Влияние неравновесных состояний меди на фотопроводимость фосфида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Кожевников, Алексей Александрович

• Кожевников, Алексей Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кожевников, Алексей Александрович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ГЛУБОКИЕ ЦЕНТРЫ МЕДИ В СОЕДИНЕНИЯХ AmBv

1.1 Энергетический спектр уровней и фотоэлектрические свойства GaP:Cu

1.2 Примесные состояния меди в фосфиде индия и арсениде галлия

1.3 Метастабильные центры в полупроводниках

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1 Подготовка образцов для исследований

2.2 Исследование спектров фотопроводимости

2.3 Исследование кинетик фотопроводимости

2.4 Обработка экспериментальных данных

ГЛАВА 3. АВТОМАТИЗАЦИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ

УСТАНОВОК

3.1 Разработка устройств сопряжения с IBM PC

3.2 Автоматизация комплекса СДЛ

3.3 Установка для исследования кинетик фотопроводимости

ГЛАВА 4. ПРОЯВЛЕНИЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ СОСТОЯНИЙ МЕДИ В ФОТОПРОВОДИМОСТИ КОМПЕНСИРОВАННЫХ

ОБРАЗЦОВ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ

4.1 Стимулированная фотопроводимость GaP:Си

4.2 Влияние пассивации в сульфидных растворах и напыления Se на фотопроводимость GaP:Cu

4.3 Обсуждение спектров фотопроводимости GaP:Cu

ГЛАВА 5. КИНЕТИКА ФОТОПРОВОДИМОСТИ ФОСФИДА

ГАЛЛИЯ, КОМПЕНСИРОВАННОГО МЕДЬЮ

5.1 Кинетика нарастания собственной фотопроводимости

5.2 Кинетики релаксации собственной фотопроводимости

5.3 Влияние инфракрасной подсветки на вид кинетик собственной фотопроводимости

5.4 Обсуждение кинетик фотопроводимости GaP:Cu

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние неравновесных состояний меди на фотопроводимость фосфида галлия»

Актуальность темы. Полупроводниковые соединения АШВУ находят широкое применение в изделиях микро- и оптоэлектроники. Технология изготовления оптоэлектронных приборов непрерывно совершенствуется, расширяется ряд используемых полупроводниковых материалов. Фосфид галлия находит свое применение в производстве фоторезисторов с большими значениями коэффициента усиления, где в качестве очувствляющей собственную фотопроводимость примеси используется медь. Несмотря на большое количество экспериментальных работ, посвященных изучению поведения этой примеси, до сих пор отсутствует единое мнение о физической природе причин сенсибилизации собственной фотопроводимости медью, практически не известна ее роль в процессах рекомбинации.

Для объяснения наблюдаемых явлений, связанных с примесью меди, применяются две основные концепции. Первая исходит из возможности образования комплексов атомами меди с дефектами кристаллической решетки. Вторая определяется амфотерными свойствами самой примеси. К сожалению, в силу полного отсутствия данных измерений ЭПР или ЯМР, которые дают возможность говорить о характере локализации в решетке примесных атомов переходных металлов, однозначно склонить чашу весов в пользу той или иной концепции на сегодняшний день нельзя. Тем не менее, анализ имеющихся экспериментальных данных по люминесценции, оптическому поглощению, фотопроводимости и т.д., позволяет как-то сместить акцент в направлении одной из моделей. Так, большой объем работ по исследованию фотопроводимости привел к результатам, говорящих о бистабильности узельного состояния меди в фосфидах индия и галлия, при этом примесный атом может изменять свою координацию. В силу большого количества противоречивых экспериментальных данных и сложности применяемой модели необходимы дополнительные исследования, которые должны устранить неоднозначность трактовки результатов.

Работа выполнялась в соответствии с планом Госбюджетных работ 2001.34 «Изучение технологических и физических процессов в полупроводниковых структурах и приборах», государственный регистрационный номер №01200110626; а также 2004.34 «Исследование полупроводниковых материалов (Si, А3В5, А2В6), приборов на их основе и технологии изготовления» государственный регистрационный номер №01200412882.

Цель исследований заключается в изучении влияния бистабильных состояний меди на фотопроводимость фосфида галлия, изучении и детализацией механизмов примесной фотопроводимости, уточнении энергетического спектра примесных состояний меди в GaP, уточнении механизмов рекомбинации GaP:Cu, изучении влияния пассивации поверхности образцов на фотопроводимость GaP:Cu.

Для достижения поставленной цели предстояло решить следующие задачи:

- провести экспериментальные исследования спектров фотопроводимости в образцах GaP:Cu;

- исследовать особенности релаксационных процессов фотопроводимости в образцах GaP:Си;

- исследовать кинетики фотопроводимости GaP:Си при комбинированном возбуждении и различных температурах;

- автоматизировать комплекс СДЛ-2;

- создать автоматизированную установку для исследования кинетик фотопроводимости;

- исследовать влияние напыления селена, а также обработки поверхности образцов сульфидными растворами на фотопроводимость GaP:Си.

Методы исследования. Для решения поставленных задач были использованы методы изучения фотоэлектрических свойств материала, таких как:

1. однолучевой модуляционный метод измерения фотопроводимости;

2. двухлучевой модуляционный метод измерения фотопроводимости при различной температуре;

3. метод измерения кинетик релаксации фотопроводимости при различных температурах с использованием двух светодиодов.

Научная новизна работы

1. Показано, что наличие неравновесных состояний меди в условиях значительного по глубине изгиба зон определяет вид спектра фотопроводимости фосфида галлия, легированного медью не только за полосой собственного поглощения, но и в примесной области

2. Экспериментальным путем доказано, что полоса фотопроводимости GaP:Cu в диапазоне 1.5-2.2 эВ определяется наложением двух процессов фотовозбуждения электронов в зону проводимости. В результате перераспределения рекомбинационного параметра в поле поверхностного потенциала в данной полосе наблюдаются пики резонансного вида.

3. Предложенная методика исследования кинетик позволила детализировать динамику роста и спада фотопроводимости в GaP:Cu. В кинетике релаксации собственной фотопроводимости наблюдается аномалия спада, проявляющаяся в виде «полочки», что связано с лимитирующим действием скорости диффузии носителей.

4. Определена температурная зависимость кинетик ПК- гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости, с применением комбинированной засветки двумя светодиодами. Максимум светимости синего свето-диода \mwr 466 нм, максимум ИК - А,тах= 954 нм. Выявлено наличие точки перехода с ростом температуры от очувствления собственной фотопроводимости к гашению.

5. На основании проведенных исследований для центров меди в фосфиде галлия предложен механизм двухэлектронного захвата, объясняющий их участие в рекомбинации. Наличие такого механизма определяет большой темп рекомбинации в материале.

Практическая значимость проведенных исследований

1. Зависимость вида спектра собственной фотопроводимости GaP:Cu от состояния поверхности после обработки указывает на возможность его применения в устройствах контроля газовых сред оптронного типа.

2. Наличие температурной точки перехода от очувствления собственной фотопроводимости к гашению может в дальнейшем использоваться как экспресс-метод для определения степени компенсации образцов медью.

3. Разработанная автоматизированная система управления комплексом СДЛ-2 позволит снизить трудоемкость и влияние человеческого фактора на эксперимент при исследовании фотоэлектрических свойств полупроводников.

4. Разработанная автоматизированная система регистрации переходных процессов найдет применение для экспрессного измерения времен жизни неравновесных носителей в полупроводниках (Tmin~ 0.5 мс).

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Роль неравновесных состояний меди в фотопроводимости фосфида галлия. Неравновесные состояния меди в фосфиде галлия, возникающие при фотовозбуждении или инжекции носителей из контакта в поле поверхностного потенциала приводит к появлению в спектрах фотопроводимости квазирезонансных пиков в полосе примесного поглощения.

2. Механизм быстрой рекомбинации через двухэлектронный захват на центр меди. Для меди в фосфиде галлия данный механизм будет выглядеть следующим образом. Состояние В+ локализует первый электрон в окрестности центра, с образованием состояния В0, а затем приближение второго электрона стимулирует переход центра в конфигурацию А и парный захват с образованием состояния А". Далее происходит последовательный захват дырок, с образованием метастабильного состояния А+, которое переходит в В+ в результате релаксации решетки. Таким образом реализуется схема быстрой безызлунательной рекомбинации: В+ +2е—»А-, А- + 2h—> В+.

3. Результаты исследований кинетик фотопроводимости в условиях комбинированного возбуждения. Поведение фотопроводимости при комбинированном возбуждении определяется не только динами волн, используемых световых потоков, но и температурой. Значение энергии термической активации, полученное при исследовании кинетик подтверждает наличие мелкого уровня 0.1-0.2 эВ, связанного с состоянием А центра меди.

4. Влияние релаксации области пространственного заряда на фотопроводимость GaP:Cu. Пассивация в сульфидных растворах приводит к изменению поверхностного потенциала и рекомбинации через поверхностные состояния. В результате наблюдается изменение спектров ФП GaP:Cu, которое связано с перераспределением неравновесных состояний меди в поле поверхностного потенциала.

Достоверность полученных результатов определяется построением физических моделей с учетом основных явлений, определяющих свойства процессов или объектов. Исследования проводились с использованием автоматизированных спектрально-вычислительного комплекса и комплекса для исследования кинетик фотопроводимости, что повысило точность и достоверность экспериментальных данных. При измерениях использовались апробированные методики, аттестованная и поверенная аппаратура. Экспериментальные результаты дополняются данными численного моделирования. Часть полученных результатов согласуется с результатами и выводами других авторов.

Апробация работы. Основные положения и научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии -2003» (Ульяновск,

2003); Региональной научно - методической конференции «Информатика: проблемы, методология, технологии» (Воронеж, 2004); Международной конференции «Образовательные, научные и инженерные приложения в среде Lab VIEW и технологии National Instruments» (Москва, 2004); Международной конференции "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, 2005).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 10 работ, в том числе: 4 статьи и 6 тезисов докладов.

Личный вклад автора. В совместных работах автору принадлежит разработка аппаратно-программных комплексов, получение результатов экспериментальных исследований, их обработка средствами вычислительной техники, подготовка научных публикаций. Предлагаемые в работе физические модели и интерпретация экспериментальных результатов предложены и разработаны лично автором.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы из 86 наименований и приложения. Работа изложена на 103 страницах текста и содержит 41 рисунок.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кожевников, Алексей Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Наличие неравновесных состояний меди в условиях значительного по глубине изгиба зон определяет вид спектра фотопроводимости фосфида галлия, легированного медью не только за полосой собственного поглощения, но и в примесной области.

2. Предложено объяснение возникновения квазирезонансных полос примесной фотопроводимости в диапазоне 1.5 - 2.2 эВ. Полоса определяется наложением двух процессов фотовозбуждения электронов в зону проводимости, в условиях изменения рекомбинационного параметра по глубине, а также инжекцией электронов в образец.

3. Пассивация в сульфидных растворах приводит к изменению поверхностного потенциала и рекомбинации через поверхностные состояния. В результате наблюдается изменение спектров ФП GaP:Cu, которое связано с перераспределением неравновесных состояний меди в поле поверхностного потенциала. Описанные закономерности могут найти применение в устройствах контроля газовых сред оптронного типа.

4. В кинетике нарастания ФП GaP:Си можно выделить как минимум три участка. Динамика роста ФП на первом участке определяется квадратичной рекомбинацией через поверхностные состояния. На третьем участке на фоне квадратичной наблюдается линейная рекомбинация, являющаяся вероятнее всего результатом лимитирующего действия диффузии носителей.

5. Появление «полочки» в кинетике спада ФП вероятнее всего определяется ограниченной скоростью диффузии носителей в условиях малой концентрации состояний В+ в объеме образца.

6. Значение энергии термической активации, полученное при исследовании кинетик ИКГСФП подтверждает наличие мелкого уровня 0.10.2 эВ, связанного с состоянием А+ центра меди.

7. Для объяснения быстрой безызлучательной рекомбинации в GaP:Си и факта участия состояний А в процессе, предложена схема двухэлектронного захвата: В+ +2е—> А~, А~ + 2h~> В+. Данная схема позволяет индуцировать состояния U- в процессе рекомбинации.

8. Рассмотрены различные варианты разработки автоматизированных систем управления процессом измерений и определены критерии применимости данных вариантов в том или ином случае.

9. На основании алгоритма работы комплекса СДЛ-2 разработаны протоколы обмена, устройство сопряжения и приложение «Спектр.ехе», позволившие заменить морально и физически устаревшую систему управления данным комплексом.

10. На базе платы сбора данных от National Instruments и среды разработки приложений LabVIEW, создана экспериментальная установка, позволяющая исследовать температурные зависимости кинетик фотопроводимости в фосфиде галлия, легированного медью.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кожевников, Алексей Александрович, 2006 год

1. Grimmeiss H.G., Monemar В., Samuelson L. Properties of deep Cu levels in GaP // Solid State Electronics.-1978.-Vol.21.-P.1505-1508.

2. Fabre E., Bhargava R.N. Thermally stimulated current measurements and their correlation with efficiency and degradation in GaP LED's // Appl. Phys. Lett.-1974,-Vol. 24.- P.322-324.

3. Dean P.J., White A.M., Hamilton В., Peaker A.R., Gibb R.M. Nickel, a persistent inadvertent contaminant in device-grade vapour epitaxially grown gallium phosphide // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1977, V. 10, P. 2545-2554.

4. Grimmeiss H.G., Monemar B. Some optical properties of Cu in GaP // Phys. Status Solidi (a).-1973.-Vol,19.-P.505-511.

5. Monemar В., Dean P.J. Optical properties of the Cu related characteristic lyminescence center in GaP // J. Luminescence.-1972.- Vol.5.-P.472

6. Wessels B. Determination of deep levels in Cu-doped GaP using transient-current spectroscopy//J. Appl. Phys. -1976.-Vol.47.-P.1131-1133.

7. Fagerstom P.O., Grimmeiss H.G., Titze H. Thermal and optical processes in GaP:Cu//J. Appl. Phys. -1978.-Vol.49.-P.3341-3347

8. Наследов Д.Н., Слободчиков C.B. О фотопроводимости в GaP // ФТТ.-1963.-T.4.-C.3161-3164.

9. Grimmeiss H.G., Scholz Н. Optical and electrical properties of GaP-Cu. Part II // Philips. Res. Rep. -1966.- Vol.21.-P.246-249

10. Grimmeiss H.G., Ologsson G. Charge-carrier capture and its effect on transition capacitance in GaP-Cu diodes // J. Appl. Phys. -1969.-Vol.40.-P.2526-2533.

11. Monemar В., Grimmeiss H.G. Optical characterization of deep energi //Prog. Crystal. Charact. 1982. -V. 5. - P. 47-48.

12. Allen J.W., Cherry R.J. Some properties of GaP-Cu // Phys. Chem. Solids.-1962,- Vol.53.-P.509-511.

13. Olsson R. Impurity absorption in GaP doped with cooper and oxygen // Phys. Status Solidi (b).-1971.-Vol.46.-P.299-309.

14. Singh V.A, Zunger Alex. Electronic structure of transition impurities in GaP // Phys. Rev. B. -1985.-Vol.31.-P.3729-3759.

15. Абагян C.A., Амосов В.И., Крупышев P.С. О природе примесного поглощения в GaP:Cu // ФТП.-1976.-Т.10.-Вып.9-.-С.1719-1722.

16. Абагян С.А., Крупышев Р.С. Природа ослабления света в GaP<Cu> // ФТП.-1978.-Т.12.- Вып.9.-С.2360-2364.

17. Lucovski J. On photoionization of deep impurity in semiconductors // Sol. St. Commun.-1965.-Vol.3.-P. 299-302

18. Низкочастотные осцилляции тока в высокоомном фосфиде галлия / А.И. Иващенко, М.П. Икизли, Д.Н. Наследов, С.В. Слободчиков // ФТП.-1973.-Т.7.- Вып.З.-С.612-614

19. Grimmeiss H.G., Scholz Н. Photoconductivity of Cu-doped GaP // Philips. Res. Rep. -1965.-Vol.20.-P.107-124.

20. Goldstein В., Perlman S.S. Electrical and optical properties of high-resistivity GaP//Phys. Rev.-1966.-Vol.l48.-P.715-721.

21. Schulze R.G., Petersen P.E. Photoconductivity in solution-grown copper-doped GaP//J. Appl. Phys. -1974.-Vol.45.-P.5307-5311

22. Буянова И.А., Остапенко С.С., Шейнкманн М.К. Симметрия и модель сложного центра поляризованной фото и термолюминесценции в монокристаллах GaP // ФТП.-1986.-Т.20.- Вып. 10.-С. 1791-1800.

23. Optical properties of the Cu-related characteristic-luminescence center in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean // Phys. Rev. B.-1983.-Vol.26.-P.8320-8330.

24. Photoluminescence studies of the 1.911-eV Cu-related complex in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean, D.C. Herbert, S. Depinna, B.C. Cavenett, N. Killoran. II Phys. Rev. B.-1982.-Vol.26.-№2.-P.827-845.

25. Cten W.M., Gislason H.P., Monemar B. Poa antisite-related neitral complex defect in GaP studied with optically detected magnetic resonance // Phys. Rev. B.-1987.-Vol.36.-№9.-P.5058-5062.

26. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Под. ред. Шейнкмана М.К.- М.: Мир, 1977.- 562с.

27. Рябоконь В.Н., Свидзинский К.К. Теория акцепторов с глубокими уровнями в полупроводниках // ФТТ.-1969.- Вып.11.-С.585.

28. Рябоконь В.Н., Свидзинский К.К. Акцепторные примеси замещения в полупроводниках.// ФТП.-1971.-Т.5.- Вып. 10.-С. 1865-1870.

29. Буслов В.А. Фотопроводимость фосфида галлия, сильно компенсированного медью. Автореф. канд. дисс. Воронеж, 1999.

30. Прибылов Н.Н. Примесные состояния и диффузия переходных металлов в фосфидах галлия и индия. Автореф. доктор, дисс. Воронеж, 2000.

31. Москвичев А.В. Эффекты инфракрасного гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в фосфидах галлия и индия, легированных медью. Автореф. канд. дисс. Воронеж, 2002.

32. Прибылов Н.Н., Буслов В.А., Рембеза С.И., Сушков С.А., Москвичев А.В. Примесная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью.\\ Перспективные материалы, -2002, -№3, С.28-31.

33. Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Сустретов А.А. Амфотерное поведение меди в фосфиде индия. // ФТП. 1994. - Т.28. - Вып. 3. - с.467-471.

34. Ковалевская Г.Г, Клотынып Э.Э, Наследов Д.Н., Слободчиков С.В. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства InP, легированного медью. // ФТТ 1966. - Т.8 - Вып.8 - с. 2415-2419.

35. Ковалевская Г.Г., Наследов Д.Н., Сиукаев Н.В., Слободчиков С.В. Спектральная фоточувствительность InP п-типа. // ФТТ 1966. - Т.8 -Вып.2 - с. 475-477.

36. Кирсон Я.Э., Клотынып Э.Э., Круминя Р.К. Компенсация доноров в фосфиде индия медью // ФТП. 1988. - Т.22. - Вып.З. - с.565. - Деп. в ВИНИТИ, №Р-4319/87.

37. Дрейманис Э.А., Кирсон ЯЗ., Клотынып Э.Э., Круминя Р.К. Изучение влияния меди на электрофизические свойства фосфида индия. // Изв. АН Латв.ССР: Сер. физ. и техн. н. 1986. - № 2 - с. 19-25.

38. Негрескул В.В., Руссу Е.В., Радауцан С.И., Чебан А.Г. Излучательная рекомбинация в легированных кристаллах фосфида индия // ФТП 1975 -Т.9 - Вып.5 - с. 893-900.

39. Дахно А.Н., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Метревели С.Г. Влияние компенсации на проводимость по примесям в n-InP при промежуточном легировании. // ФТП. 1976. - Т. 10. - Вып.4. - с. 677 - 682.

40. Витовский Н.А., Лагунова Т.С., Рахимов О. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфидах индия n-типа со скоплениями акцепторов. // ФТП. 1984. - Т. 18 - Вып.9 - с. 1624-1628.

41. Ковалевская Г.Г., Алюшина В.И., Слободчиков С.В. О низкочастотных колебаниях тока в InP. // ФТП 1975 - Т.9 - Вып.11 - с. 2125-2128.

42. Kullendorff N., Jansson L., Ledebo L-A. Copper-related depp level defects in III-V semiconductors // J.Appl.Phys. 1983 - Vol.56 - N.6 - p.3203-3212.

43. Skolnick M.S., Dean P.J, Pitt A.D., Uihlein Ch, Krath H, Deveaud В., Foulkes E.J. Optical properties of copper-related centers in InP. // J. Phys.C: Sol.St.Phys. 1983. - Vol.16. - p.1967-1985.

44. Jyh-Chwen Lee, Milnes A.G., Schlesinger Т.Е. Quenching of band-edge photoluminescence in InP by Cu. // Phys.Rev.B 1986 - Vol.34 -N. 10 - p.7385-7387.

45. Сушков C.A. Примесные состояния меди в фосфиде индия. Автореф. канд. дисс. Воронеж, 1999.

46. Пека Г.П, Бродовой В.А., Горшков Л.И. Эффекты полевого управления интенсивностью излучательной рекомбинации при нагреве носителей в GaAs(Cu)//ФТП 1971 - Т.5 - Вып.9 - с. 1830-1833.

47. Климка Л.А., Глинчук К.Д. // ФТП 1970 - Т.4 - Вып.7 - с. 673.

48. Глинчук К.Д. В сб.: Актуальные вопросы физики полупроводников и полупроводниковых приборов, 106. Вильнюс, 1969.

49. Бродовой В.А., Пека Г.П. // ФТТ 1971 - Т. 13 - Вып. 11 - с. 2406.

50. Алферов Ж.И. Гарбузов Д.З., Морозов Е.П. // ФТТ 1966 - Т.9 - Вып.8 - с. 3236.

51. Нейтральное состояние глубокого акцептора CuGa в арсениде галлия / Н.С. Аверкиев, В.А. Ветров, А.А. Гуткин, И.А. Меркулов, Л.П. Никитин, И.И. Ремина, Н.Г. Романов // ФТП.-1986.-Т.20,- Вып.9.-С.1617.

52. Аверкиев Н.С., Аширов Т.К., Гуткин А.А. К вопросу о роли глубокого центра, дающего полосу люминесценции около 1.36 эВ в образование связанных экситонов в GaAs, легированном Си II ФТП.-1982.-Т.16.-Вып.12.-С.2046 2150.

53. Пека Г.П., Бродовой В.А. Полевая деформация спектра примесного излучения GaAs(Cu) // ФТП 1973 - Т.9 - Вып.5 - с. 1645-1648.

54. P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett. 34, 953 (1975).

55. H.T. Баграев, Л.Н. Блинов, В.В. Романов. Самокомпенсация метастабильных центров в халькогенидных полупроводниковых стеклах // ФТТ.-2002.-Т.44.- Вып.5.-С.785 791.

56. P.M. Mooney, T.N. Theis. The DX center: a new picture of substitutional donors in compound semiconductors // Comm. Cond. Matt. Phys. -1992.-Vol.16 №3. -P. 167-190.

57. Борисов В.И., Сабликов B.A., Борисова И.В., Чмиль А.И. Перезарядка центров с глубокими уровнями и отрицательная остаточная фотопроводимость в селективно легированных гетероструктурах AlGaAs/GaAs // ФТП. -1999. -Т.31 Вып.6, -С.68-74.

58. Белогорохов А.И., Иванчик И.И., Попович 3., Ромчевич Н., Хохлов Д.Р. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы // ФТП. -1998. -Т.32. Вып.6, -С.679 -683.

59. Баграев Н.Т., Половцев И.С. Оптическая самокомпенсация донорных центров железа в кремнии // ФТП. -1989. -Т.23. Вып.6, -С. 1098 - 1100.

60. Атабаев И.Г., Баграев Н.Т., Машков В.А., Саидов М.С., Сирожов У., Юсупов А. Реакция центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si-Ge // ФТП. -1989. -Т.23. Вып.З, -С.525 -531.

61. N.T. Bagraev. Field-dependent negative-/properties for zinc-related center in silicon // Sol. St. Commun., Vol. 95, №6, pp. 365-371, 1995.

62. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. A mechanism for two-electron capture at deep level defects in semiconductors // Sol. St. Commun., Vol. 65, №10, pp. 11111117, 1988.

63. Кириллов В.И., Прибылов H.H., Рембеза С.И., Спирин А.И. Зарядовые состояния и диффузия марганца в фосфиде галлия.// ФТТ, 1980, том 22, вып. 11, с. 3322-3326.

64. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. - 494 с.

65. Ан П. Сопряжение ПК с внешними устройствами: Пер. с англ. -М.: ДМК Пресс, 2001 -320 с.

66. Новиков Ю.В., Калашников О.А., Гуляев С.Э. Разработка устройств сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC. Под общей редакцией Ю.В. Новикова. Практ. пособие М.: ЭКОМ., 1997 - 224с.

67. Фролов А.В., Фролов Г.В. Программирование модемов. М.: ДИАЛОГ-МИФИ, 1993.- 240с.-(Библиотека системного программиста; Т.4)

68. Гук. М. Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия. СПб.: Питер, 2002.- 528 е.: ил.

69. Мячев А.А. Интерфейсы средств вычислительной техники: Энциклопедический справочник. -М.: Радио м связь, 1993.-352с.

70. Макуха В. К. Устройство для отладки плат расширения компьютеров IBM РС/ ПТЭ №5,1996. С. 71-73.

71. Киммел П. и др. Borland С++ 5: Пер. с англ.- СПб.: БХВ Петербург, 2001.-976 е.: ил.

72. Архангельский А.Я. Программирование в C++Builder 5. М.: Изд-во БИНОМ, 2000.

73. Кожевников А.А., Деревенских А.А. Установка для изучения переходных процессов под управлением ЭВМ / Материалы XVII межвузовской конференции: Актуальные проблемы естествознания. Н.Новгород: Изд-во РГОТУПС, 2004. С. 72.

74. У.Титце, К.Шенк, Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер. с нем. М.: Мир, 1982.

75. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев // ФТП, -1998. -Т. 32, -Вып.11, -С. 1281-1299.

76. A.M. Green, W.E. Spicer. J. Vac. Sri. Technol. A, 11, 1061 (1993).

77. L. Jedral, H.E. Ruda, R. Sodhi, H. Ma, L. Mannik. Can. J.Phys., 70, 1050 (1992).

78. Z.H. Lu, M.J. Graham. J. Appl. Phys., 75, 7567 (1994).

79. Y. Fukuda, N. Sanada, M. Kuroda, Y. Suzuki. Appl. Phys.Lett, 61, 955 (1992).

80. E. Dudzik, R. Whittle, C. Muller, I.T. McGovern, C. Nowak,A. Markl, A. Hempelmann, D.R.T. Zahn, A. Cafolla, W. Braun. Surf Sci, 307-309, 223 (1994).

81. Прибылов H.H., Буслов B.A., Рембеза С.И., Спирин А.И., Сушков С.А. // ФТП, -1999. -Т. 33, -Вып.8, -С.916-920.

82. Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Спирин А.И., Буслов В.А., Сушков С.А. ФТП, 32, 1165-1169 (1998).

83. Кожевников А.А., Прибылов Н.Н. Кинетика фотопроводимости фосфида галлия легированного медью. Труды международной конференции "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы", Ульяновск, 2005. С. 85.