Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (λ=1.6-1.85 мкм тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Лютецкий, Андрей Владимирович

• Лютецкий, Андрей Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лютецкий, Андрей Владимирович

Введение.

Глава 1. Полупроводниковые лазеры на основе квантово-размерных 1гЮаАзР/1пР и АЮа1пАз/1пР гетероструктур раздельного ограничения (обзор литературы).

§1.1. Основные этапы создания гетеролазеров с квантовыми ямами.

§1.1.1. Лазеры на основе двойных гетероструктур.

§1.1.2. Лазеры с расширенным волноводом.

§1.1.3. Внутренние потери в симметричных гетероструктурах с расширенным волноводом.

§1.1.4. Асимметричные лазерные гетероструктуры.

§1.2. Гетеролазеры ближнего инфракрасного диапазона на основе твердых растворов, изопериодических с 1пР.

§1.2.1. Гетеролазеры с длиной волны излучения 1.3 — 1.55 мкм на основе твердых растворов, изопериодических с 1пР.

§ 1.2.2. Гетеролазеры с длиной волны излучения 1.7 — 2.2 мкм на основе твердых растворов, изопериодических с 1пР.

Выводы к главе 1.

Глава 2. Исследование гетероструктур 1пОаАзРЯпР и АЮа1пАзЯпР с напряженной квантово-размерной активной областью.

§ 2.1. Влияние деформации на энергетическую зонную структуру полупроводников со структурой цинковой обманки.

§ 2.2. Влияние деформации на глубину квантовых ям и положения уровней, размерного квантования для электронов и дырок в напряженной квантовой яме.

§ 2.3. Влияние состава и деформации слоя квантовой ямы на длину волны излучения.

§ 2.4. Влияние состава твердого раствора волноводного слоя на длину волны излучения.

§ 2.5. Критическая толщина активной области и выбор оптимальной толщины активной области.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Асимметричные 1пОаАзР/1пР и АЮаГпАзЛпР гетероструктуры раздельного ограничения с расширенным волноводом и непрерывные лазеры на их основе.

§ 3.1. Внутренние оптические потери в гетероструктурах на основе твердых растворах 1пОаАзРЯпР и АЮа1пАз/1пР.

§3.1.1. Внутренние оптические потери.

§3.1.2. Внутризонные переходы.

§ 3.1.3. Внутренние оптические потери, обусловленные межзонными переходами.

§ 3.2. Симметричные и асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения в системе твердых растворах ЪЮаАзРЛпР и

АЮа1пАз/1пР.

§ 3.3. Исследования излучательных свойств симметричных и асимметричных АЦпОаАэЯпР гетероструктур раздельного ограничения.

§ 3.4. Исследования излучательных свойств симметричных и асимметричных 1пОаАзРЯпР гетероструктур раздельного ограничения.

Выводы к главе 3.

Глава 4. Импульсные лазеры на основе асимметричных АЮаЬъАзЛпР гетероструктур раздельного ограничения с, расширенным волноводом.

§ 4.1. Импульсные лазеры на основе АЮаГпАзЯпР гетероструктур

раздельного ограничения.

§ 4.2. Исследование спектральных характеристик импульсных лазеров на основе АЮа1пАз/1пР гетероструктур раздельного ограничения.

§ 4.3. Исследование концентрации носителей заряда в активной области за порогом генерации импульсных лазеров на основе

АЮа1пА8/1пР гетероструктур раздельного ограничения.

§ 4.4. Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (λ=1.6-1.85 мкм»

Актуальность темы.

Мощные полупроводниковые лазеры в настоящее время можно выделить в отдельный подкласс полупроводниковых лазеров. Область применения мощных полупроводниковых лазеров распространяется на системы навигации, мониторинга и системы специального назначения, а также технологические системы обработки, сварки, резки и испарения материалов. Отдельным направлением применения мощных полупроводниковых лазеров являются медицинские применения: нейрохирургия, офтальмология, урология и пластическая хирургия. Лазеры с различной длиной волны излучения позволяют изменять глубину проникновения в ткани. В офтальмологии селективность лазерного излучения позволяет избирательно воздействовать на различные ткани глаза, что дает возможность расширить круг болезней, для лечения которых может использоваться лазерное излучение. В нейрохирургии использование длинноволнового лазерного излучения позволяет уменьшить размеры области необратимых повреждений тканей мозга до нескольких десятков микрон.

Благодаря высокой эффективности преобразования электрической энергии в оптическое излучение (КПД=75%), главным применением мощных полупроводниковых лазеров является накачка оптических усилителей, твердотельных и волоконных лазеров. Огромное количество материалов для накачки на основе кристаллов, легированных ионами переходных металлов, предъявляют требования к расширению диапазона длин волн излучения мощных полупроводниковых лазеров. Например; вызывает повышенный интерес длина волны 1.8 мкм, совпадающая с максимумом спектра поглощения ионов Сг2+ в 2п8е. На диапазон длин волн 1.6-1.9 мкм приходится огромное количество полос поглощения в других материалах. Поэтому этот диапазон является столь же востребованным насколько сложным к освоению в связи со свойствами исходных полупроводниковых твердых растворов 1пОаАзР/1пР и АЮа1пАз/1пР, которые обладают высокими внутренними оптическими потерями, повышенной оже-рекомбинацией и поглощением в отщепленную 80-подзону. Несмотря на огромные успехи в развитии мощных полупроводниковых лазеров на квантовых точках, диапазон длин волн 1.6-1.9 мкм остается за гетероструктурами на основе твердых растворов 1пОаАзР/1пР и АЮаЬгАвЛпР.

Таким образом, разработка гетероструктур, излучающих в диапазоне длин волн 1.6-1.9 мкм, и создание мощных полупроводниковых лазеров с низкими внутренними потерями на их основе являются актуальными задачами как с научной, так и с практической точек зрения.

Основная цель работы заключалась в исследовании свойств симметричных и асимметричных лазерных ЪЮаАэРЛпР и АЮаХпАэЛпР гетероструктур раздельного ограничения и разработке на их основе мощных источников излучения в диапазоне длин волн 1.6-1.85 мкм.

Для достижения поставленной цели решался следующий комплекс задач.

1. Разработка асимметричных ЫЗаАБРЛпР и АЮа1пАз/1пР гетероструктур с низкими оптическими потерями и максимально возможной длиной волны излучения.

2. Исследование факторов, ограничивающих максимально достижимую мощность источников излучения в диапазоне длин волн X = 1.6-1.85 мкм.

3. Создание и исследование свойств мощных многомодовых импульсных и непрерывных источников, излучения на основе асимметричных 1п6аАБРЯпР и АЮа1пАз/1пР гетероструктур раздельного ограничения.

Представляемые к защите научные положения и результаты. Научные положения.

1. В 1пОаАзРЛпР и АЮа1пАБ/1пР гетероструктурах, имеющих значительно большие внутренние оптические потери по сравнению с

АЮаАз/ОаАзЛпОаАэ гетероструктурами, расширение волновода до 2.8 мкм снижает внутренние оптические потери до 1 см"1 в диапазоне длин волн А, = 1.6-1.85 мкм.

2. Применение в асимметричных 1пОаАзР/1пР и АЮаГпАэАпР гетероструктурах сжато-напряженных слоев твердых растворов ЬЮаАз в качестве активных областей позволило получить мощное лазерное излучение на длинах волн до 1.85 мкм при высоких уровнях накачки в непрерывном и импульсном режимах генерации.

3. Рост концентрации носителей заряда в активной области полупроводникового лазера за порогом генерации усиливает вклад процесса оже-рекомбинации в насыщение интенсивности стимулированного излучения.

4. Выполнение условий инверсной заселенности в кулоновской яме волноводного слоя полупроводникового лазера при высоком уровне накачки ведет к срыву генерации излучения в активной области.

Результаты:

1. Разработаны и созданы методом МОС-гидридной эпитаксии асимметричные 1пОаАзР/1пР и АЮа1пАзЯпР гетероструктуры раздельного ограничения с внутренними оптическими потерями порядка 1 см"1 на длине волны генерации 1.85 мкм.

2. В системе твердых растворов ¡пОаАйРЛпР и АЮа1пАз/1пР созданы многомодовые полупроводниковые лазеры, излучающие на длине волны 1.85 мкм оптическую мощность 2.5 Вт в непрерывном и. 20 Вт в импульсном режимах генерации.

Научная новизна.

1. Экспериментально показано, что в 1пОаАзР/1пР и АЮа1пАз/1пР гетероструктурах раздельного ограничения с высоким уровнем внутренних оптических потерь,, расширение волновода позволяет снизить внутренние оптические потери до 1 см"1.

2. Применение сжато-напряженных слоев твердых растворов 1гЮаАз в качестве активных областей в асимметричных 1пОаАзР/1пР и АЮа1пАз/1пР структурах позволяет при высоких уровнях накачки в непрерывном и импульсном режимах генерации расширить диапазон длин волн излучения до 1.85 мкм.

3. Установлено, что рост концентрации носителей заряда в активной области 1пОаАБРЯпР и АЮа1пАзЯпР полупроводниковых лазеров за порогом генерации делает определяющим вклады процессов оже-рекомбинации и поглощения в спин-орбитально отщепленную зону в насыщение стимулированного излучения.

4. Показано, что выполнение условий инверсной заселенности в кулоновской яме волноводного слоя полупроводникового лазера при высоком уровне накачки ведет к срыву генерации излучения в активной области.

Практическая ценность:

1. Разработаны асимметричные 1пОаАБРЯпР и АЮа1пАзЯпР гетероструктуры раздельного ограничения с внутренними оптическими потерями порядка 1 см*1, излучающие на длине волны 1.85 мкм.

2. В одиночных лазерах на основе асимметричных гетероструктур в системе твердых растворов 1пОаАэРЯпР и АЮаГпАзЯпР мощность оптического излучения в непрерывном режиме генерации доведена до 2.5 Вт.

3. В одиночных лазерах на основе асимметричных гетероструктур в системе твердых растворов 1пОаАзРЯпР и АЮа1пАзЯпР мощность оптического излучения в импульсном режиме генерации доведена до 20 Вт.

Приоритет результатов:

В диссертации впервые применена модель асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом для снижения внутренних оптических потерь в системе твердых растворов АЮа1пАзЯпР и ЬЮаАзРЯпР. Оптические характеристики лазерных диодов (величины внутренних оптических потерь - 1см"1, непрерывной мощности - 2.5 Вт и импульсной - 20 Вт), изготовленных на основе разработанных гетероструктур (Х= 1.85 мкм), находятся на уровне лучших мировых результатов на момент написания работы.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на Международной Конференции «СЬЕО/ЕигореЛ2000», 2000, 10-15 сентября, Ницца, Франция; международном семинаре по инфракрасным источника излучения «М1С8'2001», 2001, 25-29 июня, С.Петербург; на 27-й Европейской Конференции по оптической связи «ЕСЮСГ01», 2001, 30 сентября-4 октября, Амстердам, Нидерланды; на 11-ой Международной Конференции «1С МОУРЕ XI», 2002, 3-7 июня, Берлин, Германия; на 4-м Российско-Белорусском семинаре по полупроводниковым лазерам и системам, 2002, 20-22 мая, Минск, Белоруссия; на 10-й и 11-й конференциях по лазерной оптике «1ХУ2003», 2003, 30 июня-4 июля, С.Петербург; на 8-й Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники 2007», Екатеринбург, 2007, 30 сентября - 5 октября; на 2-м симпозиуме по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур. Москва-Звенигород, 2009 г, 16-18 ноября.

Публикации.

По результатам диссертационной работы опубликовано 7 работ, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации;

Диссертация ¡состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитированной литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Лютецкий, Андрей Владимирович

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Разработаны и созданы методом МОС-гидридной эпитаксии асимметричные ЪгОаАэРЛпР и АЮа1пАз/1пР гетероструктуры раздельного ограничения с внутренними оптическими потерями порядка 1 см"1 на длине волны генерации 1.85 мкм.

2. Применение в асимметричных 1пСаАзР/1пР и АЮа1пАз/1пР гетероструктурах сжато-напряженных слоев твердых растворов 1пОаАБ в качестве активных областей позволило получить эффективную лазерную генерацию в диапазоне длин волн до 1.85 мкм при высоких уровнях накачки в непрерывном и импульсном режимах генерации.

3. Показано, что рост концентрации носителей заряда в активной области полупроводникового лазера за порогом генерации усиливает с током накачки вклад процесса оже-рекомбинации в насыщение стимулированного излучения полупроводниковых лазеров на основе системы твердых растворов ЬЮаАзРЯпР и АЮа1пАз/1пР.

4. Экспериментально показано, что выполнение условий инверсной заселенности в кулоновской яме волноводного слоя полупроводникового лазера при высоком уровне накачки ведет к срыву генерации излучения в активной области.

5. В системе твердых растворов 1пОаАзР/1пР и АЮа1пАзЯпР созданы многомодовые полупроводниковые лазеры, излучающие на длине волны 1.85 мкм оптическую мощность 2.5 Вт в непрерывном и 20 Вт в импульсном режимах генерации.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

AI. E.H. Голикова, В.А. Курешов, A.B. Лютецкий, H.A. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Мощные InGaAsP/InP -лазеры, излучающие на длине волны 1.8 мкм. Письма в ЖТФ, 2002, т. 28, вып. 3, с. 66-72. А2. A.B. Лютецкий, H.A. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, E.H. Голикова, И.С. Тарасов, Мощные одномодовые лазерные диоды с длинами волн излучения 1=1.7-1.8 мкм. Письма в ЖТФ, 2003, т. 29, вып.7, с. 55-63. A3. A.B. Лютецкий, А.Ю. Лешко, H.A. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, А.Ю. Андреев, Ю.А. Рябоштан, E.H. Голикова, И.С. Тарасов, 1.7-1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур. ФТП, 2003, т.37, в. 11, с.1394-1401.

A4. A.B. Лютецкий, К.С. Борщев, А.Д. Бондарев, Т.А. Налет, H.A. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, A.A. Мармалюк, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов. 1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAsAnP-гетероструктур. ФТП, 2007, т. 41, вып. 7, с. 883 - 887.

А5. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, A.B. Лютецкий, H.A. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (А,=1.0-1.8 мкм) в импульсном режиме генерации, ФТП, 2007, т. 41, вып. 8, с.ЮОЗ - 1008. А6. A.B. Лютецкий, К.С. Борщев, H.A. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (А, =1.0-1.9 мкм). ФТП, 2008, т. 42, вып. 1, с.106-112.

А7. A.B. Лютецкий, H.A. Пихтин, H.B. Фетисова, А.Ю. Лешко, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Ю.А. Рябоштан, A.A. Мармалюк, И.С. Тарасов. Мощные диодные лазеры (А. = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных InGaAsP/InP гетероструктур раздельного ограничения, ФТП, 2009, т. 43, вып. 12.

В заключение автор хотел бы выразить глубокую благодарность научному руководителю H.A. Пихтину за огромную помощь в решении поставленных научных задач; З.Н. Соколовой и И.С. Тарасову за повседневное внимание и обсуждение результатов работы; С.О. Слипченко, Н.В. Фетисовой, В.А. Капитонову, К.С. Борщёву, при непосредственном участии которых были выполнены исследования; A.B. Рожкову за оказанную помощь в решении технических задач; Д.А. Винокурову, А.Л. Станкевичу, А.Ю. Лешко, В.В. Васильевой, Т.Н. Дрокиной, Л.С. Вавиловой и H.A. Рудовой за работу по изготовлению образцов для исследований; а также всем сотрудникам лаборатории «Полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей» ФТИ им. А.Ф. Иоффе за всестороннюю поддержку.

Заключение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лютецкий, Андрей Владимирович, 2009 год

1. А.П. Богатов, Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, П.Г. Елисеев, Б.В. Свердлов, Е.Г. Шевченко. Квантовая Электроника, 1, 2294 (1974).

2. Ж.И. Алферов, Р.Ф. Казаринов, Авт. свид. СССР №28448, 1963.

3. Н. Kroemer. Proc. IEEE, 51, 1782 (1963).

4. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов,

5. Е.Л. Портной, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 1826 (1970).

6. I.Hayashi, M.B.Panish, P.W.Foy, S. Sumski. Appl.Phys.Lett., 17, 109 (1970).

7. Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, S.G. Konnikov, V.G. Nikitin, D.N. Tret'yakov.

8. Proc. Intern, conf. phys. and chem. of semicond. heterojunct. and layer struct. (Budapest, 0ct.l970), 1, 93 (1971).

9. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, Л.М. Долгинов, П.Г. Елисеев, М.Г. Мильвидский. Вестник АН СССР, 4, 31 (1978).

10. Ж.И. Алферов, А.Т. Гореленок, В.Н. Колышкин, П.С. Копьев, В.Н. Мдивани, И.С. Тарасов, В.К. Тибилов, A.C. Усиков. Письма в ЖТФ, 4, 1329(1978).

11. G.H.B. Thompson, P.A. Kirkby. IEEE J. Quant. Electron., 9, 311 (1973).

12. M.B Panish, H.C. Casey Jr., S. Sumski; P.W. Foy. Appl. Phys. Lett., 22, 590 (1973).

13. G.H.B. Thompson, P.A. Kirkby. Electron. Lett., 9, 295 (1973).

14. H.C. Casey Jr., M:B. Panish, W.O. Schlosser, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 45, 322 (1974).

15. L. Esaki. IEEE J.Quant.Electron., 22,1611 (1986).

16. И.Э. Беришев, Д.З. Гарбузов, C.E. Гончаров, Ю.В. Ильин, Э.У. Рафаилов, И.С. Тарасов, A.B. Михайлов, A.B. Овчинников. Письма в ЖТФ, 16, 35 (1990).

17. Д.З: Гарбузов, A.B. Овчинников, H.A. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 928 (1991).

18. A.R. Adams. Electron. Lett., 22,249 (1986).

19. E. Yablonovitch, Е.О. Kane. J. Lightwave Technol., 4, 504 (1986).

20. E. Yablonovitch, E.O. Kane. J. Lightwave Technol., 6, 1292 (1988).

21. J.W. Mattehws, A.E. Blakeslee. J. Crystal Growth, 27, 118 (1974).

22. P.J.A. Thijs, L.F. Tiemeijer, J.J.M. Binsma, T. Van Dongen. IEEE J.Quant.Electron., 30, 477 (1994).

23. S.L. Chuang. Phys.Rev.B, 43, 9649 (1991).

24. S.L. Chuang. Physics of Optoelectronic Devices (John Wiley & Sons, Inc., 1995).

25. D.Z. Garbuzov, L. Xu, S.R. Forrest, R. Martinelli and J.C. Conolli. Electron. Lett., 32, 1717(1996).

26. N.I.Katsavets, D.AXivshits, I.S.Tarasov. Proceeding of SPIE's on International Symp. 96 (San Jose, USA, 1996).

27. A. Al-Muhanna, L. Mawst, D. Botez, D. Garbuzov, R. Martinelli, J. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1998).

28. D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov and Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000).

29. Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, H.H. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001).

30. F. Bugge, G. Erbert, J. Fricke, S. Grämlich, R. Staske, H. Wenzel, U. Zeimer, and M. Weyers. Appl. Phys. Lett., 79, 1965 (1998).

31. V. Rossin, E. Zucker, M. Peters, M. Everett, B. Acklin. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5336,196 (2004).

32. H.A. Пихтин, C.O. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38, 374 (2004).

33. А.Ю. Лешко, A.B. Лютецкий, H.A. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34, 1457 (2000).

34. H.A. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 364 (2002).

35. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, H.A. Пихтин, З.Н. Соколова, A.JI. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 38, 1477 (2004).

36. JJ. Lee, L.J. Mawst, D. Botez. IEEE Photon. Technol. Lett., 14, 1046 (2002).

37. M. Buda, T.G. van de Roer, L.M.F. Kaufmann, Gh. Iordache, D. Cengher, D. Diaconescu, I.B. Petrescu-Prahova, J.E.M. Haverkort, W. van der Vleuten, J.H. Wolter. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron, 3, 173 (1997).

38. D. Botez. Appl. Phys. Lett., 74, 3102 (1999).

39. В. Ryvkin, E. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 113106-1 (2005).

40. B. Ryvkin, E. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 123103-1 (2005).

41. B. Ryvkin, E. Avrutin. Electron.Lett., 42, 1283 (2006).

42. B. Ryvkin, E. Avrutin. J. Appl. Phys., 101, 123115-1 (2007).

43. С.О. Слипченко, H.A. Пихтин, H.B. Фетисова, М.А. Хомылев, A.A. Мармалюк, Д.Б. Никитин, A.A. Падалица, П.В. Булаев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, 29, 26 (2003).

44. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40, 1413 (2004).

45. Д.А. Винокуров, C.A. Зорина, B.A. Капитонов, A.B. Мурашова, Д.Н. Николаев, A.JI. Станкевич, М.А. Хомылёв, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, A.B. Лютецкий, Т.А. Налёт, H.A. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005).

46. А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, A.B. Лютецкий, A.A. Мармалюк, Т.А. Налет, A.A. Падалица, H.A. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 628 (2006).

47. Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В1В. Шамахов, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, A.B. Лютецкий, Д.Н. Николаев, H.A. Пихтин, H.A. Рудова, З.Н. Соколова, С.О: Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 764 (2006>

48. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, A.B. Лютецкий, Д.Н. Николаев, H.A. Пихтин, A.B. Рожков, H.A. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич,

49. H.B. Фетисова, M.A. Хомылёв, B.B. Шамахов, K.C. Борщёв, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, 32, 47 (2006).

50. C.Q. Слипченко, З.Н. Соколова, H.A. Пихтин, К.С. Борщёв, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006).

51. В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, И. С. Тарасов, В.Б. Халфин, В.П. Чалый, A.B. Чудинов. ФТП, 19, 1420 (1985).

52. И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, A.B. Овчинников, З.Н. Соколова, A.B. Чудинов. ФТП, 19, 1496 (1985).

53. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, К.Ю. Кижаев, А.Б. Нивин, С.А. Никишин, A.B. Овчинников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, A.B. Чудинов. Письма в ЖТФ, 12, 210 (1986).

54. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, Д.А. Лившиц, A.B. Лютецкий, Д.Н. Николаев, H.A. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма в ЖТФ, 26, 40 (2000).

55. E.H. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, A.B. Лютецкий, H.A. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, 28, 66 (2002).

56. В. Laikhtman, А. Gourevitch, D. Donetsky, D. Westerfeld, G. Belenky. J.Appl. Phys., 95, 3880 (2004).

57. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, A.B. Лютецкий, H.A. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М:А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТД 41, 1003 (2007).

58. D. Garbuzov, М. Dubinskii. Technical Digest of Solid State and Diode Lasers Technology Review, 19 (2004).

59. D. Garbuzov, Ii Kudryashov, M. Dubinskii. AppL PHys. Lett., 86, 131115-1 (2005).

60. А.Д. Бондарев, Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, O.B. Коваленков, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, 24, 46 (1998).

61. З.Н. Соколова, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, H.A. Гунько, Г.Г. Зегря. ФТП, 33, 1105 (1999).

62. R.U. Martineiii, R.J. Menna, A. Triano, M.G. Harvey, G.H. Olsen. Electron.Lett., 30, 324 (1994).

63. J. Dong, A. Ubukata, K. Matsumoto. Jpn.J.Appl.Phys., 36, 5468 (1997).

64. L. Zheng, C.H. Lin, K.E. Singer, M. Missous. IEE Proc.-Optoelectron., 144, 360 (1997).

65. J-S. Wang, H-H. Lin, L-W. Sung. IEEE J.Quantum.Electron., 34, 1959 (1998).

66. A. Ubukata, J. Dong, K. Matsumoto. Jpn.J.Appl.Phys., 38, 1243 (1999).

67. R.U. Martineiii, N.K. Dutta. «Long-wavelength semiconductor lasers», (Van Nostrand Reinhold Company, New York, 1986).

68. G.K. Kuang, G. Böhm, M. Grau, G. Rösel, M.-C. Amann. Electron.Lett., 36, 634 (2000).

69. G.K. Kuang, G. Böhm, N. Graf, M. Grau, G. Rösel, R. Meyer, M.-C. Amann. Electron.Lett., 36, 1849 (2000).

70. G.K. Kuang, G. Böhm, N. Graf, M. Grau, G. Rösel, R. Meyer, M.-C. Amann. IEEE Photon.Technol.Lett., 13,275 (2001).

71. A. Ubukata, J. Dong, K. Suzuki, K. Matsumoto. Jpn.J.Appl.Phys., 40, 6406 (2001).

72. X. He, D. Xu, A. Ovtchinnikov, S. Wilson, F. Malarayap, R. Supe, R. Patel. Electron.Lett., 35,1343 (1999).

73. X. He, D. Xu, A. Ovtchinnikov, F. Malarayap, R. Supe, S. Wilson, R. Patel. Electron.Lett., 35, 397 (1999).

74. M. Maiorov, R. Menna, V. Khalfm, H. Milgazo, R. Matarese, D. Garbuzov, J. Connolly. IEEE Photon.Technol.Lett., 11, 961 (1999).

75. S. Vatnik, E. Balashov, A. Pavljuk, E. Golikova, A. Lyutetskiy. Opt.Commun., 220, 397 (2003).

76. Беришев И.Э., Гарбузов Д.З. и др. Письма ЖТФ, 16,2045 (1990).

77. S.Adachi. Physical properties of III — V Semiconductor Compounds (John Wiley & Sons, Inc., 1992)

78. R.E.Nahory, M.A.Pollak, W.DJohnston,Jr., R.L.Barns. Appl.Phys.Lett., 33, 659 (1978).

79. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley & Sons, Inc.), 1995

80. Ed. O.Madelung, Berlin, etc. Semiconductors Group IV Elements and III V Compounds. Springer-Verlag, 1991, 164 p.

81. J.W.Matthews. Epitaxial Growth (Academic Press, N.Y., 1975), pt В

82. К.Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)

83. Воробьев, Данилов, Зерова, Фирсов, ФТП, 2003, т.37, в.5, с.604

84. В.И.Фистуль. Введение в физику полупроводников (М. 1975)

85. H.A. Гунько, Г.Г.Зегря, Н.В.Зотова, З.Н.Соколова, Н.Н.Стусь, В.Б.Халфин. ФТП, 31, 1396 (1997).

86. N.A.Gun'ko, V.B.Khalfin, Z.N.Sokolova, G.G.Zegrya Optical loss in InAs-based long wavelength lasers. J.Appl.Phys., 84, 547 (1998).

87. W.P.Dumke, M.R.Lorenz, G.D.Pettit. Phys.Rev.B, 1, 4668 (1970).

88. Б.Л.Гельмонт, З.Н.Соколова, В.Б.Халфин. ФТП, 18, 1803 (1984).

89. И.А. Костко, В.П. Евтихиев, ЕЮ. Котельников, Г.Г. Зегря. ФТП, 33, 752 (1999).

90. А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, С.О.Слипченко, З.Н.Соколова, Н.В.Фетисова, А.Ю.Лешко, В.В.Шамахов, А.Ю.Андреев, Ю.А.Рябоштан, Е.Н.Голикова, И.С.Тарасов. ФТП, 37, 1394 (2003).

91. А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, С.О.Слипченко, Н.В.Фетисова, А.Ю.Лешко, Ю.А.Рябоштан, Е.Н.Голикова, И.С.Тарасов. Письма в ЖТФ, 29, 55 (2003).

92. Х.Кейси, М.Паниш. «Лазеры на гетероструктурах», (М., Мир, 1981).

93. А.В.Лютецкий, К.С.Борщев, Н.А.Пихтин, С.О.Слипченко, З.Н.Соколова, И.С.Тарасов. ФТП, 42,106 (2008).

94. J.S.Major, D.W.Nam, J.S.Osinski, D.F.Welch. IEEE Photonics Technol. Lett. 5, 594(1993).

95. H.K.Choi, S.J.Eglash. IEEE J.Quantum Electron., QE-27, 1555 (1991).

96. H.K.Choi, S.J.Eglash. Appl.Phys.Lett., 61, 1154 (1992).

97. E.Sorokin, S. Naumov, I.T. Sorokina. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 11, 690 (2005).

98. А.В.Лютецкий, К.С.Борщёв, А.Д.Бондарев, Т.А.Налет, НА.Пихтин, С.О.Слипченко, Н.В.Фетисова, М.А.Хомылев, А.А.Мармалюк, Ю.А.Рябоштан, В.А.Симаков, И.С.Тарасов. ФТП, 41, 883 (2007).

99. L.V.Asryan, S. Luiyi, R.A.Suris. IEEE J.Quant.Electron., 39, 404 (2003).

100. G. Fuchs, С. Schiedel, A. Hangleiter, V. Härle, F. Scholz. Appl.Phys.Lett., 62,396(1993).

101. Y. Zou, J. S. Osinski, P. Grodzinski, and P. D. Dapkus. Appl.Phys.Lett., 62, 175 (1993).

102. Z.N.Sokolova, D.I.Gurylev, N.A.Pikhtin, I.S.Tarasov. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 1721,2002) p.252.

103. Б.Л.Гельмонт, З.Н.Соколова, И.Н.Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982).

104. Б.Л.Гельмонт, З.Н.Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982).

105. Д.З.Гарбузов, В.В.Агаев, З.Н.Соколова, В.Б.Халфин, В.П.Чалый. ФТП, 18, 1069 (1984).

106. Б.Л.Гельмонт, З.Н.Соколова, В.Б.Халфин. ФТП, 17, 453 (1983).

107. Б.Л.Гельмонт, З.Н.Соколова, В.Б.Халфин. ФТП, 18, 1803 (1984).