Автоматизация непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления тонких диэлектрических пленок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.06, кандидат технических наук Семенова, Светлана Эрнстовна

• Семенова, Светлана Эрнстовна
• кандидат технических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат технических наук Семенова, Светлана Эрнстовна

ВВЕДЕНИЕ.

1 АНАЛИЗ ОСОБЕННОСТЕЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК И ЕГО КОНТРОЛЯ.

1.1 Влияние скорости осаждения на свойства пленок.

1.2 Обзор методов нанесения тонких пленок в вакууме.

1.3 Обзор методов измерения скорости осаждения и их классификация.

1.3.1 Гравиметрический метод.

1.3.2 Метод измерения давления молекул пара.

1.3.3 Метод кварцевого резонатора.

1.3.4 Ультразвуковой метод.

1.3.5 Оптические методы.

1.3.5.1 Фотометрический метод.

1.3.5.2 Метод спектрофотометрии.

1.3.5.3 Эллипсометрический метод.

1.3.5.4 Интерференционный метод.

1.3.6 Резистивный метод.

1.3.7 Емкостный метод.

1.3.8 Ионизационный метод.

1.3.9 Метод электронно-эмиссионной спектроскопии.

1.4 Анализ методов контроля скорости осаждения и толщины пленок.

Выводы по первой главе и постановка задач исследований.

2 РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ФОТОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ.

2.1 Математическая модель процесса осаждения тонких пленок.

2.2 Математическая модель метода контроля процесса осаждения.

2.3 Анализ методов измерения мгновенной скорости осаждения диэлектрических пленок.

2.3.1 Методы измерения мгновенного значения частоты гармонического сигнала.

2.3.1.1 Метод временных интервалов.

2.3.1.2 Метод фиксированных уровней.

2.3.1.3 Метод двойного дифференцирования.

2.3.1.4 Метод двойного интегрирования.

2.3.2 Применение методов измерения мгновенного значения частоты к реальному сигналу фотометра.

2.4 источники погрешностей в фотометрических системах контроля скорости напыления тонких пленок.

2.5 Влияние отклонений показателей преломления на значение сигнала фотометрического измерителя.

Ф Выводы по второй главе

3 МОДЕЛИРОВАНИЕ АВТОМАТИЧЕСКОГО ФОТОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЙ ФОТОМЕТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ.

3 л моделирование автоматического фотометрического измерителя в среде MATLAB и синтез его оптимальной структуры.

3.2 Полунатурный эксперимент с использованием устройства сопряжения.

3.3 Полунатурный эксперимент с использованием промышленных модулей ICP DAS

3.4 Измерение скорости травления фоторезиста в растворе гидроокиси калия.

3.5 Описание установки для термического вакуумного испарения.

3.6 Применение фотометрического измерителя для автоматического контроля скорости осаждения в реальном процессе термовакуумного нанесения покрытия.

Выводы по третьей главе.

4 ПРОГРАММНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО ФОТОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ И МЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ФОТОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ.

4.1 Описание программной реализации метода расчета мгновенной скорости осаждения.

4.2 Метрологическое обеспечение исследований.

4.2.1 Методика и прибор для измерения показателя преломления и толщины пленок.

4.2.2 Измерение показателя преломления нанесенных пленок.

4.2.3 Исследование стабильности мощности лазера.

4.2.4 Определение длины волны полупроводникового лазера.

4 Выводы по четвертой главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Автоматизация непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления тонких диэлектрических пленок»

Широкое использование диэлектрических пленок в изделиях различных областей промышленности требует постоянного совершенствования процесса их формирования, повышения степени автоматизации, а также непрерывного контроля режимов технологического процесса и условий их реализации. В микроэлектронике и, в частности, в тонкопленочных технологиях, особое внимание уделяется получению тонких пленок с заданными свойствами.

Системный анализ технологического процесса получения диэлектрических слоев показывает, что скорость осаждения пленки оказывает большое влияние на структуру, электрофизические свойства и стабильность самих пленок, поэтому необходим контроль скорости и поддержание ее на заданном уровне. Однако выбранные оптимальные режимы и условия технологического процесса не остаются постоянными в течение времени осаждения покрытия из-за действия различных возмущений. Воспроизводимость свойств диэлектрических слоев может быть обеспечена стабилизацией параметров технологического процесса, в частности, скорости осаждения, в течение всего времени нанесения пленки. Скорость травления позволяет получить информацию об основных свойствах и структуре пленок.

Наиболее широко распространенные в промышленности методы контроля скорости осаждения пленок (с использованием кварцевого пьезокри-сталла или ионизации потока паров осаждаемого материала) не обеспечивают необходимой точности, а в некоторых технологических процессах (осаждение пленок из газовой фазы, травление фоторезиста) вообще не применимы. Таким образом, актуальными являются задачи разработки новых методов контроля скорости осаждения, средств автоматического контроля, стабилизации скорости осаждения покрытий, успешное решение которых позволит повысить качество изделий, что, несомненно, будет содействовать ускорению прогресса в технологии микросхем.

Методы, которые предполагается использовать для контроля процесса нанесения пленок в промышленных условиях, должны удовлетворять ряду основных требований. Исходя из анализа методов контроля (микровзвешивания, кварцевого, ионизационного, ультразвукового, резистивного, емкостных, оптических, электронно-эмиссионной спектроскопии) можно сделать вывод, что наибольшему количеству требований удовлетворяет один из оптических методов - фотометрический. Этот метод обладает двумя недостатками: не позволяет непрерывно контролировать скорость осаждения и имеет ограничение в максимальной контролируемой толщине сильно поглощающих пленок. Первый недостаток является наиболее серьезным, он значительно ограничивает применимость фотометрического метода в технологии микросхем и заставляет исследователей применять комбинированную систему контроля, состоящую из фотометрического измерителя толщины и кварцевого измерителя скорости осаждения пленок. Применение в промышленных условиях этой схемы затруднено в виду ее сложности и довольно высоких требований к квалификации оператора.

Таким образом, может быть поставлена задача обеспечения автоматизации непрерывного фотометрического контроля при получении и травлении тонких диэлектрических пленок.

Цель работы - разработка и совершенствование метода непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления тонких диэлектрических пленок для обеспечения возможности его автоматизации.

Методы исследований

В работе использованы теоретические и экспериментальные методы исследований на основе системного анализа технологического процесса получения тонких пленок, физики и оптики тонких пленок, машинного и полунатурного моделирования.

Экспериментальная часть работы выполнялась в лабораториях Рыбинской государственной авиационной технологической академии.

Научная новизна работы

1 Доказана возможность применения методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала (метод двойного дифференцирования и метод временных интервалов) к реальному сигналу фотометрического измерителя.

2 Определены и исследованы области фотометрического сигнала, в котором каждый из методов дает допустимую методическую погрешность.

3 Предложен комбинированный метод, основанный на объединения двух методов с целью минимизации методической погрешности и обеспечения непрерывного фотометрического контроля.

Практическая ценность работы

1 Разработаны алгоритмы и программное обеспечение для непрерывного контроля скорости осаждения диэлектрических пленок

2 Разработан автоматизированный комплекс для непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок.

Достоверность результатов

Достоверность результатов диссертационных исследований подтверждена данными теоретических расчетов и экспериментальными исследованиями разработанных методов фотометрического контроля скорости осаждения тонких пленок.

Апробация

Материалы диссертационной работы прошли апробацию в докладах на конференциях и симпозиумах: на XI Международной научно-технической конференции «Тонкие пленки в электронике», г. Йошкар-Ола, 2000 г.; на Международной научно-технической конференции «Измерение, контроль, автоматизация», г. Барнаул, 2000 г.; на VI, VIII, IX Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России», г. Москва, 2000 г., 2002 г., 2003 г., на 2-ой Всероссийской научно-технической конференции «Методы и средства измерений», г. Нижний Новгород, 2000 г.; на 12-ом Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике», г. Харьков, 2001 г.; на второй областной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых вузов «Ярославский край. Наше общество в третьем тысячелетии», г. Ярославль, 2001 г.; на Всероссийской научно-технической конференции «Аэрокосмические технологии и образование на рубеже веков», г. Рыбинск, 2002 г.; на Всероссийской выставке научно-технического творчества молодежи НТТМ-2002, г. Москва, 2002 г; на 3-й Международной конференции «Компьютерные методы и обратные задачи в не-разрушающем контроле и диагностике», г. Москва, 2002 г.

Публикации

По материалам работ опубликовано 12 печатных работ, из них 6 статей и 6 тезисов докладов.

Вклад автора

Диссертационная работа представляет собой обобщение результатов исследований, полученных автором лично и совместно с сотрудниками РГАТА Юдиным В. В., Семеновым Э. И., Гусаровым А. В., Юдиным А. В. и другими.

На разных этапах отдельные проблемы и результаты работы обсуждались с Маниным А. В., Вершининым В. А, Морозовым М. П.

В проведенных экспериментальных исследованиях использовались программные разработки Ломанова А. Н. и Павлова А. А.

Автор благодарит всех отмеченных выше за советы и помощь в работе.

В первой главе диссертации проведен анализ состояния проблемы контроля скорости осаждения диэлектрических слоев. Показано, что скорость осаждения является одним из основных параметров технологического процесса получения пленок, отвечающим за стабильность данного процесса, а также воспроизводимость свойств получаемых пленок. Рассмотрены основные методы и устройства контроля скорости осаждения, проведен их сравнительный анализ и обоснован выбор фотометрического метода. Уточнены направления исследований, позволяющие разработать метод непрерывного автоматического контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок на основе фотометрического метода.

Во второй главе рассмотрены математические модели процесса осаждения тонких пленок и методов контроля этого процесса, проведено исследование методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала - метод временных интервалов; фиксированных уровней; двойного интегрирования; двойного дифференцирования. Показана возможность применения методов двойного дифференцирования и временных интервалов к реальному сигналу фотометрического измерителя, определены области этого сигнала, где каждый из методов дает минимальную методическую погрешность. На основе дальнейших исследований сформулировано предположение о целесообразности использования метода двойного дифференцирования в областях, близких к экстремумам фотометрического сигнала и метода временных интервалов на участках равномерного убывания и возрастания этого сигнала.

Третья глава посвящена разработке в среде визуального моделирования SIMULINK (MATLAB) комплексной модели, отражающей процесс роста и травления диэлектрических пленок, работу фотометрического измерителя, а также реализующей комбинированный метод измерения, основанный на объединении методов двойного дифференцирования и метода временных интервалов. Доказана необходимость поочередного использования двух методов, в зависимости от участков сигнала фотометрического измерителя. Разработана компьютерная система для фотометрического контроля скорости осаждения, включающая в себя фотометрический усилитель ЛИТП-1, модули ICP DAS серии 1-7000 и персональный компьютер. Проведен полунатурный эксперимент по контролю скорости осаждения пленки с использованием специального комплекса, имитирующего процесс нанесения, подтверждающий сделанные ранее выводы. Показана возможность измерения скорости и момента окончания травления на примере травления фоторезиста в растворе гидроокиси калия. Результаты полунатурного эксперимента подтверждены при получении тонкопленочных диэлектрических покрытий в установке для термовакуумного нанесения.

В четвертой главе приведено описание алгоритма для уменьшения влияния флуктуаций фотометрического сигнала на значение скорости осаждения и содержащего функцию выявления нарушений в работе фотометрического канала, с помощью которого удается получить стабильный сигнал с приемлемой задержкой (около 1 с при используемой частоте опроса СОМ-порта 10 Гц). С целью уменьшение методической погрешности приведена методика измерения и измерены показатели преломления и толщины напыляемых и стравливаемых диэлектрических слоев. Разработана методика измерения длины волны полупроводникового лазера. С помощью разработанной компьютерной фотометрической системы исследована стабильность мощности полупроводникового лазера.

В заключении анализируются полученные результаты и приводятся общие выводы по работе.

В результате проведенных исследований сформулированы основные положения, которые автор выносит на защиту:

1. Применение методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала к реальному фотометрическому сигналу

2. Математическую модель контроля текущей скорости осаждения.

3. Реализацию модели, выполненную в среде визуального моделирования SIMULINK (MATLAB)

4. Компьютерную систему непрерывного фотометрического контроля скорости осаждения и травления тонких диэлектрических пленок.

Заключение диссертации по теме «Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами (по отраслям)», Семенова, Светлана Эрнстовна

Выводы по четвертой главе

1. Разработаны алгоритмы и программное обеспечение компьютерной фотометрической системы, в том числе алгоритм и программа уменьшения влияния флуктуаций фотометрического сигнала.

2. Измерены показатели преломления и толщины напыляемых и стравливаемых диэлектрических слоев для обеспечения необходимой точности работы компьютерной фотометрической системы.

3. Разработана методика и измерена длина волны полупроводникового лазера.

4. Исследована временная стабильность мощности полупроводникового лазера

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенная научная и практическая работы показали возможность создания компьютерной фотометрической системы для непрерывного контроля скорости осаждения и толщины тонких диэлектрических пленок.

В процессе выполнения работы были получены следующие основные результаты:

1 На основе анализа основных методов контроля скорости осаждения и толщины диэлектрических пленок показано, что существенными достоинствами обладает фотометрический метод. Скорость осаждения в данном случае пропорциональна частоте инфранизкочастотного фотометрического сигнала, который является периодической функцией толщины пленки. Решение задачи непрерывного контроля скорости осаждения этим методом позволит автоматизировать сам метод и процесс получения (травления) диэлектрических пленок.

2 В результате анализа существующих методов измерения мгновенной частоты гармонического сигнала показана возможность применения метода двойного дифференцирования и метода временных интервалов к реальному сигналу фотометрического измерителя.

3 Исследованы методические погрешности методов и определены области фотометрического сигнала, в которой каждый из методов (метод двойного дифференцирования, метод временных интервалов) дает минимальную методическую погрешность.

4 Предложен комбинированный метод измерения мгновенной частоты фотометрического сигнала, основанный на объединении (поочередном использовании в зависимости от области сигнала) методов двойного дифференцирования и временных интервалов.

5 Разработана и исследована математическая модель контроля скорости осаждения диэлектрических пленок (SIMULINK - MATLAB). С помощью визуального моделирования подтверждена правильность теоретических предположений о целесообразности использования комбинированного метода измерения.

6 Разработаны алгоритмы и программное обеспечение компьютерной фотометрической системы, в том числе алгоритм и программа уменьшения влияния флуктуаций фотометрического сигнала на выходной сигнал системы.

7 Показано, что предложенная методика расчета хорошо работает с использованием разработанных комплексов для полунатурного эксперимента.

8 Экспериментально доказано, что данная методика может быть использована в реальных условиях для контроля текущего значения скорости осаждения и травлении пленок.

9 Проведена метрологическая проработка компьютерной системы.

10 Разработанная компьютерная система для непрерывного контроля скорости осаждения и травления диэлектрических пленок может быть использована в качестве датчика в автоматической системе управления скоростью осаждения диэлектрических пленок.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Семенова, Светлана Эрнстовна, 2003 год

1. Thoni W. Нанесение оптических покрытий: контроль и автоматизация процессов (Deposition of Optical Coatings: Process Control and Automation). -Liechtenstein: Balzers Aktiengesellschaft, 1981. 24 c.

2. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэн-га. Пер. с англ. под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. М.: Сов. радио, 1977.-Т. 1.-664 с. -Т. 2.-768 с.

3. Мартиросян А. М., Грабин В. В, Гречанюк Н. И., Трофименко А. А. и др. Влияние скорости конденсации на структуру покрытий из стабилизированного диоксида циркония // Проблемы спец. электрометаллургии. -1987. -№ 2.-С. 47-51.

4. Слуцкая В. В. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот. М.: Советское радио, 1967. - 456 с.

5. Popova L. I. Refractive Index of Evaporated SiO Layers // Comptes rendus de l'Academie bulgare des Sciences. 1972. -25. -№ 3. - P. 305 -308.

6. Lewis B. The Deposition of Alumina, Silica and Magnesia Films by Electron Bombardment Evaporation // Microelectronics and Reliability. 1964. - 3. -№ 2. - P. 109- 120.

7. Метфессель С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение. М. - Л. -Госэнергоиздат, 1963. -273 с.

8. Данилин Б. С. Получение тонкопленочных элементов микросхем. — М.: Энергия, 1977. 136 с.

9. Пирс К., Адаме А., Кац Л., Цай Дж., Сейдел Т., Макгиллис Д. Технология СБИС / Под ред. С. Зи. Пер. с англ. В. Н. Лейкина, под ред. Ю. Д. Чистякова, В. Б. Петрова, Б. Л. Эйдельмана. М.: Мир, 1986. - Т .1. - 404 с. -Т.2.-453 с.

10. Панфилов Ю. В., Рябов В. Т., Цветков Ю. Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. М.: Радио и связь, 1988.-320 с.

11. Белянин А. Ф. Получение пленок A1N (обзор) // Тонкие пленки в электронике. Материалы 7 международного симпозиума. Йошкар-Ола, 1996. С. 167-212.

12. Ковалев JI. К., Панфилов Ю. В. Методы нанесения тонких пленок в вакууме // Справочник. Инженерный журнал.- № 3 1997 - С. 20-28.

13. Демидов Ф. П., Лоскутов А. И., Ершов В. К. Применение пьезокварцевого микровзвешивания при изготовлении тонкопленочных структур / М.: ЭП, №11 1989.

14. Беденко В. В., Беляков А. И., Майоров А. А., Мирошкин С. И., Одиноков ^ В. В., Рагузин В. Д. Электронно-лучевая вакуумная установка «Электроника ТМ-1205» / Электронная промышленность,- №5 1991.

15. Хэмфилл Р. Б. Датчик толщины, измеряющий скорость поверхностной волны, для тонких пленок, полученных методом напыления / Пер. В. В.

16. Булычев. М.: Всесоюзный центр переводов научно-технической литературы и документации, 1978.

17. Черняев В. Н., Обичкин Ю. Г., Семенов Э. И. Непрерывный контроль толщины и скорости осаждения и травления диэлектрических и полупроводниковых пленок / ПТЭ, № 6. 1974.

18. Физика тонких пленок / Под ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. Пер. с англ. под ред. В. Б. Сандомирского. М.: Мир, 1968. - Т. 1.-331 с.

19. Пленочная микроэлектроника / Под ред. Холлэнда JI. Пер с англ. под ред. М. И. Елинсона. М.: "Мир", 1968. - 366 с.

20. Тематическая подборка "Методы и аппаратура контроля толщины и скорости напыления тонких пленок" 250-3-82

21. Холин А. А., Бруснецов Ю.А. Система управления вакуумным напылением. / Труды ТГТУ, 2001, № ю, с. 183-185.

22. Х.-И. Зигмунд. Новые измерительные приборы и микропроцессорное управление для напылительных и распылительных установок. — Ганау: Лейбольд-Хереус ГМБХ, 1980.

23. Pelletier Е. Controle optique pendant la preparation cfempilement de couches minces dielectriques // Le vide. 1972. - № 157. - p. 1-9.

24. Колгин Е. А., Кораблев Ю. А., Ухов А. А. Автоматизированный спектрофотометр для контроля процесса осаждения диэлектрических покрытий. // Сборник научных трудов, вып. 419, Ленинград, 1990.

25. Резвый Р. Р., Финарев М. С. Определение толщины диэлектрической пленки методом эллипсометрии. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 2, 1979 С. 58 - 64

26. Демидов Ф. П., Аммосова Л. М. Датчики оперативного технологического контроля процессов нанесения и травления пленок. // Электронная промышленность, 1991, №7 С. 20-26.

27. Сокол В. А., Сухоруков С. С., Тельнов В. М., Хомяков В. И., Чукарев С. В. Система лазерного контроля процессов плазмохимического травления. // Электронная промышленность, №1 1989.- С. 57.

28. Зеркаль Н. М. Устройство контроля толщины и показателя преломления прозрачных пленок в процессе выращивания. // Электронная промышленность, №1 1989,- С. 50.

29. Раков А. В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.: Советское радио, 1975. - 174 с.

30. Орликовский А. А., Руденко К. В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть III. // Микроэлектроника, 2001, том 30, № 5, с. 323-344.

31. Dalton Т., Conner W., Sawin Н. Interferometric Real-Time Measurement of uniformity for Plasma Etching // J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. № 7. P. 1893-1899.

32. Tepermeister I., Conner W. Т., Alzaben Т., Barnard H., Gehlert K., Scipione D. In situ monitoring of product wafers. // Solid State Technol. 1996. V. 39. №3. P. 63-68.

33. Wong К., Boning D. S., Sawin H. H„ Butler S. W., Sachs E. M. Endpoint prediction for polisilicon plasma etch via optical emission interferometry // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. V. 15. № 3. P. 1403-1408.

34. Данилин Б. С. Вакуумная техника в производстве интегральных схем / Под ред. Р. А. Нилендера. М.: Энергия, 1972. - 256 с.

35. Данилин Б. С., Кузнецов М. Н. Статические и динамические характеристики термических испарителей // Электронная техника,- Серия 6 Микро-электроника-1971- вып.2 С. 70-74.

36. Мовчан Б. А., Малашенко И. С. Жаростойкие покрытия, осаждаемые в вакууме — Киев: Наукова думка, 1983.-232 с.

37. Глудкин О. П., Густов А. Е. Устройства и методы фотометрического контроля в технологии производства ИС. — М.: Радио и связь, 1981. 112 с.

38. Орликовский А. А., Руденко К. В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I. // Микроэлектроника, 2001, Т. 30, № 2, с. 85-105.

39. Орликовский А. А., Руденко К. В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть II. // Микроэлектроника, 2001, Т. 30, № 3, с. 163-182.

40. Орликовский А. А., Руденко К. В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV. // Микроэлектроника, 2001, Т. 30, № 6, с. 403-433.

41. Сергеев, Тарасов и др. Доработка ионно-плазменной установки УРМЗ.279.014 системами контроля парциального давления газов в разрядной камере и толщины получаемых диэлектрических пленок // Харьков, 1980, 16 с.

42. Пронюг В. Г. и др. Контроль толщин покрытий / Рига: ЛатНИИНТИ, 1988.-39 с.

43. Пленки и покрытия '98: Труды 5-й международной конференции «Пленки и покрытия '98», 23-25 октября 1998 г. // Под ред. В. С. Клубникина. -СПб., 1998.-504 с.

44. Павлова В. Т. Оптика тонких пленок и технология их нанесения. Часть I: Оптика тонких пленок. 1986. - 110 с.

45. Павлова В. Т. Оптика тонких пленок и технология их нанесения. Часть II: Способы нанесения оптических покрытий. 1988. - 82 с.

46. Сергеева А. И. Разработка и исследование исходных средств измерений толщины свободных пленок: Автореферат дисс. . к. т. н. (05.11.01) / НИИ метрологии им. Д. И. Менделеева. Л.: 1986 - 22 с.

47. Современные методы управления объемными и поверхностными свойствами тонких пленок: Тематический сборник научных трудов Лит. ССР / Каунасский политехнический институт им. Антанаса Снечкуса. Вильнюс: Б. П., 1985.- 152 с.

48. Rinshofer Н. W. Observations on the measurement of the actual serface temperature // Vacuum. 1980. - № 2. - P. 77-79.

49. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М.: Изд-во иностр. лит., 1964.-715 с.

50. Коваленко В. Ф. Теплофизические процессы и электровакуумные приборы. — М.: Советское радио, 1975. 216 с.

51. Труды Украинского вакуумного общества: Т. 3. Харьков, 1997. - 550 с.

52. Никитин М. М. Технология и оборудование вакуумного напыления. М.: Металлургия, 1992. - 112 с.

53. Костржицкий А. И., Лебединский О. В. Многокомпонентные вакуумные покрытия. М.: Машиностроение, 1987. - 208 с.

54. Мищенко В. П., Осечков П. П., Новиченко Л. Ф. Весовой измеритель толщины и скорости роста покрытий // Проблемы спец. электрометаллургии. 1986,-№4.-С. 51-55.

55. А. с. 182340 СССР, МКИ GO lb 7/06. Способ измерения толщины и скорости нанесения пленок / В. В. Устинов, Н. М. Григорьева, А. А. Гришин и др. (СССР). -№ 1002173/25-28; заявл. 03.04.65; опубл. 25.05.66, бюл. № И.-2с.

56. Ляпахин А. Б., Пьянков Б. Л., Горбачев Д. Б. Прибор для контроля толщины и скорости осаждения пленок при вакуумном испарении // Оптико-механическая промышленность, 1988. № 1. - С. 29-30.

57. Сокол В. А., Сухоруков С. С., Тельнов В. М. и др. Система лазерного контроля процессов плазмохимического травления // Электронная промышленность. -1989. № 1. - С. 57.

58. Буйко Л. Д., Дудич В. М., Калошкин Э. П., Колешко В. М., Лашицкий Э. К. Интерференционный метод измерения скорости травления диэлектрических пленок // Приборы и техника эксперимента. 1973. - № 2. - С. 240-241.

59. А. с. 890760 СССР, МКИ С23С 13/08. Устройство для контроля скорости осаждения и толщины пленок / В. А. Тучин, Н. Т. Ключник, А. И. Гуровfr (СССР). 13.05.80.

60. Оптический контроль в производстве тонких пленок в вакууме: Проспект фирмы Leybold-Heraeus, 1977. 6 с.

61. Process-Photometer OMS-2000. Leybold-Heraeus: Hanau, 1979. - 8 c. (Проспект фирмы Leybold-Heraeus).

62. Information neue Produkte: UNI VEX 450 Universelle Experimentiranlage. -Koln, 1981. - 4 s. (Проспект фирмы Leybold-Heraeus).

63. ЛЕИБОЛЬД АГ. Спектр производства / Проспект фирмы к международной выставке «Электротехнология» в г. Москве. Ханау. - Лейбольд АГ, 1990. - 130 с.

64. High-Vacuum Process System ВАК 600 for Production of Thin Films in the Optical and Electronics Industries. Liechtenstein: Balzers, 1982. -8 s. (Проспект фирмы Balzers).

65. Hochvakuum-Prozess-System ВАК 760 zur Herstellung Dunner Schichten fur die Optik und Elektronik. Liechtenstein: Balzers, 1986. - 12 s. (Проспект фирмы Balzers).

66. Проспект фирмы АЛЬКАТЕЛЬ для выставки «ЭЛЕКТРОНМАШ-82». -Париж: АЛЬКАТЕЛЬ, 1982. 8 с.

67. Фотоэлектрический контрольный измеритель толщины пленки серии ОРМ-6. Токио: СИНКУ КИКАЙ КОГИО КО., ЛТД, 1982. - 4 с. (Проспект фирмы SHINKU KIKAI KOGIO КО., LTD).

68. Измеритель толщины покрытий // Высшая школа России: Каталог научно-технических достижений. Машиностроение. Выпуск 1. Москва, Госкомитет Российской Федерации по высшему образованию, 1994.- с. 34.

69. Coating thinkness meter // Higher School of Russia: Catalog of scientific and technological advances. Machine building. Issue 1, Moscow, The State committee of the Russian Federation on higher education, 1994. p. 31.

70. Беламенков H. P., Карасев В. Б., Путилин Э. С., Финин П. Н. Влияние взаимного наполнения элементов вакуумной установки на распределение коэффициентов отражения градиентного зеркала. // Приборостроение, 2003. Том 46. -№ 8.

71. Семенова С. Э., Юдин В. В., Семенов Э. И. Математические методы измерения скорости осаждения диэлектрических пленок // Тонкие пленки в электронике. Тезисы XI Международной научно-технической конференции. 28-31 августа 2000 г., Йошкар-Ола, 2000. С. 36.

72. Дьяконов В. MATHCAD 8/2000: специальный справочник СПб: Питер, 2000.-592 с.

73. Гультяев А. Визуальное моделирование в среде MATLAB: учебный курс- СПб: Питер, 2000. 432 с.

74. Дьяконов В. Simulink 4. Специальный справочник. СПб: Питер, 2002. -528 с.

75. Холин А. А., Бруснецов Ю. А. Система управления вакуумным напылением.//Труды ТГТУ. 2001, № 10, с. 183-185.

76. Юдин А. В., Семенова С. Э. Анализ точностных характеристик фотометрического датчика толщины пленок // Датчики и системы. 2001. - № 11.- С. 44-46.

77. Новиков Ю. В., Калашников О. А., Гуляев С. Э. Разработка устройства сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC. Под общ. ред. Новикова Ю. Д. Практ. пособие М.: ЭКОМ, 1997 - 224 с.

78. Abeles F. // Comptes Rendus des Seances de l'Academie des Sciences.- Paris, 1949. V. 228.-P. 553.

79. Ruis-Urbieta M., Sparrow E. M., Eckert E. R. G. // J. Opt. Soc. of America. -1971. -61. -P. 351-359.

80. Pliskin W. A., Esch R. P. // J. of Appl. Phys. 1968. - V. 36. - № 6. - P. 2011.

81. Черняев В. Н., Обичкин Ю. Г., Семенов Э. И. Прибор для измерения показателя преломления тонких диэлектрических пленок // Оптико-механическая промышленность. 1975. - № 12. - С. 38 - 40.

82. Краткий справочник физико-химических величин. Под ред. К. П. Мищенко и А. А. Равделя.-JL: Химия, 1972.-200 с.