Атомные процессы на поверхностях Si при адсорбции Au, Ag, Pb, Cu тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Жачук, Руслан Анатольевич

• Жачук, Руслан Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Жачук, Руслан Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

ПОВЕРХНОСТИ.

1.1. Дифракция медленных электронов.

1.1.1. Поверхностная чувствительность метода.

1.1.2. Кинематическое приближение.

1.1.3. Когерентная длина электронов.

1.1.4. Влияние дефектов поверхности на вид дифракционных картин.

1.1.4.1. Домены поверхностной структуры.

1.1.4.2. Регулярные ступени.

1.1.4.3. Фасеточные плоскости.

1.1.5. Аппаратура ДМЭ.

1.1.6. Аппаратура ДМЭ-АПР.

1.2. Сканирующая туннельная микроскопия

1.2.1. Физические основы метода сканирующей туннельной микроскопии.

1.2.2. Конструкция сканирующего туннельного микроскопа.

1.2.3. Подготовка иглы.

1.3. Электронная оже-спектроскопия.

1.3.1. Физические основы метода электронной оже-спектроскопии.

1.3.2. Устройство установки ЭОС.

1.3.3. Количественный анализ методом ЭОС.

Глава 2. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

2.1. Поверхностные структуры на кремнии.

2.1.1. Обозначения поверхностных структур.

2.1.2. Поверхностные структуры чистых граней кремния.

2.1.2.1. Структура поверхности Si(l 11).

2.1.2.2. Структура поверхности Si(100).

2.1.2.3. Структуры поверхностей Si(l 10), Si(331) и Si(l 13).

2.1.3. Поверхностные структуры, индуцирумые адсорбцией % атомов металлов.

2.1.3.1. Обозначения мест адсорбции на грани Si(l 11).

2.1.3.2. Поверхностные структуры, индуцируемые Ag на поверхности Si(l 11).

2.1.3.3. Поверхностные структуры, индуцируемые Аи на поверхности Si(l 11).

2.1.3.4. Поверхностные структуры, индуцируемые РЬ т на поверхностях Si(l 11), Si(l00) и Si( 110)

2.1.3.5. Поверхностные структуры, индуцируемые Си на поверхностях Si(l 11), Si(100) и Si(l 10).

2.2. Морфология поверхности.

2.2.1. Равновесная форма кристалла (РФК) и классификация поверхностей.

2.2.2. Температурная зависимость РФК.

2.2.3. Влияние адсорбции примесей на РФК.

2.2.4. Чистые вицинальные поверхности Si(l 11).

2.2.5. Эпитаксиальный рост.

2.2.6. PocTAg на Si(lll).

2.3. Процедура подготовки образцов.

2.4. Калибровка источников металлов.

Глава 3. ВЛИЯНИЕ АДСОРБЦИИ АТОМОВ Аи И Ag НА СТРУКТУРУ

И МОРФОЛОГИЮ ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ Si(l 11)

3.1. Некоторые вопросы применения ДМЭ-АПР для анализа ц структуры поверхности.

3.1.1. Программное обеспечение для моделирования дифракционных картин.

3.1.2. Определение среднего расстояния между фасеточными плоскостями с помощью ДМЭ-АПР.

3.2. Влияние адсорбции атомов Аи на структуру и морфологию вицинальной поверхности Si(lll), отклоненной в направлении [112].

3.2.1. Адсорбция Au на вицинальной поверхности Si(l 11) при Г<800°С.

3.2.2. Адсорбция Au на вицинальной поверхности Si(l 11) при Г=800°С.

3.2.3. Структуры, индуцируемые атомами Au на поверхности Si(l 11):

2 V2I х2 ЛТ -Au, ЗТзхЗТз -Au, 2x2-Au.

3.3. Влияние адсорбции атомов Ag на структуру и морфологию вицинальных поверхностей Si(lll), отклоненных в направлениях [112] и [Т12].

3.3.1. Адсорбция Ag на вицинальной поверхности Si(l 11), отклоненной в а направлении [112] при 7,=550°С.

3.3.2. Адсорбция Ag на вицинальной поверхности Si(l 11), отклоненной в направлении [Т12] при Г=550°С.

3.3.3. Структуры, индуцируемые атомами Ag на поверхности Si(l 10)

Выводы по главе.

Глава 4. ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР СЕРЕБРА НА

ПОВЕРХНОСТИ Si(557). ф» 4.1. Квантово-размерные структуры.

4.1.1. Квантово-размерный объект.

4.1.2. Получение квантово-размерных структур.

4.2. Структура чистой поверхности Si(557) и ориентация ступеней высотой в три межплоскостных расстояния d(uj).

4.3. Формирование упорядоченных массивов наноточек и нанопроволок серебра на поверхности Si(557) при комнатной температуре.

Выводы по главе.

Ш Глава 5. ДИФФУЗИЯ СВИНЦА И МЕДИ ВДОЛЬ ЧИСТЫХ

ПОВЕРХНОСТЕЙ КРЕМНИЯ.

5.1. Диффузия вещества вдоль поверхности кристалла.

5.1.1. Общие положения.

5.1.2. Диффузия невзаимодействующих частиц.

5.1.3. Твердофазное растекание. ф 5.1.4. Особенности исследования процесса диффузии.

5.2. Диффузия Pb по поверхностям кремния (111), (110) и (100).

5.2.1. Особенности поведения РЬ на чистых поверхностях кремния.

5.2.2. Механизм диффузии РЬ вдоль поверхностей кремния.

5.2.3. Структуры, индуцируемые атомами РЬ на поверхности Si(l 10).

5.3. Перенос атомов Си вдоль поверхностей кремния (111), (100) и(110)

5.3.1. Механизм транспорта атомов Си вдоль поверхностей кремния.

5.3.2. Отличия форм концентрационных распределений на гранях кремния (111), (100) и (110)

Выводы по главе.

ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Атомные процессы на поверхностях Si при адсорбции Au, Ag, Pb, Cu»

Физика поверхности полупроводников является научной базой для развития микро- и наноэлектроники, поскольку рост пленочных структур, формирование низкоразмерных объектов со свойствами квантово-размерных систем определяются свойствами поверхности и протекающими на поверхности процессами.

Решение многих задач полупроводниковой электроники связано с использованием атомарно-чистых поверхностей, как, например, в методе эпитаксии из молекулярных пучков. Поэтому исследование структуры и морфологии атомарно-чистых поверхностей полупроводников, реконструкции поверхности, влияния на нее адсорбции инородных атомов, изучение поверхностной диффузии и начальных стадий роста слоев является важной и актуальной задачей.

В данной работе исследовались: формирование наноструктур серебра типа квантовых точек и квантовых проволок на поверхности Si(557), влияние адсорбции атомов Ag и Аи на структуру и морфологию вицинальных поверхностей кремния (111), механизмы диффузии атомов РЬ и Си вдоль сингулярных граней кремния.

Интерес к адсорбции на вицинальных поверхностях вызван потенциальной возможностью формирования на них квантово-размерных объектов, таких как квантовые проволоки. В то время как современные возможности литографии ограничены созданием элементов размерами менее 50 нанометров, исследуются новые способы создания микроэлектронных устройств, такие как самоорганизация. Одним из перспективных направлений является адсорбция на вицинальных поверхностях. Регулярно расположенные ступени могут изменить механизм роста во время адсорбции. Из-за присутствия потенциального барьера на краях террас, диффузия адатомов сильно анизотропна. Это открывает новые возможности в исследовании явлений самоорганизации, которые ведут к созданию одномерных структур. Для создания таких объектов необходимо иметь ступени без изломов на большой площади образца. Следовательно, необходимо научиться управлять морфологией и структурой вицинальных поверхностей, применяя различные режимы термообработки и адсорбируя различные элементы на поверхности. Например, адсорбция металлов на вицинальных поверхностях кремния при повышенных температурах часто вызывает фасетирование этих поверхностей. Направление пропускаемого через образец тока также может влиять на морфологию поверхности. При одном значении полярности приложенного напряжения поверхность может состоять из регулярно расположенных ступеней, в то время как при противоположной полярности поверхность состоит из террас и эшелонов ступеней.

В качестве материала подложки использовался кремний, так как структура и динамика ступеней на кремнии хорошо изучена, а также известны методы приготовления кремниевых поверхностей с высоким структурным совершенством. В работе использовались вицинальные грани кремния (111), отклоненные в направлениях [112] и [112]. Вицинальные грани кремния (111) характеризуются наличием ступеней с низкой плотностью изломов, так как размеры изломов кратны размеру ячейки 7x7 на террасах Si(lll). В то же время вицинальные грани Si(100) имеют более сложную структуру ступеней, состоящую из чередующихся гладких и изрезанных ступеней, которые не удается объединить в двойные ступени без изломов.

Для проведения экспериментов на вицинальных поверхностях Si(lll) были выбраны серебро (Ag), и золото (Аи), так как эти металлы являются немагнитными и не образуют соединений с кремнием. Это должно в будущем облегчить интерпретацию электронных свойств объектов. Кроме того, Ag и Аи на поверхностях кремния являются модельными системами для изучения роста металлов, из-за их инертности и малой растворимости в Si.

В работе исследовались механизмы диффузии атомов РЬ и Си вдоль поверхностей кремния (111), (110) и (100). В то время как диффузия адсорбированных атомов непосредственно влияет на процессы, происходящие при эпитаксии, в литературе имеется сравнительно мало данных относительно диффузии атомов различных элементов вдоль поверхности кремния. Исследования переноса атомов металлов вдоль поверхности кремния показали, что его механизмы для разных атомов могут отличаться. Так, например, из ранее полученных результатов следует, что атомы золота диффундируют непосредственно по поверхности кремния и коэффициенты их поверхностной диффузии зависят от поверхностной структуры, по которой происходит диффузия. Перенос же атомов никеля вдоль чистой поверхности кремния осуществляется путем их диффузии через объем с последующей сегрегацией на поверхность при охлаждении образца.

Интерес к исследованию диффузии Си вызван тем, что она в последнее время широко используется для изготовления проводников в микросхемах. Исследование диффузии РЬ по поверхностям кремния представляет большой научный интерес, так как недавно был обнаружен эпитаксиальный рост РЬ на поверхности Si(lll) при температуре кипения жидкого гелия, что свидетельствует о высокой подвижности атомов РЬ даже при этой низкой температуре.

Целью настоящей диссертационной работы является исследование с помощью ДМЭ, ДМЭ-АПР, СТМ и ЭОС влияния адсорбции атомов Ag и Au на структуру и морфологию вицинальных поверхностей Si(lll) и нахождение условий формирования наноструктур типа квантовых проволок и квантовых точек, а также исследование механизмов диффузии атомов РЬ и Си вдоль поверхностей кремния (111), (110) и (100).

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения с выводами.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Жачук, Руслан Анатольевич

Основные результаты диссертации изложены в следующих работах;

1. А. Е. Dolbak, В. Z. Olshanetsky, and R. A. Zhachuk. Effect of Ag adsorption on the structure and morphology of vicinal Si(lll) surfaces. II Physics of Low-Dimensional Structures 1999, v. 7/8, pp. 163-174.

2. C. Seifert, R. Hild, M. Horn-von-Hoegen, R. A. Zhachuk, B. Z. Olshanetsky. Au induced reconstructions on Si(lll). II Surface Science 2001, v. 488, pp. 233-238.

3. A. E. Долбак, P. А. Жачук, Б. 3. Ольшанецкий. Диффузия Си по чистой поверхности Si(lll). II Физика и техника полупроводников 2001, том 35, вып. 9, стр. 1063-1066.

4. R. Hild, С. Seifert, М. Kammler, F.-J. Meyer zu Heringdorf, M. Horn-von-Hoegen, R. A. Zhachuk, B. Z. Olshanetsky. Kinetics of Au induced faceting of vicinal Si(l 11). II Surface Science 2002, v. 512, pp. 117-127.

5. A. E. Долбак, P. А. Жачук, Б. 3. Ольшанецкий. Механизм диффузии Си вдоль поверхности Si(110). II Физика и техника полупроводников 2002, том 36, вып. 9, стр. 1031-1034.

6. М. Henzler, R. Zhachuk. The step structure of the Si(557) surface. II Thin Solid Films 2003, v. 428, pp.129-132.

7. A. E. Dolbak, R. A. Zhachuk, B. Z. Olshanetsky. Mechanism of Си transport along clean Si surfaces. II Central European Journal of Physics 2003, v. 3, pp. 463-473.

8. A. E. Dolbak, R. A. Zhachuk, and B. Z. Olshanetsky. Ag growth on Si(557) surface. И Physics of Low-Dimensional Structures 2003, v. 7/8, pp. 35-42.

9. A. E. Dolbak, R. A. Zhachuk, and B. Z. Olshanetsky. Surface diffusion of Pb on clean Si surfaces. II Central European Journal of Physics 2004, v. 2(2), pp. 254265.

10. P. А. Жачук, С. А. Тийс, Б. 3. Ольшанецкий. Формирование наноточек и нанопроволок серебра на поверхности Si(557). II Письма в ЖЭТФ 2004, том 79, вып. 8, стр. 467-469.

11. R. A. Zhachuk, S. A. Teys, A. E. Dolbak, B. Z. Olshanetsky. Formation of ordered arrays of Ag nanowires and nanodots on Si(557) surface. II Surface Science 2004, v. 565, N 1, pp. 37-44.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключение автор выражает глубокую признательность и благодарность научному руководителю д.ф.-м.н. Олынанецкому Б.З. за поддержку, внимание и постоянные дискуссии в ходе работы. Автор благодарит проф. Хенцлера М. и проф. Хорн-фон-Хогена М. за полезное и конструктивное обсуждение результатов. Автор благодарен доценту Чикичеву С.И. за критический анализ полученных результатов и информационную поддержку. Хочется также поблагодарить Долбака А.Е. и к.ф.-м.н. Тийса С.А. за длительную практическую помощь и тесное взаимодействие, без которых данная работа не могла быть выполнена.

Автор признателен всем сотрудникам лабораторий молекулярно-лучевой эпитаксии Института Физики Полупроводников (ИФП) и лаборатории физики поверхности Института Физики Твердого Тела (FKP) г. Ганновера за рабочую атмосферу.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Жачук, Руслан Анатольевич, 2004 год

1. Т. Nagao, S. Hasegawa, К. Tsuchie, S. 1.o, C. Voges, G. Klos, H. Pfhur, M. Henzler. Structural phase transitions of Si(lll)-(S XS)R30°-Au: Phase transitions in domain-wall configurations. II Phys. Rev. B, 1998, v. 57, N 16, pp. 10100-10109.

2. A. Petkova, J. Wollschlager, H.-L. Gtinter, M. Henzler. Formation and commensurate analysis of,, incommensurate " superstructures ofPb on Si(lll). II Surf. Sci. 2001, v. 471, N 1-3, pp. 11-20.

3. M. Horn-von Hoegen. Growth of semiconductor layers studied by spot profile analysing low energy electron diffraction. IIZ. Kristallogr. 1999, v. 214, pp. 1-75.

4. M. Henzler. Measurement of Surface Defects by Low-Energy Electron Diffraction.

5. И Appl. Phys. 1984, v. A 34, pp. 205-214.

6. M. Henzler. Quantitative evaluation of random distributed steps at interfaces andsurfaces. И Surf. Sci. 1978, v. 73, pp. 240-251.

7. M. Хенцлер. Электронная дифракция и дефекты поверхности. II В кн.: Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности под ред. X. Ибаха, Рига „Зинатне" 1980.

8. J. A. Kubby, J. J. Boland. Scanning tunneling microscopy of semiconductor surfaces. II Surf. Sci. Rep. 1996, v. 26, N 3-6, pp. 61-204.

9. H. Neddermeyer. Scanning tunnelling microscopy of semiconductor surfaces. II

10. Rep. Prog. Phys. 1996, v. 59, pp. 701-769.

11. P. W. Palmberg, G. E. Riach, R. E. Weber, N. C. Mac-Donnald. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. II Phys. Elek. Ind. Inc., Minnesota, 1972.

12. Д. Бриггс, M. П. Сих. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. II Москва „Мир" 1987.

13. К. Takayanagi, Y. Tanishiro, М. Takahashi. Structure analysis of Si(lll)-7*7 reconstructed surface by transmission electron diffraction. II Surf. Sci. 1985, v. 164, N 2/3, pp. 367-392.

14. В. Z. Olshanetsky, A. E. Solovyov, A. E. Dolbak, A. A. Maslov. Structures of clean and nickel-containing high Miller index surfaces of silicon. II Surf. Sci. 1994, v. 306, N3, pp. 327-341.

15. B. Z. Olshanetsky, S. A. Teys, and I. G. Kozhemyako. STM Studies of Vicinal Si(lll) and Si(331) Surfaces. II Phys. Low-Dim. Struct. 1998, v. 11/12, pp. 8592.

16. A. A. Baski, S. C. Erwin, L. J. Whitman. The structure of silicon surfaces from (001) to (111). И Surf. Sci. 1997, v. 392, N 1-3, pp. 69-85.

17. J. E. Northrup. Si(lll)-43 x S-Al: An Adatom-Induced Reconstruction. II Phys. Rev. Lett. 1984, v. 53, N 7, pp. 683-686.

18. S. Hasegawa, X. Tong, S. Takeda, N. Sato, T. Nagao. Structures and electronic transport on silicon surfaces. II Prog. Surf. Sci. 1999, v. 60, pp. 89-257.

19. Y. G. Ding, С. T. Chan and К. M. Ho. Theoretical investigation of the structure of the (S*S)R30°-Au/Si(lll) surface. II Surf. Sci. 1992, v. 275, N 3, pp. L691-L696.

20. J. Falta, A. Hille, D. Novikov, G. Materlik, L. Seehofer, G. Falkenberg and R. L. Johnson. Domain wall structure ofSi(lll)(S*S)R30°-Au. И Surf. Sci. 1995, v. 330, N 2, pp. L673-L677.

21. A. Petkova, J. Wollschlager, H. L. Giinter and M. Henzler. Formation of an intermediate 3x3 phase from Pb on Si(lll) at high temperature. И J. Phys.: Condens. Matter 1999, v. 11, pp. 9925-9932.

22. S. Hwang, R. E. Martinez, C. Liu, J. A. Golovchenko. High coverage phases of Pb on the Si(lll) surface: structures and phase transitions. II Surf. Sci. 1995, v. 323, N3, pp. 241-257.

23. L. Seehofer, D. Daboul, G. Falkenberg, R. L. Johnson. STM study of the incommensurate structures of Pb on Ge(lll) and Si(lll) surfaces. И Surf. Sci. 1994, v. 307-309, pp. 698-703.

24. J. M. Gomez-Rodriguez, J.-Y. Veuillen, R. C. Cinti. Scanning tunneling microscopy study of the Si(lll)-(S *S)-Pb mosaic phase. II Surf. Sci. 1997, v. 377-379, pp. 45-49.

25. E. Ganz, I. S. Hwang, F. Xiong, S. K. Theiss and J. Golovchenko. Growth and morphology ofPb on Si(lll). II Surf. Sci. 1991, v. 257, N 1-3, pp. 259-273.

26. L. Li, C. Koziol, K. Wurm, Y. Hong, E. Bauer and I. S. T. Tsong. Surface morphology ofPb overlayers grown on Si(100)-(2*1). II Phys. Rev. 1994, v. В 50, pp. 10834-10842.

27. H. Itoh, H. Tanabe, D. Winau, A. K. Schmid and T. Ichinokawa. Growth mode and surface structures of the Pb/Si(001) system observed by scanning tunneling microscopy. II h Vac. Sci. Technol. 1994, v. В12, pp. 2086-2089.

28. R. G. Zhao, J. F. Jia and W. S. Yang. Surface superstructures of the Pb/Si(001) system. И Surf. Sci. 1992, v. 274, N 2, pp. L519-L523.

29. J.-Y. Veuillen, J.-M. Gomez-Rodriguez and R. C. Cinti. Submonolayer Pb deposition on Si(100) studied by scanning tunneling microscopy. II J. Vac. Sci. Technol. 1996, v. В 14, pp. 1010-1014.

30. H. Oyama and T. Ichikawa. Structural study of reconstructions at Si(110)-Pb surfaces. II Surf. Sci. 1996, v. 357-358, pp. 476-480.

31. E. Daugy, P. Mathiez, F. Salvan, J. M. Layet. 7x7 Si(lll)-Cu Interfaces: Combined LEED, AES and EELS Measurements. II Surf. Sci. 1985, v. 154, N 1, pp. 267-283.

32. Т. Dceda, Y. Kawashima, H. Itoh, T. Ichinokawa. Surface Structures and Growth Mode of the Cu/Si(100) 2*1 Surface Depending on Heat Treatment. II Surf. Sci. 1995, v. 336, N1-2, pp. 76-84.

33. T. Dceda, Y. Kawashima, H. Itoh, T. Ichinokawa. Surface Structures and Growth Mode for the Cu/Si(110) Surfaces Depending on Heat Treatment. II Surf. Sci. 1995, v. 342, N 1-3, pp. 11-20.

34. C. Herring. Structure and properties of solid surfaces. // University of Chicago Press, 1953.

35. N. Cabrera and R. V. Coleman. The Art and Science of Growing Crystals. II New York, 1963.

36. E. D. Williams, N. C. Bartelt. Surface faceting and the equilibrium crystal shape. II Ultramicroscopy 1989, v. 31, pp. 36-48.

37. M. Horn-von Hoegen, H. Minoda, K. Yagi, F. Meyer zu Heringdorf, D. KShler. Macroscopic one-dimensional faceting of Si(100) upon Au adsorption. II Surf. Sci. 1998, v. 402-404, pp. 464-469.

38. B. Z. Olshanetsky and S. A. Teys. Phase transitions on clean and nickel containing vicinal Si(l 11) surfaces. II Surf. Sci. 1990, v. 230, N 1-3, pp. 184-196.

39. N. C. Bartelt, E. D. Williams, R. J. Phaneuf, Y. Yang, and S. Das Sarma. Orientational stability of silicon surfaces. II J. Vac. Sci. Technol. 1989, v. A 7, N 3, pp. 1898-1905.

40. R. J. Phaneuf, E. D. Williams, and N. C. Bartelt. Temperature dependence of vicinal Si(l 11) surfaces. II Phys. Rev. 1988, v. В 38, N 3, pp. 1984-1993.

41. J. Wei, X. S. Wang, J. L. Goldberg, N. C. Bartelt, and E. D. Williams. Step-Height Mixtures on Vicinal Si(lll) Surfaces. II Phys. Rev. Lett. 1992, v. 68, N 26, pp. 3885-3888.

42. A. Kirakosian, R. Bennewitz, J. N. Crain, Th. Fauster, J. L. Lin, D. Y. Petrovykh, and F. J. Himpsel. Atomically accurate Si grating with 5.73 nm period. II Appl. Phys. Lett. 2001, v. 79, N 11, pp. 1608-1610.

43. С. Y. Fong, M. D. Watson, L. H. Yang and S. Ciraci. Surfactant-mediated growth of semiconductor materials. II Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 2002, v. 10, pp. R61-R77.

44. L. Gavioli, K. R. Kimberlin, M. C. Tringides, J. F. Wendelken, and Z. Zhang. Novel Growth of Ag Islands on Si(lll): Plateaus with a Singular Height. II Phys. Rev. Lett. 1999, v. 82, N 1, pp. 129-132.

45. L. Huang, S. J. Chey, J. H. Weaver. Metastable structures and critical thicknesses: Ag on Si(lll)-7*7. И Surf. Sci. 1998, v. 416, N 1-2, pp. LI 101-L1106.

46. F. Moresco, M. Rocca, T. Hildebrandt, and M. Henzler. Growth of ultrathin nanostructuredAg films on Si(lll) 7*7: a SPA-LEED study. II Surf. Sci. 2000, v. 463, N 1, pp. 22-28.

47. G. Le Lay, K. Hricovini and J. E. Bonnet. Ultraviolet photoemission study of the initial adsorption ofPb on Si(100)-2*1. И Phys. Rev. 1989, v. В 39, pp. 39273930.

48. H. Dallaporta and A. Cross. Atomic Bonding at the Si-Au and Si-Си Interfaces. II Surf. Sci. 1986, v. 178, N 1-3, pp. 64-69.

49. R. P. Elliott. Constitution of Binary Alloys. II McGraw Hill, New York, 1965.

50. L. Seehofer, S. Huhs, G. Falkenberg, R. L. Johnson. Gold-induced facetting of

51. Si(lll). II Surf. Sci. 1995, v. 329, N 3, pp. 157-166.

52. M. Shibata, I. Sumita, M. Nakajama. Scanning-tunneling-microscopy study ofinitial stages of Au adsorption on vicinal Si(lll) surfaces. II Phys. Rev. 1996, v. В 53, pp. 3856-3860.

53. K. Aoki, T. Suzuki, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi. Au adsorption induced faceting and phase transitions of facet planes on the Si110. zone studied by UHV-REM. II Surf. Sci. 1998, v. 408, N 1-3, pp. 101-111.

54. M. Horn-von-Hoegen, F. J. Meyer zu Heringdorf, R. Hild, P. Zahl, Th. Schmidt,

55. E. Bauer. Au-induced giant faceting of vicinal Si(001). II Surf. Sci. 1999, v. 433435, pp. 475-480.

56. J. P. LaFemina. Total-energy calculations of semiconductor surface reconstructions. II Surf. Sci. Rep. 1992, v. 16, N 4-5, pp. 137-260.

57. M. Chester, T. Gustafsson. Geometric structure of the Si(lll)-(S *S)R30°-Ausurface. II Surf. Sci. 1991, v. 256, N 1-2, pp. 135-146.

58. L. D. Marks, D. Gozea, R. Feidenhans'l, M. Nielsen, R. L. Johnson. Au 6*6 on

59. Si(lll): evidence for a 2D pseudoglass. II Surf. Rev. Lett. 1998, v. 5, N 2, pp. 459-464.

60. D. Dornisch, W. Moritz, H. Schulz, R. Feidenhans'l, M. Nielsen, F. Grey, R. L.

61. Johnson. AufSi(lll): Analysis of the ( sqrt 3*sqrt 3 )R30° and 6*6 structures by in-plane x-ray diffraction. II Phys. Rev. 1991, v. В 44, pp. 11221-11230.

62. E. A. Khramtsova, H. Sakai, K. Hayashi, A. Ichimiya. One monolayer of gold onan Si(lll) surface: surface phases and phase transitions. II Surf. Sci. 1999, v. 433-435, pp. 405-409.

63. С. А. Тийс, И. Г. Кожемяко, Б. 3. Ольшанецкий. Исследование методом

64. СТМ морфологии чистых и содержащих Ag вицинальных поверхностей (111) кремния. II Поверхность 2000, N 11, стр. 19-26.

65. S. A. Teys, I. G. Kozhemyako, and В. Z. Olshanetsky. STM Study of the Structureand Morphology of Vicinal Si(lll) Surface at Ag Adsorption. II Phys. Low-Dim. Struct. 1999, v. 7/8, pp. 81-88.

66. O. P. Pchelyakov, Yu. B. Bolkhovityanov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. I. Yakimov, and B. Voigtlander. Molecular beam epitaxy of silicon-germanium nanostructures. II Thin Solid Films 2000, v. 367, N 1-2, pp. 75-84.

67. H. Omi and T. Ogino. Self-organization of Ge islands on high-index Si substrates. И Phys. Rev. 1999, v. В 59, N 11, pp. 7521-7528.

68. M. Kawamura, N. Paul, V. Cherepanov, and B. VoigtlSnder. Nanowires and

69. Nanorings at the Atomic Level. II Phys. Rev. Lett. 2003, v. 91, pp. 096102-1 -096102-4.

70. M. Jalochowski and E. Bauer. Growth of metallic nanowires on anisotropic Sisubstrates: Pb on vicinal Si(001), Si(755), Si(533), and Si(110). II Surf. Sci. 2001, v. 480, N3, pp. 109-117.

71. I. K. Robinson, P. A. Bennett, and F. J. Himpsel. Structure of Quantum Wires in

72. Au/Si(557). II Phys. Rev. Lett. 2002, v. 88, N 9, pp. 096104-1 096104-4.

73. M. Adelt, S. Nepijko, W. Drachsel, H. J. Freund. Size-dependent luminescence ofsmall palladium particles. H Chem. Phys. Lett. 1998, v. 291, pp. 425-432.

74. E. Hoque, A. Petkova, M. Henzler. Growth mode ofPb films on vicinal Si(lll). II

75. Surf. Sci. 2002, v. 515, N 2-3, pp. 312-322.

76. A. L. Wachs, A. P. Shapiro, Т. C. Hsieh, and Т. C. Chiang. Observation of filmstates and surface-state precursors for Ag films on Si(lll). II Phys. Rev. 1986, v. В 33, N2, pp. 1460-1463.

77. Б. И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках. II Государственное издательство физико-математической литературы, Москва, 1961.

78. Я. Е. Гегузин. Диффузия по реальной кристаллической поверхности. II Вкн.: Поверхностная диффузия и растекание. Под ред. Я. Е. Гегузина, Москва, Наука, 1969.

79. Н. Fujita. Diffusion with a Sharp Moving Boundary. II J. Chem. Phys. 1952, v. 21,1. N 4, pp. 700-705.

80. Ю. JI. Гаврилюк, В. Г. Лифшиц. Влияние поверхностных фаз на диффузиюзолота на кремнии. II Поверхность 1983, N 4, стр. 82-89.

81. А. Е. Dolbak, В. Z. Olshanetsky, S. I. Stenin, S. A. Teys, Т. A. Gavrilova. Effectof Nickel on Clean Silicon Surfaces: Transport and Structure. II Surf. Sci. 1989, v. 218, N 1, pp. 37-54.

82. M.Y.Lee and P.A.Bennett. Bulk Versus Surface Transport of Nickel and Cobalton Silicon. II Phys. Rev. Lett. 1995, v. 75, N 24, pp. 4460-4463.

83. А. Е. Долбак, Б. 3. Ольшанецкий, С. А. Тийс, Р. А. Жачук. Смена механизмадиффузии Ni на поверхности Si(lll) при адсорбции атомов Co. II Письма в ЖЭТФ 1997, том 66, вып. 9, стр. 611-614.

84. А. Е. Долбак, Б. 3. Ольшанецкий, С. А. Тийс. О механизме переноса никелявдоль поверхности Si(lll) в присутствии адсорбированных атомов кобальта. // Письма в ЖЭТФ 1999, том 69, вып. 6, стр. 423-425.

85. А. Е. Dolbak, В. Z. Olshanetsky, R. A. Zhachuk. On Ni Diffusion at Si(lll) Surface at Fe Coadsorption. II Phys. Low-Dim. Struct. 1998, v. 9/10, pp. 97104.

86. J. Slezak, V. Chab, Z. Chvoj and P. Mutombo. Study of Pb diffusion on Si(lll)7x7) with scanning tunneling microscopy: Low coverage. II J. Vac. Sci. Technol. 2000, v. В 18, pp. 1151-1155.

87. J. M. Gomez-Rodriguez, J. J. Saenz, A. M. Baro, J.-Y. Veuillen and R. C. Cinti.

88. Real-Time Observation of the Dynamics of Single Pb Atoms on Si(l 11)-(7*7) by Scanning Tunneling Microscopy. II Phys. Rev. Lett. 1996, v. 76, N 5, pp. 799802.

89. A. Petkova, J. WollschlSger, H.-L. Gunter and M. Henzler. Order and disorder inultrathin Pb films grown on Si(lll) 7x7 substrates at low temperatures. II Surf.Sci. 2001, v. 482-485, pp. 922-927.

90. K. Budde, E. Abram, V. Yeh and M. C. Tringides. Uniform, self-organized, seven-step height Pb/Si(l 11)-(7*7) islands at low temperatures. II Phys. Rev. 2000, v. В 61, N 16, pp. 10602-10605.

91. E. R. Weber. Transition Metals in Silicon. И Appl. Phys. 1983, v. A 30, pp. 1-22.

92. A. A. Istratov, Ch. Flink, H. Hieslmair, E. R. Weber. Intrinsic Diffusion Coefficient of Interstitial Copper in Silicon. II Phys. Rev. Lett. 1998, v. 81, N 6, pp. 1243-1246.