Активация адсорбционных процессов на поверхности SNO2 методами легирования Ag и Pd и воздействием оптического излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Багнюков, Кирилл Николаевич

• Багнюков, Кирилл Николаевич
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Багнюков, Кирилл Николаевич

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О свойствах И ГАЗОВОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1 Основные свойства ЭпОг, как перспективного материала для газовой сенсорики

1.2 Взаимодействие молекул различных газов с поверхностью чувствительных элементов датчика газов

1.3. Влияние стабилизирующего изотермического отжига на параметры и свойства плёнок

1.4. Влияние легирования на свойства пленки Бп02

1.5. Влияние воздействия света на газочувствительные свойства тонких

пленок диоксида олова

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ДАТЧИКОВ ГАЗОВ С ЧУВСТВИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ НА ОСНОВЕ ПЛЕНКИ ЭпОз

2.1. Конструкция и технологический маршрут изготовления микроэлектронных датчиков газов

2.2. Методика термостабилизации электрических параметров микроэлектронных датчиков газов

2.3. Методика исследования газовой чувствительности микроэлектронных датчиков газов к различным газам на воздухе

2.4. Методика микролегирования чувствительных элементов датчиков газов примесями серебра и палладия

2.5. Методика исследования свойств легированных и нелегированных микроэлектронных датчиков газов при воздействии света

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ГАЗОВОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ К ПАРАМ ТОКСИЧНЫХ ГАЗОВ КОНТРОЛЬНЫХ И ЛЕГИРОВАННЫХ СЕРЕБРОМ ОБРАЗЦОВ

3.1. Исследование газовой чувствительности нелегированных (контрольных) образцов

3.2. Статические характеристики контрольных элементов к разным газам

3.3. Исследование газовой чувствительности датчиков газов на основе пленок Sn02, легированных серебром, к парам различных газов

3.4. Исследование газовой чувствительности пленки Sn02, легированной серебром, при комнатной температуре

3.5. Исследование влияния влаги на газовую чувствительность образцов, легированных серебром, к парам аммиака при комнатной температуре

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ГАЗОВОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ОБРАЗЦОВ, ЛЕГИРОВАННЫХ ПАЛЛАДИЕМ, И ВЛИЯНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ГАЗОВУЮ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ДАТЧИКОВ

4.1 Исследование влияния легирования палладием на газовую чувствительность датчика газов к парам различных газов

4.2 Исследование влияния оптического излучения на газовую чувствительность образцов, легированных и нелегированных серебром, к парам аммиака при комнатной температуре

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

3

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Активация адсорбционных процессов на поверхности SNO2 методами легирования Ag и Pd и воздействием оптического излучения»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Прогресс человечества сопровождается непрерывным загрязнением окружающей среды, в том числе воздушной, использованием экологически опасных технологий и неизбежными техногенными катастрофами. Одной из проблем современного мира является также борьба с терроризмом и необходимость дистанционного распознавания взрывчатых веществ. Для мониторинга качества окружающей среды и различных сфер жизнедеятельности человека используются соответствующие научно-технические средства, в состав которых входят датчики физико-химических параметров контролируемых объектов, в том числе датчики для обнаружения токсичных и взрывоопасных газов в воздухе.

Твердотельные полупроводниковые металлооксидные сенсоры реагируют на присутствие в атмосфере широкого спектра газов изменением электросопротивления. Они обладают малым временем отклика на изменение концентрации газа при температуре несколько сотен градусов Цельсия и высокой чувствительностью, позволяющей определять присутствие большинства неорганических и органических газов при концентрациях всего несколько пропромилле (ррт) в воздухе. Недостатком существующих твердотельных сенсоров газов является их невысокая селективность и необходимость работы при высоких температурах.

Решить указанные проблемы можно путем управляемой активации процессов взаимодействия контролируемых газов с системой поверхностных состояний полупроводниковой сенсорной пленки (например ЗпОз) за счет ее легирования примясями-катализаторами [2]. Имеются также сведения об оптической активации газовой чувствительности пленки 8п02 [3]. В результате легирования или оптической активации поверхностных состояний может быть повышена газовая чувствительность датчика, улучшена его селективность в распознавании разных газов либо снижена температура максимальной газовой чувствительности.

Поэтому являются актуальными исследования возможностей активации поверхностных состояний пленок 8п02 с помощью легирования и оптического облучения, приводящих к улучшению метрологических характеристик полупроводниковых датчиков газов. Выполненная работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре, при поддержке международного гранта РФФИ 12-02-91373-СТ_а (№ г.р. 01201263655), Гос. задания 2.1288.204 «Разработка методов активации механизмов взаимодействия ионов газов с поверхностью металлооксидных полупроводников», программы «У.М.Н.И.К.».

Цель работы. Разработать методы улучшения метрологических характеристик датчиков газов за счет легирования сенсорных слоев и их оптического облучения.

Для достижения указанной цели были сформулированы следующие задачи:

1. Разработать методики контролируемого поверхностного легирования примесями Ag и Рс1 сенсорных слоев тестовых структур датчика газов с чувствительными элементами на основе пленки 8п02.

2. Исследовать и сравнить газочувствительные характеристики поверхностно легированных примесями и Рс1 и нелегированных пленок 8пО? в парах различных газов в воздухе в интервале температур 20-400 °С.

3. Исследовать воздействие маломощного светодиода с ^=400 нм на газочувствительные свойства полупроводниковых пленок и пленок 8п02, поверхностно легированных Ag и Рё.

Объектами исследования являются образцы полупроводниковых датчиков газов на основе пленок ЭпО?, изготовленных по микроэлектронной технологии и содержащих нагреватель и 2 чувствительных элемента.

Научная новизна полученных результатов:

В результате выполнения диссертации получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Установлен интервал концентраций и Рс1, в котором наблюдается эффективная активация поверхностных состояний пленок 8пО?, приводящая к повышению газовой чувствительности и снижению рабочей температуры.

2. Впервые для датчика газов на основе пленки 8гЮ2 обнаружена газовая чувствительность к парам аммиака при комнатной температуре.

3. Показано, что поверхностное легирование приводит к снижению температур перехода ионов кислорода из одного зарядового состояния в другое.

4. Впервые выявлен эффект оптической активации сенсорных слоев 8п02, легированных Ag и Рс1.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Методика контролируемого поверхностного легирования примесями Ag и Рс1 сенсорных пленок 8п02 в составе датчика газов и определение наиболее эффективных значений концентраций наносимых растворов;

2. Экспериментальные данные о влиянии примеси Ag на увеличение газовой чувствительности и на снижение рабочей температуры легированных сенсорных слоев 8п02. Данные о чувствительности поверхностно легированных серебром сенсоров к аммиаку при комнатной температуре;

3. Экспериментальные данные о влиянии примеси Рс1 на увеличение газовой чувствительности и снижение рабочей температуры легированных сенсорных слоев Бп02;

4. Влияние фиолетового света малой мощности на увеличение газовой чувствительности пленок ЭпО?, поверхностно легированных А§ и Р<1

Научная и практическая значимость результатов работы:

1. Полученные результаты по активации поверхностных состояний пленок 8п02, легированных примесями Ag и Рс1, могут быть использованы для улучшения метрологических характеристик других датчиков на основе пленок 8п02, а также датчиков на основе иных металлооксидных полупроводников.

2. Тестовые структуры микроэлектронных датчиков совместно с фиолетовым светодиодом могут применяться с целью энергосбережения и повышения эффективности в устройствах индикации и сигнализации наличия токсичных и взрывоопасных газов в воздухе.

3. Практическую ценность имеет методика длительного хранения датчиков газов в атмосфере, обеспечивающей минимальные изменения сопротивления чувствительных элементов в процессе хранения.

4. Разработан микроэлектронный индикатор газов и опробован при различных условиях эксплуатации.

Апробация работы. Основные положения работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: всероссийской научно - практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Инновационные технологии и материалы» (Воронеж, 2011 г.); XI Международной научной конференции "Химия твёрдого тела: наноматериалы, нанотехнологии" (Ставрополь, 2012 г.); всероссийской научно-практической конференции «Проблемы безопасности при ликвидации последствий чрезвычайных ситуаций» (Воронеж, 2012 г.); V международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике» (Нальчик, 2012 г.); научно-методическом семинаре «Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2013 г.); международной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела» (Минск, 2013 г.); ежегодных научно-технических конференциях профессорско - преподавательского состава, аспирантов и студентов «ФГБОУ ВПО Воронежский Государственный Технический Университет» (Воронеж, 2010 - 2013).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 17 научных работ, в том числе 2 - в изданиях, рекомендуемых ВАК РФ. Все исследования, представленные в диссертации, проведены соискателем.

Личный вклад. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: исследование

электрических параметров и газочувствительных свойств тестовых структур

7

микроэлектронных датчиков газов, разработка методики микролегирования чувствительных элементов датчика газов, исследование влияния микролегирования примесью А§Ы03 (и РёСЬ) и оптической активации на величину чувствительности датчика газов на основе пленки БпОг при различных условиях проведения эксперимента, обработка и аппроксимация полученных зависимостей при помощи персонального компьютера (ПК).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 87 наименований. Основная часть работы изложена на 130 страницах, содержит 7 таблиц и 66 рисунков.

ГЛАВА 1

СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О СВОЙСТВАХ И ГАЗОВОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1 Основные свойства 8п02, как перспективного материала для

газовой сенсорики

Определение газового состава воздушной среды является важной практической и экологической задачей. Существующие методы анализа, такие, как газовая хроматография, масс-спектрометрический анализ не позволяют решить все проблемы оперативного мониторинга воздуха, поэтому имеется необходимость создания относительно недорогих, портативных, простых в обращении приборов, предназначенных для определения компонентов газовых сред, а также для распознавания запахов. Для решения таких проблем все чаще используют химические сенсоры — компактные устройства, в которых химические или хемосорбционные процессы приводят к изменению электрических сигналов сенсорных элементов [1, 2].

Поиск материалов для твердотельной газовой сенсорики стимулирует активное изучение влияния адсорбции молекул газов на электрофизические свойства полупроводниковых оксидов 8п02, ZnO, \\Ю3, 1п203, 0а203 и др., а также сложных соединений, например Сг2.хТ1х03, Ге№>04 и т.п. Принципы действия твердотельных датчиков токсичных и взрывоопасных газов основаны на модуляции поверхностного электросопротивления оксидного полупроводника при адсорбции или десорбции молекул газов. Среди изученных веществ наиболее широкое применение нашел диоксид олова, так как он является широкозонным полупроводником п-типа, вследствие чего электропроводность 8пО? оказывается чрезвычайно чувствительной к состоянию поверхности как раз в той области температур 200—500 °С, для которой на поверхности оксидов наблюдаются окислительно-восстановительные реакции.

9

Так как каждый газ характеризуется определенной энергией связи с поверхностью 8п02, то различные газы обладают индивидуальными значениями температур максимальной адсорбции.

Газовые сенсоры можно изготовить на основе любых металооксидных полупроводников {ЪпО, 1п20з, БпО? и др.), но диоксид олова Эп02 дешево стоит, доступен, хорошо изучен и имеет более низкие температуры реакции с газами по сравнению с другими оксидами.

Повышение газовой чувствительности и селективности в распознова-нии разных газов датчиками требует глубокого понимания поверхностных процессов, связанных с изменением электрического сопротивления чувствительного элемента в атмосфере анализируемого газа.

Диоксид олова изучен довольно подробно, прежде всего потому, что Эп02 существует в природе как минерал касситерит и давно уже нашел промышленное применение для изготовления красок, а также в качестве материала для переменных и постоянных пленочных резисторов и прозрачных то-копроводящих покрытий. Рассмотрение простой зонной структуры 8п02 в приближении Гудинафа [3] показывает, что уровень Ферми должен лежать вблизи верхнего края (или выше него) разрыхляющей полосы, первично образованной взаимодействием о-типа между eg-opбитaлями катиона и Бр2-орбиталями кислорода [4]. Из этого следует, что диоксид олова должен быть широкозонным полупроводником. Детальный анализ края УФ-поглощения монокристаллов БпСЬ подтверждает это предположение и дает ширину запрещенной зоны по одним источникам около 3,8 эВ [4], по другим порядка 3,53 эВ [5].

Диоксид олова является полупроводниковым соединением вида А1УВ2У1. Применение теории химической связи в А1УВ?У1 приводит к противоречиям: одни опыты свидетельствуют о ковалентности А|УВ2У1, другие — об очень большой ионности.

Диоксид олова [6] кристаллизуется в тетрагональную структуру рутила

с параметрами решётки а = 0,4718 нм, с = 0,3161 нм (рисунок 1.1). В состав

10

тетрагональной ячейки БпСЬ входят два атома олова и четыре атома кислорода в позициях: атомы 8п - [[0 0 0]]; [[1/2 1/2 1/2]] и атомы О - [[1/4 1/4 0]]; [[3/4 3/4 0]]; [[3/4 1/4 1/2]]; [[1/4 3/4 1/2]].

Рисунок 1.1 - Элементарная ячейка кристаллической структуры диоксида олова. Светлые кружки - атомы олова (8п), темные - атомы кислорода (О)

В структуре рутила атомы олова имеют октаэдрическое окружение из атомов кислорода. Иными словами, каждый атом олова окружен шестью атомами кислорода, а каждый атом кислорода - тремя атомами олова. Молекулярная масса 8п02 составляет: 150,6888; содержание кислорода - 66,67 %

КГ

ат. или 21,23 % по массе; плотность р = 6,95-10"3 —температура плавления

м

л

Тпл=Т 127 °С, подвижность электронов 7 см /(В-с) [5].

1.2 Взаимодействие молекул различных газов с поверхностью чувствительных элементов датчика газов

Газочувствительные сенсоры функционируют на основе адсорбционных эффектов, возникающих на поверхности материала. Идея о влиянии адсорбции молекул газа на физические и химические свойства полупроводниковых адсорбентов была высказана в 30-х годах такими известными учёными как Иоффе А.Ф. [7] и Рогинский С.З. [8]. А в трудах Волькенштейна Ф.Ф. и его последователей теория получила значительное развитие [9-12].

Волькенштейн Ф.Ф. в своих трудах [9] рассматривал хемосорбирован-ные частицы как «примеси», внедренные в поверхность кристалла, нарушающие периодическое строение поверхности. Он предположил, что адсорбированная частица (атом или молекула газа) и решетка адсорбента образуют единую квантово-механическую систему, при анализе которой необходимо учитывать изменение электронного состояния адсорбированной частицы и самого адсорбента. Однако, за адсорбированными частицами сохраняется в большей или меньшей степени способность «ползания» (перемещения) по поверхности. Во время такого перемещения преодолеваются энергетические барьеры. Если высота этих барьеров меньше энергии связи частицы с решеткой, то частица может «ползать» по поверхности, не отрываясь от нее. С повышением температуры подвижность частицы возрастает. Отличие рассматриваемой Волькенштейном «примеси», от структурных дефектов состоит в том, что адсорбированные «примеси» способны уходить с поверхности в газовую фазу и приходить из нее обратно, в то время как структурные дефекты прочно связаны с поверхностью.

Хемосорбированная частица, при рассмотрении ее как структурного дефекта поверхности, оказывается центром локализации для свободного электрона решетки, служа для него ловушкой и выступая в роли акцептора для свободного электрона, или (в зависимости от природы частицы) она может служить центром локализации для свободной дырки, выступая в роли донора. То есть, адсорбированные частицы создают локальные поверхностные энергетические уровни для электронов и дырок [9].

Опираясь на то, что хемосорбированные частицы могут существовать в двух формах - заряженной и незаряженной, Волькенштейн ввел понятие «слабой» и «прочной» форм хемосорбции. В первом случае связь адсорбированной частицы с адсорбентом осуществляется за счет обобществления ее электрона с атомами решетки, а возникающий локальный уровень, расположенный в запрещенной зоне, оказывается незаполненным. Такая одноэлек-тронная связь хемосорбированной частицы с поверхностью полупроводника носит название «слабой». Хемосорбированная частица в этом случае оказывается поляризованной, причем дипольный момент, возникающий при хемосорбции, имеет чисто квантово-механическое происхождение. В случае заряженной формы хемосорбции свободный электрон решетки и хемосорбированная частица связываются обменным взаимодействием, приводящим к локализации свободного электрона или дырки на поверхностном энергетическом уровне адсорбированной частицы, что обусловливает возникновение «прочной» связи. В случае адсорбции одновалентного атома в образовании «прочной» связи участвуют два электрона: валентный электрон атома и свободный электрон решетки [10].

Из вышесказанного следует, что «слабая» связь - та, при которой связь между частицей и решеткой осуществляется без участия свободного носителя заряда, в противном случае возникает «прочная» связь, которая может изменяться от чисто ионной до чисто гомеополярной. «Прочная» форма хемосорбции может приводить к образованию заряда на поверхности полупроводника относительно его объема [10].

В 1977 году Бонч-Бруевич В.Л. и Калашников С.Г. [13] на примере взаимодействия одновалентного атома с электроположительным дефектом, расположенным на поверхности ионного кристалла, показали, что адсорбция на дефекте энергетически выгоднее адсорбции на идеальной решетке. С этой точки зрения хемосорбированную частицу можно рассматривать как поверхностный дефект, который в зависимости от своей природы и природы адсорбента может являться поверхностным центром локализации либо свободных

13

электронов, либо дырок, выступая в роли акцептора либо донора электронов, причем заселенность таких локализованных состояний в условиях термодинамического равновесия определяется статистикой Ферми. То есть, электроны и дырки, локализованные на энергетических уровнях адсорбционного происхождения, принадлежат общей электронной системе адсорбента, и влияют на положение уровня Ферми в полупроводнике [14].

К настоящему времени установлено [15, 16], что 8п02 является полупроводником п-типа, что соответствует представлениям о нестехиометрии 8п02 за счет избытка металла, который характерен даже для монокристаллов, выращиваемых как в восстановительной, так и в окислительной атмосфере.

Нестехиометрия 8п02 может быть объяснена наличием кислородных вакансий (8п02_х) или присутствием межузельных атомов олова (8п|+уО?). Образование нейтральных вакансий представлено следующей (квазихимической) реакцией:

00^У0Х+ 1/2 02(а). (1.1)

Ионизация кислородных вакансий происходит следующим образом:

уо^уо- + е', (1.2)

У;<->У0" + 2е'. (1.3)

Применяя условие электронейтральности для кристаллической решетки, получим:

п = [У0-] + 2[У0"], (1.4)

где п - концентрация квазисвободных электронов.

Отклонение от стехиометрии х (х=0.5-^1) для 8п02.ч может быть выражено следующим образом:

х = [УоХ] + [Уо1 + 2[У0"]. (1.5)

В нестехиометричных пленках 8пО? с дефицитом кислорода содержатся вакансии Уо, как в объеме, так и на поверхности. Поверхностные состояния Уо- и Уо— являются акцепторами электронов из зоны проводимости, что

приводит к искривлению зон, а на поверхности соответствующие им поверхностные состояния являются центрами адсорбции.

В общем случае поверхность характеризуется наличием определенного заряда, находящегося в биографических поверхностных состояниях, которыми могут быть собственно поверхностные состояния, а также различные структурные дефекты (примесные или хемосорбированные частицы и др.). Наличие заряда на поверхности приводит в подавляющем большинстве случаев к существованию априорного поверхностного изгиба зон. Кроме того адсорбированные частицы могут обладать определенным дипольным моментом собственной или адсорбционной природы, что может вызывать заметные изменения величины сродства к электрону поверхности адсорбента. В этом случае энергетическая схема, иллюстрирующая приповерхностное искривление энергетических зон, обусловленное адсорбцией акцепторных частиц, изменится (рис. 1.2) [10].

Проявление поликристаллическими тонкими пленками диоксида олова газочувствительных свойств обусловлено наличием поверхностных состояний, располагающихся ниже уровня Ферми, которые взаимодействуют со всеми газами, присутствующими в окружающей среде. Влиянию молекул газов на электрофизические свойства полупроводниковых оксидов металлов серьезное внимание уделено в теоретических работах [17 - 26].

Возможны два типа равновесия в модели переноса заряда в системе ад-сорбат - адсорбент, обусловленное либо полным переходом хемосорбиро-ванных частиц в заряженную форму, что имеет место в случае достаточно малых концентраций адсорбированных частиц, либо выравниванием уровня Ферми адсорбента с энергетическим уровнем хемосорбированных частиц, что возможно при достаточно больших концентрациях последних [14].

Так как при измерении концентрации газов в воздухе, содержащем

около 20 % кислорода, основным активным компонентом является кислород,

то важно исследование взаимодействия пленок 8п02 с кислородом. Известно,

что присутствие ионов кислорода на поверхности поликристаллических ме-

15

таллооксидных слоев влияет на их проводимость. Но, точно неизвестно, в какой форме хемосорбируется на поверхности окислов кислород. Механизм хемосорбции кислорода на Sn02 изучен во многих работах [27 - 30] с использованием различных методов исследования. Обобщая данные различных источников, можно говорить о том, что образуются три вида хемосорбирован-ного кислорода: О?", О'и О". Переход от одной формы к другой различается температурой и видом реакции:

02 газ + е" —» <Э2- ддс> (80 - 150°С), (1.6)

02" хдс + е -> 2 О АДС, (150- 260°С), (1.7)

О'ддс + е 02-адс, (300 - 500°С). (1.8)

1 i , i L

1 ЧФ

Ees f

klls Ec

-1

-VS

LD

EF

а)

б)

Рисунок 1.2 - Энергетическая схема полупроводника п-типа, иллюстрирующая приповерхностное искривление энергетических зон, обусловленное адсорбцией акцепторных частиц на первоначально нейтральной поверхности: Евак - уровень вакуума; Ес и Ees - положение дна зоны проводимости относительно уровня вакуума соответственно в объеме и на поверхности полупроводника; Ег - уровень Ферми; Ev и EVs - потолок

16

валентной зоны соответственно в объеме и на поверхности; Et -энергетическое положение относительно вакуума поверхностного уровня, соответствующего хемосорбированным частицам; qUs - величина поверхностного барьера, обусловленного заряжением поверхности; % -величина сродства к электрону поверхности полупроводника; qcp -термодинамическая работа выхода электронов с уровня Ферми в вакуум; 8 -параметр легирования (5=ЕС-Ер) , задающий глубину залегания уровня Ферми под дном зоны проводимости в объеме полупроводника; LD -дебаевский радиус экранирования

На рисунке 1.3 приведен график температурной зависимости электросопротивления пленки Sn02 на воздухе. График можно разделить условно на две области: 1) снижение сопротивления с температурой до -200 °С (как у типичного полупроводника); 2) повышение сопротивления с ростом температуры выше 250 °С. При температурах ниже 200 °С изменение сопротивления происходит за счет ионизации донорных уровней вакансий кислорода в объеме полупроводниковой пленки. Одновременно на поверхности происходит адсорбция ионов кислорода 02", которые при температурах выше 150 °С начинают активно захватывать электроны из зоны проводимости (1.7) и переходить в состояние О". При дальнейшем повышении температуры продолжается захват электронов с донорного уровня Sn02, что приводит к повышению сопротивления и к переходу кислорода из состояния О" в состояние О

— 2—

Хемосорбированный кислород в форме О и О создает новые, более глубокие по сравнению с хемосорбированными ионами 02~ центры захвата электронов [31]. Отсюда следует, что наблюдаемое аномальное увеличение сопротивления пленок SnO? с ростом температуры обусловлено переходом от одного состояния хемисорбированного кислорода (О") к другому состоянию

(О2')-

100 80 60 40 20 0

100

200

300

400

500

т,°с

Рисунок 1.3 - Температурная зависимость величины сопротивления пленок 8п02 на воздухе

Зависимость чувствительности сенсора от концентрации контролируемого газа в условиях термодинамического равновесия представляет собой статическую характеристику газовой чувствительности, которая имеет вид формулы Фрелиха: 5?=А-СП. Эта зависимость 88 = Яп-^ С) линейна в полулогарифмическом масштабе для широкого диапазона концентраций. Согласно существующим модельным представлениям [28] из этой зависимости можно определить, какая форма хемосорбированного кислорода преобладает в механизме взаимодействия газа с поверхностью полупроводника в определенном температурном диапазоне. Например, для газов-восстановителей при

значении п=1 преобладает форма 02", при п=0,5 - форма О", при п=0,33 -

2

форма О

Таким образом хемосорбция кислорода в полупроводнике БпСЬ п-типа связана с переносом электрического заряда от диоксида олова к поверхностным состояниям кислорода и О" является доминирующим хемосорбирую-щим состоянием при температурах превышающих 200 °С. При взаимодействии, например, паров этилового спирта (горючий газ) с поверхностью ме-таллооксидного полупроводника электроны зоны проводимости включаются в реакцию, при этом хемосорбированный ион кислорода О является переходным состоянием.

Воздействие определенных газовых сред на металлооксидный полупроводник проявляется в изменении его электропроводности. Все виды газов делятся на окислители и восстановители. Примеры газов различного вида приведены в таблице 1.1.

Газы-окислители, такие как 02, СО?, 03 и др. при адсорбции на поверхности 8п02 захватывают электроны из полупроводника, что приводит к увеличению поверхностного потенциала и к росту поверхностного сопротивления. В то же время газы-восстановители, такие как Н20, СО, СН4 и др. приводят к уменьшению поверхностного потенциала и к снижению сопротивления пленки 8п02, т.е. снижают высоту потенциальных барьеров для электронов между зернами поликристалла [37].

Таблица 1.1

Примеры газов различного вида

Газы - окислители Газы - восстановители

о2 с3н8о

со2 н2

Оз СО

Ы02 Н28

ЭОз

С12 СН4

р2 С2Н5ОН

1.3 Влияние стабилизирующего изотермического отжига на параметры и свойства плёнок

В результате большинства экспериментально-исследуемых методов синтеза на холодную подложку пленки Бп02 имеют аморфную структуру. Для их кристаллизации и стабилизации электрических параметров необхо-

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Багнюков, Кирилл Николаевич, 2013 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И. А. Мясников, В .Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов, С. А. Завьялов. М.: Наука, 1991. 327 с.

2. Виглеб Г. Датчики: устрйство и применение / Г. Виглеб. М.: Мир, 1989. 196 с.

3. Смирнов В.П. Зоны Си20/ В.П. Смирнов // Вестник Ленинградского государственного университета. 1965. Т. 22. № 1. С. 7 - 13.

4. Лазарев В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. М.: Наука, 1983. 239 с.

5. Самсонов Г.В. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Г.В. Самсонов и др. М.:Металлургия, 1969. 456 с.

6. Оксид олова (IV) [Электронный ресурс] : Материал из Википедии — свободной энциклопедии: Версия 59019453, сохранённая в 11:53 ЦТС 20 октября 2013 / Авторы Википедии // Википедия, свободная энциклопедия. — Электрон, дан. — Сан-Франциско: Фонд Викимедиа, 2013. — Режим доступа: ЬПр://ги.ш1к1ре^а.оге/?о1сН(1=59019453

7. Сообщение о научно-технических работах в республике: Катализ / А.Ф. Иоффе// - Л.: НХТИ, 1930. - 53 с.

8. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях / С.З. Рогин-ский // М.: АН СССР, 1948. - 278 с.

9. Физико-химия поверхности полупроводников / Ф.Ф. Волькенштейн //М.: Наука, 1973.-400 с.

10. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемо-сорбции / Ф.Ф. Волькенштейн // М.: Наука, 1987. - 432 с.

11. Реакции в твердых телах и на их поверхности / К. Хауффе // М.: Иностранная литература, 1963. -456 с.

12. Химическая физика поверхности твердого тела / С.Р. Моррисон // М.: Мир, 1982.-583 с.

13. Бонч-Бруевич B.JI. Физика полупроводников / B.JI. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. М.: Наука, 1977. 528 с.

14. Сухарев В.Я., Мясников И.А. Теоретические основы метода полупроводниковых сенсоров в анализе активных газов // Журн. физ. химии. -1986,- Т. LX. - Вып.10. - С.2385 - 2401.

15. Robertson I. Defect levels of Sn02 // Phis. Rev.- 1984,- Vol. B.-№ 30. -P. 3520 - 3522.

16. Rekas M., Szklarski Z. Defect chemistry of antimony doped Sn02 thin films //Bull. Polish Academy Sci. Chem.-1996.-Vol.44.-№ 3.-P.155-177.

17. Hubner H.R., Obermeier E. Gas sensors based on metal oxide semiconductors//Sensor and Actuators. - 1989. - Vol. 17. -P.351 - 380.

18. Бутурлин А.И., Габузян Г.А., Голованов H.A., Бараненков И.В., Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Фадин В.Г., Чистяков Ю.Д. Полупроводниковые датчики на основе металлооксидных полупроводников // Зарубежная электронная техника. - 1983. - №10. - С. 3 - 38.

19. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках / В.Ф. Киселев. М.: Наука, 1970. 399 с.

20. Clifford Р. К., Tuma D.T. Characteristics of semiconductor gas sensors // Sensor and Actuators. - 1982. - Vol. 3. - P.233 - 254.

21. Yamazoe N. Interaction of tin oxide surface with O?, H20 and H2 / N. Yamazoe, J. Fuchigami, M. Kishikawa, T. Seiyama // Surface Sci. 1979. Vol. 86. P. 335 - 344.

22. Ogava H., Nishikawa M., Abe A. Hall measurement studies and electrical conduction model of tin oxide ultrafine particle films // J. Appl. Phis-1982. -Vol.53(6). - P.4448 - 4456.

23. Гутман Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов / Э.Е. Гутман //Журн. физ. химии. 1984. Т. LVIII. Вып.4. С. 801 - 821.

24. Chang S.C. Sensing mechanism of thin film tin oxide / S.C. Chang // Proc. 1st Meet. Chemical Sensors. Fukuoka, 1983. P.78 - 83.

25. Jarsebski Z. M., Marton J.P. Physical properties of Sn02 materials - electrical properties//J. Electrochem. Soc. - 1976,- Vol.123.-№ 9.-P. 229-310.

26. Maier J., Gopel W. Investigation of the bulk defect chemistry of poly-crystalline tin (IV) oxide // J. Solid State Chem. - 1988,- № 12.- P. 293 -302.

27. Kohl D. Surface processes in the detection of reducing gases with Sn02 - based devices//Sensor and Actuators. - 1989. - Vol. 18. - P.71 - 114.

28. Barsan N. Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence // Sensor and Actuators-1994 - Vol. B.-№ 17.-P.241 -246.

29. Хайрутдинов Р.Ф. Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии.-1998.-т.67.-С. 125-139.

30. Kohl D. The role of noble metals in the chemistry of solid - state gas sensors // Sensors and Actuators, 1990.- V.B.- P. 158-165.

31. Shimizu Y., Egashira M. Basic Aspects and Challenges of Semiconductor Gas Sensors // J. MRS Bulletin, 1999.- V.24.-№6.- P. 18-24.

32. Шкловский Б.И. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников / Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос // ЖЭТФ. 1971. Т. 60. С. 867.

33. Kirkpatrick S. Percolation and conduction / S. Kirkpatrick // Technical report of ISSP. Ser. B. 1973. No. 15. P. 18.

34. Seager C.H. Percolation and conductivity: a computer study II / C.H. Seager, G.E. Pire // Phys. Rev. 1974. V. B10. P. 1435.

35. Kurkijarvi J. Conductivity in random systems. II. Finite-size-systems percolation / J. Kurkijarvi // Phys. Rev. 1974. V. B9. P. 770.

36. Русских Д.В. Релаксация электросопротивления твердотельных датчиков газов под влиянием внешних воздействий: дис. канд. техн. наук: 05.27.01 / Русских Дмитрий Викторович. Воронеж, 2008. 162 с.

37. Figaro: датчики газов. М.: Издательский дом «Додэка - XXI», 2002.

64 с.

38. Morrison S.R. Selectivity in semiconductor gas sensors // Sensors and Actuators. - 1987,- V.12.- P.425-440.

39. Yamazoe N., Kurokawa Y., Seiyama T. Effects of additives on semiconductor gas sensors // Sensors and Actuators.- 1983.- V.4.- P.283-289.

40. Xu C., Tamaki J., Miura N., Yamazoe N. Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous Sn02 // J. Electrochem. Soc. - 1990-Vol.58 - № 12,- P. 1143 -1148.

41. Гаськов A.M., Румянцева M.H. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров// Неорганические материалы,- 2000,- №3.- с.369-378.

42. Максимова Н.К., Катаев Ю.Г., Черников Е.В. Структура, состав и свойства газочувствительных пленок SnO?, легированных платиной и скандием // Журнал физической химии,- 1997.- Т.71,- №8,- С.1492-1496.

43. Matsushima S., Teraoka Y., Yamazoe N. Electronic interaction between metal additives and tin dioxide in tin dioxide - based gas sensors // Jap.J. Appl. Phys.- 1988.- V.27.- №3.-P. 1798-1802.

44. Roland U., Braunschweig Т., Roessner F. On the nature of spil-over hydrogen // Jornal of Molecular Catalysis A: chemical.- 1997,- V.127.- P.61-84.

45. Dong Hyun Kim, Ji Young Yoon, Нее Chan Park, Kwang Ho Kim. C02 -sensing characteristics of Sn02 thick film by coating lanthanum oxide // Sensors and Actuators В 62 (2000) p.61-66.

46. Papadopoulos C.A., Avaritsiotis J.N. A model for the gas sensing properties of tin oxide thin films with surfase catalysts // Sensors and Actuators, B.-V.28.- 1995,- P.201-210.

47. Gautheron В., Labeau M., Delabouglise G., Schmatz U. Undoped and Pd-doped Sn02 thin films for gas sensors // Senors and Actuators В.- 1993.- V.15-16,- P.357-362.

48. Акимов Б.А., Гаськов A.M., Лабо M. и др. Проводимость структур на основе легированных нанокристаллических пленок Sn02 с золотыми контактами // ФТП,- 1999.-№2,- т.ЗЗ.- с.205-207

49. Рембеза С.П., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Борсякова О.И. Влияние примеси палладия на газочувствительные свойства пленок Sn02 // Матер. III всерос. конф. "Физические проблемы экологии",- Москва.- 2001.- с.247.

50. Lewandowska A., Catalytic properties of Ag/SnO? catalysts applied in low-temperature methane oxidation / A. Lewandowska, I. Kocemba, J. Rynkowski // Polish journal of Environ. Stud. 2008. Vol. 17. No. 3. P. 433-437.

51. Hoseini S., Palladium-doped Sn02 Nanostructure thin film prepared using SnCl4 precursor for gas sensor application / S. Hoseini, M. Muhsien, H. Hamdan // Proceedings of the 4th International conference on nanostructures. 2012 . P. 900-903.

52. Shapira Y. Relationship between photodesorption and surface conductivity in ZnO / Y. Shapira, R.B. McQuistan, D. Lichtman // Physical Review B. 1977. Vol. 15. No. 4. P. 2163 -2169.

53. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков. М.: Мир, 1973. 456 с.

54. Light enhanced gas sensing properties of indium oxide and tin oxide sensors / E. Comini, A. Cristalli, G. Faglia, G. Sberveglieri // Sensors and Actuators В Chemical. 2000. Vol. 65. P. 260 - 263.

55. Рембеза С.И. Влияние оптического возбуждения на электрические свойства пленок SnO? / С.И. Рембеза, С.А. Сушков, A.M. Кошелев // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2003. Вып. 3. С. 47 - 52.

56. Détection mechanism of métal oxide gas sensor under UV radiation / S. Mishra, C. Ghanshyam, N. Ram, R.P. Bajpai, R.K. Bedi // Sensors and Actuators В Chemical. 2004. Vol. 97. P. 387 - 390.

57. Détection mechanism of métal oxide gas sensor under UV radiation / S. Mishra, C. Ghanshyam, N. Ram, R.P. Bajpai, R.K. Bedi // Sensors and Actuators В Chemical. 2004. Vol. 97. P. 387 - 390.

58. О воздействии оптического излучения на чувствительность газовых сенсоров на основе пленок Sn02-x / A.M. Гуляев, Ле Ван Ван, О.Б. Сарач, О.Б. Мухина // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 6. С. 742 -746.

59. Рембеза С.И. Особенности конструкции и технологии приготовления тонкопленочных металлооксидных интегральных сенсоров газов / Рембеза С.И., Просвирин Д.Б., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. // Сенсор. - 2004. - т. 4, №1, с. 20-28

60. Рембеза С.И. Тепловые переходные процессы в газовых сенсорах / Рембеза С.И., Просвирин Д.Б., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. // Сенсор. - 2005. - т. 5, №1, с. 49-54.

61. Джоветт Ч.Е. Технология тонких и толстых пленок для микроэлектроники: пер. с англ. / Ч.Е. Джоветт. М.: Металлургия, 1980. 112 с.

62. Особенности конструкции и технологии изготовления тонкопленочных металлооксидных интегральных сенсоров газов / С.И. Рембеза, Д.Б. Просвирин, О.Г. Викин, Г.А. Викин, В.А. Буслов, Д.Ю. Куликов // Сенсор. 2004. № 1(10). С. 20- 28.

63. Рембеза С. И. Термостабилизация микроэлектронных датчиков газов / С.И. Рембеза, Д.В. Русских // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. Вып. 5. С. 125 - 128.

64. Технологические схемы изготовления микроэлектронных датчиков газов / С.И. Рембеза, Д.Б. Просвирин, О.Г. Викин, В.А. Буслов // Твердотель-

ная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2003. С. 110-115.

65. ГОСТ Р 51330.1-99 (МЭК 60079-1-98) ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕ ВЗРЫВОЗАГЦИЩЕННОЕ. Часть 1. Взрывозащита вида "взрывонепроницае-мая оболочка".

66. ГОСТ 6613-86 "Сетки проволочные тканые с квадратными ячейками. Технические условия".

67. Ацетон [Электронный ресурс]: Материал из Википедии — свободной энциклопедии: Версия 58438371, сохранённая в 08:01 ЦПГС 20 сентября 2013 / Авторы Википедии // Википедия, свободная энциклопедия. — Электрон. дан. — Сан-Франциско: Фонд Викимедиа, 2013. — Режим доступа: ЬНр://ги^к1реё1а.ощ/?о1сПс1=58438371

68. Аммиак [Электронный ресурс]: Материал из Википедии — свободной энциклопедии: Версия 59312229, сохранённая в 15:06 иТС 4 ноября 2013 / Авторы Википедии // Википедия, свободная энциклопедия. — Электрон, дан. — Сан-Франциско: Фонд Викимедиа, 2013. — Режим доступа: ЬЦр://ги^'1к1ресИа.ога/?о1с11с1=59312229

69. Ацетальдегид [Электронный ресурс]: Материал из Википедии — свободной энциклопедии: Версия 58193061, сохранённая в 12:24 иТС 7 сентября 2013 / Авторы Википедии // Википедия, свободная энциклопедия. — Электрон, дан. — Сан-Франциско: Фонд Викимедиа, 2013. — Режим доступа: ЬЦр://ги.\У1к1ресИа.от/?о1с11с1=58193061

70. Пожарный извещатель [Электронный ресурс]: Материал из Википедии — свободной энциклопедии: Версия 58153797, сохранённая в 11:46 иТС 5 сентября 2013 / Авторы Википедии // Википедия, свободная энциклопедия. — Электрон, дан. — Сан-Франциско: Фонд Викимедиа, 2013. — Режим доступа:111Гр://ги^1к1реё1а.оге/?о1сПс1=581 53797

71. Влияние микролегирования пленки 8п02 серебром на чувствительность датчика газа к аммиаку при комнатной температуре / Багнюков К.Н.,

Рембеза С.И., Буслов В.А., Асессоров A.B. // Вестник ВГТУ. 2013. том 9, №2, С.80-83.

72. Стимулированная светом газовая чувствительность пленок Sn02 / Рембеза С.И., Свистова Т.В., Аль-Тамееми В.М., Багнюков К.Н. // Вестник ВГТУ. 2013. том 9, №4, С. 120-123.

73. Деградация сварной точки алюминиевой/золотой проволоки и платиновой металлизации кристалла газового сенсора при высоких температурах / Рембеза С.И., Багнюков К.Н., Буслов В.А., Пашнева Т.В. // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2010. Вып. 9, С.63.

74. Багнюков, К. Н. Повышение селективности датчика на основе Sn02 к парам спирта в воздухе / К. Н. Багнюков, В. А. Буслов, С. В. Овсянников // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный технический университет", 2013. - Вып. 12. - С. 156 - 160.

75. Чувствительность датчика на основе Sn02, легированного Pd, к парам токсичных газов / К. Н. Багнюков, С. И. Рембеза, С. В. Овсянников, Т. В. Свистова // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный технический университет", 2013. - Вып. 12. - С. 161 - 165.

76. Влияние оптического излучения на чувствительность датчика газов, легированного Pd / К. Н. Багнюков, С. И. Рембеза, Т. В. Свистова, В. М. Аль-Тамееми // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный технический университет", 2013. - Вып. 12. - С. 166 - 170.

77. Датчики токсичных газов с сенсорным элементом на основе нано-структурированной пленки SnOx / Багнюков К.Н., Рембеза С.И., Никитин Д.Б., Ассесоров A.B. // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотель-

ная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2011. Вып. 10, С. 141.

78. Контроль концентрации бутана в воздухе / Багнюков К.Н., Рембеза С.И., Никитин Д.Б. // 51 Научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава, аспирантов, магистрантов и студентов ВГТУ. Секции «Физические свойства .материалов и элементов электронной техники», «Конструкция и надёжность приборов электронной техники»: тез. докл. Воронеж: ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2011. Вып. 10, С.6.

79. Датчики токсичных и взрывоопасных газов с сенсорными элементами на основе наноструктурированной пленки SnOx / Рембеза С.И., Багнюков К.Н., Буслов В.А., Свистова Т.В. // сборник докладов Международной научной конференции « Актуальные проблемы физики твердого тела» в 3 томах, Минск, 2011. т. 3, С. 219-220

80. Повышение селективности датчика на основе SnO 2 к парам аммиака и спирта в воздухе / Багнюков К.Н., Рембеза С.И., Буслов В.А., Асессоров A.B. // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2012. Вып. 11, С. 39.

81. Чувствительность датчика на основе Sn02 к парам угарного газа в воздухе / Багнюков К.Н., Кошелева H.H., Рембеза С.И. // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2012. Вып. 11, С. 170.

82. Исследование особенностей термической релаксации сопротивления в плёнке Sn02 / Овсянников C.B., Багнюков К.Н., Рембеза С.И. // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2012. Вып. 11, С. 173.

83. Повышение чувствительности датчика газов к аммиаку путем легирования его солями Ag / Багнюков К.Н., Рембеза С.И., Буслов В.А., Асессоров В. А. // 52 Научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава, аспирантов, магистрантов и студентов ВГТУ. Секции «Физические свойства материалов и элементов электронной техники», «Конструкция и надёжность приборов электронной техники»: тез. докл. Воронеж: ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2012. Вып. 11, С. 3.

84. Мультисенсорный микроэлектронный датчик газов / Багнюков К.Н., Буслов В.А., Асессоров A.B. // Материалы V международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике». Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2012. С. 155-157.

85. Определение влияния влажности при замерах паров водного раствора аммиака газов / Никитин Д.Б., Багнюков К.Н., Рембеза С.И. // 53 Научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава, аспирантов, магистрантов и студентов ВГТУ. Секции «Физические свойства материалов и элементов электронной техники», «Конструкция и надёжность приборов электронной техники»: тез. докл. Воронеж: ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2013. Вып. 12, С.9

86. Перспективы совершенствования электрической схемы измерителя газов / Багнюков К.Н., Арсентьев A.B. // 53 Научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава, аспирантов, магистрантов и студентов ВГТУ. Секции «Физические свойства материалов и элементов электронной техники», «Конструкция и надёжность приборов электронной техники»: тез. докл. Воронеж: ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2013. Вып. 12, С. 11

87. Влияние микролегирования серебром пленки Sn02 на чувствительность к аммиаку датчика газов / Рембеза С.И., Багнюков К.Н., Буслов В.А., Аль-Тамееми В.М., Свистова Т.В. // Сборник докладов Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск: ГНПО «ГНПЦ HAH Беларуси по материаловедению», 2013. Т. 3, С. 333-334.

116