Аномальный эффект Холла в неупорядоченных сплавах Si1-xMnx (x ~ 0.5) и металл-диэлектрических нанокомпозитах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Черноглазов Константин Юрьевич

• Черноглазов Константин Юрьевич
• кандидат наук
• 2023

Оглавление диссертации кандидат наук Черноглазов Константин Юрьевич

Введение

Глава 1. Особенности ферромагнетизма и аномального эффекта Холла в неупорядоченных системах

1.1. Магнитные сплавы с невысокой проводимостью

1.2. Наногранулированные системы

Глава 2. Методы создания и исследования образцов

2.1. Синтез сплавных пленок металл-полупроводник методом импульсного лазерного осаждения

2.2. Синтез гетерогенных нанокомпозитных пленок типа металл-диэлектрик методом ионно-лучевого распыления

2.3. Методики исследования структуры и определения состава синтезированных образцов

2.2.1. Электронная микроскопия

2.2.2. Рентгеноструктурные методы

2.2.3. Обратное резерфордовское рассеяние

2.4. Методики исследования транспортных и магнитных свойств

Глава 3. Аномальный эффект Холла в неупорядоченных сплавах З^Мп, (х ~ 0.5)

3.1. Пленки (х ~ 0.5), полученные в прямой геометрии методом импульсного лазерного осаждения с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости и их свойства

3.1.1. Объекты исследования и их структура

3.1.2. Магнитные и магнитотранспортные свойства

3.1.3. Модель ферромагнитного упорядочения

3.1.4. Влияние энергии лазерного импульса и ориентации подложки на формирование однородной высокотемпературной ферромагнитной фазы в сплавах Мп^1-х (х « 0.5)

3.2. Пленки Si1-хMnх (х ~ 0.5), синтезированные методом импульсного лазерного осаждения в теневой геометрии и их свойства

3.2.1. Структурные особенности пленок

3.2.2. Магнитные и магнитотранспортные свойства

3.2.3. Особенности ферромагнитного упорядочения

Выводы к Главе

Глава 4. Проводимость и аномальный эффект Холла металл-диэлектрических нанокомпозитов (CoFeB)x(Al2O3)100-x

4.1. Синтез образцов (Со^е^Вго^А^О^оо-х методом ионно-лучевого распыления и их микроструктура

4.2. Проводимость пленок (CoFeB)х(Al2O3)100-х

4.3. Эффект Холла и намагниченность

4.4. Особенности скейлинга в поведении эффекта Холла

4.5. Модельные представления о проводимости пленок вблизи порога перколяции

4.6. Качественная модель механизма аномального эффекта Холла.. ..111 Выводы к Главе

Заключение

Список публикаций по теме диссертации

Благодарности

Литература

Введение

Аномальный эффект Холла (АЭХ) представляет собой сложное квантовое явление, обнаруженное в 1880 г., впервые объясненное в 1954 г. [1] и до сих пор активно исследуемое экспериментально и теоретически [2]. Данный эффект определяется спин-орбитальным взаимодействием и спиновой поляризацией носителей заряда и наиболее сильно проявляется в магнитных материалах (ферромагнитных металлах и полупроводниках, гранулированных металл-диэлектрических системах и т.п.). Одна из основных причин «популярности» АЭХ связана с тем, что его наблюдение указывает на наличие спин-поляризованных носителей в системе, в отличие от наблюдения намагниченности, в том числе, в сложных гибридных сильно неоднородных системах [3, 4]. Другими словами, АЭХ характеризует магнитное упорядочение той части магнитной подсистемы, которая в основном определяет спиновую поляризацию носителей и наиболее важна для приложений новых магнитных материалов в спинтронике.

В последнее время значительное внимание уделяется разработке магнитных полупроводниковых материалов на основе элементов IV группы. В первую очередь на основе Si, в частности, сплавам Si1-хMnх, поскольку такие материалы привлекательны для создания элементов спинтроники, легко интегрируемых в существующую микроэлектронную технологию. Между тем, на пути создания Si магнитных объектов возникают существенные технологические и фундаментальные проблемы. При относительно малом содержании магнитной примеси типа Мп сплавы Si1-хMnх (х =0.05-0.1) могут проявлять ферромагнетизм (ФМ) с эффективной температурой Кюри (ТС), превышающей комнатную температуру. Оказалось, однако, что данные сплавы являются сильно неоднородными материалами из-за имеющей в них место фазовой сегрегации, способствующей образованию в Si изолированных магнитных нанокластеров типа MnSi1.7 с содержанием Мп х ~0.35 [5, 6]. В указанных сплавах отсутствует АЭХ, свидетельствующий о наличии спиновой поляризации носителей заряда, что делает невозможным использование этих

материалов в качестве инжекторов спина в немагнитные полупроводники и создания устройств спинтроники (см. [7*] и ссылки там). С другой стороны, создание хорошо воспроизводимых однородных магнитных систем с содержанием Mn х~0.35 проблематично, в силу многообразия устойчивых фаз высших силицидов (не менее 5) типа MnSiy с близкими содержаниями компонент (у =1.72-1.75). В данной связи перспективным направлением представляется разработка сплавов Si1-xMnx с иным составом, близким к моносилициду марганца e-MnSi (ТС ~30 К, структура В20), и изучение методами АЭХ возможности формирования в этих системах высокотемпературного ФМ порядка, инициированного обменом через парамагнитные флуктуации спиновой плотности (парамагноны матрицы) [8].

Одно из наиболее интересных направлений в исследовании АЭХ в магнитных системах связано с изучением зависимости аномальной компоненты удельного холловского сопротивления, pAHE = 4nRsM, от продольного удельного сопротивления р (так называемого скейлингового поведения АЭХ): pAHE к рп, где п - показатель степени, определяемый механизмом АЭХ [2].

Такого рода скейлинг хорошо установлен для однородных магнитных систем с одним типом примеси. Так, в магнитных металлах с низким удельным сопротивлением р < 10-4 Ом-см показатель п = 1 для механизма асимметричного рассеяния (skew scattering) и п = 2 для механизма бокового смещения при рассеянии (side-jump) и собственного (intrinsic) механизма АЭХ [2]. Однако, в магнитных металлических материалах с удельным сопротивлением >10-4 Ом-см (так называемых «грязных») индекс п уменьшается до п ~ 0.4 [9]. Большинство исследований скейлинговой зависимости pAHE(p) были выполнены для систем, в которых не наблюдается переход металл-изолятор (ПМИ). Однако, в некоторых неупорядоченных системах, в частности, гранулированных металл-диэлектрических нанокомпозитах (НК) удельное сопротивление может изменяться на несколько порядков (от хорошего металла до изолятора) путем изменения объемной доли металла. В данных системах на металлической стороне ПМИ предсказывается логарифмический закон в температурной

зависимости проводимости o(T) rc-lnT, соответствующий сильной туннельной связи между гранулами [10]. При этом скейлинг в АЭХ должен отсутствовать Pahe = const [11].

На момент начала диссертационной работы практически отсутствовали экспериментальные исследования поведения АЭХ в НК вблизи ПМИ, особенно в условиях возможного спин-орбитального рассеяния электронов при их межгранульном туннелировании на 3d атомах (или тяжелых элементов типа Pt), диспергированных в диэлектрической матрице.

В связи с выше изложенным исследования АЭХ в относительно хорошо проводящих (р ~ 10-4 Ом-см) нестехиометрических Si1-xMnx сплавах с составом, близким к моносилициду марганца MnSi (х « 0.5), и НК типа CoFeB-Al2O3 с высоким содержанием магнитных ионов Fe2+ и Co2+ (до ~1022 см-3) и составом, близким к ПМИ, являются весьма актуальными с фундаментальной и практической точек зрения.

Целью работы являлось установление основных закономерностей в температурном и концентрационном поведении аномального эффект Холла и проводимости в пленочных слоях Si1-xMnx с небольшим избытком Mn

(х« 0.51-0.55) относительно моносилицида MnSi и нанокомпозитах типа

2+ 2+

(Co40Fe40B40)x(Al2O3)100-x с высоким содержанием магнитных ионов Fe и Co

22

(до ~10 см ) и составом, близким к переходу металл-изолятор (далее для краткости будем обозначать сплав Co40Fe40B40 как CoFeB).

При достижении сформулированной цели решены следующие задачи:

1) В области температур Т =5-400 К и в магнитных полях до 2 Тл проведены подробные исследования магнитных и транспортных свойств пленок Si1-xMnx толщиной 55-70 нм с различным содержанием Mn (х =0.44-0.6), синтезированных методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) в прямой геометрии в условиях сепарации осаждаемых частиц по скорости на подложках AI2O3 (0001) при Т =340 оС.

2) Исследованы структурные, транспортные и магнитные свойства поликристаллических пленок Si1-xMnx толщиной 70-270 нм с небольшим избытком Мп (х - 0.51-0.52) относительно стехиометрического моносилицида М^^ полученных на подложках А12О3 (0001) при температуре 340 0С методом ИЛО в теневой геометрии, когда элементы осаждаются при малой энергии за счет столкновения с атомами буферного газа.

3) Изучено влияние энергии лазерного импульса Е и давления буферного газа в ростовой камере на возможность формирования однородной «высокотемпературной» ферромагнитной фазы в пленках сплава Si1-xMnx (х - 0.52-0.55), выращенных методом ИЛО.

4) В диапазоне температур 10-300 К и в магнитном поле величиной до 1.5 Тл изучены структурные, магнитные и транспортные свойства металл-диэлектрических нанокомпозитов типа (CoFeB)х(AЮ>,)100-х, полученных методом ионно-лучевого распыления составной мишени. Детально изучены температурные зависимости проводимости нанокомпозитов и скейлинг в поведении аномального эффекта Холла в окрестности перехода металл-изолятор при изменении содержания металлической фазы х = 47-57 ат.%.

Научная новизна полученных результатов заключается в следующем:

1) В сплавах Si1-xMnx выявлен АЭХ, который наблюдался вплоть до комнатной температуры при незначительном избытке Мп (х~0.51-0.52). При этом температура Кюри, найденная по намагниченности достигала Тс-330-370 К, что -10 раз выше, чем в случае £-MnSi (Тс-30 К). Установлено также, что в этих условиях холловская концентрация дырок (носителей тока) резко падает, а их подвижность ц (при Т«100 К /л~25 см2/В-с) на порядок увеличивается в сравнении с

2) Впервые проведены детальные исследования свойств нестехиометрических пленок Si1-xMnx (х ~ 0.51-0.52), полученных методом ИЛО в «теневой» геометрии на подложках А12О3 при 340°С. Уникальность данного метода состоит в необычной («теневой») геометрии осаждения элементов при

малой энергии за счет столкновения с атомами буферного газа Кг. Показано формирование в пленках двух слоев: поверхностного в окрестности границы раздела с подложкой и объемного вдали от границы с близкими значениями удельной проводимости и существенно отличающимися кристаллитами по форме и размерам.

3) Обнаружена смена знака АЭХ в нестехиометрических пленках $^-ЛМпх (х ~0.51-0.52), выращенных в «теневой» геометрии, что обусловлено конкуренцией двух вкладов, происходящих от разных областей образца (поверхностной и объемной).

4) Впервые в нанокомпозитах (CoFeB)х(Al2O3)100-х обнаружен туннельный АЭХ, обусловленный спин-орбитальным рассеянием электронов при их туннелировании в межгранульных областях по механизму, сравнительно недавно предсказанным Ведяевым и др. [12]. В этих условиях установлен скейлинг в зависимости сопротивления АЭХ от продольного сопротивления. Показано, что логарифмический закон в температурной зависимости проводимости о(Т) х 1пТ наблюдается в довольно широком диапазоне х = 49-56 ат.%.

5) Определены факторы, влияющие на формирование однородной «высокотемпературной» ферромагнитной фазы в пленках сплава Si1-хMnх. Показано, что фаза с концентрацией Мп х ~ 0.53 и Тс ~ 300 К образуется вблизи подложки на начальной стадии роста пленок. При этом, малые значения давления буферного газа в камере роста при относительно больших плотностях энергии лазера (Е > 6.8 Дж/см ) способствуют формированию в пленке однородной высокотемперутрной фазы и ее стабилизации по всей толщине пленки.

Практическая значимость работы определяется тем, что полученные в ней результаты могут быть использованы при анализе магнитного состояния неупорядоченных сплавов типа Si1-хMnх, наличия в них спиновой поляризации носителей заряда и возможности использования данных систем для создания

устройств спинтроники. В диссертации изучены возможности метода импульсного лазерного осаждения для создания высокотемпературных ферромагнитных систем на основе нестехиометрических сплавов Si1-xMnx и показано, что температура Кюри в таких системах может превышать 350 К. Данные тонкопленочные магнитные системы привлекательны для создания устройств спинтроники, поскольку легко могут быть интегрируемы в современную Si технологию. Экспериментально доказано наличие новых механизмов транспорта в проводимости и аномальном эффекте Холла в магнитных нанокомпозитах ниже порога протекания. Показана возможность определения этого важного параметра в области проявления логарифмического закона по температурной зависимости проводимости.

Основные положения, выносимые на защиту

1) В сплавах Si1-xMnx наблюдается аномальный эффект Холла вплоть до комнатной температуры при незначительном избытке Mn (х~0.51-0.52). При этом температура Кюри, найденная по намагниченности достигает Тс-330-370 К, что -10 раз выше, чем в случае £-MnSi (Тс-30 К). В этих условиях подвижность / (при Т «100 К, /«25 см /В-с) носителей тока (дырок) на порядок увеличивается, а их содержание резко падает в сравнении с ¿^пЗ^ Высокотемпературный ФМ объясняется формированием в дефектов с локализованным магнитным моментом (ЛММ) и косвенным их обменом через парамагноны матрицы. Между тем, рост величины / связывается с подавлением в £-MnSi кондовских и/или спин-поляронных резонансов, предположительно имеющих место в этом материале, вследствие падения плотности дырок и усиления эффектов их некогерентного рассеяния на дефектах с ЛММ.

2) В пленках Si1-xMnx (х«0.51-0.52), полученных на подложках А12О3 (0001) при 340 оС методом импульсного лазерного осаждения в теневой геометрии (осаждение элементов осуществляется за счет столкновения с атомами буферного газа - Кг), в процессе роста происходит структурная

самоорганизация, в результате которой формируется два слоя с сильно отличающимися температурами Кюри: нижний слой с Тс ~ 370 К и верхний - с Тс ~ 46 К. Верхний слой состоит из зерен М^ в виде колонок с поперечным размером около 50 нм и структурой В20, тогда как нижний слой, расположенный у границы раздела с подложкой, состоит из округлых гранул М^ малых размеров (~5 нм) и имеет толщину ~10 нм, не зависящую от толщины пленки. Высокотемпературный ФМ в нанокристаллических слоях М^ объясняется формирования дефектов с ЛММ на границах кристаллитов.

3) В поликристаллических пленках Si1-хMnх (х « 0.51-0.52), полученных методом ИЛО в теневой геометрии, при комнатных температурах наблюдается аномальный эффект Холла (АЭХ) положительного знака, который изменяется на отрицательный при некоторой температуре ниже 30-50 К, зависящей от толщины пленки. Такое поведение АЭХ определяется наличием в образцах двух слоев: верхнего слоя из крупных зерен MnSi в виде колонок размером ~50 нм со структурой В20, который обладает АЭХ < 0 и Тс « 46 К, и нижнего нанокристаллического (~5 нм) с Тс > 300 К и АЭХ >

4) При синтезе пленок Si1-хMnх (х « 0.51-0.53) методом ИЛО малые значения давления буферного газа (Р < 10-5 Торр) в камере роста при относительно больших плотностях энергии лазера на мишени (W > 7 Дж/см ) способствуют формированию в пленке однородной высокотемпературной ферромагнитной фазы с температурой Кюри Тс > 200 К. Между тем малые значения W = 3 - 6 Дж/см приводят к уменьшению концентрации марганца в верхнем слое пленки и формированию дополнительной «низкотемпературной» фазы с Тс ~ 30 - 50 К, обусловленной кристаллитами силицидов MnSi и Mn4Si7.

5) В наногранулированных пленках (CoFeB)x(Al2O3)100-x с высоким

22

содержанием магнитных ионов Fe и Со в изолирующей матрице (до ~10 см ) наблюдается необычный скейлинг в поведении аномального холловского сопротивления от продольного: рдш(Т,х) х рп(Т,х), где параметр п = (0.4-0.5) при изменении температуры и п = 0.24 - при изменении содержании металла х и

фиксированной температуре. Обнаруженный скейлинг объясняется вкладом туннельного аномального эффекта Холла, связанного со спин-орбитальным рассеянием электронов на примесях при межгранульном туннелировании, который в пленках (CoFeB)x(Al2O3)100-x проявляется ниже порога перколяции при х < 57 ат.%. При этом этих условиях температурная зависимость проводимости имеет логарифмический вид: g <х lnT.

Достоверность гарантирована применением современных, широко апробированных методов исследований на аттестованных установках. О надежности результатов исследований свидетельствуют также:

1) воспроизводимость данных на большом числе объектов исследования;

2) качественное и количественное согласие экспериментальных данных с теоретическими представлениями, вытекающими из оригинальных и общепринятых физических моделей;

3) согласие полученных результатов с данными независимых работ в областях перекрытия условий экспериментов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Аномальный эффект Холла в неупорядоченных сплавах Si1-xMnx (x ~ 0.5) и металл-диэлектрических нанокомпозитах»

Апробация работы

Результаты работы были представлены на более чем 20 российских и международных научных конференциях, включая симпозиумы и молодежные школы. В том числе:

1. International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO), Conference on Lasers, Applications, and Technologies (LAT) Moscow, June 18-22, 2013

2. Moscow Int. Symposium on Magnetism. Moscow, June 29 - July 3, 2014

3. Int. Conference "Spin physics, spin chemistry and spin technology" (SPCT-2015), St.Petersburg, June 01-05, 2015

4. 7th Baikal International Conference "Magnetic Materials. New Technologies". Listvyanka village, Irkutsk region, August 22-26, 2016

5. Первый Российский Кристаллографический Конгресс, Москва, 21-26 ноября, 2016

6. Moscow International Symposium on Magnetism. Moscow, July 01-05,

2017

7. International Baltic Conference on Magnetism, Svetlogorsk, August 20-24,

2017

Личный вклад автора

В основу диссертационной работы вошли исследования, выполненные автором в 2011 - 2021 годах. Соискатель учавствовал в постановке целей и задач исследования. Личный вклад автора был основным в выполнении экспериментов по изучению транспортных и магнитных характеристик неупорядоченных объектов. Осуществлял планирование экспериментов с использованием описанных в работе методик, проводил обработку и анализировал полученные данные. Активно участвовал в подготовке публикаций, а также в представлении результатов работы на российских и международных научных конференциях, симпозиумах и молодежных школах.

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано 10 научных статей в рецензируемых журналах, входящих в перечень ВАК, и индексируемых в базе данных Web of Science, а также 6 тезисов докладов на российских и международных конференциях. Ссылки на работы автора в тексте отмечены звездочкой (*). Основные публикации по теме диссертации суммированы и представлены в конце работы [A1-A10].

Объем и структура работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Материал диссертационной работы изложен на 139 страницах, содержит 49 рисунков и две таблицы. Список литературы содержит 132 наименования.

Глава 1. Особенности ферромагнетизма и аномального эффекта Холла в неупорядоченных магнитных системах

Прежде чем сформулировать задачи работы и представить имеющиеся результаты по исследованию аномального эффекта Холла (АЭХ) в нестехиометрических сплавах с составом, близким к моносилициду

марганца MnSi (х - 0.5), и сильно нупорядоченных НК типа CoFeB-Al2O3 с высоким содержанием магнитных ионов Fe и Со2+ (до ~1022 см-) необходимо напомнить общие сведения об особенностях АЭХ в ФМ материалах, включая сильно неупорядоченные.

1.1 Магнитные сплавы с невысокой проводимостью

Как уже отмечалось, аномальный эффект Холла представляет собой необычное квантовое явление, обнаруженное в 1880 г. [13] и впервые объясненное более 70 лет спустя [1], которое до сих пор активно исследуется экспериментально и теоретически [2, 12-14]. Установлено, что данный эффект определяется спин-орбитальным взаимодействием (СОВ) и спиновой поляризацией носителей заряда и наиболее сильно проявляется в магнитных материалах (ферромагнитных металлах и полупроводниках, гранулированных металл-диэлектрических системах и пр.), холловское сопротивление которых описывается суммой двух членов:

Ян = — В + = Япн + —Н, (1.1)

d d

где d - толщина слоя магнитного материала, Я0 - константа нормального эффекта Холла, обусловленного силой Лоренца, В - магнитная индукция, а — -константа аномального эффекта Холла, определяемого влиянием СОВ на перенос спин-поляризованных носителей тока, М - намагниченность,

—н = РН /d и Я^ = ран / d - компоненты сопротивления нормального и аномального эффектов Холла, соответственно.

Рис. 1.1. Иллюстрация трех основных механизмов, вызывающих АЭХ. [2]

Одно из наиболее интересных направлений в исследованиях АЭХ связано с изучением зависимости аномальной компоненты удельного холловского сопротивления pAHE от продольного удельного сопротивления pxx = р, так

называемого, скейлингового поведения АЭХ: pAHE х рп, где п - показатель

степени, определяемый механизмом АЭХ [2, 15-24]. Различают внешние (extrinsic) механизмы АЭХ (рис. 1.1), связанные с рассеянием поляризованных по спину носителей заряда на дефектах в кристалле [25, 26], и собственный (intrinsic) механизм [1], определяемый кривизной фазы Берри и топологическими свойствами блоховских состояний спиновых подзон в условиях СОВ [27, 28]. В металлических системах при упругом рассеянии носителей заряда (низкие температуры) п = 1 для механизма асимметричного рассеяния (skew scattering) [25] и п = 2 для механизма бокового смещения при рассеянии (side-jump) [26] и собственного механизма АЭХ [1, 27, 28]. В последнее время скейлинг часто выражают через холловскую проводимость: <JAHE = рAHE / р2 = рше®1 х а2~п. В этом представлении <зШЕ х а для механизма асимметричного рассеяния и aAHE = const для механизма бокового смещения и

собственного механизма АЭХ. Сравнительно недавно [16, 29-31] в сильно неупорядоченных магнитных полупроводниковых и металлических материалах с невысокой проводимостью << 104 Ом-1-см-1 был обнаружен скейлинг иного типа, <АНЕ гс <у с у « 1.6. Подобный скейлинг (у = 1.4-1.6; п = 0.4-0.6)

наблюдался также в металл-диэлектрических нанокомпозитах вблизи порога перколяции, в том числе на диэлектрической его стороне в режиме прыжковой проводимости [19, 23*, 32]. В случае систем с металлической проводимостью скейлинг с у « 1.6 объясняется подавлением собственного механизма АЭХ в условиях сильного рассеяния носителей заряда [33].

Перечисленные выше типы скейлинга наблюдаются при изменении продольного сопротивления за счет изменения степени беспорядка (концентрации магнитных примесей или дефектов, флуктуаций потенциала и пр.) или температуры. В последнем случае существенную роль может играть неупругое рассеяние электронов на фононах и/или магнонах, что сопровождается кардинальной модификацией скейлинга [15, 17, 18, 24, 34].

Рис. 1.2. Температурные зависимости аномальной компоненты холловского сопротивления в различных магнитных полях в 2D-гетероструктуре: квантовая ямаGaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным 5-слоем Мп. [21]

Другой необычный случай нарушения известных типов скейлинга возникает в условиях изменения знака АЭХ с понижением температуры при неизменном знаке нормального эффекта Холла (рис. 1.2) [16, 21, 22, 34-36]. Объяснение механизма смены знака АЭХ носит, как правило, качественный характер, поскольку в общем случае этот параметр определяется многими факторами: особенностями зонной структуры материала, положением уровня Ферми, взаимной ориентацией орбитального и спинового момента, а также типом рассеивающего потенциала (притягивающий или отталкивающий) [37]. В частности, по этой причине знак АЭХ может отличаться от знака нормального эффекта Холла. Так, например, для Fe знак АЭХ положительный, тогда как в № он отрицательный. Наиболее часто изменение знака АЭХ связывается с особенностями в электронной плотности состояний на уровне Ферми и изменением его положения при изменении температуры [16, 35, 36], либо с конкуренцией температурно-зависящих механизмов, определяющих знак АЭХ [21, 34].

Одна из основных причин «популярности» АЭХ связана с тем, что его наблюдение указывает на наличие спин-поляризованных носителей в системе, в отличие от наблюдения намагниченности, в том числе, в сложных гибридных сильно неоднородных системах [2, 3]. Другими словами, АЭХ характеризует магнитное упорядочение той части магнитной подсистемы, которая в основном определяет спиновую поляризацию носителей и наиболее важна для приложений новых магнитных материалов в спинтронике, к которым относятся магнитные гибридные системы не только на основе металлов, но и диэлектриков и полупроводников.

Значительный интерес к магнитным полупроводниковым системам связан с возможностью использования их при создании новых устройств спинтроники (спиновых светодиодов и транзисторов, магниторезистивной памяти с произвольным доступом). Полупроводниковые магнитные системы обладают относительно высоким удельным сопротивлением (р = 10 4 - 10 3 Ом-см), сравнимым с удельным сопротивлением вырожденных немагнитных

полупроводников. Это позволет рассматривать подобные системы в качестве резервуара для спиновой инжекции в классические полупроводниковые материалы [38-40]. Тем не менее, большинство исследований в этой области были выполнены на примере III-Mn-V полупроводников и слоистых III-V/Mn структур (типа дискретных сплавов) на их основе [41], при этом почти нет работ по исследованию транспортных свойств магнитных систем на основе полупроводников IV группы, таких как Si и Ge, которые наиболее интересны для практических применений в современной магнитоэлектронике [6].

Спин-зависящим эффектам в электронном транспорте (отрицательное магнитосопротивление, его анизотропия, аномальный и планарный эффекты Холла) не уделялось достаточно внимания по сравнению с изучением магнитных свойств слоистых кремниевых магнитных систем типа Fe/(a-Si), что связано с наблюдением в них сильного обменного взаимодействия ферромагнитных слоев Fe через аморфную Si прослойку [42]. Однако, данные эффекты напрямую зависят от спиновой поляризации носителей и потому исследования электронного транспорта в таких условиях являются одними из главных задач спинтроники. Изучению спин-зависящих эффектов в магнитных полупроводниковых системах на основе Si и Mn также уделялось недостаточно внимания, несмотря на перспективность применения данных систем в утройствах спинстроники. Так в работах [43, 44] сообщалось о наблюдении ФМ, инициированного носителями заряда (carrier-mediated ferromagnetism) по механизму РККИ, с температурой Кюри 7с~300 К для слоев Si1-xMnx (х=2.6 ат.%), полученных дуговой плавкой, которые были дополнительно легированы бором, а также с 7с>300 К в случае Si/Mn дискретных сплавов. Эти наблюдения, однако, основаны на изучении только намагниченности образцов, которая может однозначно указывать на наличие спиновой поляризации носителей тока лишь в однофазных разбавленных магнитных полупроводниках (РМП) в условиях косвенного обмена магнитных центров посредством носителей заряда. На примере III-Mn-V полупроводников показано (см. [3] и ссылки там), что при наличии второй фазы (ФМ нанокластеров MnAs или

MnSb) гистерезис в намагниченности может наблюдаться при температурах выше комнатной. В этом случае полупроводниковые пленки могут обладать необычными особенностями магнитной анизотропии, связанными с формой включений и модификацией их кристаллической структуры [45, 46]. При этом, однако, эффект Холла может иметь линейный характер, обусловленный силой Лоренца, как в обычном полупроводнике в отсутствие спиновой поляризации носителей тока. С другой стороны, в однофазных РМП существенную роль играет АЭХ, пропорциональный намагниченности, и определяемый спиновой поляризацией носителей тока. В III-Mn-V системах вклад АЭХ оказывается преобладающим до температур, превышающих Тс в 2-3 раза, и потому его изучение играет ключевую роль в установлении ФМ состояния РМП [41], особенно двумерных объектов из-за трудностей измерения в этом случае сигнала намагниченности [47].

Между тем, в Si1-xMnx системах аномальный эффект Холла при повышенных температурах удалось пронаблюдать относительно недавно при содержании Mn в пленках x ~ 0.35 [4, 14]. Полученные результаты были интерпретированы в рамках модели [17, 18], основанной на предположении о формировании в изучаемом материале нестехиометрической матрицы (полупроводниковой или полуметаллической), содержащей высшие силициды марганца со структурой типа «chimney ladder» и составом, близким к силицидам MnSi1.72-1.75 (см. [48] и ссылки там). Стехиометрические силициды указанного типа являются слабыми зонными ФМ с относительно низкой «собственной» температурой Кюри TC < 50К и сильно развитыми спиновыми флуктуациями (парамагнонами) при температурах выше TC. Согласно модели [17, 18], из-за отклонения состава матрицы от стехиометрии в ней возникают дефекты с локализованными магнитными моментами (ЛММ) на нескомпенсированных гибридизованных орбиталях Si и Mn. Было показано, в частности, что роль таких дефектов могут играть вакансии кремния [48]. Обмен между магнитными моментами дефектов через парамагноны матрицы приводит к сильному возрастанию «истинной» температуры Кюри ТС, по сравнению с TC.

Последующие исследования показали, что получение хорошо воспроизводимых магнитных сплавов типа Si1-xMnx (х - 0.35) проблематично в силу многообразия (не менее пяти) устойчивых фаз высших силицидов типа "chimney ladder".

Магнитные системы на основе кремния обладают более сложным беспорядком, чем полупроводниковые материалы типа III-Mn-V. Этот факт обусловлен более низкой растворимостью в кремнии переходных 3d металлов и высокой химической активностью кремния, способствующей формированию различных типов силицидов. Например, даже при небольшой концентрации марганца, атомы Mn могут занимать как положения замещения (акцепторные) кристаллической решетки, так и ее межузельные (донорные) положения, а при низких температурах роста слоев (-300 оС) образовывать различные типы силицидов (e-MnSi, Mn4Si7 и др.). Другими словами, магнитные системы на основе Si являются сильно неупорядоченными объектами, беспорядок которых обусловлен не только флуктуациями кулоновского и обменного взаимодействий как в обычных РМП, но и сильными структурными флуктуациями их состава. Особенно сильные структурные флуктуации ожидаются в Si1-xMnx пленках с х «0.35, которые по составу близки к дисилицидам марганца типа MnSiy в силу многообразия их устойчивых фаз (не менее 5) с мало отличающимися содержаниями компонент (у =1.72-1.75) и одинаковым (тетрагональным) типом решетки: Mn4Si7, Mn11Si19, Mn15Si26, Mn26Si45, Mn27Si47.

С точки зрения получения структурно однородных систем более предпочтительным являются слои Si1-xMnx с х « 0.5. При х =0.5 данные слои соответствует известному силициду MnSi, который по составу далеко отстоит как от дисилицидов MnSiy с у = 1.72-1.75, так и низших силицидов типа MnSiy с у = 0.4-0.6 (Mn5Si3, Mn5Si2). Поэтому менее вероятно получение структурно неоднородного материала, представляющего собой смесь отдельных силицидов. Существенно также, что e-MnSi является при T > 30 К сильным парамагнетиком, в котором велика роль спиновых флуктуаций [49, 50] и можно

ожидать проявления высокотемпературного ФМ подобного [17, 18, 48] при наличии в MnSi матрице молекулярных кластеров (дефектов) с локализованным магнитным моментом.

1.2. Наногранулированные системы

Довольно часто интерпретация данных АЭХ противоречива и затруднительна в магнитных гетероструктурированных материалах. В этом случае большая часть исследований скейлинговой зависимости между рЛНЕ и р проводилась для металлических систем, в которых не наблюдался переход металл-изолятор (ПМИ) [2, 15, 24, 37, 51]. Однако, некоторые сложные структуры, в частности, гранулированные нанокомпозиты (НК), в которых можно варьировать удельное сопротивление на несколько порядков (от хорошего металла до изолятора), изменяя объемную долю металла, являются весьма удобными системами для исследования скейлингового поведения (если оно существует) и других особенностей поведения АЭХ в металлическом и диэлектрическом состояниях системы.

Значительный интерес наногранулированные пленки и многослойные наноструктуры на их основе (в частности, FeNi/ситалл, [Со-А1203]л) вызывают в последнее время и своими необычными магнитными свойствами, обсловленными возможностью формирования вихревых магнитных состояний, которые могут приводить к особенностям в магнитной анизотропии, существенным пара- и диамагнитным вкладам в намагниченность [52, 53].

Для объяснения магнитотранспортных экспериментальных результатов в таких структурах Ефетовым с соавторами в [11] была рассмотрена теоретическая модель плотноупакованных ферромагнитных гранул, связанных друг с другом туннельными контактами в металлическом состоянии системы (рис. 1.3). Такая ситуация реализуется ниже порога перколяции в условиях, когда средний туннельный кондактанс между соседними гранулами в единицах кванта проводимости g > 1, где g = Gt /(2е2/К), е - заряд электрона, Ь -постоянная Планка. Было показано, что масштабная инвариантность (скейлинг)

в этих условиях между поперечным и продольным сопротивлениями отсутствует, т.е. рШЕ(р) = const. В модели [11] АЭХ формируется только внутри гранул.

Рис. 1.3. Гранулированная система и классическая картина холловской проводимости [11].

Однако, позднее Ведяевым и др. было показано, что АХЭ может возникать внутри туннельных барьеров вследствие рассеяния спин-поляризованных электронов на примесях с большой константой СОВ (3d элементах или атомах тяжелых металлов типа Р^ Та), расположенных в туннельных зазорах между гранулами [12]. Туннельный АЭХ (ТАЭХ) может также возникать внутри туннельного барьерного слоя за счет СОВ Рашбы, обусловленного градиентом потенциала, созданного приложенным напряжением [54]. Недавно также были рассмотрены другие механизмы туннельного ТАЭХ [55, 56], вызванные приграничным СОВ, которое приводит к «косому» туннелированию электронов даже в отсутствие примесей. Что касается последних двух механизмов, то они требуют особой кристаллической структуры туннельных переходов, которая вряд ли может быть реализована в сильно неупорядоченных системах, к которым относятся НК. Механизм [54] предпочтительно изучать в отдельных туннельных переходах, в которых легко

реализовать сильные электрические поля, необходимые для наведенного СОВ

Рашбы, >(104 - 105) В/см. В планарных НК образцах типичные поля в

2

транспортных измерениях <10 В/см.

Оригинальная методика наблюдения ТАЭХ, обусловленного наведенным СОВ Рашбы [54], была развита в работе [57], в которой было исследовано падание напряжения VH в плоскости металлического Р контакта туннельного перехода Pt/MgO/CoFeB при протекании через него поперечного тока. В магнитном поле был обнаружен сигнал VH, возникающий за счет холловского кольцевого тока, который квадратично зависел от напряжения смещения, инициирущего СОВ Рашбы в барьере [57].

Заметим, что первая теория АЭХ для прыжкового режима в разбавленных системах с магнитными примесями была построена в работе [58], где был получен скейлинговый закон с п=0.5 при изменении концентрации примесей. Основной вывод этой теории состоял в том, что АЭХ возникает из-за влияния СОВ на коррелированные прыжки между триадами примесей в перколяционной сетке (подобно НЭХ в прыжковом режиме, возникающему в триадах примесей при воздействии магнитного поля на интерференцию амплитуд для прямого и косвенного (второго порядка) переходов [59]). Дальнейшее развитие этого подхода для разбавленных магнитных систем, связанное с процедурой усреднения коррелированных прыжков на тройках примесных центрах с применением теории перколяции, привело к скейлингу между аномальной одш и продольной а проводимостями вида: аАНЕ х а7, где 1.33 < 7 < 1.76 (т.е. 0.67 > п >0.24) [60]. Однако, рассмотреная в [60] теория АЭХ в перколяционной система, строго говоря, справедлива для прыжкового режима проводимости в разбавленных системах с изолированными магнитными примесями, а не для нанокомпозитов с плотноупакованными ферромагнитными гранулами.

Другой интересной особенностью гранулированных НК является необычное поведение их проводимости в промежуточной области концентраций ниже перколяционного перехода хр, когда содержание металла х

превышает критическую величину хс для ПМИ (хс < х < хр). В [10, 61] было предсказано, что в этих условиях в металлическом состоянии, когда нормированный туннельный кондактанс между соседними гранулами g = Gt /(2е2 / К) > 1, должен выполняться логарифмический закон в

проводимости а х 1пТ, который не связан с размерностью системы и поправками за счет слабой локализации (см. [62*] и ссылки там). Именно в этих условиях удельное сопротивление АЭХ не зависит от продольного сопротивления, т.е. п « 0 [11]. Недавно такое необычное скейлиновое поведение с п « 0, когда проводимость подчиняется логарифмическому закону а х 1пТ, было продемонстрировано для нанокомпозитов путем варьирования

содержания № [20] (несмотря на то, что вдали от ПМИ, п « 0.6-0.7 [20, 63]). Отметим, что зависимость между рАНЕ и р в случае, когда температура являлась переменным параметром (т.е. не содержание х), в [20] не исследовалась.

Параметрические зависимости рАНЕ(р) от Т и х ранее изучались в

нанокомпозитах Fe-SiO2 на диэлектрической стороне ПМИ (рис. 1.4), где

1/2

реализуется зависимость 1пах (Т0/Т) [32, 64]. Было доказано, что при изменении по температуре поведение АЭХ подчиняется степенному закону рАНЕ х рп с п = 0.44-0.59 [32]. Между тем, при изменении содержания

наногранул Fe функция рАНЕ(р) ведет себя немонотонно: проводимость АЭХ выполаживается в окрестности ПМИ и имеет тенденцию к выходу на новое плато при увеличении Т0 [64].

В работе [65] в изолирующем Gal-xMnxAs р-типа (х ~ 0.014) для пленок с разной концентрацией дырок наблюдался скейлинговое поведение с п ~ 0.5 (рис. 1.5). С другой стороны, в Ga1-xMnxAs на металлической стороне ПМИ (х > 0,05) при изменении температуры и содержания Мп степенные зависимости имели вид ране(Т) х [р(Т)]

и ране (х) х [р(х)] , соответственно [65]. Значительное различие в показателе степени объясняется специфической

зависимостью намагниченности металлического кластера вблизи ПМИ от его проводимости, М гс а15, при температурах, значительно меньших температуры Кюри Тс.

1.1 1.0

0.9 — 08

О 0.7 О

а 0.6

^ 0.5 ^ 0.4 0.3 0,2 0.1 0.0

8 9 10 11 12

1п(*хх)(0)

Рис. 1.4. Параметрические зависимости рАНЕ(р) (параметром является температура, которая изменяется в диапазоне Т=77-300 К) для диэлектрических образцов наногранулированных пленок Fe/SiO2 [32].

р^ (тПсш)

Рис. 1.5. Завсисимость рАНЕ(р) в изолирующем Ga1-xMnхAsр-типа (х ~ 0.014) для пленок с разной концентрацией дырок в полях 6, 12 и 18 Тл [65].

Для наногранулированных пленок CoFeB-AЮ>, на основе нестехиометрической оксидной матрицы А\203 ранее было показано, что данные НК не обладают четко выраженным порогом перколяции [19] и потому являются подходящими неупорядоченными объектами для изучения АЭХ в металлическом режиме в условиях возможного заметного проявления логарифмической температурной зависимости проводимости а <х \пТ.

Таким образом, представленный анализ литературы показывает, что, несмотря на имеющийся заметный экспериментальный задел по изучению свойств сплавов и магнитных металл-диэлектрических

нанокомпозитов, в отношении поведения в них АЭХ имеется ряд существенных практически важных физических задач. Главные из них:

• Изучение возможности создания хорошо воспроизводимых однородных магнитных типа $^-лМпх (х « 0.5), легко интегрируемых в современную Si

технологию, со спиновои поляризации носителем заряда выше комнатной температуры;

• Определение структурных особенностей магнитных сплавов 811-хМпх (х« 0.5), обладающих высокотемпературным ферромагнетизмом (ТС > 300 К);

• Установление механизма формирования высокотемператруного ФМ в нестехиометрических магнитных сплавах 811-хМпх (х « 0.5) с небольшим избытком Мп относительно моносилицида МпБ1 методами магнетометрии и аномального эффекта Холла;

• Выявление особенностей транспортных и магнитных свойств металл-диэлектрических нанокомпозитов с высоким содержанием диспергированных магнитных атомов в окрестности перехода металл-изолятор и определение в этих условиях скейлингового соотношения в поведении АЭХ;

• Изучение возможности проявления тунельного АЭХ, обусловленного спин-орбитальным рассеянием электронов при их туннелировании в межгранульных областях по механизму [11].

Решению перечисленных выше фундаментальных и практически важных

задач и посвящена настоящаяя работа.

Глава 2. Методы создания и исследования образцов

Задачи, поставленные в рамках диссертационной работы, решались с использованием различных методик синтеза, которые позволили создать пленочные образцы 811-хМпх с различной величиной нестихиометрии (х ~0.51-0.55), а также образцы нанокомпозитов типа (CoFeB)х(Al2O3)100-х с

22 3

высоким содержанием магнитных атомов Fe и Со (до ~10 см ) и составом, близким к переходу металл-изолятор. Для исследования магнитных, транспортных и структурных свойств образцов был использован также целый набор экспериментальных установок, в том числе оригинальной разработки. Ниже приведены описания основ методов синтеза и исследований свойств образцов, представленных в данной работе.

2.1. Синтез сплавных пленок металл-полупроводник методом импульсного лазерного осаждения

Важной задачей современной микроэлектроники - является создание качественных однородных нанометровых пленок, имеющих гладкую поверхность. Метод импульсного лазерного осаждения (ИЛО) зарекомендовал себя как один из наиболее эффективных методов создания качественных полупроводниквых пленок. Прежде всего, его отличает простота и надежность импользования, а вследствие этого и низкая стоимость синтеза объектов по сравнению с другими методами: молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и методом роста из газовой фазы с использованием металлоорганических соединений (РГФ МОС).

В основе метода ИЛО лежит процесс конденсации на поверхности

подложки материала, полученного при взаимодействии твердотельной мишени

8 2

с импульсным лазерным излучением большой мощности (Р > 4-10 Вт/см ) [6668]. Особенностью метода служит тот факт, что испарение материала мишени просходит без образования жидкой фазы.

Рис. 2.1. Упрощенная схема установки для синтеза тонких пленок методом ИЛО. 1 - лазер, 2 - система фокусирующих линз, 3 - вакуумная камера, 4 - мишень, 5 - плазменный факел, 6 -подложка, 7 - устройство для нагрева подложки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Черноглазов Константин Юрьевич, 2023 год

Литература

1. R. Karplus and J.M. Luttinger. Hall Effect in Ferromagnetics // Phys. Rev. -1954. - V. 95. - P. 1154.

2. N. Nagaosa, J. Sinova, S. Onoda, A.H. MacDonald, N.P. Ong. Anomalous Hall effect // Rev. Mod. Phys. - 2010. - V. 82, № 18. - P. 1539.

3. В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, В.П. Лесников, К.И. Маслаков, В.В. Подольский. Особенности эффекта Холла в слоях GaMnSb, полученных осаждением из лазерной плазмы // ЖЭТФ. -2005. - Т. 127, № 4. - С. 838-849.

4. B.A. Aronzon, V.V. Rylkov, S.N. Nikolaev, V.V. Tugushev, S. Caprara, V.V. Podolskii, V.P. Lesnikov,A. Lashkul, R. Laiho, R.R. Gareev, N.S. Perov, and

A.S. Semisalova. Room-temperature ferromagnetism and anomalous Hall effect in Si1-xMnx (x ~ 0.35) alloys // Phys. Rev. B. - 2011. - V. 84. - P. 075209-075218.

5. S. Zhou, A. Shalimov, K. Potzger, M. Helm, J. Fassbender, H. Schmidt. MnSi17 nanoparticles embedded in Si: Superparamagnetism with collective behavior // Phys. Rev. B. - 2009. - V. 80. - P. 174423.

6. S. Zhou, H. Schmidt. Mn-doped Ge and Si: A Review of the Experimental Status // Materials. - 2010. - V. 3. - 5054.

7. *С.Н. Николаев, К.Ю. Черноголазов, А.В. Шорохова, Л.С. Паршина, В.А. Леванов, К.И. Маслаков, О.А. Новодворский, В.В. Рыльков. Магнитотранспортные свойства нестехиометрических Si-Mn сплавов с избытком марганца относительно силицидов Mn4Si7 и MnSi // Радиотехника и электроника. - 2016. - Т. 61, № 12. - С. 1202-1206.

8. V.N. Men'shov, V.V. Tugushev, S. Caprara, E.V. Chulkov. High-temperature ferromagnetism in Si:Mn alloys // Phys. Rev. B. - 2011. - V. 83. - P. 035201.

9. S. Onoda, N. Sugimoto, N. Nagaosa. Quantum transport theory of anomalous electric, thermoelectric, and thermal Hall effects in ferromagnets // Phys. Rev.

B. - 2008. - V. 77. - P. 165103.

10. I.S. Beloborodov, A.V. Lopatin, V.M. Vinokur, K.B. Efetov. Granular electronic systems // Rev. Mod. Phys. 2007. - V. 79. - P. 469.

11. H.Meier, , M.Yu. Kharitonov, K.B. Efetov. Anomalous Hall effect in granular ferromagnetic metals and effects of weak localization // Phys.Rev.B. - 2009. -V. 80. - P. 045122.

12. A. V. Vedyayev, N. V. Ryzhanova, N. Strelkov, B. Dieny. Spontaneous anomalous and spin Hall effects due to spin-orbit scattering of evanescent wave functions in magnetic tunnel junctions // Phys. Rev. Lett. - 2013. - V. 110. - P. 247204.

13. E.H. Hall. On the new action of magnetism on a permanent electric current // Philos. Mag. - 1880. - S.5, V. 10, № 63. - P. 301.

14. С.Н. Николаев, Б.А. Аронзон, В.В. Рыльков, В.В. Тугушев, Е.С. Демидов, С.А. Левчук, В.П. Лесников, В.В. Подольский, Р.Р. Гареев. Аномальный эффект Холла в Si пленках, сильно легированных Mn // Письма в ЖЭТФ. - 2009. - Т. 89, № 12. - С.707.

15. Y. Tian, L. Ye, and X. Jin. Proper scaling of the anomalous Hall effect // Phys. Rev. Lett. - 2009. - V.103. - Р. 087206.

16. D. Chiba, A. Werpachowska, M. Endo, Y. Nishitani, F. Matsukura, T. Dietl, and H. Ohno. Anomalous Hall effect in field-effect structures of (Ga,Mn)As // Phys. Rev. Lett.- 2010. - V. 104. - Р. 106601.

17. X. Liu, S. Shen, Z. Ge, W.L. Lim, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna, S. Lee. Scaling relations between anomalous Hall and longitudinal transport coefficients in metallic (Ga,Mn)As films // Phys. Rev. B. -2011. - V. 83. - Р. 144421.

18. A. Shitade, and N. Nagaosa. Anomalous Hall effect in ferromagnetic metals: Role of phonons at finite temperature // J. Phys. Soc. Jpn. - 2012. - V. 81. - Р. 083704.

19. Ю.О. Михайловский, Д.Е. Меттус, А.П. Казаков, В.Н. Прудников, Ю.Е. Калинин, А.С. Ситиников, А. Гербер, Д. Бартов, А.Б. Грановский.

Аномальный эффект Холла в нанокомпозитах (Co41Fe39B20)x(Al-O)100-x // Письма в ЖЭТФ. - 2013. - Т. 97. - С. 544.

20. D. Bartov, A. Segal, M. Karpovski, and A. Gerber. Absence of the ordinary and extraordinary Hall effects scaling in granular ferromagnets at metal-insulator transition // Phys. Rev. B. - 2014.- V. 90. - Р. 144423.

21. Л.Н. Овешников, В.А. Кульбачинский, А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон. Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным 5-слоем Mn // Письма в ЖЭТФ. - 2014. - Т. 100. - С. 648.

22. S.A. Meynell, M.N. Wilson, J.C. Loudon, A. Spitzig, F.N. Rybakov, M.B. Johnson, and T.L. Monchesky. Hall effect and transmission electron microscopy of epitaxial MnSi thin films // Phys. Rev. B. 2014. - V. 90, 224419.

23. *Yu.O. Mikhailovsky, V.N. Prudnikov, K.Yu. Chernoglazov, V.V. Rylkov, S.N. Nikolaev, A.V. Sitnikov, Yu.E. Kalinin, D. Bartov, A. Gerber, A.B. Granovsky. Anomalous Hall effect in (Co41Fe39B20)x(Al-O)100-x nanocomposites: temperature dependence. // Solid State Phenomena. - 2015. - V. 233-234.- P. 403-406.

24. D. Hou, G. Su, Y. Tian, X. Jin, S.A. Yang, and Q. Niu. Multivariable Scaling for the Anomalous Hall Effect // Phys. Rev. Lett. -2015.- V. 114. - P. 217203.

25. J. Smit. The spontaneous hall effect in ferromagnetics I // Physica. - 1955. - V. 21. - P. 877.

26. L. Berger. Side-Jump Mechanism for the Hall Effect of Ferromagnets // Phys. Rev. B. - 1970. - V. 2. - P. 4559.

27. T. Jungwirth, Q. Niu, and A.H. MacDonald. Anomalous Hall Effect in Ferromagnetic Semiconductors // Phys. Rev. Lett. - 2002. - V. 88. - P. 207208.

28. M. Onoda and N. Nagaosa. Topological Nature of Anomalous Hall Effect in Ferromagnets // J. Phys. Soc. Jpn.- 2002. - V. 71. - P. 19.

29. T. Fukumura, H. Toyosaki, K. Ueno, M. Nakano, T. Yamasaki, and M. Kawasaki. A Scaling Relation of Anomalous Hall Effect in Ferromagnetic Semiconductors and Metals // Jpn. J. Appl. Phys. - 2007.- V. 46. - P. L642.

30. A. Fernández-Pacheco, J.M. De Teresa, J. Orna, L. Morellon, P.A. Algarabel, J.A. Pardo, and M.R. Ibarra. Universal scaling of the anomalous Hall effect in Fe3O4 epitaxial thin films // Phys. Rev. B.- 2008.- V. 77. - P. 100403(R).

31. M. Glunk, J. Daeubler, W. Schoch, R. Sauer, and W. Limmer. Scaling relation of the anomalous Hall effect in (Ga,Mn)As // Phys. Rev. B.- 2009.- V. 80. - P. 125204.

32. Б.А. Аронзон, Д.Ю. Ковалев, А.Н. Лагарьков, Е.З. Мейлихов, В.В. Рыльков, М.В. Седова, Н. Негре, М. Гойран, Дж. Леотин. Аномальный эффект Холла в гранулированных пленках Fe/SiO2 в режиме туннельной проводимости // Письма в ЖЭТФ.- 1999.- Т. 70, С. 87.

33. S. Onoda, N. Sugimoto, and N. Nagaosa. Intrinsic Versus Extrinsic Anomalous Hall Effect in Ferromagnets // Phys. Rev. Lett.- 2006.- V. 97. - P. 126602.

34. J.G. Checkelsky, M. Lee, E. Morosan, R.J. Cava, and N.P. Ong. Anomalous Hall effect and magnetoresistance in the layered ferromagnet Fei/4TaS2: The inelastic regime // Phys. Rev. B.- 2008.- V. 77. - P. 014433.

35. Z. Fang, N. Nagaosa, K.S. Takahashi, A. Asamitsu, R. Mathieu, T. Ogasawara, H. Yamada, M. Kawasaki, Y. Tokura, K. Terakura. The Anomalous Hall effect and magnetic monopoles in momentum space // Science.- 2003.- V. 302. - P. 92.

36. M. Eginligil, G. Kim, Y. Yoon, J.P. Bird, H. Luo, B.D. McCombe. Manipulation of an unusual anomalous Hall effect in Gai-xMnxSb random alloys // Physica E.- 2008.- V. 40. - P. 2104.

37. А.В. Ведяев, А.Б. Грановский, О.А. Котельникова. Кинетические явления в неупорядоченных ферромагнитных сплавах. Изд-во МГУ. -1992. - C. 156.

38. E.I. Rashba. Theory of electrical spin injection: Tunnel contacts as a solution of the conductivity mismatch problem // Phys. Rev. B. - 200. - V. 62 - P. R16267.

39. G. Schmidt, L.W. Molenkamp. Spin injection into semiconductors, physics and experiments // Semicond. Sci. Technol. - 2002. - V. 17. - P. 310.

40. D.D. Awschalom, D. Loss, N. Samarth (Eds.). Semiconductor Spintronics and Quantum Computation // Springer. - 2002.

41. T. Jungwirth, Jairo Sinova, J. Masek. Theory of ferromagnetic (III,Mn)V semiconductors // Rev. Mod. Phys. - 2006. - V. 78. - P. 809-864.

42. D.E. Burgler, M. Buchmeier, S. Cramm. Exchange coupling of ferromagnetic films across metallic and semiconducting interlayers // J. Phys.: Condens. Matter. - 2003. - V. 15. - P. S443.

43. Y. Zhang, L. Pan, H. Zhu. W. G. Wang, L.R Shah, X. Fan, А. Xiao. Enhancement of ferromagnetism in Mn-doped Si via B co-doping // J. Appl. Phys. - 2010. - V. 107. - P. 09C305.

44. S. H. Chiu, H. S. Hsu, J. C. A. Huang. The molecular beam epitaxy growth, structure, and magnetism of Si1-xMnx films // J. Appl. Phys. - 2008. - V. 103. -Р. 07D110.

45. Дмитриев А.И., Кочура А.В., Кузьменко А.П., Паршина Л.С., Новодворский О.А., Храмова О.Д., Дмитриева М.С., Кочура Е.П., Васильев А.Л., Аронзон Б.А. Формирование магнитной анизотропии пленок GaMnSb термообработкой // ЖЭТФ. - 2018. - Т. 154. - Вып. 3. - С. 613.

46. Дмитриев А.И., Кочура А.В., Маренкин С.Ф., Lahderanta E., Кузьменко А.П., Аронзон Б.А. Магнитная анизотропия игольчатых монокристаллических включений MnSb в матрице InSb // Письма в ЖТФ. - 2021. - Вып. 10. - С. 46.

47. Б.А. Аронзон, В.А. Кульбачинский, В.Г. Гурин, А.Б. Давыдов, В.В. Рыльков, А.Б. Грановский, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, Y. Horikoshi, K. Onomitsu. Аномальный эффект Холла в 8- легированных Mn

GaAs/In017Ga0 83As/GaAs квантовых ямах с высокой подвижностью дырок // Письма в ЖЭТФ. - 2007. - Т. 85, № 1. - С. 32-39.

48. E. Kulatov, S. Caprara, V.V. Tugushev. Half-metallic spin polarized electron states in the chimney-ladder higher manganese silicides(x = 0.25 - 0.30) with silicon vacancies // Eur. Phys. J. B. - 2012. - V. 85. - Р. 149.

49. T. Moriya. Spin Fluctuations in Itinerant Electron Magnetism // Berlin. - 1985.

50. С.М. Стишов, А.Е. Петрова. Геликоидальный зонный магнетик MnSi, УФН. - 2011. - Т. 81, № 11. - С. 1157-1170.

51. А.В. Ведяев, А.Б. Грановский, А.В. Калицов, Ф. Брауэрс. Аномальный эффект Холла гранулированных сплавов // ЖЭТФ. - 1997. - Т. 117, № 6. -Р. 2198.

52. N.N. Kovaleva, A.V. Bagdinov, A. Stupakov, A. Dejneka, E.I. Demikhov, A.A. Gorbatsevich, F.A. Pudonin, K.I. Kugel, F.V. Kusmartsev. Collective magnetic response of inhomogeneous nanoisland FeNi films around the percolation transition // J. Nanopart Res. - 2018. - V. 20, 109.

53. G.N. Eroshenko, F.A. Pudonin, I.A. Sherstnev, D.D. Noskova, D.A. Egorov, A.M. Shadrin. Features of unidirectional magnetic anisotropy in multilayer nanostructured systems [Co-Al2O3] // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 2022. - V. 541, 168497.

54. A.V.Vedyayev, M. S. Titova, N.V.Ryzhanova, M.Y. Zhuravlev, and E. Y. Tsymbal. Anomalous and spin Hall effects in a magnetic tunnel junction with Rashba spin-orbit coupling // Appl. Phys. Lett. - 2013. - V. 103. - Р. 032406.

55. A. Matos-Abiague and J. Fabian. Tunneling Anomalous and Spin Hall Effects // Phys. Rev. Lett. - 2015. - V. 115. - Р. 056602.

56. T.H. Dang, H. Jaffres, T.L. Hoai Nguyen, and H.-J. Drouhin. Giant forward-scattering asymmetry and anomalous tunnel Hall effect at spin-orbit-split and exchange-split interfaces // Phys. Rev. B. - 2015. - V. 92. - Р. 060403(R).

57. Караштин Е.А., Гусев Н.С., Пашенькин И.Ю., Сапожников М.В., Фраерман А.А. Эффект Холла в туннельных магнитных контактах // ЖЭТФ. - 2022 (в печати).

58. А.В. Ведяев, А.Б. Грановский. Аномальный эффект Холла при прыжковом транспорте // ФТТ. -1986. - Т. 28. - С. 2310.

59. T. Holstein. Hall Effect in Impurity Conduction // Phys. Rev. - 1961. - V. 124. - Р. 1329.

60. X.-J. Liu, X. Liu, and J. Sinova. Scaling of the anomalous Hall effect in the insulating regime // Phys. Rev. B. -2011. - V. 84 . - Р. 165304.

61. K. B. Efetov and A. Tschersich. Coulomb effects in granular materials at not very low temperatures // Phys. Rev. B. -2003. - V. 67. - Р. 174205.

62. *В.В. Рыльков, С.Н. Николаев, В.А. Демин, А.В. Емельянов, А.В. Ситников, К.Э. Никируй, В.А. Леванов, М.Ю. Пресняков, А.Н. Талденков, А.Л. Васильев, К.Ю. Черноглазов, А.С. Веденеев, Ю.Е. Калинин, А.Б. Грановский, В.В. Тугушев, А.С. Бугаев. Транспортные, магнитные и мемристивные свойства наногранулированного композита (CoFeB)x(LiNbOy) 100-х // ЖЭТФ. - 2018. - Т. 153, № 3. - С. 424441.

63. A. Pakhomov, X. Yan, and B. Zhao. Giant Hall effect in percolating ferromagnetic granular metal □ insulator films // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - Р. 3497.

64. Б.А. Аронзон, А.Б. Грановский, Д.Ю. Ковалев, Е.З. Мейлихов, В.В. Рыльков, М.А. Седова. Концентрационное поведение аномального эффекта Холла в гранулированных пленках Fe/SiO2 ниже порога протекания // Письма в ЖЭТФ. - 2000. - Т. 71. - С. 687-692.

65. S. Shen, X. Liu, Z. Ge, J. K. Furdyna, M. Dobrowolska, and J. Jaroszynski. Scaling of the anomalous Hall effect in low Mn concentration (Ga, Mn)As // J. Appl. Phys. - 2008. - V. 103. - Р. 07D134.

66. С.В. Гапонов, Н.Н. Салащенко. Электронная промышленность. -1976. - №1. - С. 11-20.

67. Д.Г. Калюжный, Р.Г. Зонов, Г.М. Михеев. Использование сканирующего устройства для напыления углеродных нанопленок методом лазерной абляции // Нанотехника. - 2010. - Т. 2, № 22. - С. 52-54.

68. Ю.В. Афанасьев, О.Н. Крохин. Газодинамическая теория воздействия излучения лазера на конденсированные среды // Труды ФИ АН СССР.-1970.-Т. 52. - С.118-170.

69. В.Я. Панченко, О.А. Новодворский, В.С. Голубев. Создание высококачественных нанометровых пленок по технологии Лазерно-плазменного напыления // Перспективные материалы (Специальный выпуск). - 2007. - Т. 1. - С. 39-52.

70. Д.Г. Калюжный, Р.Г. Зонов, Г.М. Михеев. Установка для напыления углеродных пленок методом абляции сканирующим лазерным лучом // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - № 5. - С. 167-168.

71. Г.М. Михеев, Д.Г. Калюжный, Т.Н. Могилева, А.Ю. Попов. Однозеркальная электромеханическая система сканирования луча лазера // Приборы и техника эксперимента. - 2003. - № 5. - С. 124-126.

72. * В.В. Рыльков, С.Н. Николаев, К.Ю. Черноглазов, Б.А. Аронзон, К.И. Маслаков, В.В. Тугушев, Э.Т. Кулатов, И.А. Лихачев, Э.М. Пашаев, А.С. Семисалова, Н.С. Перов, А.Б. Грановский, Е.А. Ганьшина, О.А. Новодворский, О.Д. Храмова, Е.В. Хайдуков, В.Я. Панченко. Высокотемпературный ферромагнетизм нестехиометрических сплавов Si1-xMnx (x ~ 0.5) // Письма в ЖЭТФ. - 2012. - Т. 96, № 4. - С. 272-280.

73. А.В. Ситников. Электрические и магнитные свойства наногетерогенных систем металл-диэлектрик // Диссертация на соискание на соискание ученой степени доктора физико-математических наук - Воронеж: Воронежский Гос. Техн. Ун-т. - 2010. - C. 317.

74. С.А. Гриднев, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников. Нелинейные явления в нано- и микрогетерогенных системах // БИНОМ, М. - 2012. - C. 352.

75. N. Ohtsu, M. Oku, A. Nomura, T. Sugawara, T. Shishido, K. Wagatsuma. X-ray photoelectron spectroscopic studies on initial oxidation of iron and manganese mono-silicides // Appl. Surf. Sci. - 2008. - V. 254, 3288 (2008).

76. В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, В.П. Лесников, К.И. Маслаков, В.В. Подольский. Особенности эффекта холла

в слоях GaMnSb, полученных осаждением из лазерной плазмы // ЖЭТФ. -2005. - В. 127. - С. 838.

77. *Николаев С.Н., Рыльков В.В., Аронзон Б.А., Маслаков К.И., Лихачев И.А., Пашаев Э.М., Черноглазов К.Ю., Семисалова А.С., Перов Н.С., Кульбачинский В.А., Новодворский О.А., Шорохова А.В., Храмова О.Д., Хайдуков Е.В., Панченко В.Я. Высокотемпературный ферромагнетизм Si1-xMnx пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости // ФТП. - 2012. - Т. 46, № 12.- С. 1546-1553.

78. В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, А.Б. Давыдов, Д.Ю. Ковалев, Е.З. Мейлихов. Долговременная релаксация магнитосопротивления в гранулярном ферромагнетике // ЖЭТФ. - 2002. - Т. 121, №4. - С. 908.

79. Б.А. Аронзон, А.Б. Грановский, А.Б. Давыдов, М.Е. Докукин, Ю.Е. Калинин, С.Н. Николаев, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, В.В. Тугушев. Планарный эффект Холла и анизотропное магнитосопротивление в слоистых структурах Co0.45Fe0.45Zr01/a-Si с перколяционной проводимостью // ЖЭТФ. - 2006. - Т. 130. - С. 127.

80. В.Н. Меньшов, В.В. Тугушев. Ферромагнитный порядок в сплавах кремний-марганец с фазовой сегрегацией // ЖЭТФ. - 2011. - Т. 140. - С. 140.

81. О.А. Новодворский, А.А. Лотин, Е.В. Хайдуков. Патент РФ на полезную модель № 89906. Опубликовано 20.12.2009, Бюл. № 35.

82. Е.В. Хайдуков, О.А. Новодворский, В.В. Рочева, А.А. Лотин, Д.А. Зуев, О.Д. Храмова. Управление энергетическим спектром ионов в модифицированном методе импульсного лазерного напыления на пересекающихся факелах // Письма в ЖТФ. - 2011. - Т. 37, №2. - С. 39.

83. А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Е.В. Хайдуков, В.В. Рочева, О.Д. Храмова, В.Я. Панченко, К. Венцель, Н. Трумпайска, К.Д. Щербачев. Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерноплазменного осаждения // ФТП. - 2010. - Т. 44. - С. 439.

84. *S. N. Nikolaev, A A.S. Semisalova, V.V. Rylkov, V.V. Tugushev, A.V. Zenkevich, A.L. Vasiliev, E.M. Pashaev, K.Yu. Chernoglazov, Yu.M. Chesnokov, I.A. Likhachev, N.S. Perov, Yu.A. Matveyev, O.A. Novodvorskii, E.T. Kulatov, A.S. Bugaev, Y.Wang, S. Zhou. Ferromagnetism of MnxSi1-x (x~0.5) films grown in the shadow geometry by pulsed laser deposition method // AIP Advances. - 2016. - V. 6 . - Р. 015020.

85. C. Sürgers, M. Gajdzik, G. Fischer, H. v. Löhneysen, E. Welter, and K. Attenkofer. Preparation and structural characterization of ferromagnetic Mn5Si3Cx films // Phys. Rev. B. -2003. - V. 68. - Р. 174423.

86. B. Gopalakrishnan, C. Sürgers, R. Montbrun, A. Singh, M. Uhlarz, and H. v. Löhneysen. Electronic transport in magnetically ordered Mn5Si3Cx films // Phys. Rev. B. - 2008. - V. 77. - Р. 104414.

87. M. Lee, Y. Onose, Y. Tokura, N.P. Ong. Hidden constant in the anomalous Hall effect of high-purity magnet MnSi // Phys. Rev. B. - 2007. - V. 75. - Р. 172403.

88. A. Neubauer, C. Pfleiderer, R.Ritz, P.G. Niklowitz, P. Boni. Hall effect and magnetoresistance in MnSi // Physica B. - 2009. - V. 404. - Р. 3163.

89. S.V. Demishev, V.V. Glushkov, I.I. Lobanova, M.A. Anisimov, V.Yu. Ivanov, T.V. Ishchenko, M.S. Karasev, N.A. Samarin, N.E. Sluchanko, V.M. Zimin, and A.V. Semeno. Magnetic phase diagram of MnSi in the high-field region // Phys. Rev. B. - 2012. - V. 85. - Р. 045131.

90. С.В. Демишев, А.В. Семено, А.В. Богач, В.В. Глушко, Н.Е. Случанко, Н.А. Самарин, А.Л. Чернобровкин. Является ли MnSi зонным магнетиком? Результаты ЭПР-эксперимента // Письма ЖЭТФ. - 2011. - Т. 93. - С. 231.

91. T. Dietl, in Modern Aspects of Spin Physics, Lecture Notes in Physics, edited by Walter Potz, Jaroslav Fabian, Ulrich Hohenester. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg. - 2007, V. 712. - P. 1.

92. A.V. Kudrin, A.V. Shvetsov, Yu.A. Danilov, A.A. Timopheev, D.A. Pavlov, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, N.A. Sobolev. Anomalous Hall effect in two-

phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions // Phys. Rev. B. - 2014. - Vol. 90. - P. 024415.

93. *В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, С.Н. Николаев, К.Ю. Черноглазов, А.С. Семисалова, Н.С. Перов, В.А. Кульбачинский, О.А. Новодворский, А.В. Шорохова, О.Д. Храмова, Е.В. Хайдуков, В.Я. Панченко. Высокотемпературный ферромагнетизм пленок Si1-xMnx (x « 0.5), полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости. Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г., с. 154-155.

94. P. Blaha, K. Schwarz, G.K.H. Madsen, D. Kvasnicka, and J. Luitz, Wien2k, An Augmented Plane Wave+Local Orbitals Program for Calculating Crystal Properties (Karlheinz Schwarz, Techn. Universitat Wien, Austria, 2001).

95. J.P. Perdew, S. Burke, M. Ernzerhof. Generalized Gradient Approximation Made Simple // Phys. Rev. Lett. - 1996. - V. 77. - Р. 3865.

96. V.G. Storchak, J.H. Brewer, R.L. Lichti, T.A. Lograsso, and D.L. Schlagel. Electron localization into spin-polaron state in MnSi // Phys. Rev. B. - 2011. -V. 83. - Р. 140404(R).

97. F.P. Mena, D. van der Marel, A. Damascelli, M. Fath, A.A. Menovsky, and J.A. Mydosh. Heavy carriers and non-Drude optical conductivity in MnSi // Phys. Rev. B. - 2003. - V. 67. - Р. 241101(R).

98. A.B. Gokhale and R. Abbaschian. The Mn-Si (Manganese-Silicon) System // Bulletin of Alloy Phase Diagrams. - 1990. - V. 11, № 5. - Р. 468.

99. *Parul Pandey, A.B. Drovosekov, Y. Wang, C. Xu, S.N. Nikolaev, K.Yu. Chernoglazov, A.O. Savitsky, N.M. Kreines, K.I. Maslakov, E.A. Cherebilo, V.A. Mikhalevsky, O.A. Novodvorskii, V.V. Tugushev, V.V. Rylkov, M. Helm, S. Zhou. Engineering of high-temperature ferromagnetic Si1-xMnx (x ~ 0.5) alloyed films by pulsed laser deposition: Effect of laser fluence / Journal of Magnetism and Magnetic Materials. -2018. - V. 459. - Р. 206-210.

100. *Дровосеков А.Б., Савицкий А.О., Крейнес Н.М., Рыльков В.В., Николаев С.Н., Черноглазов К.Ю., Талденков А.Н., Черебыло Е.А., Михалевский В.А., Новодворский О.А., Маслаков К.И., Pandey P., Zhou S. Влияние плотности энергии лазерного пучка на магнитные свойства тонких пленок MnxSii-x (x ~ 0.5), приготовленных методом импульсного лазерного осаждения // ФТТ. - 2018. - Т. 60, № 11. - С. 2147-2151.

101. *К.Ю. Черноглазов, С.Н. Николаев, В.В. Рыльков, А.С. Семисалова, А.В. Зенкевич, В.В. Тугушев, А.Л. Васильев, Ю.М. Чесноков, Э.М. Пашаев, Ю.А. Матвеев, А.Б. Грановский, О.А. Новодворский, А.С. Веденеев, А.С. Бугаев, А. Драченко, Ш. Жoу. Аномальный эффект Холла в поликристаллических пленках Si1-xMnx (x « 0.5) с самоорганизованным распределением кристаллитов по форме и размерам / Письма в ЖЭТФ. -2016. - Т. 103. № 7. - С. 539-546.

102. V.V. Rylkov, E.A. Gan'shina, O.A. Novodvorskii, S.N. Nikolaev, A.I. Novikov, E.T. Kulatov, V.V. Tugushev, A.B. Granovskii, and V.Ya. Panchenko. Defect-induced high-temperature ferromagnetism in Si1-xMnx (x ~ 0.52-0.55) alloys // Europhys. Lett. - 2013. - V. 103. - Р. 57014.

103. U. Gottlieb, A. Sulpice, B. Lambert-Andron, O. Laborde. Magnetic properties of single crystalline M^Siy // J. of All. and Comp. - 2003. - V. 361, № 1. -2.- P. 13-18.

104. A.B. Drovosekov, N.M. Kreines, A.O. Savitsky, S.V. Kapelnitsky, V.V. Rylkov, V.V. Tugushev, G.V. Prutskov, O.A. Novodvorskii, E.A. Cherebilo, E.T. Kulatov, Y. Wang, S. Zhou. Magnetic anisotropy peculiarities of high-temperature ferromagnetic MnxSi1-x (x ~ 0.5) alloy films // EPL. - 2016. - V. 115. - Р. 37008.

105. A.B. Drovosekov, N.M. Kreines, A.O. Savitsky, S.V. Kapelnitsky, V.V. Rylkov, V.V. Tugushev, G.V. Prutskov, O.A. Novodvorskii, A.V. Shorokhova, Y.Wang, S. Zhou. Magnetic anisotropy of polycrystalline high-temperature ferromagnetic MnxSi1-x (x ~ 0.5) alloy films // J. Magn. Magn. Mater. - 2017. -V. 429. - Р. 305.

106. *Л.С. Паршина, А. Б. Дровосеков, О.А. Новодворский, О.Д. Храмова, Д.С.Гусев, Е.А.Черебыло, К.Ю. Черноглазов, А.С. Веденеев, В. В. Рыльков. Эволюция ферромагнетизма пленок MnxSi1-x (x ~ 0.5), полученных лазерным синтезом на подложках сапфира с- и r- среза, при изменении плотности энергии лазерного излучения на мишени. ЖЭТФ, том 158, вып. 4 (10), 706-713 (2020).

107. *V.V. Rylkov, A.S. Bugaev, O.A. Novodvorskii, V.V. Tugushev, E.T. Kulatov, A.V. Zenkevich, A.S. Semisalova, S.N. Nikolaev, A.S. Vedeneev, A.V. Shorokhov, D.V. Aver'yanov, K.Yu. Chernoglazov, E.A. Gan'shina, A.B. Granovsky, Y. Wang, V.Ya. Panchenko, S. Zhou. High-temperature ferromagnetism of Si1-xMnx (x ~ 0.5) nonstoichiometric alloys // J. Magn. Magn. Mater. - 2015. - V.383. - Р. 39.

108. M. Lee, W. Kang, Y. Onose, Y. Tokura, and N.P. Ong. Unusual Hall Effect Anomaly in MnSi under Pressure // Phys. Rev. Lett. - 2009. - V. 102. - Р. 186601.

109. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования // М.: Радио и связью - 1990. - С. 264.

110. S. Kahwaji, W. Bowman, M.D. Robertson, and T. L. Monchesky. The influence of a Pb surfactant on the magnetism of dilute Si1-xMnx films // J. Appl. Phys. - 2013. - V. 113. - Р. 063910.

111. Yu.E. Kalinin, A.N. Remizov, A.V. Sitnikov. Electrical properties of amorphous (Co45Fe45Zr10)x(Al2O3)1-x nanocomposites // Phys. Solid State. -2004. - V. 46. - Р. 2146.

112. *Rylkov V.V., Nikolaev S.N., Chernoglazov K.Yu., Demin V.A., Sitnikov A.V., Presnyakov M.Yu., Vasiliev A.L., Perov N.S., Vedeneev A.S., Kalinin Yu.E., Tugushev V.V., Granovsky A.B. Tunneling anomalous Hall effect in the nanogranular CoFe-B-Al-O films near the metal-insulator transition // Phys. Rev. B. - 2017. - V. 95, № 14. - 144202.

113. JI.B. Гурвич, Г.В. Караченцев и др. Энергии химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону // Москва, Наука. - 1974.

114. W.C. Ellis, E.S. Greiner. Equilibrium relations in the solid state of the iron-cobalt system // Transactions of the American Society for Metals. -1941. - V.29. - P. 415.

115. T. Fukunaga, E. Ishikawa, and U. Mizutani. Structural Observations during Amorphization Process of the (Cr0.7Fe0.3)-N System by MA // J. Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy. - 1991. - V. 38, № 7. - P. 940.

116. T. Yamasaki, S. Kanatani and Y. Ogino. Structure of Fe-Cr-X (X=N, C and B) Powdered Allow Prepared by Mechanical Milling. Advanced Materials '93: Computations, Glassy Materials, Microgravity and Nondistructive Methods ed. by T. Masumoto, M. Doyama, K. Kiribayashi and T. Kisi, Elsevier. -1994. - P.93-96.

117. G.V. Swamy, P.K. Rout, M. Singh, and R.K. Rakshit. Resistance minimum and electrical conduction mechanism in polycrystalline CoFeB thin films // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2015. V. 48. - P. 475002.

118. B. I. Shklovskii. Critical behavior of the Hall coefficient near the percolation threshold // JETP. - 1977. V. 45. - P. 152.

119. L.S. Dorneles, D.M. Schaefer, M. Carara, and L.F. Schelp. The use of Simmons' equation to quantify the insulating barrier parameters in Al/AlOx/Al tunnel junctions // Appl. Phys. Lett. - 2003. - V. 82. - P. 2832.

120. E.S. Cruz de Gracia, L.S. Dorneles, L.F. Schelp, S.R. Teixeira, and M.N. Baibich. Low potential barrier height effects in magnetic tunneling junctions // Phys. Rev. B. - 2007. - V. 76. - P. 214426.

121. H. Boeve, E. Girgis, J. Schelten, J. De Boeck, and G. Borghs. Strongly reduced bias dependence in spin-tunnel junctions obtained by ultraviolet light assisted oxidation // Appl. Phys. Lett. -2000. - V. 76. - P. 1048.

122. J. Nowak, D. Song, and E. Murdock. Dynamic conductance of Ni80Fe20/AlOx/Ni80Fe20Ni80Fe20/AlOx/Ni80Fe20 tunnel junctions // J. Appl. Phys. - 2000. V. 87. - P. 5203.

123. B. Raquet, M. Goiran, N. Negre, J. Leotin, B. Aronzon, V. Rylkov, E. Meilikhov. Quantum size effect transition in percolating nanocomposite films // Phys. Rev. B. - 2000. - V. 62, № 4 . - Р. 17144.

124. B.A. Aronzon, A.A. Likalter, V.V.Rylkov, A.K.Sarychev, M.A.Sedova, A.E. Varfolomeev. Studies of Magnetoresistance and Hall Effect in Insulation Fe/SiO2 Granular Films // Physica Status Solidi (b). - 1998. - V. 205(1) . - Р. 151.

125. В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, А.С. Лагутин, В.В. Подольский, В.П. Лесников, M. Goiran, J. Galibert, B. Raquet, J. Leotin. Транспортные особенности слоев InMnAs, полученных осаждением из лазерной плазмы, в сильных магнитных полях // ЖЭТФ. - 2009. - Т. 135 , № 1. - С. 164.

126. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors // Springer-Verlag, New York. - 1984.

127. *С. Н. Николаев, К.Ю. Черноглазов, В.А. Демин, Н.К. Чумаков, В.А. Леванов, А.А. Магомедова, А.В. Ситников, Ю.Е. Калинин, А.Б. Грановский, В.В. Рыльков. Проводимость и аномальный эффект Холла пленочных магнитных нанокомпозитов на основе нестехиометрических оксидов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2017. - № 5. - С. 76-81.

128. А.Л. Эфрос. Физика и геометрия беспорядка // Библиотечка «Квант», изд. «Наука». - 1982.

129. A.B. Pakhomov, and X. Yan. Resistivity and Hall resistivity in percolating (NiFe)-SiO2 films // Sol. State Commun. - 1996. - V. 99. - Р. 139.

130. C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 4th Edition (John Wiley & Sons Inc., New York, 1971).

131. I. Isenberg, B.R. Russell, and R. F. Greene. Improved Method for Measuring Hall Coefficients // Rev. Sci. Instrum. - 1948. - V. 19. - Р. 685.

132. J. Volger. Note on the Hall Potential Across an Inhomogeneous Conductor // Phys. Rev. - 1950. - V. 79. - Р. 1023.