Автолокализованные электронные состояния в полиядерных ароматических системах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.17, кандидат физико-математических наук Тавлыкаев, Рамиль Фуатович
- Специальность ВАК РФ01.04.17
- Количество страниц 148
Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Тавлыкаев, Рамиль Фуатович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЩИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ И ОСНОВНЫЕ
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ АВТОЛОКАЛИЗОВАННОГО ЭЛЕКТРОНА В КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕДАХ.
1.1. Поляронная теория.
1.2. Статистическая теория.
1.3. Особенности захвата электрона в органических соединениях.
1.4. Коллективные свойства локализованных электронов.
1.4.1. Биполяроны.
1.4.2. Образование минизонного спектра.
1.4.3. Явление электронной кристаллизации по Вигнеру.
1.4.4. Солитонный механизм переноса заряда в молекулярных системах.
1.4.5. Аномальная проводимость тонких полимерных слоев.
ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКА, МЕТОДИКИ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ КОМПОНЕНТОВ И ОБРАЗЦОВ АРОМАТИЧЕСКИХ ПОЛИЯДЕРНЫХ СИСТЕМ.
2.1. Общая характеристика объектов исследований.
2.1.1. Полиядерные ароматические матрицы -полиариленсульфоноксиды и полиариленфталиды.
2.1.2. Полярные органические жидкости - ацетофенон и циклогексанон.
2.1.3. Наноразмерные частицы металлов.
2.2. Методика получения образцов ароматических систем с ультрадисперсными наполнителями.
2.2.1. Получение тонкоплёночных образцов полимеров.
2.2.2. Формирование наноразмерных частиц металлов в матрицах.
2.3. Методы исследований энергетического электронного спектра полимеров и наполнителей.
2.3.1. Диэлькометрия.
2.3.2. Фотоэлектронная спектроскопия.
2.3.3. Оптическая спектрометрия.
ГЛАВА 3. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ СПЕКТР
АРОМАТИЧЕСКИХ МАТРИЦ ВБЛИЗИ КРАЯ ОСНОВНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ И ВЛИЯНИЕ НА НЕГО СТРУКТУРНЫХ ИЗМЕНЕНИЙ СРЕДЫ.
3.1. Энергетическая структура электронного спектра ароматических матриц.
3.1.1. Ультрафиолетовые спектры поглощения ароматических матриц
3.1.2. Определение потенциала ионизации полиэфирсульфона.
3.2. Влияние наноразмерных частиц висмута на электронную структуру ароматических полиядерных систем.
3.3. Влияние дипольного момента структурного молекулярного звена на структуру энергетического электронного спектра и свойства полидифениленфталидов.
3.4. Выводы.
ГЛАВА 4. КИНЕТИКА ПРОЦЕССОВ АВТОЛОКАЛИЗАЦИИ ИЗБЫТОЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛИЯДЕРНЫХ АРОМАТИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ.
4.1. Влияние избыточных электронов на дисперсионные параметры молекулярных ароматических систем.
4.1.1. Определение дисперсионных параметров и расчёт микроскопических характеристик исследуемых систем.
4.1.2. Расчет параметров автолокализованных состояний.
4.2. Свойства избыточных электронов в двухкомпонентной системе ацетофенон/полиэфирсульфон.
4.3. Влияние дипольного момента структурного звена на диэлектрические свойства полидифениленфталида.
4.4. Влияние комплексов переходных металлов на электронную структуру полиэфирсульфона.
4.5. Полиядерные ароматические системы на основе полиэфирсульфона и наноразмерных частиц висмута и меди.
ВЫВОДЫ
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Химическая физика, в том числе физика горения и взрыва», 01.04.17 шифр ВАК
Композиционные полиядерные ароматические системы: Синтез, свойства, применение2002 год, доктор физико-математических наук Ягодкин, Василий Максимович
Особенности электронных свойств идеальных и облученных узкозонных сверхпроводников1984 год, доктор физико-математических наук Александров, Александр Сергеевич
Электронные свойства полупроводниковых структур, содержащих органические пленки политиофена и корбатина1999 год, кандидат физико-математических наук Комолов, Алексей Сергеевич
Электронные эффекты в термодинамике интеркалатных материалов с сильным электрон-решёточным взаимодействием2005 год, доктор физико-математических наук Титов, Александр Натанович
Оптические свойства полуметаллов висмут-сурьма в области плазменных эффектов2004 год, доктор физико-математических наук Степанов, Николай Петрович
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Автолокализованные электронные состояния в полиядерных ароматических системах»
Автолокализованные электронные состояния - одна из актуальных в настоящее время проблем физики конденсированного состояния. Современная тенденция к созданию веществ со сложной молекулярной структурой и изучению их электронных свойств стимулирует работы по исследованию автолока-лизованных состояний в неупорядоченных средах. В настоящее время наибольший интерес вызывают исследования автолокализованных электронных состояний в различных высокомолекулярных соединениях - полимерах, биологических макромолекулах. Особую актуальность эти исследования приобрели благодаря проблеме электронного переноса в таких системах, так как существуют экспериментальные данные об аномально высокой скорости переноса заряда через молекулярные периодические структуры.
Исторически проблема автолокализованных электронных состояний возникла при изучении поведения избыточных электронов в конденсированных средах. Первые значительные работы в этой области были опубликованы Л.Д.Ландау и С.И.Пекаром [1-3] в 30-х - 40-х годах XX века и касались электронных свойств ионных кристаллов. Избыточный электрон, находящийся в таком кристалле, поляризует его. Эта поляризация, связанная со смещением ионов из положений равновесия, является инерционной и образует для электрона потенциальную яму, в которой он имеет дискретные энергетические уровни. Такое самосогласованное состояние избыточного электрона и окружающей его поляризованной среды было названо поляроном. Основными вопросами теории полярона, развитой на основе этих модельных представлений, были описание основного и возбуждённых состояний полярона в случае произвольной интенсивности электрон-фононного взаимодействия, поляронного переноса, влияния поляронных состояний на физические свойства исследуемых систем [4-7]. Особое внимание исследователей уделялось вопросам образования двухэлектрон-ных (биполяронных) состояний [8-11], что связано с возможным объяснением в рамках такой модели явления высокотемпературной сверхпроводимости [9]. 6
Теоретические методы, развитые в поляронной теории твёрдого тела, использовались в дальнейшем при изучении автолокализованных состояний избыточных электронов в жидкостях (т.н. сольватированных электронов) - воде, аммиаке, металлоаммиачных растворах и в ряде других [12-18, 21, 36].
К учёту влияния среды на процессы автолокализации носителей и взаимодействия их друг с другом сложились два подхода. В рамках одного из них среда, в которую «погружены» носители, выступает лишь как фон, определяя, например, диэлектрическую проницаемость при кулоновском взаимодействии. Другой подход состоит в рассмотрении среды как переносчика эффективного взаимодействия между носителями, играющего важную роль в коллективных эффектах.
Проблема автолокализации избыточных электронов, таким образом, тесно связана с проблемами электрон-фононного и электрон-электронного взаимодействия. Эти виды взаимодействий ответственны за различные эффекты, имеющие большое теоретическое и прикладное значение, в частности, фазовые электронные переходы, при которых незначительные изменения в структуре среды наблюдается значительная перестройка электронной подсистемы - изменяется энергетический спектр носителей, распределение их в к и г пространствах и т.д. [19]. Наибольший практический интерес представляют те из них, которые происходят при малом (по сравнению с концентрацией атомов) числе носителей и в слабых внешних полях.
Один из таких переходов, связанный с локализацией электронов в неупорядоченных конденсированных средах - электронная кристаллизация по Виг-неру, экспериментально наблюдавшаяся в жидком гелии [41]. Условия, при которых кулоновское взаимодействие между носителями заряда в электронном газе малой плотности и рассмотрении среды как непрерывного положительного фона может привести к их локализации и исчезновению проводимости, была получены в 1938 г. Вигнером. 7
Перекрытие волновых функций локализованных состояний может привести к формированию узкозонного энергетического электронного спектра в системе. Для веществ с узкими зонами возникшее взаимодействие между электроном и атомной подсистемой может стать причиной возникновения новых свойств в таких системах. Так, например, результаты теоретических исследований возбужденных состояний в квазиодномерных периодических структурах, описываемых нелинейными уравнениями, учитывающими взаимодействие внутримолекулярных возбуждений и избыточных электронов с локальными нарушениями трансляционной симметрии, указали на возможность переноса без потери энергии избыточных электронов через молекулярные периодические структуры [20].
Для реализации подобных эффектов коллективного поведения локализованных носителей необходимо наличие достаточного числа локализованных состояний в системе, которое, в свою очередь, зависит от химической природы вещества и технологии его получения. Особый интерес в этом отношении представляют полиядерные ароматические среды, например, полимеры, содержащие в цепи фенильные радикалы -о- . Исследования реакционной способности электрона относительно ароматических соединений показывают, что электрон взаимодействует с веществами данных классов как наиболее сильный электро-фильный реагент, причем местом его воздействия является, как правило, положительный центр кольца. Наличие в этом классе соединений тг-электронной подсистемы обусловливает некоторые особенности явлений захвата электронов в поляронные состояния [21]. Таким образом, этот класс материалов обладает достаточно высокой концентрацией центров захвата избыточных электронов, т.е. локализованных электронных состояний.
Создание в системе значительной концентрации избыточных электронов достигается инжекцией избыточных носителей заряда с созданием равномерного распределения их по всему объёму материала. Одна из возможностей для этого - формирование в ароматической матрице ультрадисперсных частиц ме8 таллов либо создание слоистых структур, состоящих из чередующихся плёнок металла и изолятора, как это предложено в [48]. Необходимо отметить также, что в тонких слоях материалов (~10мкм) достижение высокой концентрации избыточных носителей заряда возможно и без введения наполнителя, лишь за счёт инжекции электронов через поверхность образца.
На основании вышеизложенного следует, что представляет значительный научный и практический интерес изучение энергетической электронной структуры полиядерных ароматических систем, процессов захвата избыточных электронов в локализованные состояния, генерации и переноса носителей заряда между локализованными состояниями, роли обменного взаимодействия между кластерами неорганических наполнителей в процессах электропереноса в полиядерных ароматических средах, а также установление роли химической структуры и геометрии молекулярного звена в этих процессах.
Целью работы является определение влияния локализованных электронных состояний и структурных изменений на электрофизические свойства полиядерных ароматических систем.
В качестве объектов исследований выбраны ароматические полимеры, принадлежащие к классам полиариленсульфоноксидов и полиариленфталидов, полярные органические жидкости - ацетофенон и циклогексанон, а также на-норазмерные частицы висмута, меди, окислов железа.
Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:
• изучение энергетической электронной структуры ароматических полимеров вблизи основного края фундаментального поглощения;
• изучение кинетики автолокализации избыточных электронов в ароматических полиядерных системах - полимерах, композициях на их основе и полярных органических жидкостях; 9
• формирование в ароматической полимерной матрице ультрадисперсных кластеров металлов и исследование электрофизических свойств таких систем.
Решение этих задач обеспечивается комплексным изучением структуры, электрических, оптических, фотоэлектрических и эмиссионных свойств исследуемых объектов, а также ряда физико-химических свойств композиций на их основе.
Научная новизна. Изучено влияние автолокализованных избыточных электронов на дисперсионные параметры молекулярных ароматических систем и наблюдался фазовый электронный переход в полярной ароматической жидкости - ацетофеноне, обусловленный делокализацией избыточных электронов из поляронных состояний. Показаны конденсация локализованных электронов на введённых в полярную матрицу ацетофенона макромолекулах ароматического полиэфирсульфона и локальный разогрев носителей и захват их на возбуждённые состояния ароматических ядер.
Изучено влияние структурных превращений, инициированных введением в ароматические матрицы полиэфирсульфона и полидифениленфталида ультрадисперсных кластеров висмута, меди и железа, а также изменением диполь-ного момента мономеров путём введения в ароматическое ядро заместителей, на распределение электронной плотности в таких системах.
Практическая ценность работы состоит в разработке общего подхода к получению материалов, обладающих узкозонным электронным энергетическим спектром. Такие материалы, обладающие уникальными электрическими и оптическими свойствами, могут быть использованы для создания принципиально новых видов элементов микроэлектроники.
На защиту выносятся следующие положения:
• наличие в ароматических полиядерных системах состояний, ответственных за локализацию избыточных электронов;
10
• фазовый электронный переход в ароматической полярной жидкости, обусловленный формированием узкой зоны вследствие перекрытия волновых функций локализованных электронов и штарковским расщеплением энергетических уровней электрона;
• конденсация локализованных избыточных электронов на макромолекулах ароматического полимера, введённых в полярную матрицу - ацетофенон;
• разогрев электронной подсистемы и захват носителей на возбуждённые состояния ароматических ядер;
• формирование узкозонного энергетического электронного спектра в ароматической матрице полиэфирсульфона при введении в неё ультрадисперсных кластеров висмута и железа.
Апробация работы. Основные результаты работы были доложены на Всероссийской научной конференции «Актуальные вопросы механики, электроники, физики Земли и нейтронных методов исследований» (г.Стерлитамак, 1997 г.); республиканской конференции «Современные проблемы естествознания на стыках наук» (г.Уфа, 1998 г.); международной научной конференции «Химия и химические технологии - настоящее и будущее» (г. Стерлитамак, 1999 г.); региональной конференции «Резонансные и нелинейные явления в конденсированных средах» (г. Уфа, 1999 г.).
Материал диссертации изложен в четырёх главах. Первая глава представляет обзор публикаций, посвященных локализованным электронным состояниям в неупорядоченных средах. В этой главе рассмотрены основные теоретические представления о механизме локализации (сольватации) избыточного электрона, его влияния на структуру и свойства среды, коллективных свойствах сольватированных электронов и возникновении минизонного энергетического электронного спектра в таких средах.
Во второй главе дана общая характеристика объектов исследований -ароматических полимеров классов полиариленсульфоноксидов и полиарилен-фталидов, полярных органических жидкостей - ацетофенона и циклогексанона,
11 изложены оригинальные методики стабилизации ультрадисперсных кристаллов висмута, меди, окислов железа в полимерной матрице и получения образцов таких композиций для исследований. Кроме того, в этой главе описаны методы, использованные для изучения энергетического электронного спектра полученных материалов - диэлькометрия, фото - и автоэлектронная спектроскопия, оптическая спектрометрия.
В третьей главе представлены результаты исследований энергетической электронной структуры ароматических полимерных матриц - полиэфир-сульфона и полидифениленфталида. Здесь также рассмотрено влияние структурных изменений, инициируемых введением наполнителя и изменением ди-польного момента мономера на энергетический электронный спектр матрицы.
Четвёртая глава посвящена кинетике процессов автолокализации избыточных электронов в полиядерных ароматических средах и композиционных материалах на их основе. В этой главе приведены результаты изучения влияния концентрации сольватированных электронов на дисперсионные параметры ароматического соединения - ацетофенона и неароматического циклического соединения - циклогексанона, двухкомпонентной системы ацетофенон/поли-эфирсульфон, определены параметры локализованных состояний и характер проводимости в этих средах. Установлен характер влияния дипольного момента структурного звена полидифениленфталида на его электрофизические свойства, описано явление структурной перестройки матрицы полиэфирсульфона при введении кластеров, содержащих ионы железа, изложены результаты изучения электрофизических свойств композиционных материалов на основе полиэфирсульфона и наноразмерных частиц висмута и меди.
Материал диссертации изложен на 148 страницах машинописного текста, содержит 55 рисунков, 6 таблиц, 124 ссылки на литературу.
12
Похожие диссертационные работы по специальности «Химическая физика, в том числе физика горения и взрыва», 01.04.17 шифр ВАК
Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия1998 год, кандидат физико-математических наук Гафиатулина, Елена Саугановна
Релаксация электронных возбуждений в кристаллах оксида бериллия1999 год, кандидат физико-математических наук Баутин, Константин Викторович
Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма1998 год, доктор физико-математических наук Грабов, Владимир Минович
Люминесцентные исследования высокотемпературных сверхпроводников, фуллеренов и инертных криокристаллов с внедренными ионами с использованием синхротронного излучения1998 год, доктор физико-математических наук Станкевич, Владимир Георгиевич
Электронные возбуждения, люминесценция и радиационные дефекты в кристаллах двойных галогенидов щелочного металла-свинца APb2X5(A=K, Rb; X=Cl, Br)2008 год, кандидат физико-математических наук Смирнов, Андрей Алексеевич
Заключение диссертации по теме «Химическая физика, в том числе физика горения и взрыва», Тавлыкаев, Рамиль Фуатович
Выводы
1 ^ Ч
1. В АЦФ при концентрации избыточных носителей >2,5-10 см" наблюдается фазовый электронный переход, обусловленный перекрытием волновых функций локализованных состояний и образованием узкой (2-10" эВ) зоны, по которой осуществляется перенос заряда в системе. В ЦГН при тех же значениях концентрации носителей такой переход не наблюдается, что, по-видимому, связано с большей разупорядоченностью молекулярной структуры ЦГН, а также отличными от имеющих место в АЦФ энергетических параметров автолокализованных состояний.
Автолокализованные электронные состояния в ацетофеноне характеризуются следующими значениями параметров: энергия основного состояния Е]$= -1,91 эВ, возбужденного Е2р= -1,00 эВ, средний и боровский радиусы в 1б состоянии равны 4,3 и 2,8 А, в 2р состоянии - 7,3 и 5,9 А соответственно.
2. При введении в ацетофенон полиэфирсульфона наблюдается конденсация локализованных электронов на макромолекулах. Узкозонный спектр обеспечивает возможность локального разогрева электронной подсистемы, механизм электропереноса носит солитонный характер.
3. При локальном разогреве электронной подсистемы наблюдается переход между минизонами, образованными 1б и 2р уровнями поляронных состояний, разность энергий которых составляет 0,9 эВ, что согласуется с рассчитанным значением энергии перехода Ь—>2р, а также переход электронов на возбуждённые состояния ароматических ядер с энергией более 3 эВ (относительно основного состояния 'А^).
4. Исследования энергетической электронной структуры ароматических матриц полиэфирсульфона и полидифениленфталида в области 185-1200 нм показали наличие трех зон состояний, представляющих собой проявление запрещенных «бензольных» переходов 'А^—>3В1Ш 'А^—>1Вги и 'А^—»'В^ с энергиями максимумов 3,5; 4,6 и 6,2 эВ соответственно. Высокие значения коэф
134 фициента поглощения в области переходов 'А^—»'Вги и 'А^—>1ВХи (104-105 см"1) указывают на значительное %-к или р-тг-сопряжение (делокализацию п-электронов) по полимерной цепи, причём степень делокализации больше в
13 3 1
ПДФ. Коэффициент поглощения полосы А1ё-> В1и менее 10 см" , что свидетельствует о том, что образующие эту зону триплетные состояния являются локальными.
5. По данным фотоэлектронной спектроскопии полиэфирсульфона, потенциал ионизации с основного состояния составляет 8±0,2 эВ. Обнаружен также пик, соответствующий потенциалу ионизации 5 эВ, что свидетельствует о наличии заполненных электронных состояний с энергией на 3 эВ выше основного. Это значение согласуется с энергией уровня В^ 3,3 эВ, определённой из анализа УФ-спектров поглощения ПЭС. Заполнение этих уровней происходит за счёт инжекции из металлического электрода.
6. Введение заместителей (атомов С1, Вг, С1М-групп) в молекулярное звено ПДФ вызывает расщепление и сдвиг переходов 'А^—^Вги и 'А^-^В^ в коротковолновую область, что вызвано уменьшением делокализации 7г-электронов из-за поворота фенильных групп друг относительно друга, а также влиянием л-электронов С№-групп на межмолекулярное взаимодействие в ПДФ, которое растет с увеличением концентрации заместителя. Перераспределение электронной плотности в ПДФ при введении заместителей приводит к изменению диэлектрической проницаемости и потерь исходного ПДФ, причём зависимость их от концентрации заместителей носит немонотонный характер.
7. Создание в матрице полиэфирсульфона кластеров окислов железа приводит к образованию комплексов вида ЬРе204, где Ь-ароматический лиганд. Возникающее между комплексами и многоядерной ароматической системой полимерной матрицы обменное взаимодействие приводит к перераспределению электронной плотности и формированию узкозонного энергетического электронного спектра в системе.
135
8. Введение в полиэфиреульфон наноразмерных частиц висмута приводит к перестройке электронного энергетического спектра системы и приданию ему узкозонного характера вследствие усиления обменного взаимодействия и заполнения локализованных состояний за счёт инжекции из частиц наполнителя. Край подвижности сдвигается с 3,95 эВ в чистом полиэфирсульфоне до 2,95 эВ в Вьнаполненном.
136
Заключение
Комплексные исследования дисперсионных характеристик полиядерных ароматических систем позволяют сделать вывод о существенном влиянии авто-локализованных (поляронных) состояний на их электрофизические свойства. В проведённых экспериментах наблюдались эффекты коллективного поведения автолокализованных электронных состояний.
В работе изучена энергетическая электронная структура исследованных систем и влияние на неё структурных превращений в полимерных матрицах, инициированных введением в них ультрадисперсных кластеров висмута, меди и железа, а также изменением дипольного момента мономеров путём введения в ароматическое ядро заместителей, на распределение электронной плотности в таких системах. Показано образование узкозонной электронной энергетической структуры, обусловленное высокой концентрацией заполненных локализованных электронных состояний.
По мнению автора, в работе определён один из возможных подходов к получению систем с узкозонным энергетическим электронным спектром. Комплекс свойств, которыми обладают исследованные системы, по-нашему мнению, представляет большую практическую ценность, прежде всего для получения нового класса материалов, которые могут найти широкое применение в микроэлектронике.
Автор выражает искреннюю благодарность своим научным руководителям - д.ф.-м.н. профессору Харрасову М.Х., к.т.н. доценту Ягодкину В.М., а также д.х.н. профессору Минскеру К.С. за высказанные в ходе обсуждений результатов исследований и текста диссертационной работы критические замечания и ценные советы.
137
Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Тавлыкаев, Рамиль Фуатович, 2000 год
1. Ландау Л.Д., Пекар С.И. Эффективная масса полярона // ЖЭТФ. 1948. -Т.18. - №5. - С.419-423.
2. Ландау Л.Д. Собрание трудов. Т. 1. М.:Наука, 1969. - 512 с.
3. Пекар С.И. Исследования по электронной теории кристаллов. М:Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1951. -256 с.
4. Поляроны / Под ред. Ю.А.Фирсов М.:Наука, 1975. - 432 с.
5. Клингер М.И. Автолокализованные состояния электронов и дырок // УФН. -1985.-Т.146.-№1.-С. 105-142.
6. Александров A.C., Кребс А.Б. // УФН. 1992. - Т. 162. - С.1-.
7. Лахно В.Д., Чуев Г.Н. Структура полярона большого радиуса в пределе сильной связи // УФН. 1995. - Т. 165. - №3. - С.285-298.
8. Винецкий В.Л., Гитерман М.Ш. К теории взаимодействия «лишних» зарядов в ионных кристаллах // ЖЭТФ. 1957. - Т.ЗЗ. - №3. - С.730-734.
9. Александров A.C. Биполяроны в узкозонных кристаллах // ЖФХ. 1983. -Т.57. - №2. - С.273-284.
10. Лахно В.Д. Адиабатическая теория биполярона // Изв. АН Сер. физ. 1995. -Т.59. -№8. - С.149-159.
11. Каширина Н.И., Моздор Е.В., Пашицкий Э.А., Шека В.И. Теория биполярона в узкозонных кристаллах // Изв. АН Сер. физ. 1995. - Т.59. - №8. -С.127-132.
12. Харт Э., Анбар М. Гидратированный электрон: Пер. с англ. В.И.Быковой, С.А.Кабакчи / Под ред. А.К.Пикаева. М.:Атомиздат, 1973. - 280 с.
13. Томпсон Дж. Электроны в жидком аммиаке: Пер. с англ. А.В.Цесаревского / Под ред. А.М.Бродского. М.:Мир, 1979. - 324 с.138
14. Яковлев Б.С. Избыточный электрон в неполярных молекулярных жидкостях // Успехи химии. 1979. - Т.48. - №7. - С. 1153-1179.
15. Догонадзе P.P., Кришталик Л.И., Плесков Ю.В. Энергетические характеристики избыточных электронов в полярных средах // Электрохимия. 1974. -Т.10. -№4. - С.507-514.
16. Ванников A.B. Сольватированный электрон в полярных органических жидкостях // Успехи химии. 1975. - Т.44. - № 11. - С. 1931 -1941.
17. Аморфные полупроводники / Под ред. М.Бродски. Пер. с англ.: под ред. А.А.Андреева, В.А.Алексеева. М.: Мир, 1982. - 419 с.
18. Чуев Г.Н. Статистическая физика сольватированного электрона // УФН. -1999. Т.169. - №2. - С.155-170.
19. Кочелап В.А., Соколов В.Н., Венгалис Б.Ю. Фазовые переходы в полупроводниках с деформационным электрон-фононным взаимодействием. Киев: Наук, думка, 1984.- 180 с.
20. Давыдов A.C. Солитоны в молекулярных системах. Киев: Наук.думка, 1984.-288 с.
21. Пикаев А.К. Сольватированные электроны в радиационной химии. М.: Наука, 1986.-457 с.
22. Дейген М.Ф. // ЖЭТФ. 1954. - Т.26. - С.ЗОО.
23. Copeland D.A., Kestner N.R., Jortner J. // J. Chem. Phys. 1970. - V.53. -P.1189.
24. Балабаев H.K., Лахно В.Д. Делокализованные состояния избыточных электронов в кластерах // ЖФХ. 1995. - Т.69. - №8. - С. 1358-1362.
25. Лахно В.Д. Захват электронов полярными молекулами и кластерами в магнитном поле //Изв. АН Сер. физ. 1997. - Т.61. -№9. - С. 1836-1850.
26. Лахно В.Д. Связанные состояния электронов в кластерах инертных атомов в магнитном поле // Изв. АН Сер. физ. 1996. - Т.60, №9. - С.69-71.139
27. Лахно В.Д., Чуев Г.Н. // ЖХФ. 1992. - Т. ,№11.- С.382-38 .
28. Чуев Г.Н. Эффективный потенциал сольватированного электрона в неупорядоченной среде // ЖФХ. 1995. - Т.69. - №8. - С. 1375-1378.
29. Чуев Г.Н. Спектр поглощения сольватированного электрона в полярной неупорядоченной среде //ЖЭТФ. 1994. - Т. 105. - №3. - С.626-637.
30. Чуев Г.Н. Кластеризация инертных газов на избыточных электронах // Изв. РАН Сер. Физ. 1996. - Т.60. - №9. - С.2-6.
31. Чуев Г.Н. Теория среднего поля для избыточного электрона в поляризуемом плотном газе // Изв. РАН Сер. Физ. 1997. - Т.61. - №9. - С. 1770-1778.
32. Чуев Г.Н. Статистическая теория электрона, сольватированного в электролите // ЖЭТФ. 1999. - Т.115. - №4. - С.1463-1477.
33. Лахно В.Д. Адиабатическая теория 2Б- и ЗБ-биполяронов. // ЖФХ. 1995. -Т.69, №8. -С. 1379-1386.
34. Пекар С.И., Томасевич О.Ф. // ЖЭТФ. 1951. - Т.21. - С. 1233.
35. Лахно В.Д. Адиабатическая теория биполярона // Изв. АН Сер. физ. 1995. - Т.59. - №8. - С. 149-159.
36. Чуев Г.Н. Биполяронные состояния в полярной жидкости // Изв. АН Сер. Физ. 1995. - Т.59. - №8. - С.95-100.
37. Лахно В.Д. Биполяронные состояния электронов в кластерах // Изв. АН Сер. физ. 1996. - Т.60. - №9. - С.65-68.
38. Лахно В.Д. Время жизни биполяронных состояний в водном кластере // Изв. АН Сер. физ. 1997. -Т.61. -№9. - С. 1700-1701.
39. Богомолов В.Н., Кудинов Е.К., Фирсов Ю.А. О поляронной теории носителей тока в рутиле (ТЮ2) // ФТТ. 1967. - Т.9. - № 11. С.3175-3191.
40. Зайцев В.М., Шлиомис М.Н. Характер неустойчивости поверхности раздела двух жидкостей в постоянном поле // ДАН СССР. 1969. -Т. 188.-С.1261-1262.140
41. Шикин В.Б., Монарха Ю.П. Двумерные заряженные системы в гелии. М.: Наука, 1989. - 156 с.
42. Шикин В.Б. Возбуждение капиллярных волн в гелии вигнеровской решёткой поверхностных электронов // Письма в ЖЭТФ. 1974. - Т. 19. - С.647-650.
43. Монарха Ю.П., Шикин В.Б. К теории двумерного вигнеровского кристалла поверхностных электронов в гелии // ЖЭТФ. 1975. - Т.68. - С. 1423-1433.
44. Давыдов A.C. Солитоны в молекулярных системах Киев: Наукова думка, 1984. -288 с.
45. Давыдов A.C. Солитоны в квазиодномерных молекулярных структурах // УФН. 1982. - Т.138. - №4. - С.603-643.
46. Аномально низкое электрическое сопротивление тонких плёнок диэлектриков / Н.С.Ениколопян, Ю.А.Берлин, С.И.Бешенко, В.А.Жорин // Письма в ЖЭТФ.- 1981.-Т.ЗЗ.-№ 10. С.508-511.
47. Новое высокопроводящее состояние композиций металл-полимер / Н.С.Ениколопян, Ю.А.Берлин, С.И.Бешенко, В.А.Жорин // ДАН СССР. -1981. Т.258. - № 6. - С.1400-1404.
48. О возможном механизме аномально высокой проводимости тонких плёнок диэлектриков / Ю.А.Берлин, С.И.Бешенко, В.А.Жорин и др. // ДАН СССР. -1981. Т.260. №6. - С.1386-1390.
49. Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.Н. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении // Письма в ЖЭТФ. -1990. Т.52. - № 2. - С.742-745.
50. Скалдин O.A., Жеребов А.Ю., Лачинов А.Н. // Письма в ЖЭТФ. 1990. -Т.51.-С.141.
51. Поведение замещённых дифенилфталидов и соответствующих лактамов в условиях высокого давления и напряжения сдвига / А.А.Петров,141
52. М.Г.Гоникберг, С.Н.Салазкин и др. // Изв. АН СССР. Сер. хим. 1968. -№2. - С.279-285.
53. Эффект переключения с памятью и проводящие каналы в структурах металл полимер - металл / А.М.Ельяшевич, А.Н.Ионов, М.М.Ривкин,
54. B.М.Тучкевич //ФТТ. 1992. - Т.34. - № 11.-С.3457-3464.
55. Ионов A.M., Тучкевич В.М. К вопросу о сверхвысокой проводимости полипропилена // Письма в ЖТФ. 1990. - Т. 16. - № 16. - С.90-93.
56. Шиховцева Е.С., Пономарев O.A. Устойчивость перехода диэлектрик-металл в кислородосодержащих полимерах // Письма в ЖЭТФ. 1996. -Т.64. - № 7. С.468-472.
57. Измерение электрических свойств сверхтонких полимерных слоев / Н.С.Ениколопян, С.Г.Груздева, Н.М.Галашина и др. // ДАН СССР. -1985. Т.283. - № 6. - С.1404-1408.
58. Зависимость сопротивления сверхтонких слоев полипропилена от их толщины / С.Г.Смирнова, Л.Н.Григоров, Н.М.Галашина, Н.С.Ениколопян // ДАН СССР,- 1986.-Т.288.-№ 1. С.176-181.
59. Смирнова С.Г., Демичева О.В., Григоров JI.H. Аномальный ферромагнетизм окисленного полипропилена // Письма в ЖЭТФ. 1988. - Т.48. - № 4.1. C.212-214.
60. Смирнова С.Г., Шклярова Е.И., Григоров JI.H. О некоторых особенностях локальной проводимости тонких слоев полипропилена // ВМС(Б). 1989. -Т.31. - №9. - С.667-670.
61. Высокопроводящее состояние в плёнках окисленного полипропилена / В.М.Архангородский, Е.Г.Гук, А.М.Ельяшевич и др. // ДАН СССР. 1989. -Т.309. - № 3. - С.603-606.142
62. Разрушение сверхвысокой проводимости окисленного полипропилена критическим током / О.В.Демичева, Д.Н.Рогачёв, С.Г.Смирнова и др. // Письма в ЖЭТФ. 1990. - Т.51. - № 4. С.228-231.
63. Григоров JI.Н. О физической природе сверхпроводящих каналов в полярных эластомерах // Письма в ЖТФ. 1991. - Т. 17. - № 10. - С.45-50.
64. Андреев В.М., Григоров JT.H. Самопроизвольная генерация квазисвободных электронов в слабополярных каучукоподобных полимерах // ВМС(Б).1988. Т.30. - № 12.-С.885-888.
65. Сверхвысокая проводимость при комнатной температуре в окисленном полипропилене / В.М.Архангородский, А.Н.Ионов, В.М.Тучкевич, И.С.Шлимак // Письма в ЖЭТФ. 1990. - Т.51. - № 1. - С.56-61.
66. Природа электрофизических аномалий тонких плёнок полиуретана / О.В.Демичева, Л.Н.Григоров, В.М.Андреев и др. // ВМС(Б). 1990. - Т.32. -№ 9. С.659-662.
67. Ениколопян Н.С., Григоров JI.H., Смирнова С.Г. Возможная сверхпроводимость окисленного полипропилена в области 300 К // Письма в ЖЭТФ.1989. Т.49. - № 6. - С.326-330.
68. Григоров JI.H. О причинах локализации суперполяронов в эластомерной матрице и их конформационной аналогии с макромолекулами // ВМС(А). -1992. Т.34. - № 9. - С.74-78.
69. Русанов А.Л., Стадник Т.А., Мюллен К. Новые конденсационные полимеры с низкой диэлектрической проницаемостью // Успехи химии. 1999. - Т.68. -№8. - С.760-772.
70. Коршак В.В. Термостойкие полимеры. М.: Наука, 1969. - 411 с.
71. Виноградова C.B., Васнев В.А., Выгодский Я.С. Кардовые полигетероари-лены. Синтез, свойства и своеобразие // Успехи химии. 1996. - Т.65. - №3. - С.266-289.143
72. Итоги науки и техники. // Химия и технология высокомолекулярных соединений. 1986. - Т.21. - С.3-34.
73. Новый путь синтеза ароматических полимеров / С.Н.Салазкин, С.Р.Рафиков, Г.А.Толстиков, М.Г.Золотухин // ДАН СССР. 1982. - Т.262. - №2. - С.355-359.
74. Некоторые закономерности синтеза полидифениленфталида поликонденсацией п-(3-хлор-3-фталидил)дифенила / М.Г.Золотухин, В.А.Ковардаков, С.Н.Салазкин, С.Р.Рафиков // ВМС(А). 1984. - Т.26. - С. 1212-1215.
75. Синтез полиариленсульфоноксида на основе дихлордифениленсульфона и его свойства / В.М.Ягодкин, И.В.Крайнюченко, А.В.Васильев, Р.Г.Нигматуллина // 11-й межвузовский семинар по органическим полупроводникам. Тезисы докладов. Горький. - 1987. - С.37.
76. Синтез термостойких полимеров и их модификация с целью получения полимерных композиций: Отчёт по х/д №17141/45 от 1.07.1983 / БГУ. Уфа, 1984.- 15 с.
77. Повышение уровня интеграции микросборок на основе полимерных многослойных плёночных структур: Отчёт о НИР / БГУ; Руководитель Ягодкин В.М. Х/д №48-83; ГР №01.83.0064378. - Уфа,1983. - 115 с.
78. Помогайло А.Д. Полимер-иммобилизованные наноразмерные и кластерные частицы металлов // Успехи химии. 1997. - Т.66. - №8. - С.750-791.
79. Kreibig U. // Z. Phys. D.-Atoms, Molecules and Clusters. 1986. B.3. S.239.
80. Хайрутдинов Р.Ф. Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии. 1998. -Т.67. -№2. -С.125-140.
81. Wang Y., Herrón N.//J. Phys. Chem. 1991. V.95. P.525.
82. Трахтенберг JI.И., Герасимов Г.Н., Григорьев Е.И. Нанокластеры металлов и полупроводников в полимерных матрицах: синтез, структура и физико-химические свойства // Журнал физической химии. 1999. - Т.32, №2. -С.264-276.
83. Определение параметров модулирующего потенциала периодической структуры (сверхрешётки) на основе гетероперехода висмут сульфид висмута : Отчёт о НИР / БГУ; Руководитель Ягодкин В.М. - тема №64-77; -Уфа, 1978.-55 с.
84. Гарифуллин Н.М., Зубенко Ю.В., Ягодкин В.М. Определение работы выхода висмута и сульфида висмута автоэмиссионным методом // Радиотехника и электроника. 1976. -Т.21. - №11.- С.2438-2439.
85. Ягодкин В.М., Минскер К.С., Тавлыкаев Р.Ф. Влияние комплексов переходных металлов на электронную структуру ароматических полиядерных соединений. // Журнал прикладной химии. 2000. - Т.73. - №2. - С.287-290.
86. Калмыков Ю.П. Дисперсия диэлектрической проницаемости растворов полярных жидкостей // Химическая физика. 1990. - Т.9, №11. С. 1551-1557.145
87. Брант A.A. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. М.: Радио, 1963. - с.
88. Эме Ф. Диэлектрические измерения: Пер. с нем. М.: Химия, 1967. - 223 с.
89. Физические методы органической химии: Пер. с англ. М.: ИИЛ, 1954. -Т.3.-425 с.
90. Шестопалов В.П., Яцук К.П. Методы измерения диэлектрической проницаемости вещества на сверхвысоких частотах // УФН. 1961. - Т.74, №4. -С.721-755.
91. Кобеко П.П., Михайлов Г.П., Новикова З.И. Зависимость диэлектрической постоянной совместных полимеров от температуры // ЖТФ. 1949. - Т. 19. -№1. - С.116-119.
92. Сканави Г.И., Губкин А.Н. // ЖТФ. 1954. - Т.27, №6. - С.742-753.
93. Хиппель А.Р. Диэлектрики и их применение: Пер. с англ. / Под ред. Казарновского Д.М. Л.: Госэнергоатомиздат, 1959. - 336 с.
94. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы: Учебник. 7-е изд. Л.: Энергоатомиздат, 1985. - 304 с.
95. Поуп П., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах: Пер. с англ.: В 2 т. М.:Мир, 1986. - Т.2. - 480 с.
96. Загрубский A.A. Фотоэмиссионное исследование органических полупроводников: Дисс. .канд. физ-тех. наук. Л., 1971. - 167 с.
97. Петров В.В. Спектры парциальных сечений фотоэмиссии из тетрацена, 1,2-бензантрацена и тетратиотетрацена: Дисс. .канд. физ.-тех. наук. Л.: 1984.- 156 с.
98. Поуп М., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах: Пер. с англ.: В 2 т. М.: Мир, 1986. -Т.1.-844 с.
99. Коулсон Ч. Валентность: Пер. с англ. -М.: Мир, 1965. 426 с.146
100. Краснов К.С. Молекулы и химическая связь: Учебн. пособие для хим.-техн. вузов. 2 изд. перераб. и доп. - М.: Высш.шк., 1964. - 298 с.
101. Слэтер Дж. Электронная структура молекул: Пер. с англ. М.: Мир, 1966. - 588 с.
102. Пикок Т. Электронные свйства ароматических и гетероциклических молекул: Пер. с англ. М.: Мир, 1969. - 202 с.
103. Герцборг Г. Электронные спектры и строение многоатомных молекул: Пер. с англ. М.Мир, 1969. - 772 с.
104. Штерн Э., Тиммонс К. Электронная абсорбционная спектроскопия в органической химии. М.: Мир, 1974. - 245 с.
105. Кусаков М.М., Шиманко H.A., Шишкина М.В. Ультрафиолетовые спектры поглощения ароматических углеводородов: Атлас. М.: Изд-во АН СССР, 1963.-270 с.
106. Свердлова О.В. Электронные спектры в органической химии. 2 изд., перераб. - Л. :Химия, 1988.-248 с.
107. Келдыш Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. // ЖЭТФ. 1958. - Т.34. - №5. -С.1138-1141.
108. Франц В. Туннелирование, сопровождающееся поглощением фотонов (эффект Франца-Келдыша) / Туннельные явления в твердах телах: Пер. с англ. -М.: Мир, 1973.-421 с.147
109. Пиментел Г., Сиратли Р. Как квантовая механика объясняет химическую связь: Пер. с англ. М.: Мир, 1973. - 332 с.
110. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Майссела Д., Глэнга Р. Пер. с англ. В 2 т. - T.I. - М.: Сов. радио, 1977.-768 с.
111. Большаков Г.В., Ватаго B.C., Агрест Ф.Т. Ультрафиолетовые спектры гете-роорганических соединений. Л.:Химия, 1969.-499 с.
112. Справочник по дипольным моментам / Сост. Осипов O.A. М.: Высшая школа, 1971. - 416 с.
113. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков: учеб. пособие для вузов. Киев.: Вища школа. Головное изд-во, 1980. - 400 с.
114. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах: Пер. с англ. -М.:Мир,1973. 416 с.
115. Гросберг А.Ю., Хохлов А.Р. Физика в мире полимеров. М.:Наука, 1982. -208 с.
116. Илленбергер Е., Смирнов Б.М. Прилипание электрона к свободным и связанным молекулам // УФН. 1998. - Т. 168. - №7. - С.731-766.
117. Электрические свойства полимеров / Сажин Б.И., Лобанов A.M., Романовская О.С. и др.; под ред. Б.И.Сажина 3-е изд., перераб. Л.: Химия, 1986. -224 с.
118. Влияние химического строения простых и сложных ароматических полиэфиров на релаксационные свойства / Г.А.Клименко, А.П.Молотков, Л.И.Богданов // ВМС. 1975. - Т. 17. - №11. - С.2574-2581.
119. Ягодкин В.М., Минскер К.С., Тавлыкаев Р.Ф. Влияние структурных превращений в ароматических полисульфонах на их свойства // Башкирский химический журнал. 1998. - Т.5. - №5. - С.42-44.148
120. Догадкин Б.А., Донцов A.A. Прибор для измерения набухания при повышенных температурах // Коллоидный журнал. 1961. - Т.23. - №3. -С.346-347.
121. Ягодкин В.М., Минскер К.С., Тавлыкаев Р.Ф. Влияние структурных превращений в ароматических полисульфонах на их свойства / Современные проблемы естествознания на стыках наук: Сб. статей: В 2 т.-Уфа: Изд-во УНЦ РАН, 1998. Т.2.- С.83-86.
122. Ягодкин В.М., Васильев A.B., Абдрахманов Н.И. Электропроводящие гетерогенные системы на основе ароматических полисульфонов / Всесоюзная конференция «Фундаментальные проблемы современной науки о полимерах»: Тезисы докладов. Ленинград. - 1990. - С.25.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.