Аппаратно-программные средства контроля характеристик воздействия при имитационных испытаниях интегральных схем на радиационную стойкость тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Артамонов, Алексей Сергеевич

• Артамонов, Алексей Сергеевич
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Артамонов, Алексей Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ СРЕДСТВА ПРОВЕДЕНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ИСПЫТАНИЙ ИС И СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ

ВОЗДЕЙСТВИЯ

1.1. Средства проведения радиационных испытаний.

1.2. Моделирующие установки и средства контроля их характеристик

1.3. Радиационные испытания с использованием рентгеновских имитаторов.

1.3.1. Основные требования к рентгеновским имитаторам.

1.3.2. Рентгеновский имитатор "РЕИС-ИМ".

1.3.3. Перспективы развития рентгеновских имитаторов.

1.4. Радиационные испытания с использованием лазерных имитаторов.

1.4.1. Основные требования к лазерным имитаторам.

1.4.2. Лазерный имитатор."Радон-5М".

1.4.3. Направления развития лазерных имитаторов.

1.5. Применение изотопных имитаторов для радиационных испытаний.

1.5.1. Основные требования к изотопным имитаторам.

1.5.2. Макет изотопного имитатора.

ГЛАВА 2. СОСТАВ И ТРЕБОВАНИЯ К СРЕДСТВАМ ПРОВЕДЕНИЯ ИМИТАЦИОННЫХ ИСПЫТАНИЙ ИС НА РАДИАЦИОННУЮ

СТОЙКОСТЬ.

2.1. Требования к аппаратно-программным средствам контроля .характеристик воздействия при имитационных испытаниях.

2.2. Состав аппаратно-программных средств контроля характеристик воздействия

2.3. Требования к средствам оперативного контроля характеристик полей

2.3.1. Методы и средства регистрации рентгеновского излучения

2.3.2. Методы и средства регистрации лазерного излучения.

2.4. Расчетно-экспериментальное моделирование параметров детектора на основе p-i-n диода

2.4.1. Определение критических параметров p-i-n диода при регистрации рентгеновского излучения.

2.4.2. Определение критических параметров p-i-n диода при регистрации лазерного излучения.

2.5. Исследование возможности использования алмазного детектора для контроля излучения рентгеновского имитатора.

ГЛАВА 3. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ ХАРАКТЕРИСТИК РЕНТГЕНОВСКИХ ИМИТАТОРОВ.

3.1. Требования к техническим средствам контроля воздействия рентгеновских имитаторов

3.2. Исследование спектральных характеристик полей излучения рентгеновского имитатора.

3.3. Оценка влияния мягкой компоненты спектрального состава рентгеновского излучения.

3.4. Аппаратно-программные средства контроля характеристик рентгеновских имитаторов.

3.4.1. Особенности схемы измерения реакции p-i-n диода.

3.4.2. Особенности схемы измерения реакции алмазного детектора

3.4.3. Аппаратно-программный комплекс для автоматизированного измерения пространственной неравномерности поля рентгеновского имитатора "РЕИС-ИМ"

3.5. Результаты измерений основных характеристик воздействия рентгеновского имитатора "РЕИС-ИМ"

3.5.1. Измерение пространственной неравномерности поля излучения.

3.5.2. Измерение нестабильности мощности излучения в процессе непрерывной работы.

3.6. Методика дозиметрического сопровождения рентгеновских испытаний.

3.7. Принципы построения системы управления рентгеновскими имитаторами.

ГЛАВА 4. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ ХАРАКТЕРИСТИК

ЛАЗЕРНЫХ ИМИТАТОРОВ.

4.1. Требования к техническим средствам контроля воздействия лазерных имитаторов.

4.2. Аппаратно-программные средства контроля.

4.2.1. Особенности схемы регистрации импульсной реакции p-i-n диода

4.2.2. Устройство запоминания импульсов.

4.2.3. Устройство регистрации видеосигнала.

4.3. Аппаратно-программные средства для автоматизированного измерения пространственной неравномерности поля лазерного имитатора "Радон-5М"

4.4. Результаты исследований основных характеристик воздействия лазерных имитаторов.

4.5. Методика дозиметрического сопровождения лазерных испытаний

ГЛАВА 5. СИСТЕМА КОНТРОЛЯ ПОЛЕЙ ИЗОТОПНОГО

ИМИТАТОРА.

5.1. Основные требования к системе.

5.2. Методы и средства определения типа частиц.

5.3. Средства регистрации световой вспышки.

5.4. Моделирование реакции сцинтилляционно-полупроводникового детектора.

5.5. Аппаратно-программная система контроля полей изотопного имитатора

5.5.1.Критические параметры регистрируемого сигнала.

5.5.2.Аппаратные средства обработки сигнала.

5.5.3. Особенности организации программного обеспечения системы

5.6. Сравнительные результаты измерений энергетических спектров изотопных источников.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Аппаратно-программные средства контроля характеристик воздействия при имитационных испытаниях интегральных схем на радиационную стойкость»

Задачи оценки показателей стойкости и прогнозирования радиационного поведения интегральных схем (ИС), являющихся основой для построения современной вычислительной техники и систем управления, в условиях воздействия ионизирующих излучений являются актуальными и важными в связи с развитием и совершенствованием систем вооружения, средств космической связи, необходимостью повышения надежности и безопасности работы ядерно-энергетических установок и т.п.

Расширение номенклатуры ИС, применение функционально сложных ИС большой и сверхбольшой степени интеграции, освоение субмикронной технологии, необходимость внедрения методов и средств контроля радиационной стойкости на всех этапах жизненного цикла изделий являются объективными причинами увеличения числа и объема радиационных испытаний. Применение традиционных методов для определения показателей радиационной стойкости ИС с использованием моделирующих установок не обеспечивает полноты определения радиационно-чувствительных параметров и характеристик. В связи с этим в настоящее время для проведения радиационных испытаний широко применяются имитационные методы с использованием имитаторов ионизирующего излучения. Одним из существенных преимуществ имитационных методов испытаний является то, что они проводятся в обычных лабораторных условиях и могут быть адаптированы для различных систем контроля качества изделий. Внедрение подобных автоматизированных систем требует разработки оперативных, достоверных, высокоэффективных и по возможности универсальных средств контроля характеристик полей для имитационных установок.

Целью диссертационной работы является разработка расчетно-экспериментальных методов и аппаратно-программных средств контроля характеристик полей излучения, позволяющих повысить оперативность и достоверность результатов имитационных испытаний ИС на радиационную стойкость при существенном снижении затрат на их проведение.

Научная новизна работы

1. Обоснованы и разработаны структура, состав и требования к отдельным узлам аппаратно-программных средств для контроля характеристик стационарных и импульсных воздействий при проведении имитационных испытаниях ИС на радиационную стойкость.

2. Определен и развит комплекс расчетно-экспериментальных методов и средств контроля характеристик полей от имитационных установок. Разработаны требования к универсальному детектору и обосновано использование чувствительных элементов на основе p-i-n диода и природного алмаза для оперативного контроля характеристик полей ионизирующего излучения.

3. Разработаны и апробированы методики аттестации рентгеновских имитаторов и дозиметрического сопровождения при проведении имитационных испытаний ИС на радиационную стойкость.

4. Разработаны структура устройства и алгоритм его работы для регистрации типа и энергии ядерных частиц в смешанных полях излучения, основанные на различиях в форме импульса светоотклика при попадании ядерной частицы в неорганический сцинтиллятор.

Результаты, выносимые на защиту

Структура, состав, требования к отдельным узлам и специализированные узлы аппаратно-программного комплекса для контроля характеристик стационарных и импульсных воздействий при проведении имитационных испытаниях ИС на радиационную стойкость.

Расчетно-экспериментальные методики и средства контроля характеристик полей от имитационных установок, в том числе при проведении оперативного контроля с использованием в качестве чувствительных элементов p-i-n диода и природного алмаза.

Устройство с алгоритмом его работы, предназначенное для регистрации типа и энергии ядерных частиц в смешанных полях излучения и основанное на регистрации характерных параметров импульса отклика с выхода сцинтиляционного детектора.

Результаты экспериментальных исследований характеристик рентгеновских и лазерных имитаторов, подтвердившие обоснованность применения предложенных аппаратно-программных средств при проведении радиационных испытаний ИС и устройств на их основе.

Принципы организации систем управления имитаторами ионизирующего излучения, позволяющих повысить оперативность и достоверность результатов имитационных испытаний ИС при снижении затрат на их получение.

Публикации

Основные результаты диссертационной работы отражены в 25 печатных работах, в том числе в четырех работах без соавторов, и одиннадцати отчетах по НИР.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались автором на 2-й Межотраслевой научно-технической конференции "Влияние низкоинтенсивных излучений космического пространства и атомных электростанций на элементы и устройства радиоэлектроники и электротехники" (г. Лыткарино, 1995 г.); на 6-й Межотраслевой научно-технической конференции "Воздействие ионизирующих излучений на радиоэлектронную аппаратуру, элементы и материалы. Методы испытаний и исследований" (г. Лыткарино, 1996 г.); на Российских конференциях по радиационной стойкости «Стойкость-98» и «Стойкость-99» (г. Лыткарино, 1998 и 1999 гг.); на 34-й Международной конференции IEEE NSREC (США, 1997 г.); на Международной конференции RADECS-97 (Франция, 1997 г.); на Московской международной конференции "Молодежь и наука-97" (г. Москва, 1997 г.); на XVII Международном симпозиуме по ядерной электронике (г. Варна, 1997 г.); на VI Международном семинаре "Радиационные процессы в электронике" (г. Москва, 1998 г.) и на Научных сессиях МИФИ (г. Москва, 1998 - 2000 гг.).

Практическая значимость работы

1. Разработан и внедрен комплекс аппаратно-программных средств для контроля характеристик полей от имитаторов при проведении испытаний ИС на радиационную стойкость.

2. Разработаны разделы нормативных документов МО РФ по методам моделирования, испытаний и оценки уровней радиационной стойкости ИС в части дозиметрического сопровождения имитационных испытаний.

3. Разработаны и внедрены на ряде предприятий методики контроля характеристик полей от лазерных и рентгеновских имитаторов.

4. Измерены характеристики полей излучения для различных модификаций рентгеновских и лазерных имитаторов. Впервые проведена аттестация рентгеновских ("РЕИС-ИМ") и лазерных ("Радон-5") имитаторов.

Результаты работы отражены в двух РД "Микросхемы интегральные. Методы испытаний и оценки стойкости больших и сверхбольших интегральных схем к одиночным сбоям от воздействия отдельных высокоэнергетичных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства" (РД В 319.03.24-97) и "Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний" (РД В 319.03.22-97).

Результаты диссертационной работы вошли в отчетные материалы по НИР "Перенос-4", "Кашира", "Авторитет-МРП", "Андромеда-СПЭЛС", "Абордаж-СПЭЛС", "Абориген-СПНЦ-П-СПЭЛС", "Абрис-СВВ", "Венера-1", "Плутон-5", "Магистр-СВВ", выполняемых в рамках государственного оборонного заказа и "ДУС-ДНГ", выполняемой по заказу РКА.

Результаты диссертационной работы использованы в ЭНПО СПЭЛС и ЦФТИ МО РФ (подтверждено актами).

Диссертация содержит 207 страниц, 85 рисунков, список литературы из 128 наименований и состоит из введения, пяти глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Артамонов, Алексей Сергеевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основным научным результатом работы является теоретическая разработка, обобщение и практическое решение научной задачи по созданию расчетно-экспериментальных методов и аппаратно-программных средств контроля характеристик полей излучения, позволяющих повысить оперативность и достоверность результатов имитационных испытаний ИС на радиационную стойкость при существенном снижении затрат на их проведение.

Основным теоретическим результатом работы является разработка требований, структуры и состава аппаратно-программного комплекса и специализированных узлов этого комплекса для контроля характеристик стационарных и импульсных воздействий при проведении имитационных испытаниях ИС на радиационную стойкость

Частные теоретические результаты, полученные автором по теме диссертации, состоят в следующем.

1. Определен и развит комплекс расчетно-экспериментальных методов и средств контроля характеристик полей от имитационных установок. Разработаны требования к универсальному детектору и обосновано использование чувствительных элементов на основе p-i-n диода и природного алмаза для оперативного контроля характеристик полей ионизирующего излучения.

2. Разработаны и апробированы методики аттестации рентгеновских имитаторов и дозиметрического сопровождения их при проведении имитационных испытаний ИС на радиационную стойкость.

3. Разработаны структура устройства и алгоритм его работы для регистрации типа и энергии ядерных частиц в смешанных полях излучения, основанные на различиях в форме импульса светоотклика при попадании ядерной частицы в неорганический сцинтиллятор.

Основным практическим результатом диссертации является разработка и внедрение комплекса аппаратно-программных средств для контроля характеристик полей от имитаторов при проведении испытаний ИС на радиационную стойкость.

Частные практические результаты состоят в следующем.

1. Разработаны разделы нормативных документов МО РФ по методам моделирования, испытаний и оценки уровней радиационной стойкости ИС в части дозиметрического сопровождения имитационных испытаний.

2. Разработаны и внедрены на ряде предприятий методики и средства контроля характеристик полей лазерных и рентгеновских имитаторов.

3. Измерены характеристики полей излучения для различных модификаций рентгеновских и лазерных имитаторов. Впервые проведена аттестация рентгеновских ("РЕИС-ИМ") и лазерных ("Радон-5М") имитаторов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Артамонов, Алексей Сергеевич, 2000 год

1. Никифоров А.Ю., Критенко М.И., Телец В.А. и др. Система радиационных испытаний БИС в процессе разработки, производства и поставки // Российская науч. конф. "Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98". Тез. докл. М., 1998. С. 5 - 7.

2. Артамонов А.С., Демидов А.А., Калашников О.А., Никифоров А.Ю. и др. Методы радиационных исследований АЦП/ЦАП // XVII междунар. симпоз. по ядерной электронике, Варна, 15-21 сент. 1997 г.: Дубна: ОИЯИ, 1998. - С. 75 - 80.

3. Имитационное экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ. / Е.Р. Аствацатурьян, А.Ю. Никифоров, А.И. Чумаков и др. // Вестник РАДТЕХ. -1991. N 2. -С. 44 - 47.

4. Система имитационной оценки и прогнозирования показателей радиационной стойкости интегральных схем / М.И. Критенко, А.Ю.

5. Никифоров, В.А. Телец и др. Радиационные процессы в электронике. М., 1994. - С. 145- 146.

6. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний // РД В 319.03.22-97.

7. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989, -256 с.

8. Ionizing radiation affects in MOS devices and circuits. / Ed. by T.P. Ma, P.V.Dressendorfer. N.Y., 1989, - 588 p.

9. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП интегральных схемах. М.: Радио и связь, 1994. - 180 с.

10. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. -Минск: Наука и техника, 1986. 180 с.

11. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 324 с.

12. Larin F. Radiation effects in semiconductor devices. N. Y., 1969. 480 p.

13. Messenger G.S., Ash M.S. The effects of radiation on electronic systems. -N.Y., 1986. -508 p.

14. Улимов B.H. Современное состояние и перспективы развития испытательной базы НИИП // Доклад на Российской науч. конф. "Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98".

15. Чумаков А.И., Яненко А.В., Артамонов А.С., Демидов А.А. Базовая методика проведения экспериментальных исследований БИС на чувствительность к одиночным сбоям при протонном излучении. -М., 1996. -20 с. -(Препр. / МИФИ; 022-96).

16. Методика измерений экспозиционной дозы фотонного излучения нестандартизованными средствами измерения АИСТ-5 с термолюминесцентными детекторами на основе алюмофосфатного стекла ПСТ (ИС-7). М.: НИИП, 1994.

17. Бакулин Ю.П., Гусев А.С., Ноздрачев С.Ю. Широкодиапазонный многоцелевой термолюминесцентный дозиметр АИСТ-5 // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. -1994 г. Вып. 3-4. С. 73-74.

18. Методика измерений пиковой мощности экспозиционной дозы по результатам измерения экспозиционной дозы термолюминесцентными детекторами и эффективной длительности импульса фотонного излучения сцинтилляционными детекторами. -М.: НИИП, 1994.

19. Palkuti L.J., LePage J.J. X-ray Wafer Probe for Total Dose Testing. // IEEE Trans. -1982. -Vol. NS-29. -N 6. -P. 1832.

20. Oldham T.R., McGarrity J.M. Comparison of Co-60 Response and 10 keV X-ray Response in MOS Capacitors // IEEE Trans. -1983. -Vol. NS-30. -N 6. -P. 4377.

21. Dosier C.M., Brown D.B. The Use of Low Energy X-rays for Device Testing. A Comparison with Co-60 Radiation // IEEE Trans. -1983. -Vol. NS-30. -N 6. -P. 4382.

22. Fleetwood D.M., Winokour P.S. Accounting for Dose-Enhancement Effects with CMOS Transistors // IEEE Trans. -1985. -Vol. NS-32. -N 6. -P. 4369.

23. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. -256 с.

24. Разработка методик и проведение экспериментальных исследований эффектов радиационных воздействий на узлы электронной аппаратуры / А.С. Артамонов, Р.А. Ворошилов, Д.В. Громов и др. (Отчет за 6-й этап по НИР "Гольф) / ЭНПО СПЭЛС; М„ 1999. -53 с.

25. Методика рентгеновских имитационных испытаний полупроводниковых приборов и интегральных схем (Антей-1). М.: МИФИ, 1989. -64 с.

26. Общие методики лазерных, рентгеновских и изотопных имитационных испытаний интегральных схем и полупроводниковых приборов на радиационную стойкость / 22 ЦНИИИ МО и ЭНПО СПЭЛС. -М., 1996. -25 с.

27. Standard Guide for Use of an X-Ray Tester (-10 keV Photons) in Ionizing Radiation Effect Testing of Semiconductor Devices and Microcircuits: Annual Book of ASTM Standards. 1994.

28. Model 4100 Automatic Semiconductor Irradiation System / фирма Advanced Research and Application Corporation (США).

29. Кадменский А.Г. Эффекты мощности дозы в МОП БИС // Российская науч. конф. "Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98". Тез. докл. -М., 1998. -С. 163-165.

30. Brown D.B. Jenkins W.C., Johnston А.Н. Application of a model for treatment of time dependent effects on irradiation of microelectronics devices // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1989. - Vol. NS-36. -N 6. -P. 1957-1962.

31. Калашников O.A. Дис. на соискание ученой степени канд. техн. наук. -М.: МИФИ, 1993.

32. Аствацатурьян Е.Р., Беляев В.А., Трушкин Н.С. Функционально-логическое моделирование радиационного поведения цифровых устройств. М., 1993. -28 с. -(Препр. / МИФИ; 016-93).

33. Барбашов В.М., Скоробогатов П.К. Функционально-логическое моделирование ионизационной реакции в цифровых устройствах // Российская науч. конф. "Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98". Тез. докл. -М„ 1998. -С.57-59.

34. Arkadiev V.A., Fayazov R.F., Kumakhov М.А. Design of wide-band system for focusing a hard x-rays. -M., 1988. -(Preprint IV. Kurchatov Institute of Atomic Energy IAE-4711/3)

35. Hardman M.N., Edwards A.R. Exploitation of a Pulsed Laser to Explore Transient Effects on Semiconductor Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1984. -Vol. NS-31. -N 6. -P. 1406-1410.

36. Ellis T.D., Kim Y.D. Use of a Pulsed Laser as an Aid to Transient Upset Testing of I2L LSI Microcircuits // IEEE Trans. Nuc. Sci. -1978. -Vol. NS-25. -N 6. -P. 1489-1493.

37. Stultz T.J., Crowley J.L., Junda F.A. An Investigation of the Transient Ionizing Radiation Response of Diffused Resistors Using a Pulsed Laser // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1980. -Vol. NS-27. -N 5. -P. 1362-1367.

38. Исследование создания перспективных моделирующих средств для выработки критериев радиационной стойкости / А.С. Артамонов, Д.В. Громов А.А Демидов и др (Итоговый отчет по НИР "Абордаж-СПЭЛС). / ЭНПО СПЭЛС, М„ 1998. -52 с.

39. Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К., Шанаева С.Ю. Применение лазера для моделирования переходных ионизационных эффектов в структурах КНИ // Радиационные процессы в электронике. -М., 1994. -С. 191-193.

40. Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Ломако В.М., Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Мн.: Университетское, 1992.-219 с.

41. Полевич С.А. Имитационное моделирование ионизационных эффектов в полевых транзисторах с селективным легированием // Российская науч.конф. "Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98". Тез. докл. -М., 1998.-С. 101-103.

42. Техника экспериментальных исследований одиночных сбоев в цифровых интегральных микросхемах / Е.Р. Аствацатурьян, А.А. Белянов, О.А. Калашников и др. // Приборы и техника эксперимента, 1993. -N 1. -С. 123-127.

43. Guenzer C.S., Campbell А.В., Shapiro P. Single Event Upsets in NMOS Microprocessors // IEEE Trans. -1981. -Vol. NS-28. -N 6. -P. 3955-3958.

44. Blandford J.T., Pickel J.C. Use of Cf-252 to determine parameters for SEU rate calculation // IEEE Trans. -1985. -Vol. NS-32. -N 6. -P. 4282.

45. Leavy J.F., Hoffmann L.F., Shovan R.V., Johnson M.T. Upset Due to a Single Particle Caused Propagated Transient in a Bulk CMOS Microprocessor // IEEE Trans. -1991. -Vol. NS-38. -N 6. -P. 1493-1499.

46. Sivo L.L., Peden J.C. Cosmic Ray-Induced Soft Errors in Static MOS Memory Cells // IEEE Trans. -1979. -Vol. NS-26. -N 6 -P. 5042-5047.

47. Калашников O.A., Курнаев C.A., Чумаков А.И. Методика имитационного моделирования нейтронного облучения альфа-излучением изотопногоисточника // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА, -1994. -Вып. 2. -С. 93-97.

48. Meieran E.S., Engel P.R., May Т.С. Measurement of Alpha Particle Radioactivity in 1С Device Packages // 17th Ann.Proc.IEEE Relibility Physics Symposium. 1979. -P. 13.

49. Bouldin D.P. The Measurement of Alpha Particle Emmissions from Semiconductor Memory Materials // Jour. Electronic Materials. -1981. -Vol.10. -N 4. -P. 747.

50. Исследование влияния фонового альфа-излучения материалов корпуса микросхем динамических БИС ОЗУ на их работоспособность / Н.Г Големинов, О.А. Калашников, С.А. Курнаев, А.И. Чумаков (Отчет по НИР 91-3-003-544) / МИФИ; М., 1991. -29 с.

51. Метод оценки интенсивности сбоев БИС ДОЗУ под воздействием фонового альфа-излучения / В.М. Барбашов, О.А. Калашников, С.А. Курнаев и др. (Отчет по НИР N017B-92) / ЭНПО СПЭЛС; М., 1992.

52. Акишин А.И., Вологдин Н.И., Грибов И.В., Еремин Н.В. и др. Методы исследования перемежающихся и устойчивых отказов БИС и СБИС: Препр. / НИИЯФ МГУ, -Москва, 1988. -С. 7-9.

53. Система комплексного имитационного моделирования радиационного поведения ППП и ИС / Е.Р. Аствацатурьян, А.В. Герасименко, О.А. Калашников и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА. -1994. -С. 81-86.

54. Автоматизированный комплекс для проведения имитационых испытаний ИС на радиационную стойкость / А.Ю. Никифоров, О.А. Калашников, А.И. Чумаков и др. // Радиационные процессы в электронике. М., 1994. -С. 156-157.

55. Рентгенотехника. Справочник: В 2 кн. / Под ред. В.В. Клюева. М.: Машиностроение, 1980.-Кн. 1. -431 с.

56. Иванов В.И. Курс дозиметрии. М.: Энергоатомиздат, 1988. -380 с.

57. Измерительно-вычислительный комплекс широкого назначения ЦГ7002 // Приборы и системы управления. -1992. -N 9. -С. 33-34.

58. Кузнецова JI.И., Нечаев Ю.И. Четырехканальный десятиразрядный аналого-цифровой преобразователь с буферной памятью // Приборы и техника эксперимента. -1992. -N 2. -С. 272-273.

59. Test and Measurement. Process Monitoring and Control: Instrumentation Reference and Catalogue / National Instrument Corporation. 1995.

60. Test and Measurement. Catalog and Reference Guide / Keithley Instruments, Inc. 1997.

61. Measurement Products Catalog / Tektronix, Inc. 1996.

62. Test and Measurement Catalog / Hewlett Packard. 1994.

63. Платы сбора данных: Проспект / ЗАО "Руднев-Шиляев". -М., 1999.

64. Полупроводниковые детекторы в дозиметрии ионизирующих излучений / Под ред. В. К. Ляпидевского. -М.: Атомиздат, 1973. -177 с.

65. Клайнкнехт К. Детекторы корпускулярных излучений / Пер. с нем. М.: Мир, 1990.-224 с.

66. Медведев М.Н. Сцинтилляционные детекторы. -М.: Атомиздат, 1977. -136 с.

67. Берковский А. Г., Гаванин В. А., Зайдель И. Н., Вакуумные фотоэлектронные приборы. -2-е изд. -М.: Энергия, 1988. -344 с

68. Зи. С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 2. / Пер. с англ. -2-е изд. перераб. и доп. М.: Мир, 1984. - 456 с.

69. Гауер Дж. Оптические системы связи / Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1989. -504 с.

70. Шалимова К.В. Физика полупроводников. -3-е изд. -М., 1985.

71. Устюжанинов В.Н., Чепиженко А.З. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1989. -144 с.

72. Исследование и разработка способов моделирования функциональных отказов в электронной аппаратуре / А.С. Артамонов, Д.В. Громов, А.А. Демидов и др. (Отчет за 4-й этап по НИР "Гольф") /ЭНПО СПЭЛС, -М. 1998. -68 с.

73. Природные алмазы России / Ред. В.Б. Квасков. -М., 1997.

74. Алмаз в электронной технике (Сб. ст.) / Ред. В.Б. Квасков -М., 1990.

75. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников, -М., 1991.

76. Shenk A. A model for the field and temperature dependence of Shockley-Read-Hall lifetimes in Silicon // Silicon-State Electronics. 1992. -Vol. 35. -N 11. -P. 1585-1596.

77. Glinski J., Gu X.-J., Code R.F., van Driel H.M. Space-charge-induced optoelectronic switching in Ila diamond // Appl. Phys. Lett. 1984. -45(3). -P. 260-263.

78. Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния. -М.: Наука, 1985.

79. Адонин А.С., Беспалов А.В., Калашников О.А. и др. Особенности технологии КНС третьего поколения и оценка радиационной стойкости БИС // Российская науч. конф. "Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98": Тез. докл. -М., 1998. -С. 21-22.

80. Артамонов А.С., Еремин Н.В. Измерение энергетического спектра излучения рентгеновского имитатора "РЕИС-ИМ" // В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-98". М.: СПЭЛС-НИИП, 1998. -Вып. 1. -С. 107-108.

81. Вольдсет Р. Прикладная спектрометрия рентгеновского излучения / Пер. с англ. -М.: Атомиздат, 1977. 224 с.

82. Сторм Э., Исраэль X. Сечения взаимодействия гамма-излучения: Справочник / Пер. с англ. М.: Атомиздат, 1973.

83. Пейтон А. Дж. Волш В. Аналоговая электроника на операционных усилителях М.: БИНОМ, 1994. - 352 с.

84. Леонтьев Г.Е. Широкодиапазонный логарифмический преобразователь ток-напряжение // Приборы и техника эксперимента. -1996. -№ 3. -С. 76-79.

85. Winter 97/98 Short Form Designers Guide / Analog Devices, Inc. -1998.

86. Дражев М.Н., Кебеджиев А.Т. Логарифмический пикоамперметр // Приборы и техника эксперимента. -1980. -№ 6. -С. 76-78.

87. Леонтьев Г.Е. Логарифмические устройства для исследования ВАХ ППП // Приборы и техника эксперимента. -1996. -№ 3. -С. 138-144.

88. Low Current Measurements. Keithley's Applications Note Series № 100 / Keithley Instrument, Inc. -1994.

89. Артамонов A.C. Устройство для измерения малых токов: Сб. научных трудов по материалам докладов научно-технической конференции "Электроника, микро- и наноэлектроника", Суздаль, -М.: МИФИ, 1999. -С. 80-83.

90. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА: Справ. / Н.Н. Акимов, Е.П. Ващуков, В.А. Прохоренко, Ю.П. Ходоренок// Мн.: Беларусь, 1994. 591 с.

91. Шмелев В. К. Рентгеновские аппараты. -М.: Энергия, 1973. -472 с.

92. Исследование и разработка способов моделирования функциональных отказов в электронной аппаратуре / А.С. Артамонов, Д.В. Громов, А.А. Демидов и др. (Отчет за 4-й этап по НИР "Гольф") ЭНПО СПЭЛС; -М., -1998. -68 с.

93. Новиков Ю.А., Калашников О.А., Гуляев С.Э. Разработка устройств сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC: Практ. пособие / Под общей ред. Ю.В. Новикова,- М.: ЭКОМ, 1997. 224 с.

94. Бородин С.М., Новиков Ю.В. Модуль логического анализатора для контрольно-измерительных систем на базе микро-ЭВМ // Микропроцессорные средства и системы. -1987. -N 1. -С. 64-65.

95. Линдли К. Практическая обработка изображений на языке С: Пер. с англ. -М.: Мир, 1996. -512 с.

96. Ciarcia, Steven A. Building the Image Wise Video Digitizer. Part 1 and part 2 // BYTE magazine. May and June 1987.

97. Detection of charged particles with a phoswich counter / C. Pastor, F. Benrachi, B. Chambon et al. // Nuclear Instruments and Methods. -1983. -A212. -P. 209-215.

98. Identification of Light Charged Particles and Heavy Ions in Silicon Detectors by Means of Pulse Shape Discrimination / C. Pausch, H.-G. Ortlepp, W.Bohne et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1996 -Vol. NS-43. -N 3. -P. 1097-1101.

99. Charged particles identification with CsJ(Tl) scintillator / J. Alarja, A. Dauchy, A. Giorni et al. // Nuclear Instruments and Methods -1986. -A242. -P. 352-354.

100. Light-particle detection with a CsJ(Tl) scintillator coupled to a double photodiode readout system / R.J. Meijer, A. Van Den Brink, E.A. Bakkum et al. // Nuclear Instruments and Methods. -1987. -A256. -P. 521-524.

101. Анисимова И.И., Глуховской Б.М. Фотоэлектронные умножители. -М. 1974.

102. Проспект / Фирма Hamamatsu.

103. Performances of hybrid low-noise charge-preamplifiers for heavy-ion detectors. / R. Bassini, C. Boiano, S. Brambilla et al. // Nuclear Instruments and Methods. -1996. -A280. -P. 209-215.

104. Интегральный зарядово-чувствительный усилитель / И.А. Дьячков, Ю.А. Волков, Р.Н. Виноградов и др. // Приборы и техника эксперимента. -1999. -№ 5. -С. 67-70.

105. Устройство для контроля низкоинтенсивного ионизирующего излучения / А.С Артамонов, Н.В. Еремин, А.И. Чумаков, А.Е. Литвененко // Приборы и техника эксперимента. -1999. -№ 5. -С. 123-125.