Автоматизация проектирования микроволновых переключателей на базе арсенид-галлиевого полевого транзистора с затвором Шоттки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат технических наук Севостьянов, Виктор Андреевич

• Севостьянов, Виктор Андреевич
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Севостьянов, Виктор Андреевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ПОДХОДОВ К АВТОМАТИЗИРОВАННОМУ ПРОЕКТИРОВАНИЮ МИКРО-Щ ВОЛНОВЫХ УПРАВЛЯЮЩИХ УСТРОЙСТВ.

1.1. ПУТИ РАЗВИТИЯ ИТЕРАЦИОННЫХ МЕТОДОВ МОДЕЛИРОВАНИЯ МИКРОВОЛНОВЫХ УСТРОЙСТВ.

1.2. СОВРЕМЕННЫЕ АСПЕКТЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ МИКРОВОЛНОВЫХ УПРАВЛЯЮЩИХ УСТРОЙСТВ.

1.3. ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЕ И КВАЗИСТАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ. 1.4. МЕТОДЫ АНАЛИЗА И СТАТИСТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ МИКРОВОЛНОВЫХ УСТРОЙСТВ В САПР.

ГЛАВА 2. КОНЕЧНО-РАЗНОСТНАЯ АППРОКСИМАЦИЯ МОДЕЛЕЙ ВОЛНОВЕДУЩИХ И УПРАВЛЯЮЩИХ СТРУКТУР В ПРОСТРАНСТВЕННО-ВРЕМЕННОЙ ОБЛАСТИ.

2.1. ПОСТАНОВКА ВНУТРЕННЕЙ ЗАДАЧИ ЭЛЕКТРОДИНАМИКИ ДЛЯ МИКРОВОЛНОВЫХ ВОЛНОВЕДУЩИХ СТРУКТУР.

2.2. КОНЕЧНО - РАЗНОСТНАЯ АППРОКСИМАЦИЯ УРАВНЕНИЙ ^ ГЕЛЬМГОЛЬЦА ДЛЯ МИКРОВОЛНОВЫХ ВОЛНОВЕДУЩИХ

СТРУКТУР.

2.3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВОЛНОВЕДУЩИХ СТРУКТУР В КВАЗИСТАТИЧЕСКОМ КОНЕЧНО -РАЗНОСТНОМ ПРИБЛИЖЕНИИ.

2.4. ДВУХМЕРНОЕ ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ В КВАЗИСТАТИЧЕСКОМ КОНЕЧНО - РАЗНОСТНОМ ПРИБЛИЖЕНИИ.

ГЛАВА 3. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЛНОВЕДУЩИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР.

3.1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ЛИНИЙ ПЕРЕДАЧИ.

3.2. МЕТОДЫ АНАЛИЗА ПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЙ. ip 3.3. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ МИКРОВОЛНОВЫХ ЛИНИЙ.

3.4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БАРЬЕРОМ

ШОТТКИ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ.

3.4.1. МОДЕЛЬ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТТ

4 КИ.

3.4.2. ФАКТОР КАЧЕСТВА.

3.4.3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ.

ГЛАВА 4. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОВОЛНОВЫХ УПРАВЛЯЮЩИХ УСТ-£ РОЙСТВ В САПР.

4.1. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛНОВЕДУЩИХ СТРУКТУР.

4.2. МОДЕЛИРОВАНИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОПОЛОСКОВЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ САПР ПОИСК-Д.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Автоматизация проектирования микроволновых переключателей на базе арсенид-галлиевого полевого транзистора с затвором Шоттки»

Актуальность темы. Высокие темпы развития современных технологий, неизбежно связанные с интенсивным освоением микроволновой частотной области, диктуют необходимость совершенствования математического программного обеспечения - наиболее наукоемкой части пакетов автоматизированного проектирования радиоэлектронных систем и их элементной базы. Выходные характеристики радиоэлектронных систем (РЭС) во многом зависят от качества функционирования управляющих устройств, которые занимают существенный объем в микроволновой аппаратуре и обеспечивают выполнение одной из наиболее сложных и важных задач — пространственно-временного перераспределения потоков сигналов. В дальнейшем под управляющими устройствами будем понимать выключатели, переключатели, коммутаторы, аттенюаторы, модуляторы, фазовращатели и ограничители.

В последнее время созданы эффективные системы имитационного моделирования. Опубликовано значительное количество работ, посвященных этому вопросу. Проблемам создания систем автоматизированного проектирования (САПР) посвящены работы как отечественных ученых - Ю.Х. Вермишева, В.А. Горбатова, В.П. Корячко, И.П. Норенкова, Г.Г. Рябова, A.JI. Стемпковского, В.Н. Гридина, так и зарубежных - B.W. Boehm, Chris Gane, Trish Saerson, Edward Yourdon, Tom DeMarco и др. Тем не менее, специфика микроволнового диапазона и, в частности, управляющих устройств, а также непрерывное совершенствование математического и программного обеспечения САПР сверхвысоких частот (СВЧ) требуют развития подходов к автоматизированному функциональному проектированию на основе использования современных объектно-ориентированных сред программирования, динамических библиотек, архивов и баз знаний.

Один из наиболее фундаментальных исследовательских методов связан с представлением физических структур и явлений с помощью эквивалентных схем (моделей). В высокочастотных уточненных схемах нельзя даже частично пренебрегать характеристиками отдельных элементов. К используемым на практике моделям обычно предъявляется требование максимальной простоты при условии, что ошибки моделирования находятся в определенных пределах, поскольку сложность устройств, которые могут быть проанализированы, относительно невелика. Эквивалентная схема какого-либо элемента не является единственной. Этот элемент обычно может быть описан несколькими различными эквивалентными схемами, и предпочтение одной схемы перед другой связано с компромиссом между простотой модели и точностью описания выходных характеристик.

Конструктивно-топологическая реализация рассматриваемого класса микроволновых устройств во многом определяется обоснованностью выбора типа волноведущих структур. При этом теория волноведущих структур непрерывно развивается, что диктуется потребностями конструктивно-технологической реализации, конфигурационным усложнением поперечного сечения и необходимостью учета мод высшего типа с переходом на более высокие частоты. Однако создание эффективных математических моделей и алгоритмов для многослойных, многопроводных полосковых структур, а также волноведущих структур со сложными граничными условиями требует развития с учетом их реализации с приемлемыми временными затратами в САПР СВЧ. Фундаментальный вклад в это направление внесли работы A.JI. Фельдштейна, В.И. Вольмана, В.В. Никольского, К.С. Gupta, Vincent F. Fusko, E. Yamashita и ряда других ученых.

Тем не менее, поступательное развитие формотворчества в области создания новых схемно-топологических решений, направленное на освоение все более высокочастотной части спектра и улучшение основных показателей качества, во многом зависит от совершенствования математических моделей, методов, методик и алгоритмов для современных систем автоматизированного проектирования. Так, одно из перспективных направлений, получивших развитие в последнее десятилетие и реализующее основополагающие потребности микроэлектроники - снижение массогаба-ритных показателей и улучшение выходных характеристик, связано с объемными интегральными схемами (ОИС) СВЧ. Очевидно, что развитие указанного направления микроволновой микроэлектроники немыслимо без совершенствования математической базы - методов анализа и синтеза, что диктуется все более усложняющимися электромагнитными процессами в ОИС СВЧ, а также в управляющих устройствах, реализованных на принципах ОИС. I

Для управляющих устройств с повышенным быстродействием в настоящее время основными базовыми элементами становятся арсенид-галлиевые (GaAs) полупроводниковые элементы. В работах В.Д. Разевига, К.А. Валиева, Jams V.DiLorenzo, S.M. Sze, Michael Shur рассматриваются модели и методы исследования GaAs полупроводниковых структур. Основным преимуществом приборов на арсениде галлия являются более высокая скорость электронов, обеспечивающая большое быстродействие, и хорошие изолирующие свойства подложек, позволяющие уменьшить паразитные емкости и упростить процесс изготовления.

Недостатком существующих моделей, используемых в программных аналогах, является слабая связь между конструктивными параметрами транзистора и его выходными характеристиками. В ряде программных продуктов (Microwave Office, Aplac, PSpice), позволяющих проводить расчет микроволновых устройств с использованием полевого транзистора с затвором Шоттки (ПТШ) в качестве одного из базовых элементов (БЭ), исходными параметрами для расчета ПТШ являются элементы эквивалентной схемы, которые без экспериментальных исследований получить трудно, а зачастую и просто невозможно. Это затрудняет процесс конст-рукторско-технологического проектирования для изготовления микроволнового устройства в едином технологическом цикле. В работе предложен математический аппарат для компьютерного моделирования микроволновых устройств, исходными данными для расчета которых являются конструктивные параметры базовых элементов и параметры, описывающие свойства используемых проводников, диэлектриков и полупроводников. Этот подход позволяет выполнять анализ и оптимизацию исследуемых устройств, получать результаты, максимально приближенные к экспериментальным, значительно сокращая расходы на экспериментальные исследования при проектировании.

Таким образом, решаются важные и актуальные задачи по разработке математического и программного обеспечения для автоматизированного функционального проектирования микроволновых управляющих устройств, а также более сложных систем на их основе.

Цель и задачи работы. Целью диссертационной работы является разработка эффективного математического и программного обеспечения для автоматизированного проектирования микроволновых управляющих устройств на основе волноведущих структур и полевого транзистора с затвором Шоттки.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

1. Разработать модификации математических моделей полевого транзистора с затвором Шоттки и волноведущих структур в микроволновом диапазоне.

2. Разработать математическое и программное обеспечение для функционального проектирования микроволновых устройств в системе ПОИСК-Д.

3. Провести теоретические исследования волноведущих структур, микроволновых управляющих устройств и создать архив схемно-конструктивных решений.

4. Осуществить комплексное тестирование и сравнительный анализ результатов работы в процессе проектирования микроволновых управляющих устройств.

Весь этот комплекс актуальных задач характеризуется как теоретическое обобщение и решение научно-технической проблемы, направленной на повышение эффективности математического, программного и информационного обеспечения автоматизированного проектирования микроволновых управляющих устройств.

Методы исследования. При исследовании проблем, сформулированных в диссертационной работе, и решении поставленных задач автоматизированного проектирования СВЧ-переключателей использовались методы теории анализа и синтеза СВЧ-цепей, теории многополюсников и четырехполюсников. В работе применялись: метод конечных разностей (МКР) и вариационный метод с использованием функции Грина, уравнения Максвелла, Гельмгольца, Даламбера, Пуассона, Лапласа. Теоретические исследования сочетались с компьютерным проектированием и экспериментальными исследованиями макетных образцов.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем: •предложена оригинальная математическая модель полевого транзистора с затвором Шоттки на арсениде галлия, определенная через конструктивные параметры и предназначенная для САПР СВЧ-переключателей;

•впервые получены аналитические выражения для фактора качества, который определен через конструктивные параметры GaAs полевого транзистора с затвором Шоттки, что позволяет провести оптимизацию указанных параметров при автоматизированном проектировании микроволновых переключателей с учетом двух режимов функционирования;

•установлены интервалы применения зависимости подвижности носителей заряда от температуры в арсениде галлия в диапазоне от 50 до 750 К;

•предложена оригинальная модификация конечно-разностной аппроксимации уравнений Гельмгольца с использованием упрощенного квазистатического приближения для обобщенной волноведущей структуры со сложными граничными условиями; •предложены уточненные модификации математических моделей волноведущих структур, которые объединены в библиотеку базовых элементов для системы автоматизированного проектирования микроволновых устройств.

Практическая значимость и внедрение результатов работы. Практическая ценность работы заключается в том, что предложенные подходы, методики, модификации моделей, алгоритмы и программы позволяют существенно снизить экономические и временные затраты на проектирование управляющих устройств за счет уменьшения количества опытных образцов проектируемого изделия в результате замены их машинным моделированием в эффективной современной системе автоматизированного проектирования.

Основные результаты диссертационной работы были использованы в разработках ЗАО «Высокие технологии» и ООО МПФ «КВАДР», что подтверждено соответствующими актами внедрения.

Материалы диссертационной работы, а также система проектирования микроволновых устройств ПОИСК-Д и пакет прикладных программ расчета микроволновых волноведущих структур ПОИСК-П.1 использованы в учебном процессе РГРТА (в лекционном курсе и дипломном проектировании), что подтверждено актом внедрения.

Разработанные в диссертации подходы и модификации математических моделей, направленные на повышение качества проектирования управляющих микроволновых устройств, реализованы в системе функционального проектирования ПОИСК-Д, программе расчета параметров полевого транзистора с затвором Шоттки ПОИСК-ПТШ и пакете прикладных программ (ППП) ПОИСК-П.1. Таким образом, основные теоретические результаты предлагаемой работы обобщены и доведены до удобного для практического использования вида.

Основные положения, выносимые на защиту. На защиту выносятся следующие основные результаты:

1. Математическая модель полевого транзистора с затвором Шоттки, определенная через конструктивные параметры, позволяющая улучшить качественные характеристики транзистора при автоматизированном проектировании микроволновых ключевых устройств.

2. Модификации математических моделей и алгоритмов для анализа и синтеза волноведущих структур, позволяющие сократить экономические и временные затраты на конструкторско-технологическое проектирование микроволновых устройств за счет оптимизации параметров в САПР.

3. Методика исследования базовых элементов и управляющих устройств на их основе, реализованная с использованием системы функционального проектирования микроволновых устройств ПОИСК-Д, ППП ПО-ИСК-П. 1, ПОИСК-ПТШ, их программных аналогов и экспериментальных результатов.

Вклад автора в разработку проблемы. Основные научные положения, выводы и рекомендации, представленные в работе, предложены соискателем. Кроме того, соискателем сформулированы основные идеи методик, алгоритмов и критериев. Системы функционального проектирования ПОИСК-Д, ППП ПОИСК-П.1 и ПОИСК-ПТШ, обобщающие результаты теоретических исследований, разработаны при непосредственном участии соискателя.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались: на 2-й МНТК "Космонавтика. Радиоэлектроника. Геоинформатика" (г. Рязань, 1998 г.); на всероссийской НТК "Новые информационные технологии в научных исследованиях радиоэлектроники" (г. Рязань, 1998, 2000 гг.); на 8-й и 9-й международных Крымских конференциях КрыМиКо 98 и КрыМиКо 99 "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (г. Севастополь, 1998, 1999 гг.); на 36-й и 38-й НТК РГРТА (г. Рязань, 2000 и 2004 гг.); на 33-м международном семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (г. Москва, 2002 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликованы 16 работ, в том числе 3 в центральной печати, 4 без соавторов, 3 статьи в региональных изданиях, 8 тезисов докладов на всесоюзных, всероссийских, международных конференциях и семинарах, зарегистрировано 2 программы для ЭВМ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 128 наименований и 6 приложений. Общий объем работы 198 страниц, из них 146 страниц основного текста, 32 страницы таблиц и рисунков, приложения на 52 страницах.

Заключение диссертации по теме «Системы автоматизации проектирования (по отраслям)», Севостьянов, Виктор Андреевич

ВЫВОДЫ

1. Проведено численное моделирование основных параметров четы-рехслойных полосковых структур. Показано, что относительное отклонение параметров Ze, Z0, se, s0, рассчитанных по предложенным соотношениям и по соотношениям приведенным в работе [48] не превысило 1,8% при изменении w/h от 0,2 до 2. При этом предложенные соотношения требуют меньших вычислительных затрат.

2. Показано, что расхождение величин волновых сопротивлений ПЛ, рассчитанных различными методами, не превышает допустимой величины ±3%. Таким образом, с достаточной для практики точностью полученные соотношения можно использовать для расчёта параметров многослойных связанных и одиночных ПЛ, и компьютерного моделирования широкого спектра микроволновых устройств.

3. Проведено моделирование микроволновых полосковых переключателей на ПТШ по предложенной методике, с помощью систем ПОИСК-Д, PSpice, Aplac и Microwave Office. Даны результаты сравнительного анализа эффективности системы ПОИСК-Д (расхождение теоретических показателей относительно результатов эксперимента на центральной частоте не превышало ±10%) и рекомендации по созданию схемно-конструктивных решений многоканальных переключателей высокого уровня развязки. Сравнительный анализ полученных результатов показывает высокую эффективность системы ПОИСК - Д при моделировании указанного класса микроволновых устройств.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В процессе решения задач, поставленных в диссертационной работе, получены следующие основные результаты:

1. Предложена модификация математической модели полевого транзистора с затвором Шоттки на арсениде галлия, определенная через конструктивные параметры. Достоинством предложенной модели является следующее.

• Получены аналитические выражения для фактора качества, который определен через электрофизические параметры GaAs-структур, что позволяет оптимизировать указанные параметры при автоматизированном проектировании микроволновых переключателей с учетом двух режимов функционирования.

• Установлены интервалы применения зависимостей, приведенных различными авторами, подвижности носителей заряда /л(Т) для арсенида галлия в диапазоне температур от 50 до 750 К.

• Предложена методика двумерного численного моделирования полевого транзистора с затвором Шоттки, пригодная для создания модели ПТШ с распределенными параметрами в САПР.

2. Предложены модификации математических моделей волноведущих структур, основные аспекты которых следующие.

• Предложена конечно-разностная аппроксимация уравнений Гельмголь-ца, которая сведена для ускорения итерационного процесса в задачах больших размерностей к упрощенному квазистатическому приближению волноведущих структур со сложными граничными условиями, использование этой методики приводит к сокращению временных затрат в среднем на 15+20 %.

• Проведено численное моделирование основных параметров четырех-слойных полосковых структур, показано, что относительное отклонение параметров Ze, Z0, se, s0, рассчитанных по предложенным соотношениям и по соотношениям, приведенным в научных источниках, не превысило 1,8 % при изменении W/h от 0,2 до 2.

• Показано, что расхождение величин волновых сопротивлений волнове-дущих структур, рассчитанных различными методами, не превышает допустимой величины ± 3 %. Таким образом, с достаточной для практики точностью полученные соотношения, учитывающие влияние конструктивных параметров, можно использовать для расчёта многослойных связанных и одиночных полосковых линий и компьютерного моделирования широкого спектра микроволновых устройств в системах автоматизированного проектирования.

• На основе предложенных модифицированных математических моделей разработана библиотека базовых элементов волноведущих структур, которая позволяет создавать компьютерные модели широкого класса микроволновых устройств в системе функционального проектирования ПОИСК-Д.

3. Проведено моделирование микроволновых полосковых переключателей на ПТШ по предложенной методике с помощью САПР ПОИСК-Д, PSpice, Aplac и Microwave Office. Даны результаты сравнительного анализа эффективности системы ПОИСК-Д (расхождение теоретических результатов относительно экспериментальных на центральной частоте не превышало ± 10 %) и рекомендации по созданию схемно-конструктивных решений многоканальных переключателей высокого уровня развязки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Севостьянов, Виктор Андреевич, 2005 год

1. Корячко В.П., Курейчик В.М., Норенков И.П. Теоретические основы САПР. М.: Энергоиздат, 1987. 400 с.

2. Норенков И.П. Основы автоматизированного проектирования. М.: МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2002. 336 с.

3. Сускин В.В. Автоматизированное проектирование узлов и блоков РЭС средствами современных САПР: Учеб. пособие для вузов. М.: Высш. шк., 2002. 391 с.

4. Горбатов В. А., Крылов А.В., Федоров Н.В САПР систем логического управления. М.: Энергоатомиздат, 1996. 264 с.

5. Васильев Е.П. Математическое и программное обеспечение для автоматизированного проектирования микроволновых частотно-избирательных и управляющих устройств. Докторская диссертация. Рязань, РГРТА, 1999.512 с.

6. ГОСТ 16431-70. Качество продукции. Показатель качества и методы оценки уровня качества продукции. Термины и определения.

7. Ненашев А.П. Конструирование радиоэлектронных средств: Учебник для вузов М.: Высш. шк., 1990. - 432 с

8. ГОСТ 16504 81. Система государственных испытаний продукции. Испытания и контроль качества. Основные термины и определения.

9. Гвоздев В.И., Нефёдов Е.И. Объёмные интегральные схемы СВЧ. М.: Наука, 1985. 255 с.

10. Кравченко А.Ф. Физические основы функциональной электроники: Учеб. пособие. Новосиб.: Изд-во НГТУ, 2000. 442 с.

11. Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках / В.Н. Алфеев, П.А. Бахтин, А.А. Васенков и др.; Под ред.

12. B.Н. Алфеева. М.: Радио и связь, 1985. 232 с.

13. Быков Д.В., Гвоздев В.И., Подковырин С.И. Интегральная оптико-микроволновая электроника // Изв. вузов. Электроника. № 3-4. 1997.1. C.113-116.

14. Хиллс М.Т. Принципы коммутации в электросвязи. М.: Радио и связь, 1984. 310 с.

15. Коммутационные устройства радиоэлектронной аппаратуры / Т.Я. Рыбин, Б.Ф. Иванин, Н.В. Высюков и др.; Под. ред. Т.Я. Рыбина. М.: Радио и связь, 1965. 264 с.

16. Исследование миниатюрных электромеханических коммутаторов в линиях передачи СВЧ. Отчет о НИР (заключ.) / РРТИ. Руководитель Е.П. Васильев Тема 46-84. № ГР 01850019601. Рязань, РРТИ. 1986. 90с.

17. Молчанов В.И., Пятчанин С.В., Мархелюк A.M. Пьезоэлектрический СВЧ-переключатель // Электронная техника. Электроника СВЧ. № 1. 1988. С 58-60.

18. Богданов Г.Б. Частотно-избирательные системы на ферритах и применение их в технике СВЧ. М.: Сов. радио, 1973. 352 с.

19. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / Н.Н. Антонов, И.М. Бузин, О.Г. Вендик и др.; Под. ред. О.Г. Вендика. М.: Сов. радио, 1979. 272 с.

20. Резонансные разрядники антенных переключателей / Под. ред. И.В. Лебедева. М.: Сов. радио, 1976. 186 с.

21. Хижа Г.С., Вендик И.Б., Серебрякова Е.А. СВЧ фазовращатели и переключатели. М.: Сов. радио, 1984. 184 с.

22. Вайсблат А.В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. М.: Сов. радио, 1987. 119 с.

23. Справочник по расчёту и конструированию СВЧ полосковых устройств / С. И. Бахарев, В.И. Вольман, Ю.Н. Либ и др.; Под ред. В.И. Вольмана. М.: Радио и связь, 1982. 328 с.

24. Гупта К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств / Пер. с англ. С.Д. Бородецкой. Под ред. В.Г. Шейнкмана. М.: Радио и связь, 1987. 428 с.

25. Автоматизированное проектирование устройств СВЧ / В.В. Никольский, В.П. Орлов, В.Г. Феоктистов и др.; Под ред. В.В. Никольского. М.: Радио и связь, 1982. 272 с.

26. Гвоздев В.И., Петров А.С. Многоканальные матрицы на объемных интегральных схемах СВЧ // Микроэлектроника. Т. 24. № 6. 1995. С. 419-434.

27. Ильченко М.Е., Осипов В.Г. Электрически управляемые СВЧ переключатели на полупроводниковых диодах (обзор) // Изв. вузов. Радиоэлектроника. Т. 20. № 2. 1977. С. 5-17.

28. Лебедев И.В., Алыбин В.Г., Купцов Е.И. Интегрализация твердотельных управляющих и защитных устройств СВЧ (обзор) // Изв. вузов. Радиоэлектроника. Т. 25. № 10. 1982. С. 32-42.

29. Бова Н.Т., Стукало П.А., Храмов В.А. Управляющие устройства СВЧ. Киев: Техника, 1973. 163 с.

30. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение / Под. ред. Г. Уотсона. М.: Мир, 1972. 660 с.

31. Карпов В.М., Малышев В.А. Широкополосные устройства СВЧ на элементах с сосредоточенными параметрами / Под. ред. В.А. Малышева. М.: Радио и связь, 1984. 104 с.

32. Hellford B.R. A 90-dB microstrip switch on a plastic substrate // IEEE Trans, microwave theory tech. MTT-19. No. 7. 1971. P. 654-657.

33. Балыко А. К., Богданов Ю. M., Васильев В. И. и др. Проектирование монолитного двухканального переключателя СВЧ // Радиотехника. № 2, 2004. С. 40-46.

34. Сучков Д.И. Основы проектирования печатных плат в САПР P-CAD. М.: Горячая линия Телеком, 2000. 619 с.

35. Петров А.С. Инверторные схемы каскадирования микроволновых переключателей // Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники. № 2. 1997. С. 66-73.1. Ms

36. Севостьянов В.А. Аналитическая модель ключевого элемента на основе GaAs // Вестник Рязанской гос. радиотехн. академ. Рязань, РГРТА. Вып.7. 2000. С. 119-122.

37. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления / Под ред. Д.В.Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола; Пер. с англ. под ред. Г.В. Петрова. М.: Радио и связь, 1988. 496 с.

38. Шур М. Современные приборы на основе арсенид галлия / Пер. с англ. под. ред. М.Е. Левенштейна и В.Е. Челнокова. М.: Мир, 1991. 631 с.

39. Данилин В.Н. Мощные высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ приборы нового поколения на широкозонных гетеропереходных структурах AlGaN/GaN. М.: Пульсар, 2001. 137 с.

40. Севостьянов В.А. Холомина Т.А. Моделирование температурной зависимости подвижности носителей заряда в арсениде галлия // Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань, РГРТА. 2001. С. 11-15.

41. Curtice W.R., MESFET model for use in design of GaAs integrated circuits // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., V. MTT-28 №5, 1980. p. 448456.

42. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSPICE для схемно-технического моделирования на ПЭВМ. М.: Радио и связь, 1992. Вып. 1-4.351 с.

43. Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М: Радио и связь, 1981. 304 с.

44. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет / М.А. Абдюханов, Л.А. Биргер, И.А. Волошин и др.; Под ред. И.А. Мальского, Б.В. Сестрорецкого. М.: Сов. радио, 1969. 579 с.

45. Гвоздев В.И., Мурмужев Б.А., Подковырин С.И. Оптико-микроволновые модуляторы для систем обработки информации // Микроэлектроника. Т. 27. № 4. 1998. С. 244-264.

46. Кабанов Д.А. Функциональные устройства с распределенными параметрами. М.: Сов. радио, 1979. 336 с.

47. Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках / В.Н. Алфеев, П.А. Бахтин, А.А Васенков и др.; Под. ред.

48. B.Н. Алфеева. М.: Радио и связь, 1985. 232 с.

49. Yamashita Е., Atsuki К. Strip line with rectandular outer conductor and three dielectric layers // IEEE Trans, microwave theory tech. V. MTT-18. No. 5. 1970. P. 238-243.

50. Bryant T.G., Weiss J.A. Parameters of microstrip transmission lines and of coupled pairs of microstrip lines // IEEE Trans, microwave theory tech. V. MTT-16.No. 12. 1968. P. 1021-1027.

51. Ганстон M.A.P, Справочник по волновым сопротивлениям фидерных линий СВЧ / Пер. с англ. под ред. А.З. Фрадина. М.: Связь, 1976. 150с.

52. Фуско В. СВЧ цепи. Анализ и автоматизированное проектирования / Пер. с англ. А.А. Вольмана, А.Д. Муравцова; Под ред. В.И. Вольмана. М.: Радио и связь, 1990. 288 с.

53. Васильев Е.П., Севостьянов В.А. Конечно-разностная аппроксимация квазистатической обобщенной модели волноведущей структуры // Электронная техника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань, РГРТА. 1999.1. C.35-41.

54. Авдеев Е.А., Потапова В.И. Определение параметров открытых по-лосковых волноводов // Радиотехника. Т. 26. № 8. 1971. С. 56-64.

55. Афонцев С.А., Григорьев Н.И., Кунилов В.А., Петров Г.В. Использование двумерных численных моделей для анализа и моделирования полупроводниковых приборов // Зарубежная радиоэлектроника. № 8. 1975, С. 64-87.

56. Афонцев С.А., Кунилов В.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Модель полевого транзистора с затвором Шоттки, основанная на численном решении двумерных уравнений переноса // Микроэлектроника. Т. 6. №2. 1977. С. 179- 183.

57. Елисеев B.C., Миргородский Ю.Н., Руденко А.А. Численные методы анализа двумерных полупроводниковых структур // Микроэлектроника / Под ред. А.А. Васенкова. М.: Сов. радио, вып. 8. 1975. С. 352 -367.

58. Современные методы и результаты квазистатического анализа полосковых линий и устройств / А.И. Гипсман, В.М. Красноперкин, Г.С. Самохин и др. Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. М.: ЦНИИ Электроника, 1991. 102 с.

59. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1975.296 с.

60. Справочник по элементам полосковой техники / О.И Мазепова., В.П. Мещанов, Н.И. Прохорова, A.JI Фельдштейн, JI.P Явич; Под ред. A.JI. Фельдштейна. М.: Связь, 1979. 336 с.

61. Разработка математических моделей базовых элементов для системы автоматизированного проектирования. Отчет о НИР (заключ.) / Киевский политехи, ин-т. Руководитель М.Е. Ильченко. № ГР 01850082645. Киев, 1987. 118 с.

62. Васильев Е.П., Севостьянов В.А. Автоматизация проектирования микроволновых волноведущих структур // Материалы 9-й Международной Крымской конференции КрыМико" 99. 14 16 сентября. Севастополь. 1999. С. 246-247.

63. Микроэлектронные устройства СВЧ: Учеб. пособие для радиотехнических специальностей вузов / Г.И. Веселов, Е.Н. Егоров, Ю.Н. Алёхин и др.; Под ред. Г.И. Веселова. М.: Высш. шк., 1988. 280 с.

64. Канторович JI.В., Крылов В.И. Приближенные методы высшего анализа. М.: Физ.-мат. л-ры, 1962. 708 с.

65. Гальченко П.А., Михалевский B.C. Применение метода Шварца к расчёту электрических параметров П и Г-образных волноводов // Радиотехника и электроника. № 1. 1970. С. 51-57.

66. Никольский В.В. Вариационные методы для внутренних задач электродинамики. М.: Наука, 1967. 460 с.

67. Никольский В.В., Дружинин А.В. Собственные волны компланарной, щелевой, высокодобротной и других полосковых линий с учетом конечной толщины проводников // Радиотехника и электроника. Т. 23, № 11, 1977. С. 2284-2291.

68. Миттра Р., Ли С. Аналитические методы теории волноводов / Пер. с англ. А.И. Плиса. Под ред. Г.В. Воскресенского. М.: Мир, 1974. 324 с.

69. Hill A., Tripachi. An efficient algorithm for three-dimensional analysis of passiv microstrip components and discontinuities for microwave and millimeter-wave integrated circuits // IEEE Trans, microwave theory tech. V. 39. MTT.No. 1. 1991. P. 83-91.

70. Боголюбов A.H. и др. Математическое моделирование волноведущих систем на основе метода конечных разностей // Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники. № 5. 1998. С. 39-54.

71. Самарский А.А. Теория разностных схем. М.: Наука, 1977. 656 с.

72. Самарский А.А., Гулин А.В. Численные методы. М.: Наука, 1989. 429 с.

73. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Разностная схема Штурма-Лиувилля // ЖВМиМФ. Т. 1. № 5. 1961. С. 784-805.

74. Свешников А.Г., Боголюбов А.Н., Минаев Д.В. Расчет диэлектрических волноведущих систем конечно-разностным методом // Радиотехника и электроника. Т. 38. № 5. 1993. С. 804-809.

75. Боголюбов А.Н., Едакина Т.В. Применение вариационно-разностных методов для расчета диэлектрических волноводов // Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия. Т. 32. № 2. 1991. С. 6-14.

76. Angkaew Т., Matsuhara М., Kumagai N. Finite-element analysis of waveguide modes: a novel approach that eliminates spurious modes // IEEE Trans, microwave theory tech. V. MTT-35. No. 2. 1987. P. 117-123.

77. Ikeuchi M., Sawami H., Niki H. Analysis of open-type dielectric waveguides by finite-element itarative method // IEEE Trans, microwave theory tech. V. MTT-29. No. 3. 1981. P. 234-239.

78. Haiata K., Koshiba M., Suzuki M. Vectorial finite element method without spurions solutions for dielectric waveguiding problems // Electron. Lett. V.20. No. 10. 1984. P. 409-410.

79. Rahman B.M.A., Davis V.B. Penalty function improvement of waveguide solution of finite element // IEEE Trans, microwave theory tech. MTT-32. No. 8.1984. P. 922-928.

80. Rahman B.M.A., Davis V.B. Finite-element analysis of optical and microwave waveguide problems // IEEE Trans, microwave theory tech. MTT-32. No. 1. 1984. P. 20-28.

81. Sehweig E., Bridges W.B. Computer analysis of dielectric waveguides using a finite-difference method // IEEE Trans, microwave theory tech. MTT-32. No. 5. 1984. P. 531-541.

82. Su C.C. A combined method for dielectric waveguides using the finite-element techique and the surface integral equation method // IEEE Trans, microwave theory tech. MTT-36. No. 11. 1988. P. 1140-1146.

83. Haiata K., Educhi M., Koshiba M. Finite-element formulation for quided-wave problems using transversal electric field components three dimensional inhomogeneouslytield cavities // IEEE Trans, microwave theory tech. MTT-37. No. 2. 1989. P. 256-258.

84. Норри Д., де Фриз Ж. Введение в метод конечных элементов. М.: Мир, 1981.304 с.

85. Разработка сеточных методов для машинного расчета основных характеристик волноводов и резонаторов с учетом диэлектрика двухмерная задача. Отчет о НИР (заключ.) / РРТИ. Руководитель В.П. Панов. Тема 86-74. № ГР У17843. Рязань, РРТИ. 1976. 122 с.

86. Lin-Fa Мао. Twofold Mur's first-order ABC in the FDTD method // IEEE Trans, microwave theory tech. V. 46. No.3. 1998. P. 229-301.

87. Georgieva N., Yamashita E. Time-domain vector-potential analysis of transmission-line problems // IEEE Trans, microwave theory tech. V. 46. No. 4. 1998. P. 404-410.ф, 87. Yee K.S. Numerical solution of initial boundary value problems involving

88. Maxwell's egueations in isotropic medias // IEEE Trans. Antennas propa-gat. V. AP-17. No. 5. 1966. P 585-589.

89. Wu K., Wu C., Litva J. A dispersive boundary condition for microstrip component analysis using the FDTD method // IEEE Trans, microwave theory tech. V. 40. No. 4. 1992. P. 774-777.

90. Railthon C.J., Daniel E.M., Mc Geehan J.P. Use of second order alsorbing boundary conditions for the termination of planar waveguides in the FDTDmethod // Electron. Lett. V. 29. No. 5. 1993. P 900-902.

91. Railton C.J., Daniel E.M., Paul D.-L., Mc Geehan J.P. Optimized absorbing boundary conditions for the analysis of planar circuits using the finite different time domain method // IEEE Trans, microwave theory tech. V. 41. No. 2. 1993. P. 290-297.

92. Van Roosbroeck W. Theory of the flow of electrons and holes in germanium and other semiconductors // Bell Syst. Techn. J., v. 29, 1 1, 1950. p.560.

93. Gummel H.K. A self-consistent iterative scheme for one-dimensional steady-state transistor calculation // IEEE Trans., v. ED-11, 1 10, 1964. p.455 465.

94. Slotboom J.W. Computer-aided two-dimensional analysis of bipolar transistor// IEEE Trans., v. ED-20,1 8, p. 1973. 669 679.

95. Vandorpe D., Borel J., Merckel G., Saintot P. An accurate two-dimensional numerical analysis of the MOS transistor // Sol.-St. Electron., v. 15, 1 5, 1972. p. 547-557.

96. Деньдобренко Б.Н., Малика A.C. Автоматизация конструирования РЭА. М.: Высш. шк., 1980. 383 с.

97. Иванов В.В. Методы вычислений на ЭВМ: Справочное пособие. Киев: Наук, думка, 1986. 584.

98. Козлов В.И., Юфит Г.А. Проектирование СВЧ устройств с помощью ЭВМ. М.: Сов. Радио, 1975. 174 с.

99. Конструкторско-технологические основы проектирования полосковых микросхем / И.П. Бушминский, А.Г. Гудков, В.Ф. Дергачёв и др.; Под ред. И.П. Бушминского. М.: Радио и связь, 1987. 272 с.

100. Силаев М.А., Брянцев С.Ф. Приложение матриц и графов к анализу СВЧ устройств. М.: Сов. радио, 1970. 248 с.

101. Abele Т.A. Uber dui streumatrix allgemein zusammengeschalter mehrpole //Arch. Elektrisch. Ubertr. 1960. Bd 14. № 6. S. 161-168.

102. Фельдштейн A.Jl., Явич Л.P., Смирнов В.П. Справочник по элементам волноводной техники. М.: Сов.радио, 1967. 651 с.

103. Фельдштейн А.Л., Явич Л.Р., Смирнов В.П. Синтез четырёхполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М.: Связь, 1971. 387 с.

104. ЮЗ.Вольман В.И., Пименов Ю.В. Техническая электродинамика / Под ред. Г.З. Айзенберга. М.: Связь, 1971. 487 с.

105. Марков Г.Т., Петров Б.М., Грудинская Г.П. Электродинамика и распространения радиоволн. М.: Сов. радио, 1979. 376 с.

106. Beaubien M.J., Wexler A. An accurate finite-difference method for higher order waveguide modes // IEEE Trans microwave theory tech. V. MTT. No. 4. 1974. P 446-449.

107. Машинный расчет интегральных схем / Под. ред. Herskowitz G.I. Пер. с англ. К.А. Валиева, Г.Г. Казеннова и А.П. Голубева. М.: Мир, 1971. 407 с.

108. Годунов С.К., Рябенький B.C. Разностные схемы. М.: Наука, 1973. 400 с.

109. Шимони К. Теоретическая электротехника / Пер. с нем. под ред. К.М. Поливанова. М.: Мир, 1964. 773 с.

110. Васильев Е.П., Севостьянов В.А. Автоматизация проектирования микроволновых волноведущих структур СВЧ // Вестник Рязанской гос. радиотехн. академ. Рязань, РГРТА. Вып. 6. 1999. С. 40 43.

111. Getsinger W.J. Dispersion of parallel coupled microstrip // IEEE Trans, microwave theory tech. V. MTT. No. 3. 1973.

112. Бушминский И.П., Морозов Г.В. Технологическое проектирование микросхем СВЧ. М.: Изд-во МГТУ, 2001. 355 с.

113. Васильев Е. П., Захарьящев Л.И. Конструирование симметричных по-лосковых и микрополосковых линий передачи. Методические указания к курсовому и дипломному проектированию по курсу "Конструирование экранов и СВЧ устройств". Рязань, РРТИ. 1984. 35с.

114. Алексеев JI.B., Знаменский А.Е., Лотков Е.Д. Электрические фильтры метрового и дециметрового диапазонов. М.: Связь, 1976. 280 с.

115. Севостьянов В.А. Моделирование арсенид-галиевых структур в микроволновом диапазоне // Тезисы докладов на Всероссийской НТК-2000. Новые информационные технологии в научных исследованиях радиоэлектроники. Рязань, РГРТА. Май 2000. С. 182-183.

116. Kurakawa К., Schlosser W.O. Quality factor of switching diodes for digital modulators//Proc. IEEE, V.38. 1982. p.l80-181.

117. Gopinath A., Rankin J.B. GaAs FET RF switches // IEEE Trans, on electron devices. V. ED-32. 17. 1985. p. 1272-1278.

118. Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уис-смена; Пер. с англ. под ред. В.Н. Мордковича. М.: Мир, 1988. 555 с.

119. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ. В.А. Герге-ля, В.В. Ракитина. М.: Мир, 1984. 456 с.

120. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. 592с.

121. Севостьянов В.А. Автоматизация проектирования полосковых линий передачи // Тезисы докладов 36-ой НТК. Рязань, РГРТА. Февраль 2000. С. 50.

122. Smith J.I. The even-and odd-mode capacitance parameters for coupled lines in suspended supstrate // IEEE Trans, microwave theory tech. V. MTT-19. No. 5. 1971. P. 424-429.

123. Васильев Е.П., Севостьянов В.А. Моделирование микроволновых частотно избирательных устройств // 2-я МНТК. Космонавтика. Радиоэлектроника. Геоинформатика. Тезисы докладов. Рязань 29 - 31 октября 1998. С. 87-89.

124. Васильев Е.П., Севостьянов В.А. Алгоритм оптимального проектирования микроволновых коммутируемых фильтров // Автоматизация измерений и испытаний: Сб. науч. тр. Рязань, РГРТА. 1999. С. 110-113.

125. В.Д. Разевиг, Ю.В. Потапов, А.А. Курушин Проектирование СВЧ -устройств с помощью Microwave Office. Под.ред. В.Д. Разевига. — М: СОЛОН Пресс 2003. 496 с.

126. Васильев Е.П., Севостьянов В.А. Сравнительные характеристики САПР микроэлектронных устройств СВЧ // Вестник Рязанской гос. радиотехн. академ. Рязань, РГРТА. Вып. 4. 1998. С. 53-56.