродисков с периодической решеткой на верхней поверхности [13]. Такая структура позволяет выводить излучение вверх с угловым моментом, однако требует очень высоких мощностей оптической накачки. Наконец, возможно использование лазеров типа УСБЕЬ [27—30]. Однако такие лазеры существенно проигрывают микродисковым в величине добротности.

Другим примером оптических генераторов являются наноструктуры и микроструктуры для генерации второй гармоники (ГВГ). Генерация второй гармоники играет важную роль в современной нанофотонике [31], т. к. это явление имеет большой потенциал в бесфоновом биодетектировании [32], нелинейном изображении [33], оптической активности [34] и управлении оптическими полями [35; 36]. Фундаментальной проблемой микро- и наноразмерных генераторов второй гармоники является неприменимость условия фазового синхронизма, необходимого для эффективной генерации второй гармоники (ГВГ). Возможным решением этой проблемы является использование резонансных метаповерхностей, изготовленных из плазмонных [37] или нелинейных диэлектрических [38; 39] и полупроводниковых Ш-У группы [40] материалов. В плазмонных структурах усиление происходит из-за сильной локализации поля на поверхности при плазмонном резонансе. В нелинейных диэлектрических и полупроводниковых метаповерхностях генерация второй гармоники происходит в объеме материала. В последнее время внимание исследователей главным образом сосредоточено на генерации второй гармоники при помощи наноантенн, имеющих значительно более компактные размеры, чем метаповерхности.

Плазмонные и высокоиндексные диэлектрические наноантенны являются одними из ключевых элементов современной нанофотоники [41—45]. Согласно теории Ми, плазмонные и диэлектрические сферические частицы при размерах порядка 100-200 нм поддерживают серию оптических резонансов в видимом диапазоне [46]. Локализованный плазмонный резонанс в металлических антеннах имеет электро-дипольную, электро-квадрупольную и т. д. природу, тогда как магнитный отклик пренебрежимо мал из-за больших материальных потерь [42; 47]. Плазмонные наноантенны обеспечивают сильное локальное усиление электромагнитного поля [48—50], используются для поверхностно усиленной рамановской спектроскопии [51—53], химических и биологических приложений [54—57] и многого другого. Диэлектрические частицы поддерживают как электрические, так и магнитные отклики соизмеримой величины [58; 59]. Это приводит к наблюдению ряда новых эффектов, таких как эффект Керкера [60— 63] или направленное возбуждение поверхностного плазмон-поляритона, инициированное резонансной наночастицей [64; 65]. Изменяя размеры и форму обоих типов частиц, становится возможным управлять спектральным положением резонансов. В итоге они обеспечивают эффективный контроль над светом на наномасштабе и имеют множество приложений [66—69].

Гибкий функционал плазмонных и диэлектрических частиц активно используется для генерации второй гармоники на микро- и наномасштабе. ГВГ в плазмонных частицах возможна за счет сильной локализации поля на поверхности антенн, тогда как сам нелинейный сигнал усиливается плазмонными резонансами. Например, в работах [8; 70] плазмонные структуры обладают резонансом как на фундаментальной, так и на удвоенной частоте. Другим подходом к усилению генерации оптических гармоник является возбуждение в системе высокодобротных мод, формирующихся за счет резонансов Фано [71; 72]. Эти подходы позволяют значительно усиливать генерацию нелинейного сигнала при помощи плазмонных субволновых систем, однако не решают принципиальных проблем плазмоники, к которым относятся сильные омические потери, а также отсутствие собственной нелинейности второго порядка кристаллической решетки большинства металлов. Альтернативу плазмонным составляют диэлектрические и полупроводниковые наноантенны, обладающие объемной нелинейностью второго порядка [73—76]. ГВГ в таких частицах происходит в объеме и при достаточно большом показателе преломления усиливается резонансами Ми. В работе [11] показано, что за счет нарушения симметрии частицы можно значительно увеличить эффективность генерации второй гармоники и достичь контроля над направленностью нелинейного рассеяния. Наконец, в работе [12] взаимодействие резонансов Ми в ЛЮаЛэ-цилиндре на частоте накачки приводит к формированию квазилокализованного состояния в континууме, имеющего высокую добротность. Вследствие этого генерация второй гармоники становится крайне эффективной. Однако частица имеет сравнительно большие размеры, порядка 900 нм в диаметре. Объединение преимуществ плазмонных и нелинейных материалов, например, в димере из плазмонной и нелинейной диэлектрической наноантенн, позволяет с одной стороны уменьшить размер всей системы, а с другой - сохранить эффективность генерации высокой, как например в работе [12]. Тем не менее такая конфигурация не дает в полной мере скомбинировать свойства плазмонных резонансов и резонансов Ми, т. к. частицы пространственно разделены. Гибридная моночастица с большей областью контакта плазмонной и нелинейной диэлектрической компоненты способна показать большую эффективность генерации.

Резонансные плазмонные и диэлектрические наноантенны также способны обеспечить контроль и над излучением микродисковых лазеров. Например, в работе [77] микродисковые лазеры покрывались неупорядоченным массивом

кремниевых наноантенн разных размеров, что позволило добиться всенаправ-ленного излучения. Это применялось для отслеживания движения живых биологических клеток в реальном времени. Нанесение Р^С-нанонити на боковую поверхность микродискового лазера позволило получить направленный вверх вывод излучения[6]. Помимо этого, наноантенна обеспечивала эффективное подавление боковых мод, однако сама она не имела плазмонного резонанса на длине волны лазерной генерации и ухудшала добротность системы. Наконец, в работе [7] на верхнюю поверхность микродискового лазера переносилась сферическая кремниевая антенна, имеющая магнито-дипольный резонанс. Это привело к увеличению эффективности вывода излучения. Однако сравнение эффективностей вывода излучения плазмонными и диэлектрическими сферическими наночастицами или исследование диаграмм направленности выводимого излучения не проводилось. Таким образом, использование наноантенн для управления свойствами оптических генераторов является актуальной задачей в современной нанофотонике.

Объекты исследований.

1. Микродисковые лазеры с оптической накачкой.

2. Гибридные плазмон-диэлектрические наноантенны для генерации второй гармоники.

Научные проблемы.

1. Крайне низкая эффективность вывода излучения из микродисковых лазеров.

2. Вывод излучения микродисковых лазеров происходит в плоскости микродисков, тогда как в некоторых задачах требуется вертикальный вывод излучения.

3. К текущему моменту не представлено конфигурации гибридной плаз-мон-диэлектрической наноантенны для генерации второй гармоники.

Цели и задачи диссертации.

Основной целью работы является использование резонансных плазмонных и диэлектрических наноантенн для управления свойствами двух типов оптических генераторов: микродисковых лазеров и нелинейных гибридных наноантенн,

предназначенных для генерации второй оптической гармоники. Для достижения цели были поставлены следующие задачи:

1. Разработать модель, описывающую взаимодействие резонансных плаз-монных и диэлектрических антенн с микродисковым лазером.

2. Исследовать влияние подложки на резонансные свойства плазмонных и диэлектрических наноантенн.

3. Определить оптимальные размеры наноантенн, обеспечивающих наиболее эффективный вывод излучения из микродисковых лазеров.

4. Сравнить спектры, пороги генерации и добротности микродисковых лазеров до и после переноса наноантенн.

5. Измерить направленность вывода излучения из микродисковых лазеров при помощи наноантенн.

6. Разработать геометрию нелинейных гибридных наноантенн, предназначенных для генерации второй гармоники, и исследовать их резонансные свойства в линейном режиме.

7. Исследовать влияние плазмонной компоненты на резонансные свойства гибридной наноантенны.

8. Определить параметры антенн, имеющих плазмонный резонанс на длине волны накачки и резонансы Ми на длине волны генерации.

9. Измерить линейные спектры рассеяния изготовленных антенн.

10. Измерить спектры генерации второй гармоники изготовленных антенн.

11. Исследовать влияние поляризации накачки на процесс генерации второй гармоники.

Научная новизна.

1. Впервые показан контроль над спектрами рассеяния диэлектрических наноантенн за счет дополнительного низкоиндексного слоя, покрывающего высокоиндексную подложку. Впервые показан контроль над спектрами рассеяния и диаграммой направленности наноантенны на подложке за счет поворота линейной поляризации.

2. Впервые проведено сравнение свойств микродисковых лазеров до и после переноса диэлектрических сферических наноантенн. Показано, что антенны практически не изменяют спектров фотолюминесценции лазеров и уменьшают их пороги генерации. Впервые измерены диаграммы

направленности излучения из микродискового лазера, даваемые резонансными наночастицами.

3. Впервые исследованы свойства гибридной плазмон-диэлектрической моночастицы в линейном и нелинейном режимах. Для нее измерены спектры генерации второй гармоники и зависимость интенсивностей от направления линейной поляризации накачки.

Теоретическая и практическая значимость работы.

1. При размещении частицы на многослойной подложке рассеяние определяется тремя процессами: взаимодействием частицы с модами подложки, взаимодействием частицы с вторичным рассеянными от подложки модами и с полем стоячей волны в верхнем полупространстве. Во второй части работы показано, что основной вклад дает именно третий процесс. Этот результат позволяет строить упрощенные модели взаимодействия наноантенн с различными оптическими структурами.

2. Разработанная эффективная модель прямоугольного волновода позволяет получить качественное представление об эффективности вывода излучения наноантеннами более сложной конфигурации, чем сферическая.

3. Демонстрация улучшения свойств микродисковых лазеров при помощи диэлектрических наноантенн служит основой для разработки более эффективных компактных генераторов оптического излучения.

4. Исследованные гибридные плазмон-диэлектрические антенны демонстрируют управляемую генерацию второй гармоники, поэтому являются гибкими активно перестраиваемыми оптическими генераторами.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Эффективность рассеяния света плазмонной или диэлектрической сферической наноантенны, находящейся на двуслойной диэлектрической подложке, главным образом определяется взаимным положением центра частицы и пучностями/узлами стоячей волны в свободном пространстве. При определенной толщине промежуточного слоя и угле падения достигается контроль над диаграммой направленности и отношением эффективностей рассеяния диэлектрической наносферы на

длинах волн электро- и магнито-дипольных резонансов. Отношение может изменяться от 0.1 до 3.3 в зависимости от поляризации падающей плоской волны.

2. Кремниевые сферические наночастицы с радиусами до 300 нм, перенесенные на верхнюю торцевую поверхность GaAs-микродисковых лазеров на квантовых точках InGaAs с диаметром 7.26 микрон, сдвигают спектры фотолюминесценции на величину менее 0.01 процента от длины волны генерации. Наноантенны снижают порог генерации микродиска на длине волны 1287 нм более чем на 13 процентов за счет Ми резонансов, обеспечивающих более эффективную накачку, и приводят к направленному выводу лазерного излучения. Частица с радиусом г\ = 170 нм обеспечивает максимум вывода излучения в вертикальном направлении. Частица с радиусом г\ = 270 нм обеспечивает два максимума с углами 6i = -6 градусов и 62 = 42 градуса.

3. Цилиндрические гибридные GaP/Au-наноантенны обладают двумя типами резонансов в спектре генерации второй гармоники: первый тип обусловлен усилением генерации второй гармоники плазмонным резонансом золотого диска на частоте накачки, а второй - резонансом GaP-цилиндра на частоте второй гармоники. При накачке антенны линейно поляризованным светом и нормальном падении каждый из резонансов достигает своего максимального значения при одном определенным направлении поляризации, что связано с поликристаллической структурой GaP/Au-наноантенны.

Апробация работы и достоверность результатов. Основные результаты работы докладывались на всероссийских и международных конференциях: международная конференция METANANO 2019 (Санкт-Петербург), METANANO 2020 (Санкт-Петербург), METANANO 2021 (Санкт-Петербург). Анализ спектров рассеяния наноантенны на однослойной подложке, построение модели, описывающей взаимодействие микродиска и наноантенны, сравнения эффективностей вывода мод микродиска плазмонными и диэлектрическими антеннами, определение размеров антенн для наиболее эффективного вывода излучения и измерения диаграмм направленности из микродисковых лазеров при помощи наноантенн проводилось при поддержке гранта РФФИ (МК-18-29-20063). Численное моделирование линейных спектров рассеяния и

генерации второй гармоники гибридных наноантенн, экспериментальное измерение этих спектров и экспериментальное исследование зависимости спектров второй гармоники от направления линейной поляризации проводилось при поддержке гранта РФФИ (20-32-90243 Аспиранты).

Достоверность полученных результатов обеспечивается адекватным подбором методов исследования, апробации результатов теоретического анализа методом численного моделирования и в эксперименте. Результаты не противоречат результатам, полученным другими авторами.

Личный вклад автора.

1. Автор внес ключевой вклад в исследование влияния однослойной подложки на резонансные свойства наноантенн.

2. Модели вывода излучения из микродисковых лазеров разработаны автором.

3. Автором сформулированы требования к изготовлению резонансных наноантенн, их переносу на поверхность микродисков и оптической ха-рактеризации свойств микродисков.

4. Автором проведена разработка геометрии гибридных наноантенн. Автором сформулированы требования к изготовлению гибридных GaP/Au-наноантенн

5. Автором разработаны и реализованы экспериментальные методы исследований для измерения диаграмм направленности и для измерения спектров генерации второй гармоники. Эти эксперименты, а также тем-нопольная спектроскопия проведены автором.

Публикации по теме работы. Основные результаты по теме диссертации изложены в шести печатных работах, входящих в международные реферативные базы данных и системы цитирования Scopus и Web of Science:

1. Pidgayko D. et al. Second harmonic generation in hybrid GaP/Au nanocylinders //Journal of Physics: Conference Series. - IOP Publishing, 2021. - Т. 2015. - №. 1. - С. 012172.

2. Pidgayko D. et al. Radiation outcoupling from microdisk lasers via dielectric resonant nanoantennas //Photonics and Nanostructures-Fundamentals and Applications. - 2022. - С. 101081.

3. Canos Valero, A., Gurvitz, E. A., Benimetskiy, F. A., Pidgayko, D. A., et.al (2021). Theory, observation, and ultrafast response of the hybrid anapole regime in light scattering. Laser and Photonics Reviews, 15(10), 2100114.

4. Pidgayko D., Ladutenko K., Bogdanov A. Polarization driven control over scattering of a silicon nanoparticle on one-layered substrate //AIP Conference Proceedings. - AIP Publishing LLC, 2020. - T. 2300. - №. 1. -C. 020097.

5. Pidgayko D. A. et al. Polarization-controlled selective excitation of Mie resonances in a dielectric nanoparticle on a coated substrate //Physical Review B. - 2020. - T. 102. - №. 24. - C. 245406.

6. Pidgayko D., Ladutenko K., Bogdanov A. Sublayer induced enhancement of electric and magnetic dipole scattering of dielectric nanoparticles //Journal of Physics: Conference Series. - IOP Publishing, 2020. - T. 1461. - №. 1. - C. 012133.

7. Fedorov V. V., Pidgayko D. A. et al. Nanoscale Gallium Phosphide Epilayers on Sapphire for Low-Loss Visible Nanophotonics //ACS Applied Nano Materials. - 2022. - T. 5. - №. 7. - C. 8846-8858.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы из 102 наименований. Количество рисунков в диссертации - 39. Количество страниц в диссертации - 160.

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Пидгайко Дмитрий Анатольевич

Заключение

В результате выполнения работы показано, что плазмонные и диэлектрические наноантенны являются крайне эффективными инструментами управления излучением таких оптических генераторов как микродисковые лазеры и нелинейные наноцилиндры, предназначенные для генерации второй оптической гармоники гармоники.

Ключевыми результатами работы являются:

— При нормальном падении, величина интенсивности рассеяния кремниевой сферической частицы, находящейся на кремниевой подложке с дополнительным диоксид-кремниевым слоем на длинах волн ЭД- и МД-резонансов определяется толщиной дополнительного слоя ^ц. Тощины слоев = 110 нм и ^ц = 210 нм обеспечивают ослабление и усиление полного рассеяния сферы радиусом 85 нм по сравнению со случаем свободного пространства.

— Определены толщина слоя и угол падения, при которых достигаются поляризационо управляемые однодипольные режимы рассеяния. Переключение между электро-дипольным и магнито-дипольным режимами осуществляется изменением поляризации от ТМ к ТЕ.

— Найденные параметры угла падения и поляризации обеспечивают поля-ризационно управляемый контроль над диаграммами направленности излучения. Наблюдаются режимы направленного вверх и обратного рассеяния.

— Механизм контроля над рассеянием наноантенны заключается в управление электромагнитным полем стоячей волны в окрестности частицы при помощи толщины слоя, угла падения и поляризации накачки.

— При помощи численного моделирования установлен тип моды (добротность, поляризация и порядок), на которой экспериментальные микродиски переходят в режим лазерной генерации.

— Разработана дипольная модель вывода излучения из микродисков, согласно которой плазмонные и диэлектрические частицы заменялись электрическим и магнитными диполями, взаимодействующими с полем микродиска на его верхней поверхности. Плазмонные частицы показали наименьшую эффективность вывода излучения.

— Для моды экспериментальных микродисков, обеспечивающих лазерную генерация, модель предсказывает, что частица с электро-дипольным резонансом на длине волны генерации будет давать большую эффективность вывода излучения, чем частица с магнито-дипольным резонансом.

— Разработана численная модель, учитывающая конкурирующие процессы экспоненциального поведения поля моды на внешней стороне диска и резонансную отстройку частицы при уменьшении ее размеров. Модель позволила определить размеры диэлектрических наноантенн, обеспечивающих одинаково большие эффективности вывода. В первом случае радиус частицы составляет 170 нм. Вывод осуществляется за счет комбинации ЭД и МД. Во втором случае радиус частицы равен 270 нм. Вывод осуществляется за счет комбинации ЭД и МК.

— Изготовлены серии резонансных диэлектрических наноантенн, среди которых отобраны сферы оптимальных радиусов. Осуществлен перенос наноантенн на микродисковые лазеры. Положение наноантенн совпадает с максимумом электромагнитного поля на верхней поверхности диска.

— Экспериментально показано, что диэлектрические незначительно сдвигают спектры микродисков, не нарушая их структуры. Перенос наноантенн привел к уменьшению порогов генерации микродисков. В первом случае (г = 170 нм) порог уменьшился на 25%, а во втором (г = 270 нм) на 25%.

— Антенны обеспечивают направленный вывод излучения из микродисков, характер которого зависит от размера частиц. В первом случае максимум вывода излучения достигается в вертикальном направлении. Во втором случае максимумы вывода наблюдаются в направления с азимутальными углами -6 градусов и 43 градуса.

— Разработана геометрия гибридной плазмон-полупроводниковой частицы, предназначенной для генерации второй гармоники. Моделирование показало, что добавление золотого диска не ухудшает резонансных свойств диэлектрической компоненты и обеспечивает появление дополнительных плазмонных резонансов.

— СаР-пленка, из которой изготовлены экспериментальные антенны, имеет поликристаллическую структуру с двойникованием основного

кристалла (111). Характерный размер поликристаллов составляет 100 нм.

— Спектры рассеяния изготовленных антенн хорошо согласуются с численными. Спектры генерации второй гармоники поддерживают два типа резонансов: в первом случае сигнал второй гармоники усиливается за счет плазмонного резонанса на частоте накачки, во втором случае резонансом Ми на частоте генерации.

— При накачке антенны линейно поляризованным светом каждый из резонансов достигает своего максимального значения при разном направлении поляризации, что связано с поликристаллической структурой антенны.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Пидгайко Дмитрий Анатольевич, 2022 год

■ REFERENCES

(1) Koshelev, K.; Kruk, S.; Melik-Gaykazyan, E.; Choi, J.-H.; Bogdanov, A.; Park, H.-G.; Kivshar, Y. Subwavelength Dielectric Resonators for Nonlinear Nanophotonics. Science 2020, 367, 288292.

(2) Cambiasso, J.; Grinblat, G.; Li, Y.; Rakovich, A.; Cortés, E.; Maier, S. A. Bridging the Gap between Dielectric Nanophotonics and the Visible Regime with Effectively Lossless Gallium Phosphide Antennas. Nano Lett. 2017, 17, 1219-1225.

(3) Roelkens, G .; Liu, L.; Liang, D.; Jones, R.; Fang, A.; Koch, B.; Bowers, J. III-V/Silicon Photonics for on-Chip and Intra-Chip Optical Interconnects. Laser Photonics Rev. 2010, 4, 751-779.

(4) Martin, A.; Combrié, S.; de Rossi, A.; Beaudoin, G.; Sagnes, I.; Raineri, F. Nonlinear Gallium Phosphide Nanoscale Photonics. Photonics Res. 2018, 6, B43.

(5) Lucci, I.; Charbonnier, S.; Pedesseau, L.; Vallet, M.; Cerutti, L. Rodriguez, J.-B.; Tournié, E.; Bernard, R.; Létoublon, A.; Bertru, N. Le Corre, A.; Rennesson, S.; Semond, F.; Patriarche, G.; Largeau, L. Turban, P.; Ponchet, A.; Cornet, C. Universal Description of III-V/Si Epitaxial Growth Processes. Phys. Rev. Mater. 2018, 2, 060401.

(6) Ayers, J. E. Compliant Substrates for Heteroepitaxial Semiconductor Devices: Theory, Experiment, and Current Directions. J. Electron. Mater. 2008, 37, 1511-1523.

(7) Yonezu, H.; Furukawa, Y.; Wakahara, A. III-V Epitaxy on Si for Photonics Applications. J. Cryst Growth 2008, 310, 4757-4762.

(8) Demeester, P.; Pollentier, I.; Dobbelaere, P. D.; Brys, C.; Daele, P. V. Epitaxial Lift-off and Its Applications. Semicond. Sci. Technol. 1993, 8, 1124-1135.

(9) Emmer, H.; Chen, C. T.; Saive, R; Friedrich, D.; Horie, Y.; Arbabi, A.; Faraon, A.; Atwater, H. A. Fabrication of Single Crystal Gallium Phosphide Thin Films on Glass. Sci. Rep. 2017, 7, 4643.

(10) Anthur, A. P.; Zhang, H.; Paniagua-Dominguez, R.; Kalashnikov, D. A.; Ha, S. T.; Maß, T. W. W.; Kuznetsov, A. I.; Krivitsky, L. Continuous Wave Second Harmonic Generation Enabled by Quasi-Bound-States in the Continuum on Gallium Phosphide Metasurfaces. Nano Lett. 2020, 20, 8745-8751.

(11) Schneider, K.; Welter, P.; Baumgartner, Y.; Hahn, H.; Czornomaz, L.; Seidler, P. Gallium Phosphide-on-Silicon Dioxide Photonic Devices. J. Lightwave Technol 2018, 36, 2994-3002.

(12) Wilson, D. J.; Schneider, K.; Hönl, S.; Anderson, M.; Baumgartner, Y.; Czornomaz, L.; Kippenberg, T. J.; Seidler, P. Integrated Gallium Phosphide Nonlinear Photonics. Nat. Photonics

2020, 14, 57-62.

(13) Tassev, V.; Snure, M.; Peterson, R.; Schepler, K. L.; Bedford, R.; Mann, M.; Vangala, S.; Goodhue, W.; Lin, A.; Harris, J.; Fejer, M.; Schunemann, P. Progress in Orientation-Patterned GaP for next-Generation Nonlinear Optical Devices. In Nonlinear Frequency Generation and Conversion: Materials, Devices, and Applications XII; Vodopyanov, K. L., Ed.; 2013; Vol. 8604, p 86040V.

(14) Parsons, D. F.; Coleman, P. D. Far Infrared Optical Constants of Gallium Phosphide. Appl Opt. 1971, 10, 1683_1.

(15) Grinblat, G.; Nielsen, M. P.; Dichtl, P.; Li, Y.; Oulton, R F.; Maier, S. A. Ultrafast Sub-30-Fs All-Optical Switching Based on Gallium Phosphide. Sci. Adv. 2019, 5, No. eaaw3262.

(16) Remesh, V.; Grinblat, G.; Li, Y.; Maier, S. A.; Van Hulst, N. F. Coherent Multiphoton Control of Gallium Phosphide Nanodisk Resonances. ACS Photonics 2019, 6, 2487-2491.

(17) Sanatinia, R.; Anand, S.; Swillo, M. Modal Engineering of Second-Harmonic Generation in Single GaP Nanopillars. Nano Lett. 2014, 14, 5376-5381.

(18) Sanatinia, R.; Swillo, M.; Anand, S. Surface Second-Harmonic Generation from Vertical GaP Nanopillars. Nano Lett. 2012, 12, 820826.

(19) Sanatinia, R.; Anand, S.; Swillo, M. Experimental Quantification of Surface Optical Nonlinearity in GaP Nanopillar Waveguides. Opt. Express 2015, 23, 756.

(20) Lake, D. P.; Mitchell, M.; Jayakumar, H.; dos Santos, L. F.; Curic, D.; Barclay, P. E. Efficient Telecom to Visible Wavelength Conversion in Doubly Resonant Gallium Phosphide Microdisks. Appl. Phys. Lett. 2016, 108, 031109.

(21) Fedorov, V. V.; Bolshakov, A.; Sergaeva, O.; Neplokh, V.; Markina, D.; Bruyere, S.; Saerens, G.; Petrov, M. I.; Grange, R.; Timofeeva, M.; Makarov, S. V.; Mukhin, I. S. Gallium Phosphide Nanowires in a Free-Standing, Flexible, and Semitransparent Membrane for Large-Scale Infrared-to-Visible Light Conversion. ACS Nano 2020, 14, 10624-10632.

(22) Rivoire, K.; Buckley, S.; Hatami, F.; Vuckovic, J. Second Harmonic Generation in GaP Photonic Crystal Waveguides. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 263113.

(23) Schneider, K.; Baumgartner, Y.; Hönl, S.; Welter, P.; Hahn, H.; Wilson, D. J.; Czornomaz, L.; Seidler, P. Optomechanics with One-Dimensional Gallium Phosphide Photonic Crystal Cavities. Optica 2019, 6, 577.

(24) Anthur, A. P.; Zhang, H.; Akimov, Y.; Rong Ong, J.; Kalashnikov, D.; Kuznetsov, A. I.; Krivitsky, L. Second Harmonic Generation in Gallium Phosphide Nano-Waveguides. Opt. Express

2021, 29, 10307.

(25) Khmelevskaia, D.; Markina, D. I.; Fedorov, V. V.; Ermolaev, G. A.; Arsenin, A. V.; Volkov, V. S.; Goltaev, A. S.; Zadiranov, Y. M.; Tzibizov, I. A.; Pushkarev, A. P.; Samusev, A. K.; Shcherbakov, A. A.; Belov, P. A.; Mukhin, I. S.; Makarov, S. V. Directly Grown Crystalline Gallium Phosphide on Sapphire for Nonlinear All-Dielectric Nano-photonics. Appl. Phys. Lett. 2021, 118, 201101.

(26) Grinblat, G.; Zhang, H.; Nielsen, M. P.; Krivitsky, L.; Berté, R.; Li, Y.; Tilmann, B.; Cortés, E.; Oulton, R F.; Kuznetsov, A. I.; Maier, S. A. Efficient Ultrafast All-Optical Modulation in a Nonlinear

Article

ACS Applied Nano Materials

www.acsanm.org

Crystalline Gallium Phosphide Nanodisk at the Anapole Excitation. Sci. Adv. 2020, 6, No. eabb3123.

(27) Thomas, N.; Barbour, R J.; Song, Y.; Lee, M. L.; Fu, K.-M. C. Waveguide-Integrated Single-Crystalline GaP Resonators on Diamond. Opt. Express 2014, 22, 13555.

(28) Tilmann, B.; Grinblat, G .; Berté, R.; Ozcan, M.; Kunzelmann, V. F.; Nickel, B.; Sharp, I. D.; Cortés, E.; Maier, S. A.; Li, Y. Nanostructured Amorphous Gallium Phosphide on Silica for Nonlinear and Ultrafast Nanophotonics. Nanoscale Horiz. 2020, 5, 1500.

(29) Starosta, K.; Zelinka, J.; Berkova, D.; Kohout, J. R.f. sputtering of gallium phosphide thin films. Thin Solid Films 1979, 61, 241-248.

(30) Wang, B.-P.; Zhang, Z.-C.; Zhang, N. Fabrication and Optical Properties of Gallium Phosphide Nanoparticulate Thin Film. Solid State Sci. 2010, 12, 1188-1191.

(31) Melli, M.; West, M.; Hickman, S.; Dhuey, S.; Lin, D.; Khorasaninejad, M.; Chang, C.; Jolly, S.; Tae, H.; Poliakov, E.; St Hilaire, P.; Cabrini, S.; Peroz, C.; Klug, M. Gallium Phosphide Optical Metasurfaces for Visible Light Applications. Sci. Rep. 2020, 10, 20694.

(32) Gao, J.; Zhan, Q.; Sarangan, A. M. High-Index Low-Loss Gallium Phosphide Thin Films Fabricated by Radio Frequency Magnetron Sputtering. Thin Solid Films 2011, 519, 5424-5428.

(33) Guillemé, P.; Dumeige, Y.; Stodolna, J.; Vallet, M.; Rohel, T.; Létoublon, A.; Cornet, C.; Ponchet, A.; Durand, O.; Léger, Y. Second harmonic generation in gallium phosphide microdisks on silicon: from strict $\bar{4}$ to random quasi-phase matching. Semicond. Sci. Technol 2017, 32, 065004.

(34) Tassev, V.; Snure, M.; Peterson, R.; Bedford, R.; Bliss, D.; Bryant, G.; Mann, M.; Goodhue, W.; Vangala, S.; Termkoa, K.; Lin, A.; Harris, J. S.; Fejer, M. M.; Yapp, C.; Tetlak, S. Epitaxial Growth of Quasi-Phase Matched GaP for Nonlinear Applications: Systematic Process Improvements. J. Cryst. Growth 2012, 352, 72-77.

(35) Wang, C. C.; McFarlane, S. H. Epitaxial Growth and Characterization of GaP on Insulating Substrates. J. Cryst. Growth 1972, 13-14, 262-267.

(36) Manasevit, H. M. Single-Crystal Gallium Arsenide on Insulating Substrates. Appl Phys. Lett. 1968, 12, 156-159.

(37) Manasevit, H. M.; Simpson, W. I. The Use of Metal-Organics in the Preparation of Semiconductor Materials. J. Electrochem. Soc. 1969, 116, 1725.

(38) Cho, A. Y. Epitaxial Growth of Gallium Phosphide on Cleaved and Polished (111) Calcium Fluoride. J. Appl. Phys. 1970, 41, 782786.

(39) Akhmetov, V. D.; Bzinkovskaya, I. S.; Bolotov, V. V.; Lovyagin, R. N. Depth Distribution of Growth Defects in GaP Films on Sapphire Synthesized in Vacuum. Phys. Status Solidi 1981, 65, K9-K12.

(40) O'Mahony, D.; Hossain, M. N.; Justice, J.; Pelucchi, E.; O'Riordan, A.; Roycroft, B.; Corbett, B. High Index Contrast Optical Platform Using Gallium Phosphide on Sapphire: An Alternative to SOI? In Proc. SPIE 8431, Silicon Photonics and Photonic Integrated Circuits III; 2012; Vol. 8431, p 84311H.

(41) Saha, S. K.; Kumar, R.; Kuchuk, A.; Alavijeh, M. Z.; Maidaniuk, Y.; Mazur, Y. I.; Yu, S.-Q.; Salamo, G. J. Crystalline GaAs Thin Film Growth on a C-Plane Sapphire Substrate. Cryst. Growth Des. 2019, 19, 5088-5096.

(42) Kumar, R.; Saha, S. K.; Kuchuk, A.; Maidaniuk, Y.; de Oliveira, F. M.; Yan, Q.; Benamara, M.; Mazur, Y. I.; Yu, S.-Q.; Salamo, G. J. GaAs Layer on C-Plane Sapphire for Light Emitting Sources. Appl. Surf. Sci. 2021, 542, 148554.

(43) Zheleva, T.; Jagannadham, K.; Narayan, J. Epitaxial Growth in Large-lattice-mismatch Systems. J. Appl. Phys. 1994, 75, 860-871.

(44) Narayan, J.; Larson, B. C. Domain Epitaxy: A Unified Paradigm for Thin Film Growth. J. Appl. Phys. 2003, 93, 278-285.

(45) Narayan, J. Recent Progress in Thin Film Epitaxy across the Misfit Scale. Acta Mater. 2013, 61, 2703-2724.

(46) Singamaneni, S. R.; Prater, J. T.; Narayan, J. Multifunctional Epitaxial Systems on Silicon Substrates. Appl. Phys. Rev. 2016, 3, 031301.

(47) Volz, K.; Beyer, A.; Witte, W.; Ohlmann, J.; Németh, I.; Kunert, B.; Stolz, W. GaP-Nucleation on Exact Si (001) Substrates for III/V Device Integration. J. Cryst. Growth 2011, 315, 37-47.

(48) Jo, J.; Tchoe, Y.; Yi, G.-C.; Kim, M. Real-Time Characterization Using in Situ RHEED Transmission Mode and TEM for Investigation of the Growth Behaviour of Nanomaterials. Sci. Rep. 2018, 8, 1694.

(49) Suturin, S. M.; Fedorov, V. V.; Korovin, A. M.; Valkovskiy, G. A.; Konnikov, S. G.; Tabuchi, M.; Sokolov, N. S. A Look Inside Epitaxial Cobalt-on-Fluorite Nanoparticles with Three-Dimensional Reciprocal Space Mapping Using GIXD, RHEED and GISAXS. J. Appl. Crystallogr. 2013, 46, 874-881.

(50) Noge, H.; Kano, H.; Hashimoto, M.; Igarashi, I. Antiphase Domains in GaAs Grown on a (001)-oriented Si Substrate by Molecular-beam Epitaxy. J. Appl. Phys. 1988, 64, 2246-2248.

(51) Lin, A. C.; Bassiri, R.; Omar, S.; Markosyan, A. S.; Lantz, B.; Route, R.; Byer, R L.; Harris, J. S.; Fejer, M. M. Epitaxial Growth of GaP/AlGaP Mirrors on Si for Low Thermal Noise Optical Coatings. Opt. Mater. Express 2015, 5, 1890.

(52) Narayanan, V.; Mahajan, S.; Bachmann, K. J.; Woods, V.; Dietz, N. Stacking Faults and Twins in Gallium Phosphide Layers Grown on Silicon. Philos. Mag. A 2002, 82, 685-698.

(53) Gautier, M.; Fenaud, G.; Pham Van, L.; Villette, B.; Pollak, M.; Thromat, N.; Jollet, F.; Duraud, J.-P. Alpha- Al2O3 (0001) Surfaces: Atomic and Electronic Structure. J. Am. Ceram. Soc. 1994, 77, 323334.

(54) Cui, J.; Sun, A.; Reshichkov, M.; Yun, F.; Baski, A.; Morkoc, H. Preparation of Sapphire for High Quality III-Nitride Growth. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2000, 5, No. e7.

(55) Guo, J.; Ellis, D. E.; Lam, D. J. Electronic Structure and Energetics of Sapphire (0001) and (1-102) Surfaces. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1992, 45, 13647-13656.

(56) Kung, P.; Sun, C. J.; Saxler, A.; Ohsato, H.; Razeghi, M. Crystallography of Epitaxial Growth of Wurtzite-type Thin Films on Sapphire Substrates. J. Appl. Phys. 1994, 75, 4515-4519.

(57) Chokawa, K.; Kojima, E.; Araidai, M.; Shiraishi, K. Investigation of the GaN/Al2O3 Interface by First Principles Calculations. Phys. Status Solidi 2018, 255, 1700323.

(58) Paszuk, A.; Bruckner, S.; Steidl, M.; Zhao, W.; Dobrich, A.; Supplie, O.; Kleinschmidt, P.; Prost, W.; Hannappel, T. Controlling the Polarity of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaP on Si(111) for Subsequent III-V Nanowire Growth. Appl. Phys. Lett. 2015, 106, 231601.

(59) Johansson, J.; Karlsson, L. S.; Patrik, T.; Svensson, C.; Martensson, T.; Wacaser, B. A.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Seifert, W. Structural Properties of <111>B-Oriented III-V Nanowires. Nat. Mater. 2006, 5, 574-580.

(60) Yuan, X.; Caroff, P.; Wong-Leung, J.; Fu, L.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Tunable Polarity in a III-V Nanowire by Droplet Wetting and Surface Energy Engineering. Adv. Mater. 2015, 27, 6096-6103.

(61) Zamani, M.; Tutüncuoglu, G.; Martí-Sánchez, S.; Francaviglia, L.; Guniat, L.; Ghisalberti, L.; Potts, H.; Friedl, M.; Markov, E.; Kim, W.; Leran, J.-B.; Dubrovskii, V. G.; Arbiol, J.; Fontcuberta i Morral, A. Optimizing the Yield of A-Polar GaAs Nanowires to Achieve Defect-Free Zinc Blende Structure and Enhanced Optical Functionality. Nanoscale 2018, 10, 17080-17091.

(62) Pelati, D.; Patriarche, G.; Mauguin, O.; Largeau, L.; Travers, L.; Brisset, F.; Glas, F.; Oehler, F. GaAs (111) Epilayers Grown by MBE on Ge (111): Twin Reduction and Polarity. J. Cryst. Growth 2019, 519, 84-90.

(63) Xu, G.; Hu, W. Y.; Puga, M. W.; Tong, S. Y.; Yeh, J. L.; Wang, S. R.; Lee, B. W. Atomic Geometry of the 2X2 GaP(111) Surface. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1985, 32, 8473-8476.

(64) Little, B. E.; Chu, S. T. Estimating Surface-Roughness Loss and Output Coupling in Microdisk Resonators. Opt. Lett. 1996, 21, 1390.

(65) Krishnan, R. S.; Krishnamurthy, N. The Raman Spectrum of Gallium Phosphide. J. Phys. 1965, 26, 630-633.

(66) Kumari, S.; Khare, A. Optical and Structural Characterization of Pulsed Laser Deposited Ruby Thin Films for Temperature Sensing Application. Appl. Surf. Sci. 2013, 265, 180-186.

Article

ACS Applied Nano Materials

www.acsanm.org

(67) Feng, Z. C.; Schurman, M.; Stall, R. A.; Pavlosky, M.; Whitley, A. Raman Scattering as a Characterization Tool for Epitaxial GaN Thin Films Grown on Sapphire by Turbo Disk Metal-0rganic Chemical Vapor Deposition. Appl. Opt. 1997, 36, 2917.

(68) Debernardi, A. Anharmonic Effects in the Phonons of III—V Semiconductors: First Principles Calculations. Solid State Commun. 1999, 113, 1 — 10.

(69) Debernardi, A. Isotopic Effect in the Pressure Dependence of Phonon Lifetime of GaP. Phys. B 2002, 316—317, 35—40.

(70) Rohmfeld, S.; Hundhausen, M.; Ley, L. Raman Scattering in Polycrystalline 3C—SiC : Influence of Stacking Faults. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1998, 58, 9858—9862.

(71) Gouadec, G.; Colomban, P. Raman Spectroscopy ofNanoma-terials: How Spectra Relate to Disorder, Particle Size and Mechanical Properties. Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2007, 53, 1—56.

(72) Lee, K. E.; Lowe-Ma, C. K.; Higa, K. T. Pyrolysis Studies of Single-Source Precursors to Gallium Phosphide. MRS Proc. 1992, 282, 87.

(73) Maury, F.; Combes, M.; Constant, G.; Carles, R; Renucci, J. B. Raman Spectroscopy Characterization of Polycrystalline GaP Thin Films Grown by M0-CVD Process Using [Et2Ga-PEt2]3 as 0nly Source. J. Phys., Colloq. 1982, 43, C1-347—C1-352.

(74) Saint-Cricq, N.; Carles, R; Renucci, J. B.; Zwick, A.; Renucci, M. A. Disorder Activated Raman Scattering in Ga1—xAlxAs Alloys. Solid State Commun. 1981, 39, 1137—1141.

(75) Jellison, G. E. 0ptical Functions of GaAs, GaP, and Ge Determined by Two-Channel Polarization Modulation Ellipsometry. Opt. Mater. 1992, 1, 151 — 160.

(76) Totero Gongora, J. S.; Miroshnichenko, A. E.; Kivshar, Y. S.; Fratalocchi, A. Energy Equipartition and Unidirectional Emission in a Spaser Nanolaser. Laser Photonics Rev. 2016, 10, 432—440.

(77) Getman, F.; Fratalocchi, A.; Makarenko, M.; Burguete-Lopez, A. Robust and Scalable Flat-0ptics on Flexible Substrates through Evolutionary Neural Networks. In Photonic and Phononic Properties of Engineered Nanostructures XII; Adibi, A., Lin, S.-Y., Scherer, A., Eds.; SPIE, 2022; p 42.

(78) Getman, F.; Makarenko, M.; Burguete-Lopez, A.; Fratalocchi,

A. Broadband Vectorial Ultrathin 0ptics with Experimental Efficiency up to 99% in the Visible Region via Universal Approximators. Light: Sci. Appl. 2021, 10, 47.

(79) Permyakov, D.; Sinev, I.; Markovich, D.; Ginzburg, P.; Samusev, A.; Belov, P.; Valuckas, V.; Kuznetsov, A. I.; Luk'yanchuk,

B. S.; Miroshnichenko, A. E.; Neshev, D. N.; Kivshar, Y. S. Probing Magnetic and Electric 0ptical Responses of Silicon Nanoparticles. Appl. Phys. Lett. 2015, 106, 171110.

(80) McPeak, K. M.; Jayanti, S. V.; Kress, S. J. P.; Meyer, S.; Iotti, S.; Rossinelli, A.; Norris, D. J. Plasmonic Films Can Easily Be Better: Rules and Recipes. ACS Photonics 2015, 2, 326—333.

(81) Green, M. A. Self-Consistent 0ptical Parameters of Intrinsic Silicon at 300K Including Temperature Coefficients. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2008, 92, 1305—1310.

(82) Takagi, Y. ; Yonezu, H.; Samonji, K.; Tsuji, T.; 0hshima, N. Generation and Suppression Process of Crystalline Defects in GaP Layers Grown on Misoriented Si(100) Substrates. J. Cryst. Growth 1998, 187, 42—50.

(83) Burnham, S. D.; Alan Doolittle, W. In Situ Growth Regime Characterization of AlN Using Reflection High Energy Electron Diffraction. J. Vac. Sci. Technol, B: Microelectron. Nanometer Struct. 2006, 24, 2100.

(84) Burnham, S. D.; Namkoong, G.; Lee, K.-K.; Doolittle, W. A. Reproducible Reflection High Energy Electron Diffraction Signatures for Improvement of AlN Using in Situ Growth Regime Characterization. J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct. 2007, 25, 1009.

(85) Koval, 0. Y.; Fedorov, V. V.; Kryzhanovskaya, N. V.; Sapunov, G. A.; Kirilenko, D. A.; Pirogov, E. V.; Filosofov, N. G.; Serov, A. Y.; Shtrom, I. V.; Bolshakov, A. D.; Mukhin, I. S. Structural and 0ptical Characterization of Dilute Phosphide Planar Heterostructures with

High Nitrogen Content on Silicon. CrystEngComm 2019, 22, 283292.

(86) Bolshakov, A. D.; Fedorov, V. V.; Koval, O. Y.; Sapunov, G. A.; Sobolev, M. S.; Pirogov, E. V.; Kirilenko, D. A.; Mozharov, A. M.; Mukhin, I. S. Effective Suppression of Antiphase Domains in GaP(N)/GaP Heterostructures on Si(00l). Cryst. Growth Des. 2019, 19, 4510-4520.

(87) Assali, S.; Zardo, I.; Plissard, S.; Kriegner, D.; Verheijen, M. A.; Bauer, G.; Meijerink, A.; Belabbes, A.; Bechstedt, F.; Haverkort, J. E. M.; Bakkers, E. P. A. M. Direct Band Gap Wurtzite Gallium Phosphide Nanowires. Nano Lett. 2013, 13, 1559-1563.

(88) da Silva, B. C.; Couto, O. D. D.; Obata, H. T.; de Lima, M. M.; Bonani, F. D.; de Oliveira, C. E.; Sipahi, G. M.; Iikawa, F.; Cotta, M. A. Optical Absorption Exhibits Pseudo-Direct Band Gap of Wurtzite Gallium Phosphide. Sci. Rep. 2020, 10, 7904.

(89) Suturin, S. M.; Korovin, A. M.; Fedorov, V. V.; Valkovsky, G. A.; Tabuchi, M.; Sokolov, N. S. An Advanced Three-Dimensional RHEED Mapping Approach to the Diffraction Study of Co/MnF2/ CaF2/Si(00l) Epitaxial Heterostructures. J. Appl. Crystallogr. 2016, 49, 2532-1543.

(90) Suturin, S. M.; Fedorov, V. V.; Korovin, A. M.; Sokolov, N. S.; Nashchekin, A. V.; Tabuchi, M. Epitaxial Ni Nanoparticles on CaF2(001), (110) and (111) Surfaces Studied by Three-Dimensional RHEED, GIXD and GISAXS Reciprocal-Space Mapping Techniques. J. Appl. Crystallogr. 2017, 50, 830-839.

(91) Sinev, I.; Komissarenko, F.; Iorsh, I.; Permyakov, D.; Samusev, A.; Bogdanov, A. Steering of Guided Light with Dielectric Nanoantennas. ACS Photonics 2020, 7, 680-686.